DE19944729A1 - Resistzusammensetzung - Google Patents
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Abstract
Eine Resistzusammensetzung, die verbesserte Profileigenschaften ohne Beeinträchtigung der Auflösung und Empfindlichkeit zeigt, die einen Bindemittelbestandteil, einen strahlungsempfindlichen Bestandteil und eine Succinimidverbindung der folgenden Formel (I) umfaßt: DOLLAR F1 in der Q·1· einen Alkylrest, der gegebenenfalls mit einem Alkoxyrest, Halogenatom oder einer Nitrogruppe substituiert sein kann, einen alicyclischen Kohlenwasserstoffrest, einen Arylrest oder einen Aralkylrest darstellt; und Q·2·, das zu Q·1· gleich oder verschieden sein kann, ein Wasserstoffatom, einen Alkylrest, der gegebenenfalls mit einem Alkoxyrest, einem Halogenatom oder einer Nitrogruppe substituiert sein kann, einen alicyclischen Kohlenwasserstoffrest, einen Arylrest oder einen Aralkylrest darstellt.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Resistzusammensetzung, die empfindlich
gegen Strahlung, wie Ultraviolettstrahlen, ist, wobei ein positives oder negatives Muster
erhalten wird, und die zur Verwendung bei Feinbearbeitung von Halbleitern geeignet
ist.
Ein Resist erleidet eine chemische Änderung bei Bestrahlung und ergibt ein posi
tives oder negatives Muster durch die folgende Entwicklung. Bekannte Beispiele davon
schließen einen Resist, entwickelt mit einem organischen Lösungsmittel, und einen Re
sist, entwickelt mit einer wäßrigen Alkalilösung, ein. Beispiele des mit der wäßrigen
Alkalilösung entwickelten Resists schließen positive Resists des Novolak/Chinondiazid-
Typs, umfassend ein alkalilösliches Novolakharz als Bindemittelbestandteil und eine
Chinondiazidverbindung als strahlungsempfindlichen Bestandteil, negative Resists des
Novolak/Azid-Typs, umfassend das gleiche alkalilösliche Novolakharz als Bindemittel
bestandteil und eine Azidverbindung als strahlungsempfindlichen Bestandteil, und posi
tive oder negative Resists des chemischen Verstärkungstyps, umfassend ein alkalilösli
ches Harz oder ein Harz, das dazu fähig ist, alkalilöslich gemacht zu werden, als Binde
mittelbestandteil, und eine aktive Verbindung, die zur Erzeugung einer Säure oder Base
durch die Wirkung von Strahlung fähig ist, als strahlungsempfindlichen Bestandteil, ein.
Die positiven oder negativen Resists des chemischen Veränderungstyps verwenden eine
katalysische Wirkung der Säure oder Base, die aus dem strahlungsempfindlichen Be
standteil erzeugt wird.
Mit dem neueren Trend des erhöhten Integrierungsgrads von integrierten Schal
tungen war die Erzeugung eines Musters im Submikronbereich erforderlich. Als Ergeb
nis waren Resists mit ausgezeichneter Auflösung, sowie ausgezeichnetem Profil (Form
des Musters) erforderlich. Je feiner das Muster wird, desto stärker wird eine runde
Spitze oder ein konischer Verlauf zwischen der Spitze und dem Boden des Musters
deutlich erkennbar, wobei es schwierig wird, genau die Form einer Maske bei
musterbildender Belichtung im entstehenden Muster zu reflektieren. Daher war eine
verbesserte Resistzusammensetzung erforderlich, die zum Erhalt eines guten Profils
fähig ist.
Die einfachste Maßnahme zur Verbesserung des Profils besteht darin, daß die
Transparenz des Resists erhöht wird, zum Beispiel die Menge des strahlungsempfindli
chen Bestandteils vermindert wird. Jedoch wird das Profil durch alleiniges Verringern
der Menge des strahlungsempfindlichen Bestandteils zum Erhöhen der Transparenz nicht
deutlich verbessert. Weiter setzt eine Verringerung in der Menge des strahlungsempfind
lichen Bestandteils allgemein die Empfindlichkeit herab.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist, eine Resistzusammensetzung be
reitzustellen, die zum Erhalt eines Profils mit ausgezeichneter Form ohne Beeinträchti
gung der Resisteigenschaften, wie Empfindlichkeit und Auflösung, fähig ist.
Diese Aufgabe wurde auf der Basis des Befundes gelöst, daß das Profil durch
Einmischen einer bestimmten Verbindung in eine Resistzusammensetzung, die einen
Bindemittelbestandteil und einen strahlungsempfindlichen Bestandteil enthält, deutlich
verbessert werden kann.
JP-A-10-261757 beschreibt eine positive Resistzusammensetzung des chemischen
Verstärkungstyps, umfassend ein Harz mit einer Struktureinheit der folgenden Formel:
in der R1 und R2 jeweils unabhängig einen Alkylrest oder einen Cycloalkylrest darstellen
und die Gesamtzahl der Kohlenstoffatome von beiden Resten 4 bis 10 beträgt, einen Säu
regenerator und einen Photobasengenerator, der eine substituierte Carbamoyloxygruppe
der folgenden Formel aufweist:
in der R3 einen Kohlenwasserstoffrest darstellt, und durch die Wirkung von Strahlung
zersetzt wird, wobei ein Amin hergestellt wird. Demgegenüber beruht die vorliegende
Erfindung auf dem Befund, daß eine spezielle unter den vorstehenden Verbindungen mit
einer substituierten Carbamoyloxygruppe eine besondere Verbesserung des Profils von
verschiedenen Resistzusammensetzungen bewirkt.
Die vorliegende Erfindung stellt eine Resistzusammensetzung bereit, die einen
Bindemittelbestandteil, einen strahlungsempfindlichen Bestandteil und eine Succinimid
verbindung der folgenden Formel (I) umfaßt:
in der Q1 einen Alkylrest, der gegebenenfalls mit einem Alkoxyrest, Halogenatom oder
einer Nitrogruppe substituiert sein kann, einen alicyclischen Kohlenwasserstoffrest, ei
nen Arylrest oder einen Aralkylrest darstellt; und Q2, das zu Q1 gleich oder verschieden
sein kann, ein Wasserstoffatom, einen Alkylrest, der gegebenenfalls mit einem Alkoxy
rest, einem Halogenatom oder einer Nitrogruppe substituiert sein kann, einen alicycli
schen Kohlenwasserstoffrest, einen Arylrest oder einen Aralkylrest darstellt.
In der erfindungsgemäßen Resistzusammensetzung ist eine Succinimidverbindung
der vorstehend erwähnten Formel (I) zusammen mit einem Bindemittelbestandteil und
einem strahlungsempfindlichen Bestandteil eingemischt. Q1 und Q2 in der Formel (I)
stellen jeweils unabhängig einen Alkylrest, einen alicyclischen Kohlenwasserstoffrest,
einen Arylrest oder einen Aralkylrest dar; mit der Maßgabe, daß Q2 auch ein Wasser
stoffatom sein kann. Unter ihnen kann der Alkylrest mit einem Alkoxyrest, Halogenatom
oder einer Nitrogruppe substituiert sein. Der Alkylrest kann ein Alkylrest mit etwa 1 bis
6 Kohlenstoffatomen, wie eine Methyl-, Ethyl-, Propyl-, Isopropyl-, Butyl-, Isobutyl-,
sec-Butyl-, tert-Butyl-, Pentyl- oder Hexylgruppe, sein. Der Alkoxyrest, mit dem der
Alkylrest substituiert sein kann, kann ein Alkoxyrest mit etwa 1 bis 4 Kohlenstoffatomen
sein. Halogenatome, mit denen der Alkylrest substituiert sein kann, können z. B. ein
Chlor- oder Bromatom sein. Spezielle Beispiele des substituierten Alkylrests schließen
eine 2-Methoxyethyl- und 2-Chlorethylgruppe ein. Der alicyclische Kohlenwasserstoff
rest, der durch Q1 oder Q2 in der Formel (I) wiedergegeben wird, kann ein monocycli
scher Cycloalkylrest oder ein vernetzter polycyclischer sein, und weist üblicherweise
etwa 5 bis 12 Kohlenstoffatome auf. Spezielle Beispiele davon schließen eine Cyclopen
tyl-, Cyclohexyl-, Bornyl- und Adamantylgruppe ein. Beispiele des Arylrests schließen
eine Phenyl-, Tolyl-, Xylyl-, Methoxyphenyl- und Chlorphenylgruppe ein. Der Arylrest
weist üblicherweise etwa 6 bis 10 Kohlenstoffatome auf. Beispiele des Aralkylrests
schließen eine Benzyl-, Anisyl- und Phenylethylgruppe ein. Der Aralkylrest weist übli
cherweise etwa 7 bis 12 Kohlenstoffatome auf.
Von der Succinimidverbindung der Formel (I), ist jene, in der Q2 ein Wasser
stoffatom ist, das heißt N-(monosubstituiertes Carbamoyloxy)succinimid der folgenden
Formel (Ia):
bevorzugt.
Einige der Succinimidverbindungen der Formel (I) sind in K. Takeda et al.,
Tetrahedron Letters, Band 24, 4569-4572 (1983) beschrieben. Daher sind diese Succin
imidverbindungen bekannt. Diese Verbindungen können zum Beispiel durch Umsetzung
von N-Hydroxysuccinimid mit Carbamoylchlorid mit den durch Q1 und Q2 in der Formel
(I) wiedergegebenen Resten oder mit Isocyanat mit einem durch Q1 wiedergegebenen
Rest, wenn Q2 in der Formel (I) ein Wasserstoffatom ist, falls erforderlich in Gegenwart
einer Base, hergestellt werden. Diese Reaktionen werden durch die folgenden
Reaktionsgleichungen wiedergegeben:
in denen Q1 und Q2 die vorstehend angegebene Bedeutung haben.
Alternativ kann die Succinimidverbindung der Formel (I) zum Beispiel auch
durch Umsetzung von Succinimidylchlorcarbonat mit einem primären oder sekundären
Amin mit durch Q1 und Q2 in der Formel (I) wiedergegebenen Resten in Gegenwart ei
ner Base als Dehydrochlorierungsmittel gemäß folgender Reaktionsgleichung hergestellt
werden:
in der Q1 und Q2 die vorstehend angegebene Bedeutung haben. Das hier verwendete
Succinimidylchlorcarbonat kann zum Beispiel mit dem in T. Konakahara et al., SYN-
THESIS, 103-106 (1993) beschriebenen Verfahren hergestellt werden.
Beispiele der Succinimidverbindung der Formel (I) schließen ein:
N-(Methylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Ethylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Hexylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Phenylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Dimethylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Diethylcarbamoyloxy)succinimid und N-(Dicyclohexylcarbamoyloxy)succinimid.
N-(Methylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Ethylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Hexylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Phenylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Dimethylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Diethylcarbamoyloxy)succinimid und N-(Dicyclohexylcarbamoyloxy)succinimid.
Durch Einmischen der Succinimidverbindung der Formel (I) in die Resistzusam
mensetzung kann das Profil eines Musters verbessert werden, das durch Bestrahlen eines
aus der Zusammensetzung gebildeten Resistfilms mit Strahlung und Entwickeln erhalten
wird. Es wird angenommen, daß der Grund der ist, daß diese Verbindung hydrolysiert
wird, wenn sie in Kontakt mit einem Entwickler kommt, wobei eine Base (Amin) er
zeugt wird und dabei die Polarität der Verbindung geändert wird.
Daher ist diese Succinimidverbindung für eine Resistzusammensetzung, die mit
wäßriger Alkalilösung entwickelt wird, besonders wirksam. Wie vorstehend beschrie
ben, schließt die Resistzusammensetzung, die mit der wäßrigen Alkalilösung entwickelt
wird, zum Beispiel einen positiven Resist des Novolak/Chinondiazid-Typs, umfassend
ein alkalilösliches Novolakharz als Bindemittelbestandteil und eine Chinondiazidverbin
dung als strahlungsempfindlichen Bestandteil, einen negativen Resist des Novolak/Azid-
Typs, umfassend ein alkalilösliches Novolakharz als Bindemittelbestandteil und eine
Azidverbindung als strahlungsempfindlichen Bestandteil, und einen positiven oder nega
tiven Resist des chemischen Verstärkungstyps ein, umfassend ein alkalilösliches Harz
oder ein Harz, das dazu fähig ist, alkalilöslich gemacht zu werden, als
Bindemittelbestandteil und eine aktive Verbindung, die zum Erzeugen einer Säure oder
Base durch die Wirkung von Strahlung fähig ist, als strahlungsempfindlichen
Bestandteil, wobei der positive oder negative Resist des chemischen Verstärkungstyps
die katalytische Wirkung der aus dem strahlungsempfindlichen Bestandteil erzeugten
Säure oder Base verwendet.
Im erfindungsgemäßen positiven Resist des Novolak/Chinondiazid-Typs und dem
negativen Resist des Novolak/Azid-Typs kann ein Novolakharz verwendet werden, das
üblicherweise als Bindemittelbestandteil in dieser Art einer Resistzusammensetzung
verwendet wird. Das Novolakharz wird üblicherweise durch Kondensieren einer
Phenolverbindung mit einem Aldehyd in Gegenwart eines sauren Katalysators erhalten.
Beispiele der bei der Herstellung des Novolakharzes verwendeten Phenolverbindung
schließen Phenol, o-, m- oder p-Cresol, 2,3-, 2,5-, 3,4- oder 3,5-Xylenol, 2,3,5-
Trimethylphenol, 2-, 3- oder 4-tert-Butylphenol, 2-tert-Butyl-4- oder 2-tert-Butyl-5-
methylphenol, 2-, 4- oder 5-Methylresorcin, 2-, 3- oder 4-Methoxyphenol, 2,3-, 2,5-
oder 3,5-Dimethoxyphenol, 2-Methoxyresorcin, 4-tert-Butylcatechin, 2-, 3- oder 4-
Ethylphenol, 2,5- oder 3,5-Diethylphenol, 2,3,5-Triethylphenol, 2-Naphthol, 1,3-, 1,5-
oder 1,7-Dihydroxynaphthalin und eine Polyhydroxytriphenylmethanverbindung,
erhalten durch Kondensation von Xylenol mit Hydroxybenzaldehyd, ein. Diese
Phenolverbindungen können allein oder in Kombination von zwei oder mehreren Arten
verwendet werden.
Beispiele des bei der Herstellung des Novolakharzes verwendeten Aldehyds
schließen aliphatische Aldehyde, wie Formaldehyd, Acetaldehyd, Propionaldehyd, n-
Butylaldehyd, Isobutylaldehyd, Acrolein und Crotonaldehyd; alicyclische Aldehyde, wie
Cyclohexanaldehyd, Cyclopentanaldehyd, Furfural und Furylacrolein; aromatische
Aldehyde, wie Benzaldehyd, o-, m- oder p-Methylbenzaldehyd, p-Ethylbenzaldehyd,
2,4-, 2,5-, 3,4- oder 3,5-Dimethylbenzaldehyd und o-, m- oder p-Hydroxybenzaldehyd;
und aromatisch-aliphatische Aldehyde, wie Phenylacetaldehyd und Zimtaldehyd, ein.
Diese Aldehyde können ebenfalls allein oder in Kombination von zwei oder mehreren
Arten verwendet werden. Unter diesen Aldehyden wird Formaldehyd vorzugsweise ver
wendet, da er industriell leicht verfügbar ist.
Beispiele des zum Kondensieren der Phenolverbindung mit dem Aldehyd ver
wendeten sauren Katalysators schließen eine anorganische Säure, wie Salzsäure,
Schwefelsäure, Perchlorsäure und Phosphorsäure; organische Säure, wie Ameisensäure,
Essigsäure, Oxalsäure, Trichloressigsäure und p-Toluolsulfonsäure; und ein
zweiwertiges Metallsalz, wie Zinkacetat, Zinkchlorid und Magnesiumacetat, ein. Diese
sauren Katalysatoren können ebenfalls allein oder in Kombination von zwei oder
mehreren Arten verwendet werden. Die Kondensationsreaktion kann auf übliche Weise
durchgeführt werden. Zum Beispiel wird diese Reaktion bei einer Temperatur im
Bereich von etwa 60 bis 120°C für etwa 2 bis 30 Stunden durchgeführt.
Das durch eine solche Kondensationsreaktion, wie vorstehend erklärt, erhaltene
Novolakharz wird vorzugsweise in ein Novolakharz umgewandelt, das ausschließlich
einen Bestandteil mit hohem Molekulargewicht enthält, indem es einem Verfahren, wie
Fraktionierung, unterzogen wird, um eine niedermolekulare Fraktion zu entfernen und
dabei die Molekulargewichtsverteilung zu verschmälern. Insbesondere beträgt das Ver
hältnis der Fläche des Molekulargewichts von nicht mehr als 1000 vorzugsweise 25%
oder weniger und stärker bevorzugt 20% oder weniger, bezogen auf die gesamte Peak
fläche ausschließlich des unreagierten Monomers, wenn das Molekulargewicht des No
volakharzes mit Gelpermeationschromatographie (GPC) unter Verwendung eines UV-
Detektors bei 254 nm und unter Verwendung von Polystyrol als Standard gemessen
wird.
Ebenfalls ist die Zugabe einer alkalilöslichen Phenolverbindung mit einem Mole
kulargewicht von nicht mehr als 1000 zu dem Novolakharz, in dem die Menge des Be
standteils mit hohem Molekulargewicht erhöht wurde, wirksam. Eine solche alkalilösli
che Phenolverbindung weist vorzugsweise mindestens zwei phenolische Hydroxylgrup
pen in ihrer Molekülstruktur auf. Beispiele davon schließen die in JP-A-2-275955 (=
USP Nr. 5,456,995 + USP Nr. 5,456,996) beschriebenen ein. Eine Verbindung mit
einer phenolischen Hydroxylgruppe, die als Vorstufe eines nachstehend beschriebenen
strahlungsempimdlichen Chinondiazidbestandteils verwendet werden kann, kann eben
falls als solche hier bezeichnete alkalilösliche Phenolverbindung verwendet werden. Die
alkalilösliche Phenolverbindung mit einem Molekulargewicht von nicht mehr als 1000
wird vorzugsweise in einer Menge im Bereich von 3 bis 40 Gew.-%, bezogen auf die
Gesamtmenge des Novolakharzes und der alkalilöslichen Phenolverbindung, verwendet.
Im positiven Resist des Novolak/Chinondiazid-Typs wird ein solches Novolak
harz als Bindemittelbestandteil verwendet und eine Chinondiazidverbindung als strah
lungsempfindlicher Bestandteil verwendet. Eine allgemein als strahlungsempfindlicher
Bestandteil des positiven Resists des NovolaklChinondiazid-Typs verwendete Chinondi
azidverbindung kann auch im erfindungsgemäßen positiven Resist des Novolak/Chinon
diazid-Typs verwendet werden. Die Chinondiazidverbindung ist üblicherweise ein o-
Chinondiazidsulfonat einer Verbindung mit einer phenolischen Hydroxylgruppe. Vor
zugsweise ist die Chinondiazidverbindung 1,2-Naphthochinondiazid-5- oder 1,2-Naph
thochinondiazid-4-sulfonat oder 1,2-Benzochinondiazid-4-sulfonat einer Polyhydroxyver
bindung mit mindestens drei phenolischen Hydroxylgruppen.
Beispiele der Verbindung mit einer phenolischen Hydroxylgruppe, die in ein o-
Chinondiazidsulfonat umgewandelt wird, schließen eine Polyhydroxybenzophenonver
bindung, eine Novolak-Polyhydroxyverbindung, Polyhydroxyflavanverbindung und Po
lyhydroxytriphenylmethanverbindung ein. Spezielle Beispiele davon schließen ein:
Polyhydroxybenzophenonverbindungen, wie
2,3,4-Trihydroxybenzophenon, 2,3,3,3',4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',4,4-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',3,4-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',3,4-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',5,5'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,3',4',5-Tetrahydroxybenzophenon, 3,3',5,5'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',4,4'-Tetrahydroxy-3,3'-dimethylbenzophenon, 2,2',3,4,4'-Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,4,5'-Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,3',4-Pentahydroxybenzophenon, 2,3,3',4,5'-Pentahydroxybenzophenon, 2,3,3',4,4',5'-Hexahydroxybenzophenon und 2,2',3,3',4,5'-Hexahydroxybenzophenon;
Novolakpolyhydroxyverbindungen, wie
4-(2,3,4-Trihydroxybenzyl)phenol, 2,5- oder 2,6-Dimethyl-4-(2,3,4-trihydroxybenzyl)phenol, 2,3,5- oder 2,3,6-Trimethyl-4-(2,3,4-trihydroxybenzyl)phenol, 4- oder 3-[1-(2,3,4-Trihydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenol, 4- oder 3-[1-(2,4-Dihydroxy-3-methylphenyl)-1-methylethyl]phenol, 4-[1-(2,3,4-Trihydroxyphenyl)-1-methylethyl]pyrogallol, 2,6-Bis(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenol, 2,6-Bis(4-hydroxy-3,5- oder 2,5-dimethylbenzyl)-4-methylphenol, 2,6-Bis(2-hydroxy-3,5-dimethylbenzyl)-4-methylphenol, 2,6-Bis(2,4-dihydroxybenzyl)-4-methylphenol, 4,4-Methylenbis[2-(4-hydroxybenzyl)-3,6-dimethylphenol], 4,4'-Methylenbis[2-(4-hydroxy-2,5- oder 3,5-dimethylbenzyl)-3,6-dimethylphe nol], 4,4'-Methylenbis[2-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-3,6-dimethylphenol], 2,2'-Methylenbis[6-(4-hydroxy-3-methylbenzyl)-4-methylphenol], 4,4'-Methylenbis[2-(4-hydroxy-3- oder 2-methylbenzyl)-3,6-dimethylphenol], 4,4-Methylenbis[2-(2,4-hydroxybenzyl)-3,6-dimethylphenol], 4,4'-Methylenbis[2-(4-hydroxy-3- oder 2-methylbenzyl)-6-methylphenol], 4,4-Methylenbis[2-(4-hydroxybenzyl)-6-methylphenol], 4,4-Methylenbis[2-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-6-methylphenol], 4,4'-Methylenbis[2-(4-hydroxy-2,5- oder 3,S-dimethylbenzyl)-6-methylphenol], 1-[1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]-4-[1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]benzol, 2,4-Bis[2-hydroxy-3-(4-hydroxy-2,3,6-trimethylbenzyl)-5-methylbenzyl]-3,5-6- trimethylphenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(4-hydroxy-3- oder 2-methylbenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4- methylphenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(4-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4-me thylphenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4-methyl phenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(2-hydroxybenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4-methylphenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(2-hydroxy-4,5-dimethylbenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4-me thylphenol, 1,4-Bis[1-{4-hydroxy-3-(4-hydroxybenzyl)-5-methylphenyl}-1-methylethyl]- benzol, 1,4-Bis[1-{4-hydroxy-3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)phenyl}-1-methylethyl]benzol und 4,4'-Methylenbis[2-{4-hydroxy-3-(2,4-dihydroxybenzyl)-5-methylbenzyl}-3,6- dimethylphenol];
Polyhydroxyflavanverbindungen, wie
2,4,4-Trimethyl-2',4',7-trihydroxyflavan, 2,4,4-Trimethyl-2',3',4',7,8-pentahydroxyflavan, 2,3',4,4,8-Pentamethyl-2',4,7-trihydroxyflavan, 4-(1',2',3',4',4'a,9'a-Hexahydro-6'-hydroxyspiro[cyclohexan-1,9'-xanthen]- 4'a-yl)resorcin, 4-(1',2',3',4',4'a,9'a-Hexahydro-6'-hydroxy-5'-methylspiro[cyclohexan-1,9'- xanthen]-4'a-yl)-2-methylresorcin und 4-(1',2',3',3'a,9'a-Hexahydro-6'-hydroxyspiro[cyclopentan-1,9'-cyclo penta[b]chromen]-3'a-yl)resorcin; und
Polyhydroxytriphenylmethanverbindungen, wie
4,4,4"-Trihydroxytriphenylmethan, 3,4',4"-Trihydroxytriphenylmethan, 3",4,4',4"-Tetrahydroxy-3,3',5,5'-tetramethyltriphenylmethan, 2",3,4,4',4"-Pentahydroxy-3,3',5,5'-tetramethyltriphenylmethan, 2",4,4'-Trihydroxy-2,2',5,5'-tetramethyltriphenylmethan, 2",4,4'-Trihydroxy-2,2',6,6-tetramethyltriphenylmethan, 2,2',2"-Trihydroxy-4,4',5,5'-tetramethyltriphenylmethan, 2",4,4'-,3",4,4'- oder 4,4',4"-Trihydroxy-3,3',5,5'-tetramethyltriphenyl methan und 4,4',4"-Trihydroxy-3-methoxytriphenylmethan.
Polyhydroxybenzophenonverbindungen, wie
2,3,4-Trihydroxybenzophenon, 2,3,3,3',4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,3,4,4'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',4,4-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',3,4-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',3,4-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',5,5'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,3',4',5-Tetrahydroxybenzophenon, 3,3',5,5'-Tetrahydroxybenzophenon, 2,2',4,4'-Tetrahydroxy-3,3'-dimethylbenzophenon, 2,2',3,4,4'-Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,4,5'-Pentahydroxybenzophenon, 2,2',3,3',4-Pentahydroxybenzophenon, 2,3,3',4,5'-Pentahydroxybenzophenon, 2,3,3',4,4',5'-Hexahydroxybenzophenon und 2,2',3,3',4,5'-Hexahydroxybenzophenon;
Novolakpolyhydroxyverbindungen, wie
4-(2,3,4-Trihydroxybenzyl)phenol, 2,5- oder 2,6-Dimethyl-4-(2,3,4-trihydroxybenzyl)phenol, 2,3,5- oder 2,3,6-Trimethyl-4-(2,3,4-trihydroxybenzyl)phenol, 4- oder 3-[1-(2,3,4-Trihydroxyphenyl)-1-methylethyl]phenol, 4- oder 3-[1-(2,4-Dihydroxy-3-methylphenyl)-1-methylethyl]phenol, 4-[1-(2,3,4-Trihydroxyphenyl)-1-methylethyl]pyrogallol, 2,6-Bis(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-4-methylphenol, 2,6-Bis(4-hydroxy-3,5- oder 2,5-dimethylbenzyl)-4-methylphenol, 2,6-Bis(2-hydroxy-3,5-dimethylbenzyl)-4-methylphenol, 2,6-Bis(2,4-dihydroxybenzyl)-4-methylphenol, 4,4-Methylenbis[2-(4-hydroxybenzyl)-3,6-dimethylphenol], 4,4'-Methylenbis[2-(4-hydroxy-2,5- oder 3,5-dimethylbenzyl)-3,6-dimethylphe nol], 4,4'-Methylenbis[2-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-3,6-dimethylphenol], 2,2'-Methylenbis[6-(4-hydroxy-3-methylbenzyl)-4-methylphenol], 4,4'-Methylenbis[2-(4-hydroxy-3- oder 2-methylbenzyl)-3,6-dimethylphenol], 4,4-Methylenbis[2-(2,4-hydroxybenzyl)-3,6-dimethylphenol], 4,4'-Methylenbis[2-(4-hydroxy-3- oder 2-methylbenzyl)-6-methylphenol], 4,4-Methylenbis[2-(4-hydroxybenzyl)-6-methylphenol], 4,4-Methylenbis[2-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-6-methylphenol], 4,4'-Methylenbis[2-(4-hydroxy-2,5- oder 3,S-dimethylbenzyl)-6-methylphenol], 1-[1,1-Bis(4-hydroxyphenyl)ethyl]-4-[1-(4-hydroxyphenyl)-1-methylethyl]benzol, 2,4-Bis[2-hydroxy-3-(4-hydroxy-2,3,6-trimethylbenzyl)-5-methylbenzyl]-3,5-6- trimethylphenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(4-hydroxy-3- oder 2-methylbenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4- methylphenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(4-hydroxy-2,6-dimethylbenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4-me thylphenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4-methyl phenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(2-hydroxybenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4-methylphenol, 2,6-Bis[4-hydroxy-3-(2-hydroxy-4,5-dimethylbenzyl)-2,5-dimethylbenzyl]-4-me thylphenol, 1,4-Bis[1-{4-hydroxy-3-(4-hydroxybenzyl)-5-methylphenyl}-1-methylethyl]- benzol, 1,4-Bis[1-{4-hydroxy-3-(2-hydroxy-5-methylbenzyl)phenyl}-1-methylethyl]benzol und 4,4'-Methylenbis[2-{4-hydroxy-3-(2,4-dihydroxybenzyl)-5-methylbenzyl}-3,6- dimethylphenol];
Polyhydroxyflavanverbindungen, wie
2,4,4-Trimethyl-2',4',7-trihydroxyflavan, 2,4,4-Trimethyl-2',3',4',7,8-pentahydroxyflavan, 2,3',4,4,8-Pentamethyl-2',4,7-trihydroxyflavan, 4-(1',2',3',4',4'a,9'a-Hexahydro-6'-hydroxyspiro[cyclohexan-1,9'-xanthen]- 4'a-yl)resorcin, 4-(1',2',3',4',4'a,9'a-Hexahydro-6'-hydroxy-5'-methylspiro[cyclohexan-1,9'- xanthen]-4'a-yl)-2-methylresorcin und 4-(1',2',3',3'a,9'a-Hexahydro-6'-hydroxyspiro[cyclopentan-1,9'-cyclo penta[b]chromen]-3'a-yl)resorcin; und
Polyhydroxytriphenylmethanverbindungen, wie
4,4,4"-Trihydroxytriphenylmethan, 3,4',4"-Trihydroxytriphenylmethan, 3",4,4',4"-Tetrahydroxy-3,3',5,5'-tetramethyltriphenylmethan, 2",3,4,4',4"-Pentahydroxy-3,3',5,5'-tetramethyltriphenylmethan, 2",4,4'-Trihydroxy-2,2',5,5'-tetramethyltriphenylmethan, 2",4,4'-Trihydroxy-2,2',6,6-tetramethyltriphenylmethan, 2,2',2"-Trihydroxy-4,4',5,5'-tetramethyltriphenylmethan, 2",4,4'-,3",4,4'- oder 4,4',4"-Trihydroxy-3,3',5,5'-tetramethyltriphenyl methan und 4,4',4"-Trihydroxy-3-methoxytriphenylmethan.
Durch Umsetzung einer solchen Verbindung mit einer phenolischen Hydroxyl
gruppe mit Halogenid-o-chinondiazidsulfonat in Gegenwart einer Base, wie Triethyl
amin, kann o-Chinondiazidsulfonat als strahlungsempfindlicher Bestandteil hergestellt
werden. Die strahlungsempfindlichen Chinondiazidbestandteile können allein oder in
Kombination von zwei oder mehreren Arten verwendet werden.
Bei dem negativen Resist des Novolak/Azid-Typs wird das vorstehend erwähnte
alkalilösliche Novolakharz als Bindemittelbestandteil und eine aromatische Azidverbin
dung als strahlungsempfindlicher Bestandteil verwendet. Aromatische Azidverbindun
gen, die allgemein als strahlungsempfindlicher Bestandteil in einem Resist des Novolak/
Azid-Typs verwendet werden, können auch im erfindungsgemäßen Resist des Novolak/
Azid-Typs verwendet werden. Spezielle Beispiele davon schließen ein:
1-Azidopyren, p-Phenylenbisazid, 4,4'-Diazidobiphenyl, 4,4-Diazido-3,3'-dimethylbiphenyl, 4,4'-Diazidobiphenylmethan, 3,3-Dichlor-4,4'-diazidobiphenylmethan, 4,4-Diazidobiphenylether, 4,4'-Diazidobiphenylsulfid, 4,4'-Diazidobiphenyldisulfid, 4,4'-Diazidobiphenylsulfon, 3,3'-Diazidobiphenylsulfon, 4,4'-Diazidobenzophenon, 4,4'-Diazidobenzyl, 4,4'-Diazidostilben, 4,4-Diazidochalcon, 2,6-Bis(4-azidobenzyliden)cyclohexanon, 2,6-Bis(4-azidobenzyliden)-4-methylcyclohexanon und 2,7-Diazidofluoren.
1-Azidopyren, p-Phenylenbisazid, 4,4'-Diazidobiphenyl, 4,4-Diazido-3,3'-dimethylbiphenyl, 4,4'-Diazidobiphenylmethan, 3,3-Dichlor-4,4'-diazidobiphenylmethan, 4,4-Diazidobiphenylether, 4,4'-Diazidobiphenylsulfid, 4,4'-Diazidobiphenyldisulfid, 4,4'-Diazidobiphenylsulfon, 3,3'-Diazidobiphenylsulfon, 4,4'-Diazidobenzophenon, 4,4'-Diazidobenzyl, 4,4'-Diazidostilben, 4,4-Diazidochalcon, 2,6-Bis(4-azidobenzyliden)cyclohexanon, 2,6-Bis(4-azidobenzyliden)-4-methylcyclohexanon und 2,7-Diazidofluoren.
Falls erforderlich können der positive Resist des Novolak/Chinondiazid-Typs und
der negative Resist des Novolak/Azid-Typs auch eine kleine Menge verschiedener Zu
sätze, die auf diesem Fachgebiet herkömmlich verwendet werden, wie andere Harze,
Farbstoffe und grenzflächenaktive Mittel, zusätzlich zu den vorstehend erwähnten alkali-
löslichen Novolakharzen und strahlungsempfindlichen Bestandteilen enthalten.
Der Resist des chemischen Verstärkungstyps enthält üblicherweise ein alkalilösli
ches Harz oder ein Harz, das dazu fähig ist, alkalilöslich gemacht zu werden, als Bin
demittelbestandteil und eine Verbindung, die zur Erzeugung einer Säure durch Wirkung
von Strahlung fähig ist, als strahlungsempfindlichen Bestandteil, und verwendet die kata
lytische Wirkung der aus dem strahlungsempfindlichen Bestandteil erzeugten Säure. Bei
einem positiven Resist des chemischen Verstärkungstyps wird eine am bestrahlten Teil
erzeugte Säure durch die folgende Wärmebehandlung diffundiert (Härtung nach Belich
tung), wobei die Schutzgruppe eines Harzes gespalten und eine Säure reproduziert wird,
wobei der bestrahlte Teil alkalilöslich wird. Der Resist des chemischen Verstärkungstyps
schließt zum Beispiel jenen ein, der ein alkalilösliches Bindemittelharz als Bindemittelbe
standteil, einen strahlungsempfindlichen Bestandteil und einen Auflösungsinhibitor ent
halten, der eine Schutzgruppe aufweist, die durch die Wirkung einer Säure gespalten
werden kann und selbst die Fähigkeit der Auflösungshemmung eines alkalilöslichen Bin
demittelharzes aufweist, aber alkalilöslich gemacht wird, nachdem die Schutzgruppe
durch die Wirkung der Säure abgespalten wird, und jenen, in dem das Bindemittelharz
eine Schutzgruppe aufweist, die durch die Wirkung der Säure abspaltbar ist, und das
Bindemittelharz selbst in Alkali unlöslich oder in geringem Maße löslich ist, aber alkali
löslich gemacht wird, nachdem die Schutzgruppe durch die Wirkung der Säure abgespal
ten wird. Der negative Resist des chemischen Verstärkungstyps enthält üblicherweise ein
Vernetzungsmittel zusätzlich zu einem alkalilöslichen Bindemittelharz als Bindemittelbe
standteil und einem strahlungsempfindlichen Bestandteil. In einem solchen negativen Re
sist des chemischen Verstärkungstyps wird eine im bestrahlten Teil erzeugte Säure durch
die folgende Wärmebehandlung diffundiert und mit dem Vernetzungsmittel umgesetzt,
wobei das Bindemittelharz im bestrahlten Teil gehärtet wird und das Bindemittelharz
alkaliunlöslich gemacht wird.
Das Bindemittelharz, das an sich alkalilöslich ist, kann ein alkalilösliches Harz
mit einem Phenolgerüst oder ein alkalilösliches Harz sein, das ein (Meth)acrylsäureester
gerüst und einen alicyclischen Ring und eine Carboxylgruppe auf der Alkoholseite des
Esters aufweist. Spezielle Beispiele davon schließen Polyvinylphenolharz, Polyisopro
penylphenolharz, ein Harz, in dem ein Teil der Hydroxylgruppen des Polyvinylphenol
harzes oder Polyisopropenylphenolharzes alkylverethert ist, ein Copolymerharz von Vi
nylphenol oder Isopropenylphenol und einer anderen polymerisierbaren ungesättigten
Verbindung, Harz, das ein Polymer des alicyclischen Esters von (Meth)acrylsäure ist
und eine Carboxylgruppe am alicyclischen Ring aufweist, und ein Copolymerharz eines
alicyclischen Esters von (Meth)acrylsäure und (Meth)acrylsäure ein.
Bei Verwendung eines solchen Bindemittelharzes, das an sich alkalilöslich ist,
wird ein Auflösungsinhibitor verwendet. Der Auflösungsinhibitor kann eine Phenolver
bindung sein, in der die phenolische Hydroxylgruppe mit einer Gruppe geschützt ist, die
die Fähigkeit der Auflösungshemmung in einem alkalischen Entwickler aufweist, aber
durch die Wirkung einer Säure gespalten wird. Beispiele der Gruppe, die durch die Wir
kung der Säure gespalten werden kann, schließen eine tert-Butoxycarbonylgruppe, die an
der phenolischen Hydroxylgruppe substituiert ist, ein. Beispiele des Auflösungsinhibitors
schließen 2,2-Bis(4-tert-butoxycarbonyloxyphenyl)propan, Bis(4-tert-butoxycarbonyl
oxyphenyl)sulfon und 3,5-Bis(4-tert-butoxycarbonyloxyphenyl)-1,1,3-trimethylindan ein.
Das Bindemittelharz, das eine Schutzgruppe aufweist, die durch die Wirkung
einer Säure gespalten werden kann und selbst alkaliunlöslich oder in geringem Maße in
Alkali löslich ist, aber alkalilöslich gemacht werden kann, nachdem die Schutzgruppe
durch die Wirkung der Säure abgespalten wird, kann jenes sein, in dem eine durch Wir
kung der Säure abspaltbare Schutzgruppe in das vorstehend erwähnte alkalilösliche Harz
eingebracht wird, wie z. B. ein Harz mit einem Phenolgerüst oder Harz mit einem
(Meth)acrylsäuregerüst. Verschiedene bekannte Schutzgruppen können eine solche
Gruppe sein, die die Fähigkeit der Auflösungshemmung in einem Alkalientwickler auf
weist, aber gegenüber der Säure instabil ist. Beispiele davon schließen tert-Butylgrup
pen; Gruppen, in denen ein quaternäres Kohlenstoffatom an ein Sauerstoffatom gebun
den ist, wie eine tert-Butoxycarbonyl- und tert-Butoxycarbonylmethylgruppe; Gruppen
des Acetaltyps, wie Tetrahydro-2-pyranyl-, Tetrahydro-2-furyl-, 1-Ethoxyethyl-, 1-(2-
Methylpropoxy)ethyl-, 1-(2-Methoxyethoxyethyl)-, 1-(2-Acetoxyethoxy)ethyl-, 1-[2-(1-
Adamantyloxy)ethoxy]ethyl- und 1-[2-(1-Adamantancarbonyloxy)ethoxy]ethylgruppen;
und der Rest einer nicht aromatischen cyclischen Verbindung, wie 3-Oxocyclohexyl- 4-
Methyltetrahydro-2-pyron-4-yl- (von Mevalonlacton abgeleitet) und 2-Methyl-2-adaman
tylgruppen, ein. Diese Gruppen sind mit einem Wasserstoffatom einer phenolischen Hy
droxylgruppe oder Wasserstoffatom einer Carboxylgruppe substituiert. Diese Schutz
gruppen können in ein alkalilösliches Harz mit einer phenolischen Hydroxylgruppe oder
einer Carboxylgruppe mit einer bekannten Schutzgruppeneinführungsreaktion eingeführt
werden. Die vorstehend erwähnten Harze können auch durch Copolymerisation von un
gesättigten Verbindungen mit einer solchen Gruppe erhalten werden.
Bei einem negativen Resist des chemischen Verstärkungstyps wird ein alkalilösli
ches Harz, das an sich alkalilöslich ist, als Bindemittelharz verwendet. Verschiedene
vorher für den positiven Resist des chemischen Verstärkungstyps aufgeführte alkalilös
liche Harze können auch als Bindemittelharz im negativen Resist des chemischen Ver
stärkungstyp verwendet werden. Der negative Resist des chemischen Verstärkungstyps
umfaßt ein Vernetzungsmittel zusätzlich zu dem Bindemittelbestandteil und einen strah
lungsempfindlichen Bestandteil. Jedes Vernetzungsmittel, das das Bindemittelharz durch
Wirkung einer am bestrahlten Teil erzeugten Säure vernetzen und es dabei härten kann,
kann verwendet werden. Zum Beispiel kann eine Verbindung mit einer Methylolgruppe
oder eine Alkyletherverbindung davon als Vernetzungsmittel verwendet werden. Spezi
elle Beispiele davon schließen Methylolmelamin und eine Alkyletherverbindung davon,
wie Hexamethylolmelamin, Pentamethylolmelamin, Tetramethylolmelamin, Hexameth
oxymethylmelamin, Pentamethoxymethylmelamin und Tetramethoxymethylmelamin;
Methylolbenzoguanamin und eine Alkyletherverbindung davon, wie Tetramethylolben
zoguanamin, Tetramethoxymethylbenzoguanamin und Trimethoxymethylbenzoguan
amin; 2,6-Bis(hydroxymethyl)-4-methylphenol und eine Alkyletherverbindung davon; 4-
tert-Butyl-2,6-bis(hydroxymethyl)phenol und eine Alkyletherverbindung davon; 5-Ethyl-
1,3-bis(hydroxymethyl)perhydro-1,3,5-triazin-2-on (gebräuchlicher Name: N-Ethyldime
thyloltriazin) oder eine Alkyletherverbindung davon; N,N-Dimethyloltrimethylenharn
stoff oder eine Dialkyletherverbindung davon; 3,5-Bis(hydroxymethyl)perhydro-1,3,5-
oxadiazin-4-on (gebräuchlicher Name: Dimethyloluron) oder eine Alkyletherverbindung
davon; und Tetramethylolglyoxazaldiurein oder eine Dialkyletherverbindung davon ein.
Der Resist des chemischen Verstärkungstyps, der ein alkalilösliches Harz oder
ein Harz, das alkalilöslich gemacht werden kann, als Bindemittelbestandteil enthält, ent
hält auch einen Säuregenerator, der zum Erzeugen einer Säure durch die Wirkung von
Bestrahlung fähig ist. Der Säuregenerator schließt verschiedene Verbindungen ein, die
zum Erzeugen einer Säure durch Bestrahlen der Substanz selbst oder einer Resistzu
sammensetzung, die die Substanz enthält, fähig ist. Beispiele des Säuregenerators
schließen ein Oniumsalz, eine halogenierte Alkyltriazinverbindung, Disulfonverbindung,
Verbindung mit einem Diazomethansulfonylgerüst und Sulfonatverbindung ein.
Spezielle Beispiele davon schließen ein:
Oniumsalze, wie
Diphenyliodoniumtrifluormethansulfonat, 4-Methoxyphenylphenyliodoniumhexafluorantimonat, 4-Methoxyphenylphenyliodoniumtrifluormethansulfonat, Bis(4-tert-butylphenyl)iodoniumtetrafluorborat, Bis(4-tert-butylphenyl)iodoniumhexafluorphosphat, Bis(4-tert-butylphenyl)iodoniumhexafluorantimonat, Bis(4-tert-butylphenyl)iodoniumtrifluormethansulfonat, Triphenylsulfoniumhexafluorphosphat, Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat, Triphenylsulfoniumhexafluormethansulfonat, 4-Methoxyphenyldiphenylsulfoniumhexafluorantimonat, 4-Methoxyphenyldiphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, p-Tolyldiphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, 2,4,6-Trimethylphenyldiphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, 4-tert-Butylphenyldiphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, 4-Phenylthiophenyldiphenylsulfoniumhexafluorphosphat, 4-Phenylthiophenyldiphenylsulfoniumhexafluorantimonat, 1-(2-Naphthoylmethyl)thiolaniumhexafluorantimonat, 1-(2-Naphthoylmethyl)thiolaniumtrifluormethansulfonat, 4-Hydroxy-1-naphthyldimethylsulfoniumhexafluorantimonat und 4-Hydroxy-1-naphthyldimethylsulfoniumtrifluormethansulfonat;
halogenierte Alkyltriazinverbindungen, wie
2-Methyl-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2,4,6-Tris(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-Phenyl-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Chlorphenyl)-4,6-bis (trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Methoxyphenyl)-4,6-bis (trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Methoxy-1-naphthyl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(Benzo[d][1,3]dioxolan-5-yl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Methoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(3,4,5-Trimethoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(3,4-Dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(2,4-Dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(2-Methoxy styryl)-4,6-bis (trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Butoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin und 2-(4-Pentyloxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin;
Disulfonverbindungen, wie
Diphenyldisulfon, Di-p-tolyldisulfon, Phenyl-p-tolyldisulfon und Phenyl-p-methoxyphenyldisulfon;
Verbindungen mit einem Diazomethansulfonylgerüst, wie
Bis(phenylsulfonyl)diazomethan, Bis(4-chlorphenylsulfonyl)diazomethan, Bis(p-Tolylsulfonyl)diazomethan, Bis(4-tert-butylphenylsulfonyl)diazomethan, Bis(2,4-xylylsulfonyl)diazomethan, Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethan und (Benzoyl)(phenylsulfonyl)diazomethan; und
Sulfonatverbindungen, wie
1-Benzoyl-1-phenylmethyl-p-toluolsulfonat (gebräuchlicher Name: Benzointosy lat), 2-Benzoyl-2-hydroxy-2-phenylethyl-p-toluolsulfonat (gebräuchlicher Name: α- Methylolbenzointosylat), α-(p-Tolylsulfonyloxyimino)-4-methoxybenzylcyanid, 1,2,3-Benzotoluyltrismethansulfonat, 2,6-Dinitrobenzyl-p-toluolsulfonat, 2-Nitrobenzyl-p-toluolsulfonat, 4-Nitrobenzyl-p-toluolsulfonat, N-(Phenylsulfonyloxy)succinimid, N-(Trifluormethylsulfonyloxy) succinimid, N-(Butylsulfonyloxy)succinimid, N-(10-Camphersulfonyloxy)succinimid, N-(Trifluormethylsulfonyloxy)phthalimid, N-(Trifluormethylsulfonyloxy)-5-norbornen-2,3-dicarboxyimid, N-(Trifluormethylsulfonyloxy)naphthalimid und N-(10-Camphersulfonyloxy)naphthalimid.
Oniumsalze, wie
Diphenyliodoniumtrifluormethansulfonat, 4-Methoxyphenylphenyliodoniumhexafluorantimonat, 4-Methoxyphenylphenyliodoniumtrifluormethansulfonat, Bis(4-tert-butylphenyl)iodoniumtetrafluorborat, Bis(4-tert-butylphenyl)iodoniumhexafluorphosphat, Bis(4-tert-butylphenyl)iodoniumhexafluorantimonat, Bis(4-tert-butylphenyl)iodoniumtrifluormethansulfonat, Triphenylsulfoniumhexafluorphosphat, Triphenylsulfoniumhexafluorantimonat, Triphenylsulfoniumhexafluormethansulfonat, 4-Methoxyphenyldiphenylsulfoniumhexafluorantimonat, 4-Methoxyphenyldiphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, p-Tolyldiphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, 2,4,6-Trimethylphenyldiphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, 4-tert-Butylphenyldiphenylsulfoniumtrifluormethansulfonat, 4-Phenylthiophenyldiphenylsulfoniumhexafluorphosphat, 4-Phenylthiophenyldiphenylsulfoniumhexafluorantimonat, 1-(2-Naphthoylmethyl)thiolaniumhexafluorantimonat, 1-(2-Naphthoylmethyl)thiolaniumtrifluormethansulfonat, 4-Hydroxy-1-naphthyldimethylsulfoniumhexafluorantimonat und 4-Hydroxy-1-naphthyldimethylsulfoniumtrifluormethansulfonat;
halogenierte Alkyltriazinverbindungen, wie
2-Methyl-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2,4,6-Tris(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-Phenyl-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Chlorphenyl)-4,6-bis (trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Methoxyphenyl)-4,6-bis (trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Methoxy-1-naphthyl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(Benzo[d][1,3]dioxolan-5-yl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Methoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(3,4,5-Trimethoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(3,4-Dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(2,4-Dimethoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(2-Methoxy styryl)-4,6-bis (trichlormethyl)-1,3,5-triazin, 2-(4-Butoxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin und 2-(4-Pentyloxystyryl)-4,6-bis(trichlormethyl)-1,3,5-triazin;
Disulfonverbindungen, wie
Diphenyldisulfon, Di-p-tolyldisulfon, Phenyl-p-tolyldisulfon und Phenyl-p-methoxyphenyldisulfon;
Verbindungen mit einem Diazomethansulfonylgerüst, wie
Bis(phenylsulfonyl)diazomethan, Bis(4-chlorphenylsulfonyl)diazomethan, Bis(p-Tolylsulfonyl)diazomethan, Bis(4-tert-butylphenylsulfonyl)diazomethan, Bis(2,4-xylylsulfonyl)diazomethan, Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethan und (Benzoyl)(phenylsulfonyl)diazomethan; und
Sulfonatverbindungen, wie
1-Benzoyl-1-phenylmethyl-p-toluolsulfonat (gebräuchlicher Name: Benzointosy lat), 2-Benzoyl-2-hydroxy-2-phenylethyl-p-toluolsulfonat (gebräuchlicher Name: α- Methylolbenzointosylat), α-(p-Tolylsulfonyloxyimino)-4-methoxybenzylcyanid, 1,2,3-Benzotoluyltrismethansulfonat, 2,6-Dinitrobenzyl-p-toluolsulfonat, 2-Nitrobenzyl-p-toluolsulfonat, 4-Nitrobenzyl-p-toluolsulfonat, N-(Phenylsulfonyloxy)succinimid, N-(Trifluormethylsulfonyloxy) succinimid, N-(Butylsulfonyloxy)succinimid, N-(10-Camphersulfonyloxy)succinimid, N-(Trifluormethylsulfonyloxy)phthalimid, N-(Trifluormethylsulfonyloxy)-5-norbornen-2,3-dicarboxyimid, N-(Trifluormethylsulfonyloxy)naphthalimid und N-(10-Camphersulfonyloxy)naphthalimid.
Andere bekannte Beispiele des Resists des chemischen Verstärkungstyps schlie
ßen jene ein, die ein Bindemittelharz mit einer Schutzgruppe, die durch die Wirkung
einer Base abspaltbar ist, oder einen Auflösungsinhibitor mit einer Schutzgruppe, die
durch die Wirkung einer Base abspaltbar ist, und weiter einen Basengenerator umfassen,
der zum Erzeugen einer Base durch Wirkung von Strahlung fähig ist. Die vorliegende
Erfindung kann auch auf einen solchen Resist des chemischen Verstärkungstyps ange
wandt werden. Beispiele des durch die Wirkung der Base abspaltbaren Rests schließen
eine Alkylcarbamatgruppe und eine Cycloalkylcarbamatgruppe ein. Das heißt, ein Harz
oder eine Verbindung, in der eine phenolische Hydroxylgruppe durch die Alkylcarba
matgruppe oder Cycloalkylcarbamatgruppe ersetzt ist, kann als Bindemittelbestandteil
oder Auflösungsinhibitor verwendet werden. Als Basengenerator kann zum Beispiel 2-
Nitrobenzylcyclohexylcarbamat, 2,6-Dinitrobenzylcyclohexylcarbamat, Formanilid und
Triphenylsulfoniumhydroxid verwendet werden, und diese Verbindungen werden durch
die Wirkung von Strahlung zersetzt, wobei ein Amin oder ein Hydroxylanion erzeugt
wird.
Der Resist des chemischen Verstärkungstyps kann auch eine kleine Menge ver
schiedener auf diesem Fachgebiet bekannter Zusätze enthalten. Beispiele der Zusätze
schließen Abschreckmittel, wie Amine, Sensibilisatoren, andere Harze, grenzflächenak
tive Mittel und Farbmittel ein.
Die vorliegende Erfindung kann auf die vorstehend erwähnten verschiedenen
Resists angewandt werden, die einen Bindemittelbestandteil und einen strahlungsemp
findlichen Bestandteil enthalten. Obwohl das geeignete Verhältnis des Bindemittelbe
standteils zum strahlungsempfindlichen Bestandteil in der Resistzusammensetzung ab
hängig von der Art des Resists, das heißt der Kombination des Bindemittelbestandteil
und strahlungsempfindlichen Bestandteils, variiert, wird es allgemein so gewählt, daß
die Menge des strahlungsempfindlichen Bestandteils im Bereich von etwa 0,1 bis 50
Gew.-Teile, bezogen auf 100 Gew.-Teile des alkalilöslichen Bindemittelharzes oder ei
nes zum alkalilöslichmachen fähigen Bindemittelharzes liegt. Beim positiven Resist des
NovolaklChinondiazid-Typs ist die Chinondiazidverbindung als strahlungsempfindlicher
Bestandteil vorzugsweise in einer Menge im Bereich von etwa 10 bis 50 Gew.-Teile,
bezogen auf 100 Gew.-Teile der Gesamtmenge des Novolakharzes als alkalilöslichen
Bindemittelbestandteil und der gegebenenfalls verwendeten alkalilöslichen Phenolverbin
dung, enthalten. Bei dem negativen Resist des Novolak/Azid-Typs ist die Azidverbin
dung als strahlungsempfindlicher Bestandteil vorzugsweise in einer Menge im Bereich
von etwa 5 bis 50 Gew.-Teile, bezogen auf 100 Gew.-Teile des Novolakharzes als
alkalilöslicher Bindemittelbestandteil enthalten. Bei dem Resist des chemischen Verstär
kungstyps, sowohl den positiven als auch negativen Resists, ist der Säuregenerator oder
ein Basengenerator vorzugsweise in einer Menge von etwa 0,1 bis 30 Gew.-Teilen, be
zogen auf 100 Gew.-Teile des alkalilöslichen Bindemittelharzes oder Bindemittelharzes,
das zum Alkalilöslichmachen fähig ist, enthalten. Die gemäß der vorliegenden Erfindung
einzumischende Menge der Succinimidverbindung der Formel (I) variiert abhängig von
der Art des Resists, wird aber allgemein im Bereich von etwa 0,1 bis 50 Gew.-%, bezo
gen auf das Gesamtgewicht der festen Bestandteile in der Resistzusammensetzung, ge
wählt. Die Menge der Succinimidverbindung der Formel (I) beträgt vorzugsweise nicht
weniger als 1 Gew.-%, stärker bevorzugt nicht weniger als 2 Gew.-%, und nicht mehr
als 30 Gew.-%, stärker bevorzugt nicht mehr als 25 Gew.-%, bezogen auf das Gesamt
gewicht der festen Bestandteile in der Resistzusammensetzung.
Die folgenden Beispiele veranschaulichen die vorliegende Erfindung weiter im
einzelnen, sind aber nicht als Einschränkung ihres Schutzumfangs aufzufassen. In den
Beispielen sind Prozentsätze und Teile, wenn nicht anders angegeben, auf das Gewicht
bezogen.
N-Hydroxysuccinimid (11,5 g, 0,1 mol) wurde in 200 g ausreichend getrockne
tem Tetrahydrofuran gelöst. Zur Lösung wurden 12,5 g (0,1 mol) Cyclohexylisocyanat
getropft und dann eine katalytische Menge Triethylamin zugegeben. Nach Rühren über
Nacht bei Raumtemperatur wurde die Reaktionslösung mit Aktivkohle entfärbt und kon
zentriert. Die ausgefallenen Kristalle wurden filtriert und mit einer kleinen Menge Ether
gewaschen, wobei 18,0 g N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid der folgenden Formel
erhalten wurden. Ausbeute: 81,5%.
Schmelzpunkt: 158-160°C
1H-NMR δ ppm (CDCl3):
1,1-2,0 (10H, m), 2,82 (4H, s, CO-CH2-CH2-CO), 3,48 (1H, m, N-CH), 5,60 (1H, m, NH).
1H-NMR δ ppm (CDCl3):
1,1-2,0 (10H, m), 2,82 (4H, s, CO-CH2-CH2-CO), 3,48 (1H, m, N-CH), 5,60 (1H, m, NH).
N-Hydroxysuccinimid (11,5 g, 0,1 mol) wurde in 100 g ausreichend getrockne
tem Tetrahydrofuran gelöst. Zur Lösung wurden 7,1 g (0,1 mol) Ethylisocyanat getropft
und dann eine katalytische Menge Triethylamin zugegeben. Nach Rühren über Nacht bei
Raumtemperatur wurde die Reaktionslösung mit Aktivkohle entfärbt und konzentriert.
Die abgeschiedenen Kristalle wurden filtriert und mit einer kleinen Menge Ether gewa
schen, wobei 16,1 g N-(Ethylcarbamoyloxy)succinimid der folgenden Formel erhalten
wurden, Ausbeute 86,6%.
Schmelzpunkt: 131-133°C
1H-NMR δ ppm (CDCl3):
1,21 (3H, t, J = 7,4 Hz, CH3),
2,83 (4H, s, CO-CH2-CH2-CO),
3,31 (2H, m, N-CH2), 5,66 (1H, m, NH).
1H-NMR δ ppm (CDCl3):
1,21 (3H, t, J = 7,4 Hz, CH3),
2,83 (4H, s, CO-CH2-CH2-CO),
3,31 (2H, m, N-CH2), 5,66 (1H, m, NH).
Gemäß dem in H. Eckert et al., Angew. Chem. Int. Ed. Engl. 26, 894-895
(1987) beschriebenen Verfahren wurde Dicyclohexylcarbamoylchlorid aus Dicyclohe
xylamin und Triphosgen [chemischer Name: Bis(trichlormethyl)carbonat] synthetisiert.
N-Hydroxysuccinimid (5,3 g, 0,05 mol) wurde in 100 g ausreichend getrocknetem Py
ridin gelöst. Zur Lösung wurden 13,7 g (0,05 mol) Cyclohexylcarbamoylchlorid ge
tropft. Nach Rühren über Nacht bei Raumtemperatur wurde die Reaktionslösung mit
Wasser verdünnt und mit Essigsäureethylester extrahiert. Die organische Schicht wurde
mit Wasser gewaschen, über Magnesiumsulfat getrocknet, mit Aktivkohle entfärbt und
dann konzentriert. Die abgeschiedenen Kristalle wurden filtriert und mit einer kleinen
Menge Ether gewaschen, wobei 4,6 g N-(Dicyclohexylcarbamoyloxy)succinimid der
folgenden Formel erhalten wurden. Ausbeute: 31,0%.
Schmelzpunkt: 137-140°C
1H-NMR δ ppm (CDCl3:
1,0-1,8 (20H, m), 2,81 (4H, s, CO-CH2-CH2-CO),
3,41 (2H, m, N-CH).
1H-NMR δ ppm (CDCl3:
1,0-1,8 (20H, m), 2,81 (4H, s, CO-CH2-CH2-CO),
3,41 (2H, m, N-CH).
9,52 g Poly(p-vinylphenol) (Handelname: "VP-15000"), hergestellt von Nippon
Soda Co., Ltd., 0,011 g p-Toluolsulfonsäure und 114,3 g Propylenglycolmonomethyl
etheracetat wurden in einen 500 ml-Reaktionsbehälter eingebracht und bei
Raumtemperatur gelöst. Dann wurde die erhaltene Lösung konzentriert, bis die
Gesamtmenge 70,6 g betrug. 2,86 g Ethylvinylether wurden zugegeben und nach 3
Stunden Rühren bei Raumtemperatur wurden 53,4 g Methylisobutylketon zugegeben.
Dann wurde ein Verfahren des Waschens der Lösung mit 41,0 g entionisiertem Wasser
dreimal durchgeführt. Nach Waschen mit Wasser wurde die Ölschicht auf 38,2 g
konzentriert. Zu dieser Ölschicht wurden 39,5 g Propylenglycolmonomethyletheracetat
gegeben und das Gemisch wieder auf 37,2 g konzentriert, wobei eine
Propylenglycolmonomethyletheracetatlösung eines teilweise 1-Ethoxyethyl-veretherten
Poly(p-vinylphenol)harzes erhalten wurden. Der Feststoffgehalt dieser Harzlösung
betrug 31,6%. Das Verhältnis der 1-Ethoxyethyl-veretherten Hydroxylgruppen von den
Hydroxylgruppen des Poly(p-vinylphenols) (1-Ethoxyethyl-Veretherungsverhältnis)
wurde mit kernmagnetischer Resonanz mit einem üblichen Verfahren gemessen. Es
betrug 45,2%.
250 g Poly(p-vinylphenol) (Handelsname: "S2P"), hergestellt von Maruzen Pe
troleum Chemical Co., Ltd. und 1000 g Aceton wurden in einen abnehmbaren 5 l-Kol
ben, ausgestattet mit einem Bodenentnahmehahn und einem Kühler und einem Rührer,
gegeben und dann gelöst. 179,74 g wasserfreies Kaliumcarbonat und 81,13 g Ethyliodid
wurden eingebracht und nach Erhitzen bis ein Rückflußzustand erhalten war, der Rück
flußzustand für 12 Stunden gehalten. 1250 g 2-Heptanon wurden zugegeben und dann
das Gemisch viermal mit wäßriger 2%iger Oxalsäure und fünfmal mit entionisiertem
Wasser gewaschen. Das Gemisch wurde zu jedem Zeitpunkt des Waschens verteilt. Die
erhaltene Ölschicht wurde konzentriert, wobei 860 g 2-Heptanonlösung eines teilweise
ethylveretherten Poly(p-vinylphenol)harzes erhalten wurden. Der Feststoffgehalt dieser
Harzlösung betrug 28,42%. Das Verhältnis der ethylveretherten Hydroxylgruppen unter
den Hydroxylgruppen des Poly(p-vinylphenyols) (Ethylveretherungsverhältnis) wurde
mit kernmagnetischer Resonanz gemessen. Es betrug 24,7%.
1228,9 g eines m-Ip-gemischten Cresols (Gehalt an m-Cresol: 61,6%), 285,1 g
p-Cresol, 207,4 g wäßrige 12%ige Oxalsäure und 476 g wäßrige 90%ige Essigsäurelö
sung und 1408 g Methylisobutylketon wurden in einen mit einem Rückflußkühler und
Thermometer ausgestatteten 5 l-Reaktionsbehälter eingebracht und dann auf 80°C er
hitzt. 721,7 g einer wäßrigen 37%igen Formaldehydlösung wurden zugetropft und nach
Erhitzen auf Rückflußtemperatur wurde die Rückflußtemperatur für 12 Stunden gehal
ten. Die erhaltene Reaktionslösung wurde mit Methylisobutylketon verdünnt, mit Wasser
gewaschen und entwässert, wobei 3375 g einer 32,6%igen Methylisobutylketonlösung
von Novolakharz erhalten wurden. 100 g dieser Harzlösung wurden in einen 5 l-Boden
entnahmekolben eingebracht und mit 133 g Methylisobutylketon verdünnt. Außerdem
wurden 160 g n-Heptan eingebracht und bei 60°C gerührt, gefolgt von Stehenlassen und
Aufteilen. Die Novolakharzlösung der unteren Schicht wurde mit 2-Heptanon verdünnt
und dann konzentriert, wobei 27,0 g einer 2-Heptanonlösung von Novolakharz erhalten
wurden. Der Feststoffgehalt dieser Harzlösung betrug 34,4%.
10 Teile, berechnet auf Feststoffbasis, der Propylenglycolmonomethyletheracetat
lösung des in Synthesebeispiel 1 erhaltenen teilweise 1-Ethoxyethyl-veretherten Poly(p
vinylphenol)harzes, 0,4 Teile Bis(cyclohexylsulfonyl)diazomethan als Säuregenerator,
0,015 Teile Dicyclohexylamin als Abschreckmittel, 0,5 Teile N-(Cyclohexylcarbamoyl
oxy)succinimid und Propylenglycolmonomethyletheracetat wurden gemischt und gelöst,
sodaß die Gesamtmenge des Propylenglycolmonomethyletheracetats 60 Teile betrug.
Dann wurde die erhaltene Lösung durch ein Fluorharzfilter mit einem Porendurchmesser
von 0,2 µm filtriert, um eine Resistlösung herzustellen. Dann wurde die Resistlösung auf
einen mit einem organischen antireflektierenden Film beschichteten Siliciumwafer unter
Verwendung eines Spinnbeschichters aufgetragen, sodaß ein trockener Film mit einer
Dicke von 0,52 µm gebildet wird. Der organische antireflektierende Film wurde durch
Auftragen von "DUV-42", hergestellt von Brewer Co., gebildet, sodaß die Dicke 600 Å
unter den Härtungsbedingungen einer Temperatur von 215°C für 60 Sekunden gebildet
wurde. Vorhärten nach Beschichten der Resistlösung wurde auf einer direkten heißen
Platte bei einer Temperatur von 90°C für 60 Sekunden durchgeführt.
Unter Verwendung eines KrF-Exzimerlasersteppers ["NSR2205 EX-12B", her
gestellt von Nikon Co., Ltd., NA = 0,55] wurde ein Linien-und-Abstands-Muster auf
dem mit dem Resistfilm versehenen Wafer durch Belichten gebildet. Auf einer heißen
Platte wurde ein Härten nach der Belichtung bei einer Temperatur von 100°C für 60
Sekunden durchgeführt und dann eine Tauchentwicklung unter Verwendung wäßriger
2,38%iger Tetramethylammoniumhydroxidlösung für 60 Sekunden durchgeführt. Das
Muster nach Entwicklung wurde unter Verwendung eines Rasterelektronenmikroskops
untersucht und effektive Empfindlichkeit, Auflösung und Profil auf folgende Weise
untersucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
Effektive Empfindlichkeit: Sie wurde als die Dosis dargestellt, bei der ein 0,25 µm
Linien-und-Abstands-Muster 1 : 1 wird.
Auflösung: Sie wurde als minimale Größe des Linien-und-Abstands-Muster darge
stellt, das durch die Dosis der effektiven Empfindlichkeit aufgetrennt wird.
Profil: Es wurde durch ein Verhältnis der Breite T des flachen Oberteils des Musters zur
Breite B des Bodenteils (mit einem Substrat verbundener Teil), das heißt T/B, unter Un
tersuchen des Querschnitts eines 0,25 µm Linien-und-Abstands-Muster bei der effektiven
Empfindlichkeit dargestellt. Je näher dieser Wert T/B an 1 geht, desto besser wird die
Rechtwinkeligkeit, was ein gutes Musterprofil ergibt.
Eine Resistlösung wurde gemäß der gleichen Formulierung wie in Beispiel 1 her
gestellt, außer daß N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid nicht zugegeben wurde, und
die Beurteilung genauso durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 gezeigt.
10 Teile, berechnet auf fester Basis, der 2-Heptanonlösung des in Synthesebei
spiel 5 erhaltenen teilweise ethylveretherten Poly(p-vinylphenol)harzes, 0,2 Teile α-(p-
Tolylsulfonyloxyimino)-4-methoxybenzylcyanid als Säuregenerator, 0,75 Teile Hexa
methoxymethylmelamin ["M-100C", hergestellt von Sumitomo Chemical Industries Co.,
Ltd.] als Vernetzungsmittel, 0,5 Teile N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid und 2-
Heptanon wurden gemischt und gelöst, sodaß die Gesamtmenge von 2-Heptanon 45 Tei
le beträgt. Dann wurde die erhaltene Lösung durch ein Fluorharzfilter mit einem Po
rendurchmesser von 0,2 µm filtriert, um eine Resistlösung herzustellen. Danach wurde
die Resistlösung auf einen mit Hexamethyldisilazan behandelten Siliciumwafer unter
Verwendung eines Spinnbeschichters aufgetragen, sodaß die Filmdicke nach Trocknen
0,53 µm betrug. Ein trockener Resistfilm wurde auf einer direkten heißen Platte durch
Vorhärten bei einer Temperatur von 100°C für 60 Sekunden gebildet.
Unter Verwendung eines i-Linien-Steppers ["NSR2005 i9C", hergestellt von Ni
kon Co., Ltd., NA = 0,57, σ = 0,6, Lichtintensität: 500 mW/cm2] wurde ein Linien-
und-Abstands-Muster auf dem mit einem Resistfilm versehenen Wafer durch Belichten
gebildet. Auf einer heißen Platte wurde ein Härten nach Belichten bei einer Temperatur
von 110°C für 60 Sekunden und dann eine Tauchentwicklung unter Verwendung einer
wäßrigen 2,38%igen Tetramethylammoniumhydroxidlösung für 60 Sekunden durchge
führt. Das Muster nach Entwicklung wurde unter Verwendung eines Rasterelektronen
mikroskops untersucht und effektive Empfindlichkeit, Auflösung und Profil auf folgende
Weise untersucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
Effektive Empfindlichkeit: Sie wurde als die Dosis dargestellt, bei der ein 0,50 µm
Linien-und-Abstands-Muster 1 : 1 wird.
Auflösung: Sie wurde als minimale Größe des Linien-und-Abstands-Musters darge
stellt, das durch die Dosis der effektiven Empfindlichkeit aufgetrennt wird.
Profil: Es wurde durch ein Verhältnis der Breite T des flachen Oberteils des Musters zur
Breite B des Bodenteils (mit einem Substrat verbundener Teil), das heißt T/B, unter Un
tersuchen des Querschnitts eines 0,50 µm Linien-und-Abstands-Muster bei der effektiven
Empfindlichkeit dargestellt. Je näher dieser Wert T/B an 1 geht, desto besser wird die
Rechtwinkeligkeit, was ein gutes Musterprofil ergibt.
Eine Resistlösung wurde gemäß der gleichen Formulierung wie in Beispiel 2 her
gestellt, außer daß N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid nicht zugegeben wurde, und
die Beurteilung genauso durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 2 gezeigt.
10 Teile, berechntet auf fester Basis, der in Synthesebeispiel 6 erhaltenen 2-Hep
tanonlösung des Novolakharzes, 3,5 Teile eines Kondensats von 2,4,4-Trimethyl-
2',4',7-trihydroxyflavan und 1,2-Naphthochinondiazid-5-sulfonsäurechlorid in einem
molaren Reaktionsverhältnis von 1 : 2,6 als strahlungsempfindlicher Bestandteil, 3,5 Teile
4,4'-(2-Hydroxybenzyliden)di-2,6-xylenol [anderer Name: 2",4,4'-Trihydroxy-
2,2',6,6'-tetramethyltriphenylmethan] als Zusatz (alkalilösliche Phenolverbindung mit
geringem Molekulargewicht), 0,5 Teile N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid und 2-
Heptanon wurden gemischt und gelöst, sodaß die Gesamtmenge an 2-Heptanon 60 Teile
beträgt. Dann wurde die erhaltene Lösung durch ein Fluorharzfilter mit einem Poren
durchmesser von 0,2 µm filtriert, um eine Resistlösung herzustellen. Danach wurde die
Resistlösung auf einem mit Hexamethyldisilazan behandelten Siliciumwafer unter Ver
wendung eines Spinnbeschichters aufgetragen, sodaß die Filmdicke nach Trocknen 1,06
µm betrug. Ein trockener Resistfilm wurde auf einer direkten heißen Platte durch Vor
härten bei einer Temperatur von 90°C für 60 Sekunden gebildet.
Unter Verwendung des gleichen i-Linien-Steppers wie in Beispiel 2 wurde ein
Linien-und-Abstands-Muster auf dem mit einem Resistfilm versehenen Wafer durch Be
lichten gebildet. Auf einer heißen Platte wurde ein Härten nach Belichten bei einer Tem
peratur von 110°C für 60 Sekunden und dann eine Tauchentwicklung unter Verwendung
einer wäßrigen 2,38%igen Tetramethylammoniumhydroxidlösung für 60 Sekumden
durchgeführt. Das Muster nach Entwicklung wurde unter Verwendung eines Rasterelek
tronenmikroskops untersucht und effektive Empfindlichkeit, Auflösung und Profil auf
folgende Weise untersucht. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 gezeigt.
Effektive Empfindlichkeit: Sie wurde als die Dosis dargestellt, bei der ein 0,40 µm
Linien-und-Abstands-Muster 1 : 1 wird.
Auflösung: Sie wurde als minimale Größe des Linien-und-Abstands-Musters darge
stellt, das durch die Dosis der effektiven Empfindlichkeit aufgetrennt wird.
Profil: Es wurde durch ein Verhältnis der Breite T des flachen Oberteils des Musters zur
Breite B des Bodenteils (mit einem Substrat verbundener Teil), das heißt T/B, unter Un
tersuchen des Querschnitts eines 0,40 im Linien-und-Abstands-Muster bei der effektiven
Empfindlichkeit dargestellt. Je näher dieser Wert T/B an 1 geht, desto besser wird die
Rechtwinkeligkeit, was ein gutes Musterprofil ergibt.
Eine Resistlösung wurde gemäß der gleichen Formulierung wie in Beispiel 3 her
gestellt, außer daß N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid nicht zugegeben wurde und
die Menge von 4,4'-(2-Hydroxybenzyliden)di-2,6-xylenol auf 4 Gew.-Teile geändert
wurde, und die Beurteilung genauso durchgeführt. Die Ergebnisse sind in Tabelle 3 ge
zeigt.
Wie vorstehend beschrieben wird die Profileigenschaft durch die Zugabe von N-
(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid bei sowohl dem positiven Resist des chemischen
Verstärkungstyps, dem negativen Photoresist des chemischen Verstärkungstyps als auch
dem positiven Resist des Chinondiazidtyps verbessert. Die Auflösung ist gut, und die
Empfindlichkeit wird nicht drastisch beeinträchtigt.
Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das Profil des Resistmuster verbessert
werden, wenn eine spezielle Succinimidverbindung enthalten ist.
Claims (10)
1. Resistzusammensetzung, die einen Bindemittelbestandteil, einen strahlungsemp
findlichen Bestandteil und eine Succinimidverbindung der folgenden Formel (I)
umfaßt:
in der Q1 einen Alkylrest, der gegebenenfalls mit einem Alkoxyrest, Halogen atom oder einer Nitrogruppe substituiert sein kann, einen alicyclischen Kohlen wasserstoffrest, einen Arylrest oder einen Aralkylrest darstellt; und Q2, das zu Q1 gleich oder verschieden sein kann, ein Wasserstoffatom, einen Alkylrest, der ge gebenenfalls mit einem Alkoxyrest, einem Halogenatom oder einer Nitrogruppe substituiert sein kann, einen alicyclischen Kohlenwasserstoffrest, einen Arylrest oder einen Aralkylrest darstellt.
in der Q1 einen Alkylrest, der gegebenenfalls mit einem Alkoxyrest, Halogen atom oder einer Nitrogruppe substituiert sein kann, einen alicyclischen Kohlen wasserstoffrest, einen Arylrest oder einen Aralkylrest darstellt; und Q2, das zu Q1 gleich oder verschieden sein kann, ein Wasserstoffatom, einen Alkylrest, der ge gebenenfalls mit einem Alkoxyrest, einem Halogenatom oder einer Nitrogruppe substituiert sein kann, einen alicyclischen Kohlenwasserstoffrest, einen Arylrest oder einen Aralkylrest darstellt.
2. Resistzusammensetzung nach Anspruch 1, in der die Succinimidverbindung N-
(monosubstituiertes Carbamoyloxy)succinimid der folgenden Formel (Ia) ist.
3. Resistzusammensetzung nach Anspruch 1, in der die Succinimidverbindung N-
(Methylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Ethylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Hexyl
carbamoyloxy)succinimid, N-(Cyclohexylcarbamoylvxy)succinimid, N-(Phenyl
carbamoyloxy)succinimid, N-(Dimethylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Diethylcar
bamoyloxy)succinimid oder N-(Dicyclohexylcarbamoyloxy)succinmid ist.
4. Resistzusammensetzung nach Anspruch 1, in der die Succinimidverbindung N-
(Ethylcarbamoyloxy)succinimid, N-(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid oder
N-(Dicyclohexylcarbamoyloxy)succinimid ist.
5. Resistzusammensetzung nach Anspruch 1, in der die Succinimidverbindung N-
(Cyclohexylcarbamoyloxy)succinimid ist.
6. Resistzusammensetzung nach Anspruch 1, die mit einer wäßrigen Alkalilösung
entwickelt wird.
7. Resistzusammensetzung nach Anspruch 1, die ein positiver Resist ist, wobei der
Bindemittelbestandteil ein alkalilösliches Novolakharz und der strahlungsemp
findliche Bestandteil eine Chinondiazidverbindung ist.
8. Resistzusammensetzung nach Anspruch 1, die ein negativer Resist ist, wobei der
Bindemittelbestandteil ein alkalilösliches Novolakharz und der strahlungsemp
findliche Bestandteil eine Azidverbindung ist.
9. Resistzusanxnensetzung nach Anspruch 1, die ein positiver Resist des chemischen
Verstärkungstyps ist, wobei der Bindemittelbestandteil ein alkalilösliches Harz
oder ein zum Alkalilöslichmachen fähiges Harz ist, und der strahlungsempfind
liche Bestandteil eine aktive Verbindung ist, die durch die Wirkung von Strah
lung zum Erzeugen einer Säure oder Base fähig ist.
10. Resistzusammensetzung nach Anspruch 1, die ein negativer Resist des chemi
schen Verstärkungstyps ist, umfassend ein alkalilösliches Harz oder ein zum Al
kalilöslichmachen fähiges Harz als Bindemittelbestandteil, eine aktive Verbin
dung, die durch die Wirkung von Strahlung zum Erzeugen einer Säure oder Base
fähig ist, als strahlungsempfindlichen Bestandteil und ein Vernetzungsmittel.
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Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3931482B2 (ja) * | 1999-06-02 | 2007-06-13 | 住友化学株式会社 | 化学増幅ネガ型レジスト組成物 |
TWI224713B (en) * | 2000-01-27 | 2004-12-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive photoresist composition |
JP2001264968A (ja) * | 2000-03-23 | 2001-09-28 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
US6858378B1 (en) | 2002-04-17 | 2005-02-22 | Sandia National Laboratories | Photoimageable composition |
JP4440600B2 (ja) * | 2003-10-31 | 2010-03-24 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 厚膜および超厚膜対応化学増幅型感光性樹脂組成物 |
KR100611394B1 (ko) * | 2003-11-20 | 2006-08-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 유기 반사 방지막 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의패턴 형성 방법 |
JP4431453B2 (ja) * | 2004-07-15 | 2010-03-17 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物および平版印刷版原版 |
KR101259853B1 (ko) | 2005-08-01 | 2013-05-02 | 주식회사 동진쎄미켐 | 감광성 고분자 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
JP2007225942A (ja) * | 2006-02-24 | 2007-09-06 | Asahi Kasei Electronics Co Ltd | ポジ型感光性樹脂組成物 |
JP5247080B2 (ja) * | 2007-07-25 | 2013-07-24 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物 |
US10416166B2 (en) | 2011-09-28 | 2019-09-17 | Waters Technologies Corporation | Rapid fluorescence tagging of glycans and other biomolecules with enhanced MS signals |
US11352325B2 (en) | 2011-09-28 | 2022-06-07 | Waters Technologies Corporation | Rapid fluorescence tagging of glycans and other biomolecules with enhanced MS signals |
US10436790B2 (en) | 2011-09-28 | 2019-10-08 | Waters Technologies Corporation | Rapid fluorescence tagging of glycans and other biomolecules with enhanced MS signals |
JP6047422B2 (ja) * | 2013-02-21 | 2016-12-21 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物、光硬化性組成物、化学増幅型レジスト組成物、レジスト膜、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP2015052754A (ja) * | 2013-09-09 | 2015-03-19 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂硬化物の製造方法、並びにこれを用いた固体撮像素子および液晶表示装置の製造方法 |
CN115753702A (zh) | 2014-10-30 | 2023-03-07 | 沃特世科技公司 | 快速制备标记的葡糖基胺和分析生产所述标记的葡糖基胺的糖基化生物分子的方法 |
EP3744708B1 (de) | 2014-11-13 | 2023-08-09 | Waters Technologies Corporation | Kalibrierstoff zur kalibrierung der flüssigchromatographie von markierten n-glykanen |
US11061023B2 (en) | 2016-06-21 | 2021-07-13 | Waters Technologies Corporation | Fluorescence tagging of glycans and other biomolecules through reductive amination for enhanced MS signals |
US11035832B2 (en) | 2016-06-21 | 2021-06-15 | Waters Technologies Corporation | Methods of electrospray ionization of glycans modified with amphipathic, strongly basic moieties |
US11150248B2 (en) | 2016-07-01 | 2021-10-19 | Waters Technologies Corporation | Methods for the rapid preparation of labeled glycosylamines from complex matrices using molecular weight cut off filtration and on-filter deglycosylation |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59184335A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-19 | Fujitsu Ltd | 微細パタ−ン形成用ネガ型レジスト |
JPH06214391A (ja) * | 1993-01-18 | 1994-08-05 | Sumitomo Chem Co Ltd | ネガ型フォトレジスト組成物 |
JPH0934112A (ja) * | 1995-05-12 | 1997-02-07 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JPH09166871A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Sumitomo Chem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
US5962180A (en) * | 1996-03-01 | 1999-10-05 | Jsr Corporation | Radiation sensitive composition |
JP3075174B2 (ja) * | 1996-04-10 | 2000-08-07 | 信越化学工業株式会社 | ジフェニルモノテルペン炭化水素誘導体、溶解制御剤及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
TW482943B (en) * | 1996-04-25 | 2002-04-11 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive working photosensitive composition |
JPH1069082A (ja) * | 1996-08-26 | 1998-03-10 | Sumitomo Chem Co Ltd | ネガ型レジスト組成物 |
TW439016B (en) * | 1996-09-20 | 2001-06-07 | Sumitomo Chemical Co | Positive resist composition |
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