DE19901916A1 - Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung - Google Patents

Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung

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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung.
Eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung von dem Typ, der auf einer Oberfläche auf­ gebracht ist und bei dem lichtemittierende Elemente eingesetzt werden, sind in verschiedenen Industrie- und Verbraucher-Vorrichtungen verwendet worden. Eine solche Vorrichtung ist beispielsweise in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 9-283803 offenbart. Ein weiteres Beispiel für solch eine bekannte halbleitende lichtemittierende Vorrichtung wird im Anschluß mit Bezug auf Fig. 1 beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht, die eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 11 dar­ stellt, die ein lichtemittierendes Diodenelement, im Anschluß als LED-Element 6 bezeichnet, als ein halbleitendes lichtemittierendes Element enthält. Die Vorrichtung 11 umfaßt ein recht­ eckiges, nicht-leitendes Substrat 1, das aus einem elektrisch isolierenden Material, wie Kera­ miken oder einem nicht-transparenten synthetischen Harz, ausgebildet ist und das mit einem Paar metallisierter Leitungsschichten 2, 3 beschichtet ist, die von der Unterseite des rechtec­ kigen, nichtleitenden Substrats 1 zu der Oberseite desselben über dessen Längsseiten verläuft. Das LED-Element 6 ist mit einer lichtemittierenden Schicht aus einer Nitridverbindung, wie GaN, die auf ein Saphir-Substrat 6a aus der Dampfphase gezüchtet ist, und mit einer Elektro­ de auf der p-leitenden Seite sowie einer Elektrode auf der n-leitenden Seite auf der Seite, die dem rechteckigen, nicht-leitenden Substrat 1 zugewandt ist, ausgebildet.
Ferner ist ein Reflektor 7 vorgesehen, der mit einer Kavität 7a zum Aufnehmen des LED- Elements 6 ausgebildet ist. Der Reflektor 7 ist aus einem Substrat aus einem nicht­ transparenten synthetischen Harz in einer bestimmten Dicke ausgeformt. Die Kavität 7a ist auf ihren Längsseiten mit einer reflektierenden Beschichtung zum Bilden einer Reflektions­ schicht versehen. Der Reflektor 7 ist auf das rechteckige, nicht-leitende Substrat 1 über Ver­ bindungschichten 9, 10 auflaminiert.
Ein elektrisch leitendes Material 4 bzw. 5 ist auf der dem LED-Element 6 zugewandten Flä­ che jeder metallisierten Leitungsschicht 2 bzw. 3 aufgebracht. Das LED-Element 6 ist auf das rechteckige, nicht-leitende Substrat 1 unter Verwendung der elektrisch leitenden Materialien 4, 5 als Bindematerial aufgeprägt, so daß das LED-Element 6 innerhalb der Kavität 7a des Reflektors 7 beherbergt ist, und die Elektroden der p-leitenden sowie n-leitenden Seite auf dem Substrat 6a des LED-Elements 6 sind elektrisch mit dem Paar metallisierter Leitungs­ schichten 2, 3 verbunden. Ein aus einem transparenten oder halbtransparenten synthetischen Harz ausgeformter Bereich 8 stellt einen lichttransmittierbaren, aus synthetischem Harz aus­ geformten Bereich dar, der die komplette Oberfläche des LED-Elements 6 zum Abdichten desselben bedeckt.
Die so ausgebildete halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 11, die das LED-Element 6 umfaßt, das auf das rechteckige nicht-leitende Substrat 1 aufgeprägt ist, ist mit einer Oberflä­ che auf eine Leiterplatine aufgebracht. Die metallisierten Leitungsschichten 2, 3, die aus ei­ nem elektrisch leitenden Material hergestellt sind, sind dabei mit Leitungen auf der Leiterpla­ tine verbunden.
Das Ausgabelicht, das von der beschichteten Oberfläche 6b des Saphir-Substrats 6a des halb­ leitenden LED-Elements 6 emittiert wird, wird durch den ausgeformten Bereich 8 transmit­ tiert und dann nach außen emittiert. Ein Teil des Ausgabelichtes wird an der Seite der Kavität 7a des Reflektors 7 reflektiert. Das reflektierte Licht wird auch durch den ausgeformten Be­ reich 8 transmittiert und nach außen emittiert, so daß die Lichtemissionseffizienz der halblei­ tenden, lichtemittierenden Vorrichtung 11 erhöht ist.
Da das reflektierende Beschichtungsmaterial auf die Seitenwand der Kavität 7a aufgebracht werden muß, die aus dem Substrat aus nicht-transparentem synthetischem Harz ausgebildet wird, um die Lichtemissionseffizienz der bekannten halbleitenden lichtemittierenden Vor­ richtung zu verbessern, besteht ein Problem dadurch, daß die Arbeitszeit und somit auch die Herstellungskosten erhöht werden. Das Ausgabelicht, das in eine Richtung emittiert wird, die der lichtemittierenden Fläche der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung gegenüber­ liegt, geht in erheblichem Umfang verloren, so daß es nicht effektiv genutzt wird.
Da der Reflektor 7 als ein getrenntes Element in einer vorherbestimmten Dicke ausgebildet ist und auf das nicht-leitende Substrat 1 auflaminiert wird, kann die Dicke des Reflektors 7 grö­ ßer als die notwendige Dicke sein, selbst wenn die Dicke des halbleitenden LED-Elements 6 dünner gemacht ist. Dies führt dazu, daß die halbleitende lichtemittierende Vorrichtung insge­ samt eine große Höhe T1 senkrecht zur Schichtenfolge aufweist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung zu liefern, die die Nachteile des Stands der Technik überwindet, insbesondere kostengünstig herstellbar ist, eine verbesserte Lichtemissionseffizienz aufweist und in dünner Form herstellbar ist, so daß Höhe und Gewicht reduziert sind. Dabei soll vorzugsweise ein LED-Element mit einer hohen Lichtemissionseffizienz verwendbar sein, wie in der ebenfalls anhängigen japanischen Patentanmeldung Nr. 10-55662 beschrieben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemaß durch eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung gelöst, mit einem ersten reflektierenden Substrat; einem zweiten reflektierenden Substrat, das eine Kavität aufweist und auf das erste reflektierende Substrat auflaminiert ist; einem halb­ leitenden lichtemittierenden Element, das in der Kavität des zweiten reflektierenden Substrats beherbergt ist und auf das erste reflektierende Substrat auf der von der lichtemittierenden Seite abgewandten Seite aufgeprägt ist, auf der Elektroden der p-leitenden bzw. n-leitenden Seite ausgebildet sind; und einem lichttransmittierbaren, aus synthetischem Harz ausgeform­ ten Bereich zum Abdichten des halbleitenden lichtemittierenden Elements.
Dabei kann erfindungsgemäß vorgesehen sein, daß das halbleitende lichtemittierende Element auf eine Verkabelung auf der Fläche des ersten reflektierenden Substrats aufgeprägt ist, die der Kavität des zweiten reflektierenden Substrats zugewandt ist, so daß die Elektroden auf der von der lichtemittierenden Fläche des halbleitenden lichtemittierenden Elements abgewandten Seite elektrisch mit Durchgangslochleitern auf dem ersten reflektierenden Substrat verbunden sind.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das halb­ leitende lichtemittierende Element folgendes umfaßt: ein Saphier-Substrat, eine Schicht aus einer auf GaN basierenden halbleitenden Verbindung, die eine lichtemittierende Schicht, die auf das Saphier-Substrat auflaminiert ist, enthält und einen Stromdiffusionsfilm, der auf die halbleitende Schicht auflaminiert und aus einem elektrisch leitenden Metallfilm mit einem hohen Lichtreflektionsfaktor ausgebildet ist, wobei das halbleitende lichtemittierende Element auf das erste reflektierende Substrat aufgebracht ist, so daß das Ausgabelicht E der lichtemit­ tierenden Schicht von dem Saphier-Substrat zusammen mit Reflektionslicht R, das von der Stromdiffusionsschicht reflektiert wird, emittiert wird.
Ferner kann gemäß der Erfindung vorgesehen sein, daß das erste und zweite reflektierende Substrat jeweils ein weißes Substrat ist.
Somit ist erfindungsgemäß ein LED-Element auf eine Leiterplatine auf der Oberfläche eines ersten weißen Substrats, das einer Kavität eines zweiten weißen Substrats gegenüberliegt, unter Verwendung elektrisch leitender Materialien als Verbindungsmaterial aufgeprägt, so daß das LED-Element in der Kavität des zweiten weißen Substrats beherbergt ist und Elektro­ den auf der p-leitenden Seite bzw. n-leitenden Seite auf der der lichtemittierenden Oberfläche eines beschichteten Saphir-Substrats des LED-Elements gegenüberliegenden Seite elektrisch mit Durchgangslochleitern verbunden ist. Das LED-Element, das auf das erste weiße Substrat aufgeprägt ist, wird entlang seines Umfangs von einem lichttransmittierbaren aus syntheti­ schem Harz ausgeformtem Bereich bedeckt und abgedichtet. Die halbleitende lichtemittieren­ de Vorrichtung weist daher eine erhöhte Lichtemissionseffizienz und eine flache Form auf.
Da das zweite weiße, reflektierende, Substrat, das mit der Kavität ausgebildet ist, auf das erste weiße Substrat laminiert ist und das halbleitende lichtemittierende Element in der Kavität des zweiten weißen Substrats in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung beherbergt ist, wird das von dem halbleitenden lichtemittierenden Element emittierte Ausgabelicht auch auf beiden Längsseiten des halbleitenden lichtemittierenden Elements und seiner der licht­ emittierenden Fläche gegenüberliegenden Unterseite reflektiert und dann nach außen emit­ tiert. Die Lichtemissionseffizienz der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung ist daher gegenüber dem Stand der Technik verbessert.
Da das erste und zweite weiße Substrat selbst als reflektierende Schichten für das Ausgabe­ licht, das von dem halbleitenden lichtemittierenden Element emittiert wird, verwendet wird, ist die Notwendigkeit zum Ausbilden einer zusätzlichen reflektierenden Schicht eliminiert, so daß die Herstellungskosten im Vergleich zum Stand der Technik reduziert sind. Die halblei­ tende lichtemittierende Vorrichtung kann ferner in flacher Form durch Auswählen der Dicke des zweiten weißen Substrats in Abhängigkeit von der Dicke bzw. Höhe der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung ausgebildet werden, so daß eine Reduktion in Höhe und Ge­ wicht der Vorrichtung im Vergleich zum Stand der Technik erreicht wird.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschrei­ bung, in der ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand von schematischen Zeichnungen im einzelnen erläutert ist. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer bekannten halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung;
Fig. 2 eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Ausführungsform einer halbleiten­ den lichtemittierenden Vorrichtung; und
Fig. 3 eine Vorderansicht, im Teillängsschnitt, eines LED-Elements, das beispielsweise in der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung der vorliegenden Erfindung verwendbar ist.
Im Anschluß wird eine Ausführungsform der Erfindung mit Bezug auf Fig. 2 beschrieben. Fig. 2 zeigt dabei eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen halbleitenden lichtemittie­ renden Vorrichtung 20. Diejenigen Bauteile, die im wesentlichen den Bauteilen entsprechen, die mit Bezug auf Fig. 1 für die bekannte Vorrichtung beschrieben worden sind, weisen gleiche Bezugszeichen auf und werden im Anschluß nicht weiter beschrieben. Die halbleiten­ de lichtemittierende Vorrichtung 20 kann ein LED-Element 6 verwenden, das den gleichen Aufbau aufweist wie mit Bezug auf Fig. 1 beschrieben.
Gemäß Fig. 2 hat ein erstes weißes Substrat 21 auf einer Fläche eine bestimmte Verkabelung und Durchgangslochleiter 23, 24, die sich durch Durchgangslöcher bis zu besagter Fläche erstrecken. Das erste weiße Substrat 21 ist aus einem synthetischen Harzsubstrat hergestellt. Ein zweites weißes Substrat 22, das mit einer Kavität 22a ausgebildet ist, ist aus dem gleichen synthetischen Harzmaterial wie das erste Substrat 21 ausgebildet. Das zweite weiße Substrat 22 ist auf das erste weiße Substrat 21 durch Verbinden mittels Verbindungsmaterial 9, 10 auflaminiert. Die Dicke des zweiten weißen Substrats 22 wird unter Berücksichtigung der mechanischen Stärke und dergleichen, abhängig von der Dicke des halbleitenden lichtemittie­ renden Elements 6 bestimmt. Demgemäß kann die Höhe T2 der halbleitenden lichtemittieren­ den Vorrichtung 20 senkrecht zur Schichtfolge herabgesetzt werden.
Das LED-Element 6 ist auf die Verkabelung auf der einen Fläche des ersten weißen Substrats 21, die der Kavität 22a des zweiten weißen Substrats 22 zugewandt ist, unter Einsatz elek­ trisch leitenden Materials 4, 5, wie Verbindungsmaterial, aufgeprägt, so daß das LED- Element 6 in der Kavität 22a des zweiten weißen Substrats 22 beherbergt ist und Elektroden der p-leitenden sowie n-leitenden Seite des LED-Elements 6 auf der Seite, die von der lich­ temittierenden Oberfläche eines Saphir-Substrats 6b des LED-Elements 6 abgewandt ist, elektrisch mit den Durchgangslochleitern 23, 24 verbunden. Das LED-Element 6, das auf das erste weiße Substrat 21 aufgeprägt ist, ist entlang seines kompletten Umfangs mittels eines lichttransmittierbaren, aus synthetischem Harz ausgeformtem Bereichs 8 bedeckt und abge­ dichtet.
Das Ausgabelicht, das von der einen Oberfläche 6b des Saphir-Substrats des LED-Elements 6 emittiert wird, wird durch den ausgeformten Bereich 8 transmittiert und dann nach außen emittiert. Ein Teil des Ausgabelichts wird an den Längsseiten des zweiten weißen Substrats 22 reflektiert. Das Ausgabelicht, das in Richtung der anderen Oberfläche 6a emittiert wird, an der die Elektroden der p-leitenden sowie n-leitenden Seite auf der von der lichtemittierenden Fläche des LED-Elements 6 abgewandten Seite bereitgestellt sind, wird auch von dem ersten weißen Substrat 21 reflektiert.
Mit anderen Worten wird das Ausgabelicht, das von dem LED-Element 6 emittiert wird, so­ wohl von der Rückseite als auch der Längsseite des LED-Elements 6 durch das erste bzw. zweite weiße Substrat 21, 22 reflektiert. Das reflektierte Licht, das von dem ersten bzw. zweiten weißen Substrat 21, 22 reflektiert wird, wird durch den ausgeformten Bereich 8 transmittiert und dann nach außen emittiert. Demgemäß kann die Lichtemissionseffizienz verbessert werden, da das Ausgabelicht, das in eine Richtung emittiert wird, die der licht­ emittierenden Fläche 6b des LED-Elements 6 gegenüberliegt, effektiv benutzt wird, indem es nach außen als reflektiertes Licht emittiert wird.
Die halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 20 weist keinen Reflektor auf, der aus einem zusätzlichen Glied hergestellt und in einer vorherbestimmten Decke ausgeformt ist, im Ge­ gensatz zum Stand der Technik, und die Dicke des zweiten weißen Substrats 22 kann ausge­ wählt werden in Abhängigkeit von der Dicke des LED-Elements 6, so daß die Höhe T2 senk­ recht zur Schichtenfolge im Vergleich zum Stand der Technik reduziert werden kann. Obwohl die Höhe T1 der bekannten halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 11 in der Größenord­ nung von ungefahr 0,5 mm liegt, kann die Höhe T2 der erfindungsgemäßen halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung 20 auf 0,3 mm oder weniger reduziert werden. Demgemäß hat die erfindungsgemäße halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 20 den Vorteil, daß sie für tragbare Produkte verwendbar ist, die eine Reduktion in Größe und Gewicht der Vorrichtung fordern.
Fig. 3 zeigt ein Beispiel für das LED-Element 6, das mit der erfindungsgemäßen halbleiten­ den lichtemittierenden Vorrichtung verwendbar ist und im wesentlichen dem in der ebenfalls anhängigen japanischen Patentanmeldung Nr. 10-55662 offenbarten LED-Element entspricht. Demgemäß ist eine Tieftemperatur-Pufferschicht 12 aus GaN auf einem Saphir-Substrat 6b ausgebildet, und eine n-leitende Schicht 13 ist auf der Tieftemperatur-Pufferschicht 12 ausge­ bildet. Eine aktive Schicht 14 aus einer auf InGaN basierenden halbleitenden Verbindung dient als eine lichtemittierende Schicht, auf der wiederum eine p-leitende Schicht 15 aufge­ bracht ist. Die n-leitende Schicht 13, die aktive Schicht 14, die als lichtemittierende Schicht dient, und die p-leitende Schicht 15, die aus einer auf GaN basierenden halbleitenden Verbin­ dung hergestellt ist, sind aufeinanderfolgend auf dem Saphir-Substrat 6b aufgebracht. Zudem ist ein Stromdiffusionsfilm 16 vorgesehen, der aus einem elektrisch leitenden Material mit einem hohen Lichtreflektionsfaktor auf der p-leitenden Schicht 15 ausgebildet ist. Das Metall des Stromdiffusionsfilms 16 kann Al, Ni, Ti oder Pt enthalten und ist eben auf der p-leitenden Überzugsschicht 15 ausgebildet. Das LED-Element 6 ist auf eine Leiterplatine derart aufge­ bracht, daß das Ausgabelicht der lichtemittierenden Schicht 4 von dem Saphir-Substrat 6b als Emissionsschicht E direkt emittiert wird. Das reflektierte Licht R, das von dem Stromdiffusi­ onsfilm 16 reflektiert wird, wird ebenfalls von dem Saphier-Substrat 6b emittiert.
Das LED-Element 6 ist auf dem ersten weißen Substrat 21 aufgebracht, so daß das Ausgabe­ licht von der lichtemittierenden Schicht 14 auf der Seite, die dem Saphier-Substrat 6b zuge­ wandt ist, emittiert wird. Beim Aufbringen des LED-Elements 6 auf das erste weiße Substrat 21 wird eine Seite 6a des LED-Elements 6, auf der die Elektroden 17, 18 der n-leitenden bzw. der p-leitenden Seite ausgebildet sind, auf die Leiterplatine oder das mit metallisiertem Draht versehene erste weiße Substrat 21 unter Verwendung eines elektrisch leitenden Materials als Bindematerial aufgeprägt. Durch Aufbringen des LED-Elements 6 auf das erste weiße Sub­ strat 21 wird ein primäres Licht E, das direkt von dem LED-Element 6 über das Saphier- Substrat 6b emittiert wird, durch ein reflektiertes Licht R, das von dem Stromdiffusionsfilm 16 reflektiert wird, verstärkt, so daß das resultierende Licht von dem Saphier-Substrat 6b emittiert wird. Bei solch einem Typ eines LED-Elements 6 ist der Stromdiffusionsfilm 16 auf der p-leitenden Überzugsschicht 15 zum Beliefern der lichtemittierenden Schicht 14 mit ei­ nem uniformen Strom ausgebildet. Bei dem LED-Element 6, das in der erfindungsgemäßen halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung 20 verwendet wird, wird ein Metall mit einem hohen Lichtreflektionsfaktor verwendet, so daß der Stromdiffusionsfilm 16 als ein Reflektor des Ausgabelichts von der lichtemittierenden Schicht 14 fungiert. Daher kann der Stromdiffu­ sionsfilm 16, der ansonsten das Ausgabelicht, das von den bekannten LED-Elementen emit­ tiert wird, reduziert, auf vorteilhafte Weise als ein Mittel zum Erhöhen des von dem LED- Element emittierten Ausgabelichts verwendet werden.
Da das LED-Element 6 auf dem ersten weißen Substrat 21 derart aufgebracht ist, daß das Ausgabelicht von der lichtemittierenden Schicht 14 von dem Stromdiffusionsfilm 16 reflek­ tiert wird und dann von der Saphier-Substratoberfläche 6b in Übereinstimmung mit der ge­ genwärtigen Erfindung emittiert wird, kann der Stromdiffusionsfilm 16, der ansonsten die Menge an Ausgabelicht der lichtemittierenden Schicht 14 herabsetzt, vorteilhafterweise als Mittel zum Erhöhen der Menge an Ausgabelicht verwendet werden. Die Lichtemissionseffizi­ enz des LED-Elements 6 ist daher gegenüber dem Stand der Technik verbessert. Demgemäß ermöglicht die Verwendung solch eines LED-Elements 6, die Lichtemissionseffizienz der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung 20 weiter zu verbessern.
In der oben beschriebenen Ausführungsform der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung 20 ist das LED-Element 6 beschrieben worden, bei dem die lichtemittierende Schicht aus ei­ ner auf GaN basierenden halbleitenden Verbindung aus der Dampfphase gezüchtet auf das Substrat 6b aufgebracht ist, das aus einem lichttransmittierbaren isolierenden Material ausge­ bildet ist, das eine hohe Härte aufweist, wie Saphir, wobei die Seite der lichtemittierenden Schicht der Substrat-Oberfläche 6b zugewandt ist, die als lichtemittierende Fläche fungiert.
Das halbleitende lichtemittierende Element, das mit der halbleitenden lichtemittierenden Vor­ richtung der gegenwärtigen Erfindung verwendet wird, ist nicht auf das LED-Element be­ schränkt, das den oben beschriebenen Aufbau hat, jedoch ist im allgemeinen ein halbleitendes lichtemittierendes Element verwendbar, bei dem die Elektroden auf der p-leitenden bzw. n-leitenden Seite auf einer Seite davon ausgebildet sind.
Die in der vorstehenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offen­ barten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in jeder beliebigen Kombi­ nation für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen we­ sentlich sein.
Bezugszeichenliste
1
Nicht-leitendes Substrat
2
Metallisierte Leitungsschicht
3
Metallisierte Leitungsschicht
4
Elektrisch leitendes Material
5
Elektrisch leitendes Material
6
LED-Element
6
a Saphir-Substrat-Oberfläche
6
b Saphir-Substrat-Oberfläche
7
Reflektor
7
a Kavität
8
Synthetisches Harz
9
Verbindungsschicht
10
Verbindungsschicht
11
Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
12
Tieftemperatur-Pufferschicht
13
n-leitende Schicht
14
aktive Schicht
15
p-leitende Schicht
16
Stromdiffusionsfilm
17
Elektrode der n-leitenden Seite
18
Elektrode der p-leitenden Seite
20
Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
21
Weißes Substrat
22
Weißes Substrat
22
a Kavität
23
Leiter
24
Leiter
T1
Höhe
T2
Höhe
E Emissionslicht
R Reflexionslicht

Claims (4)

1. Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung (20), mit
einem ersten reflektierenden Substrat (21);
einem zweiten reflektierenden Substrat (22), das eine Kavität (22a) aufweist und auf das erste reflektierende Substrat (21) auflaminiert ist;
einem halbleitenden lichtemittierenden Element (6), das in der Kavität (22a) des zweiten reflektierenden Substrats (22) beherbergt ist und auf das erste reflektie­ rende Substrat (21) auf der von der lichtemittierenden Seite abgewandten Seite aufgeprägt ist, auf der Elektroden (17, 18) der p-leitenden bzw. n-leitenden Seite ausgebildet sind; und
einem lichttransmittierbaren, aus synthetischem Harz ausgeformten Bereich (8) zum Abdichten des halbleitenden lichtemittierenden Elements (6).
2. Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das halbleitende lichtemittierende Element (6) auf eine Verkabelung auf der Flä­ che des ersten reflektierenden Substrats (21) aufgeprägt ist, die der Kavität (22a) des zweiten reflektierenden Substrats (22) zugewandt ist, so daß die Elektroden (17, 18) auf der von der lichtemittierenden Fläche des halbleitenden lichtemittie­ renden Elements (6) abgewandten Seite elektrisch mit Durchgangslochleitern (23, 24) auf dem ersten reflektierenden Substrat (21) verbunden sind.
3. Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das halbleitende lichtemittierende Element (6) folgendes umfaßt:
ein Saphier-Substrat (6a, 6b),
eine Schicht aus einer auf GaN basierenden halbleitenden Verbindung, die eine lichtemittierende Schicht (14), die auf das Saphier-Substrat (6a, 6b) auflaminiert ist, enthält und
einen Stromdiffusionsfilm (16), der auf die halbleitende Schicht (14) auflaminiert und aus einem elektrisch leitenden Metallfilm mit einem hohen Lichtreflektions­ faktor ausgebildet ist, wobei
das halbleitende lichtemittierende Element (6) auf das erste reflektierende Substrat (21) aufgebracht ist, so daß das Ausgabelicht E der lichtemittierenden Schicht (14) von dem Saphier-Substrat (6b) zusammen mit Reflexionslicht R, das von der Stromdiffusionsschicht (16) reflektiert wird, emittiert wird.
4. Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung nach einem der vorangehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und zweite reflektierende Substrat (21, 22) jeweils ein weißes Substrat ist.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1670073A1 (de) * 2003-09-30 2006-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Lichtemittierendes bauelement
EP1791190A1 (de) * 2005-11-25 2007-05-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Leuchtdiodeneinheit mit seitlicher Abstrahlung
EP2043168A3 (de) * 2001-01-24 2012-06-13 Nichia Corporation Lichtemittierende Diode, optisches Halbleiterelement und Epoxidharzmischung, welche für ein optisches Halbleiterelement geeignet ist und Herstellungsmethode dafür
EP2693854A3 (de) * 2012-08-02 2014-02-26 Kindwin Opto Electronic (Shen Zhen) Co. Ltd. Wasserdichte kontrastreiches oberflächenmontierte LED-Lampe

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
US6833566B2 (en) * 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink
TW518771B (en) 2001-09-13 2003-01-21 United Epitaxy Co Ltd LED and the manufacturing method thereof
US20030057421A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tzer-Perng Chen High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
JP2003158301A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Citizen Electronics Co Ltd 発光ダイオード
JP3896027B2 (ja) * 2002-04-17 2007-03-22 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
DE10228634A1 (de) * 2002-06-26 2004-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Miniatur-Lumineszenz-und/oder Photo-Diode und Verfahren zu deren Herstellung
DE10237084A1 (de) * 2002-08-05 2004-02-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Leiterrahmens und Verfahren zum Herstellen eines oberflächenmontierbaren Halbleiterbauelements
JP4280050B2 (ja) * 2002-10-07 2009-06-17 シチズン電子株式会社 白色発光装置
BR0315942A (pt) * 2002-11-27 2005-10-04 Dmi Biosciences Inc Tratamento de doenças e condições mediadas pelo aumento de fosforilação
KR101148332B1 (ko) * 2003-04-30 2012-05-25 크리, 인코포레이티드 콤팩트 광학 특성을 지닌 높은 전력의 발광 소자 패키지
US6876008B2 (en) * 2003-07-31 2005-04-05 Lumileds Lighting U.S., Llc Mount for semiconductor light emitting device
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US20050133808A1 (en) * 2003-09-11 2005-06-23 Kyocera Corporation Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
US7157744B2 (en) * 2003-10-29 2007-01-02 M/A-Com, Inc. Surface mount package for a high power light emitting diode
TWI245436B (en) * 2003-10-30 2005-12-11 Kyocera Corp Package for housing light-emitting element, light-emitting apparatus and illumination apparatus
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
JP4081611B2 (ja) * 2003-11-19 2008-04-30 株式会社豊田自動織機 半導体装置
WO2005067064A1 (en) * 2003-11-25 2005-07-21 Shichao Ge Light emitting diode and light emitting diode lamp
EP1700350A2 (de) * 2003-12-09 2006-09-13 Gelcore LLC Oberflächenanbringungs-lichtemissionschip-kapselung
JP4370158B2 (ja) * 2003-12-24 2009-11-25 シャープ株式会社 光結合器およびそれを用いた電子機器
US7339198B2 (en) * 2004-01-16 2008-03-04 Yu-Nung Shen Light-emitting diode chip package body and packaging method thereof
JP4181515B2 (ja) * 2004-02-25 2008-11-19 シャープ株式会社 光半導体装置およびそれを用いた電子機器
DE102004014207A1 (de) * 2004-03-23 2005-10-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil mit mehrteiligem Gehäusekörper
US7064424B2 (en) * 2004-05-06 2006-06-20 Wilson Robert E Optical surface mount technology package
CN1977394A (zh) * 2004-06-29 2007-06-06 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光二极管模块
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US20060124953A1 (en) * 2004-12-14 2006-06-15 Negley Gerald H Semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and cover plates, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US7705465B2 (en) * 2005-04-01 2010-04-27 Panasonic Corporation Surface-mount type optical semiconductor device and method for manufacturing the same
JP2006314082A (ja) * 2005-04-04 2006-11-16 Nippon Sheet Glass Co Ltd 発光ユニット、該発光ユニットを用いた照明装置及び画像読取装置
KR100632003B1 (ko) * 2005-08-08 2006-10-09 삼성전기주식회사 열전달부에 오목부가 형성된 ｌｅｄ 패키지
CN100407460C (zh) * 2005-11-16 2008-07-30 齐瀚光电股份有限公司 发光二极管灯组
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
JP4049186B2 (ja) * 2006-01-26 2008-02-20 ソニー株式会社 光源装置
EP2027412B1 (de) 2006-05-23 2018-07-04 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung
US20100224890A1 (en) * 2006-09-18 2010-09-09 Cree, Inc. Light emitting diode chip with electrical insulation element
US7791096B2 (en) * 2007-06-08 2010-09-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Mount for a semiconductor light emitting device
KR20090002835A (ko) 2007-07-04 2009-01-09 엘지전자 주식회사 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법
JP2009212501A (ja) * 2008-02-08 2009-09-17 Seiko Instruments Inc 発光デバイス及びその製造方法
KR100958024B1 (ko) * 2008-08-05 2010-05-17 삼성엘이디 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
US20100149771A1 (en) * 2008-12-16 2010-06-17 Cree, Inc. Methods and Apparatus for Flexible Mounting of Light Emitting Devices
KR101064026B1 (ko) * 2009-02-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
US7892869B2 (en) * 2009-07-23 2011-02-22 Edison Opto Corporation Method for manufacturing light emitting diode assembly
TWM382505U (en) * 2010-01-15 2010-06-11 Cheng Uei Prec Ind Co Ltd Video device
US8354745B2 (en) * 2010-04-20 2013-01-15 Intellectual Discovery Co., Ltd. Electronic assembly
CN102376864B (zh) * 2010-08-10 2014-12-31 晶元光电股份有限公司 发光元件
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
CN103855269A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 东莞市正光光电科技有限公司 表面贴装led
US9142745B2 (en) 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
TW201517323A (zh) 2013-08-27 2015-05-01 Glo Ab 模製發光二極體封裝及其製造方法
CN105706237B (zh) * 2013-09-13 2019-10-18 亮锐控股有限公司 用于倒装芯片led的基于框架的封装
US20150241477A1 (en) * 2014-02-27 2015-08-27 Texas Instruments Incorporated Effective and efficient solution for pin to pad contactor on wide range of smd package tolerances using a reverse funnel design anvil handler mechanism
JP2017037900A (ja) * 2015-08-07 2017-02-16 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
US10852321B2 (en) 2016-08-19 2020-12-01 Delta Design, Inc. Test handler head having reverse funnel design
JP2018113293A (ja) * 2017-01-10 2018-07-19 セイコーエプソン株式会社 発光装置、生体情報測定装置および発光装置の製造方法
US10957832B2 (en) * 2018-10-22 2021-03-23 General Electric Company Electronics package for light emitting semiconductor devices and method of manufacturing thereof

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS546787A (en) * 1977-06-17 1979-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Luminous element
FR2471014A1 (fr) * 1979-11-28 1981-06-12 Radiotechnique Compelec Dispositif d'affichage a diodes electroluminescentes
DE4242842C2 (de) * 1992-02-14 1999-11-04 Sharp Kk Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung
US5889295A (en) * 1996-02-26 1999-03-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device
JP3656316B2 (ja) 1996-04-09 2005-06-08 日亜化学工業株式会社 チップタイプｌｅｄ及びその製造方法
US6034712A (en) * 1996-06-26 2000-03-07 Brother Kogyo Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and image forming machine including it
JPH11220170A (ja) * 1998-01-29 1999-08-10 Rohm Co Ltd 発光ダイオード素子

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2043168A3 (de) * 2001-01-24 2012-06-13 Nichia Corporation Lichtemittierende Diode, optisches Halbleiterelement und Epoxidharzmischung, welche für ein optisches Halbleiterelement geeignet ist und Herstellungsmethode dafür
EP1670073A1 (de) * 2003-09-30 2006-06-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Lichtemittierendes bauelement
EP1670073A4 (de) * 2003-09-30 2008-07-02 Toshiba Kk Lichtemittierendes bauelement
US8610145B2 (en) 2003-09-30 2013-12-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device
EP1791190A1 (de) * 2005-11-25 2007-05-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Leuchtdiodeneinheit mit seitlicher Abstrahlung
EP2112698A1 (de) * 2005-11-25 2009-10-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Leuchtdiodeneinheit mit seitlicher Abstrahlung
EP2315265A1 (de) * 2005-11-25 2011-04-27 Samsung LED Co., Ltd. Leuchtdiodeneinheit mit seitlicher Abstrahlung
US10096756B2 (en) 2005-11-25 2018-10-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Side view light emitting diode package
EP2693854A3 (de) * 2012-08-02 2014-02-26 Kindwin Opto Electronic (Shen Zhen) Co. Ltd. Wasserdichte kontrastreiches oberflächenmontierte LED-Lampe

Also Published As

Publication number Publication date
DE19901916B4 (de) 2012-08-16
US6184544B1 (en) 2001-02-06

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