CH493093A - Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungsanordnungen - Google Patents

Description

  
 



  Verfahren zur   llerstellung    von Halbleiterbauelementen oder mit    Haibleiterkörpern    bestückten Schaltungsanordnungen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungsanordnungen unter Verwendung von Kammkontakten.



   Die Verwendung von   kammähnlich    ausgestanzten Metallflachbändern bei der Anbringung von Aussenkontakten an Halbleiterelementen ist bekannt. Dabei werden Halbleiterkörper mit zwei oder mehreren Elektrodenanschlüssen jeweils an einer Kammzinke direkt kontaktiert, die weiteren Kontakte werden dann unter Zuhilfenahme von Drähten mit den benachbarten Kammzinken hergestellt. An den auf diese Weise untereinander einzeln an einen Kamm angelöteten Halbleiterkörpern können dann die nachfolgenden Verfahrensstufen, wie Reinigen, Aetzen, Trocknen, Abdecken mit Lack und Verkapseln in Serie vorgenommen werden.



   Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, auch die erste Verfahrensstufe, nämlich das zeitraubende Kontaktieren der einzelnen Halbleiterkörper mit den als Kammzinken ausgebildeten Anschlüssen serienmässig durchzuführen.



   Diese Aufgabe wird bei dem Verfahren der eingangs genannten Art erfindungsgemäss gelöst durch Verwendung von mindestens zwei parallel laufend aneinandergepressten oder fest verbundenen Kammkontakten, zwischen deren Kammzinken man die Halbleiterkörper einklemmt, und danach die Kontaktierung und alle weiteren, zur Fertigstellung nötigen Schritte, wie Reinigen, Aetzen, Trocknen, Abdecken mit Lack und Verkapseln, jeweils an allen eingeklemmten Halbleiterkörpern gleichzeitig durchführt. In einer Ausführungsform spielt sich das erfindungsgemässe Verfahren folgendermassen ab:
1. Festklemmen der Halbleiterkörper und gegebenenfalls weiterer Bauteile zur Kontaktierung der Bauelemente zwischen den   gegen-    einander gedrückten Kammzinken.



   2. Anlöten der Kontakte, vorzugsweise im Tauchlötverfahren mit üblichen Weichloten, beispielsweise auf Bleibasis.



   3. Ätzen, um die beim Tauchlöten zum Teil aufgehobenen Sperreigenschaften der Halbleiterkörper wieder herzustellen. Dazu verwendet man im allgemeinen ein Fusssäure-Salpetergemisch, wobei der Zusatz weiterer Säuren von Vorteil sein kann.



   Als weitere, ebenfalls an sich bekannte Stufen, folgen dann das Lackabdecken und zuletzt das Einbetten bzw. Vergiessen in Kunststoff. Schliesslich werden die Kammzinken von dem diese verbindenden Kammsteg abgetrennt, womit die einzelnen Bauteile anfallen.



   Das Verfahren nach der Erfindung sei im folgenden anhand einer Zeichnung beispielsweise näher erläutert.



   Fig. 1 zeigt eine bevorzugte Durchführungsform der Erfindung für den Fall der Herstellung von Halbleiterkörpern mit zwei Kontakten, wie Dioden. Kamm 1 weist Zinken mit einer fahnenartigen Verbreiterung auf, die vor allem zur besseren Ableitung der Wärme dient; Kamm 2 besitzt relativ schmale Zinken. Beide Kämme werden beispielsweise mittels einer entsprechenden Hal   teleisteso eingeklemmt    und gegeneinander gedrückt, dass sich die Enden der gegenüberliegenden Zinken berühren. Natürlich können die ausgestanzten Kämme entlang der Kammstege verbunden, z. B. zusammengelötet werden. Es empfiehlt sich, die schmalen Zinken des Kammes - wie gezeichnet - etwas geschwungen auszubilden, womit eine noch bessere Anpressung der Halbleitertabletten 4 erzielt wird. Die Kämme werden durch zwei Klemmleisten 5 zusammengehalten.



   Fig. 2 verdeutlicht den Fall der Fertigung von Halbleiterkörpern mit drei Anschlusskontakten, insb.



  Transistoren und Thyristoren. Hier ist der eine Kamm 3 so ausgebildet, dass auf ein breites Zinkenede des   Kammes 1 zwei schmale, nebeneinanderlaufende Zinken des Kammes 3 kommen. Es ist hier von Vorteil, die Zinken des Kammes 2 relativ steif, die des Kammes 3 relativ biegsam auszubilden.



   Fig. 3 zeigt die Ausführung einer Brückenschaltung, bestehend aus drei Kammkontakten, zwischen denen die einzelnen Halbleiterkörper (Dioden) 4 eingeklemmt werden. Die in der Zeichnung gezeigten Halbleiterelemente sind als rechteckige Plättchen ausgebildet; üblicher und bevorzugt sind Halbleiterelemente in Form runder Scheiben.



   Voraussetzung für das erfindungsgemässe Verfahren ist, dass alle zu kontaktierenden Flächen an der unteren und/oder oberen Fläche der Halbleiter-Tablette und nicht etwa an deren Seitenfläche liegen. Diese Voraussetzung ist aber auch für die Halbleiterkörper mit z. B.



  drei Anschlüssen erfüllt, bei denen der Steueranschluss üblicherweise mit dem einen Hauptelektrodenanschluss zusammen auf der gleichen   Tablettenfläche    liegt.



   Es ist zweckmässig, die Zinken zumindest an den Kontaktierungsstellen vor dem Einklemmen der Halbleiterkörper etc. mit einem Lot zu überziehen. Vorzugsweise verwendet man als Material für die Kammkontakte Kupfer, das durch einen allseitigen Belag von Silber zumindest kurzfristig   ätzbeständig    gemacht werden kann.

 

   Abschliessend ist festzuhalten, dass gemäss der Erfindung ganz allgemein integrierte Schaltungen mit mehreren Halbleiterelementen und ggf. anderen zu kontaktierenden Bauelementen hergestellt werden können, indem man diese Elemente mit entsprechend angeordneten und verzweigten Kämmen festklemmt und anschliessend gemeinsam auflötet und weiterbearbeitet.



  Bei allen diesen Anwendungszwecken des erfindungsgemässen Verfahrens besteht der Vorteil, dass eine Einzellötung von Hand entfällt und auch alle weiteren Verfah   rensstufen    an vielen Baueinheiten gleichzeitig durchgeführt werden können. 

Claims (1)

1. PATENTANSPRUCH

   Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen oder mit Halbleiterkörpern bestückten Schaltungsanordnungen unter Verwendung von Kammkontakten, dadurch gekennzeichnet, dass man mindestens zwei parallellaufend aneinandergepresste oder fest verbundene Kammkontäkte verwendet, die einzelnen Halbleiterkörper zwischen deren Kammzinken einklemmt, und danach die Kontaktierung und alle weiteren zur Fertigstellung nötigen Schritte jeweils an allen eingeklemmten Halbleiterkörpern gleichzeitig durchführt.

   UNTERANSPRÜCHE 1. Verfahren nach Patentanspruch zur Herstellung von kontaktierten Thyristoren oder Transistoren, dadurch gekennzeichnet, dass man einen ersten Kammkontakt (1) mit fahnenförmigen Zinken und einen zweiten Kammkontkt (3) mit paarweise angeordneten, gegen über den fahnenförmigen Zinken schmälere Zinken verwendet, deren Gesamtbreite geringer als die Breite der fahnenförmigen Zinken ist, und einen Halbleiterkörper zwischen jeweils eine Zinke der ersten Art und zwei Zinken der zweiten Art so einklemmt, dass die Tablettenfläche des Halbleiterkörpers mit zwei Anschlüssen von der fahnenförmigen Zinke abgewandt liegt.

   2. Verfahren nach Patentanspruch und Unteranspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass man Kammkontakte aus Kupfer verwendet, deren Zinken versilbert sind.

   3. Verfahren nach Patentanspruch und Unteransprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, dass man Kammkontakte verwendet, deren Zinken zumindest an den Kontaktierungsstellen mit Lot überzogen sind.