DE19901917A1 - Lichtemittierendes Diodenelement - Google Patents

Lichtemittierendes Diodenelement

Info

Publication number
DE19901917A1
DE19901917A1 DE19901917A DE19901917A DE19901917A1 DE 19901917 A1 DE19901917 A1 DE 19901917A1 DE 19901917 A DE19901917 A DE 19901917A DE 19901917 A DE19901917 A DE 19901917A DE 19901917 A1 DE19901917 A1 DE 19901917A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
layer
current diffusion
diffusion film
sapphire substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19901917A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19901917B4 (de
Inventor
Hidekazu Toda
Shinji Isokawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd filed Critical Rohm Co Ltd
Publication of DE19901917A1 publication Critical patent/DE19901917A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19901917B4 publication Critical patent/DE19901917B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/405—Reflective materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Diodenelement.
Als Beispiele für ein herkömmliches lichtemittierendes Diodenelement, im Anschluß als LED-Element bezeichnet, sind auf Nitridverbindungen basierende, blaufarbige LED- Elemente bekannt, die eine lichtemittierende Schicht aus GaN und/oder InGaN aufweisen. Fig. 1 ist eine Vorderansicht, im Teillängsschnitt, die den Aufbau eines bekannten LED- Elements 10 dieses Typs zeigt. Demgemäß ist auf einem Saphir-Substrat 1 eine Niedrigtem­ peratur-Puffer-Schicht 2 aus GaN ausgebildet. Eine n-leitende Schicht 3 ist auf der GaN- Puffer-Schicht 2 ausgebildet. Die n-leitende Schicht 3 weist einen laminaren Schichtaufbau eines Halbleiters aus einer GaN-Verbindung auf, der, beispielsweise, eine n-leitende GaN- Stromdiffusionsschicht und eine AlGaN-Überzugsschicht enthält. Die Tieftemperatur-Puffer- Schicht 2 aus GaN dient dem Verbessern der Kristallqualität des Halbleiters der darauf ausge­ bildeten n-leitenden Schicht 3.
Eine aktive Schicht 4, die, beispielsweise, aus einem auf einer InGaN-Verbindung basieren­ den Halbleiter ausgebildet ist, bildet eine lichtemittierende Schicht. Eine p-leitende Schicht 5 ist auf der aktiven Schicht 4 ausgebildet. Die p-leitende Schicht 5 weist einen laminaren Auf­ bau auf der Basis eines Halbleiters aus einer GaN-Verbindung auf, der, beispielsweise, eine p-leitende GaN-Stromdiffusionsschicht und eine AlGaN-Überzugsschicht enthält. Diese auf einer GaN-Verbindung basierende Halbleiterschichtabfolge, die die n-leitende Schicht 3, die aktive Schicht 4, die als eine lichtemittierende Schicht fungiert, und die p-leitende Schicht enthält, ist auf das Saphir-Substrat 1 auflaminiert.
Ein Stromdiffusionsfilm 6 aus einem geeignet elektrisch leitenden Material ist auf der p-leitenden Schicht 5 eben aufgebracht, um einen uniformen Strom der lichtemittierenden Schicht 4 zuführen zu können. Eine Elektrode 7 auf der n-leitenden Seite ist auf der Oberflä­ che der n-leitenden Schicht 3 ausgebildet. Eine Elektrode 8 auf der p-leitenden Seite ist auf der Oberfläche des Stromdiffusionsfilms 6 ausgebildet. Das LED-Element 10 dieses Typs ist auf einen Schaltkreis auf der Seite des Saphir-Substrats 1 aufgebracht, so daß Abgabelicht E von der lichtemittierenden Schicht 4 auf der Seite des Stromdiffusionsfilms 6 emittiert wird. Eine gegebene Verkabelung ist also auf dem Schaltkreis-Substrat aus gebildet, und Leiten ei­ nes Stroms durch die Elektroden 7 und 8 auf der n- bzw. p-leitenden Seite des LED-Elements 10 bewirkt, daß das Ausgabelicht E von dem LED-Element 10 über den Stromdiffusionsfilm 6 emittiert wird, wie in Fig. 1 gezeigt.
Auf diese Weise ist ein herkömmliches LED-Element 10 auf einem Schaltkreis mit einer er­ wünschten Verkabelung auf dem Saphir-Substrat 1 aufgebracht, so daß das Ausgabelicht E über den Stromdiffusionsfilm 6 emittiert wird. Jedoch ist der Lichttransmissionsfaktor des Stromdiffusionsfilms 6, der aus einem geeignet elektrisch leitenden Material ausgebildet ist, in der Größenordnung von 50 bis 60% maximal. 40 bis 50% des emittierten Lichts geht so­ mit verloren, wenn das Ausgabelicht E, das von der lichtemittierenden Schicht 4 emittiert wird, durch den Stromdiffusionsfilm 6 transmittiert wird. Die Lichtemissionseffizienz der bekannten LED-Elemente 10 ist daher nachteiligerweise herabgesenkt.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein LED-Element mit einer gegenüber dem Stand der Technik verbesserten Lichtemissionseffizienz zu liefern, bei dem insbesondere das Ausgabelicht von einer lichtemittierenden Schicht im wesentlichen ohne Verluste nach außen abgegeben wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein LED-Element gemäß Anspruch 1 gelöst.
Die Ansprüche 2 bis 4 beschreiben bevorzugte Ausfühlungsformen des erfindungsgemäßen LED-Elements.
Der Erfindung liegt somit die überraschende Erkenntnis zugrunde, daß durch Bereitstellen eines LED-Elements mit einem Saphir-Substrat, einem Film aus einer auf GaN basierenden halbleitenden Verbindung, der eine lichtemittierende Schicht bildet, die auf das Substrat auflaminiert ist, und einem Stromdiffusionsfilm, der auf der Halbleiterschicht ausgebildet ist, wobei der Stromdiffusionsfilm aus einem elektrisch leitenden Metallfilm ausgebildet ist, der einen hohen Reflexionsfaktor für Licht aufweist, und durch Aufbringen des LED-Elements auf einen Schaltkreis das Ausgabelicht der lichtemittierenden Schicht von der Saphir- Substrat-Seite zusammen mit dem Licht emittiert wird, das von dem Stromdiffusionsfilm re­ flektiert wird.
Es wird also erfindungsgemäß vorgeschlagen, ein LED-Element auf einen Schaltkreis aufzu­ bringen, so daß ein Teil des Ausgabelichts der lichtemittierenden Schicht von dem Stromdif­ fusionsfilm reflektiert und dann von der Saphir-Substrat-Seite emittiert wird. Daher wird der Stromdiffusionsfilm, der gemäß dem Stand der Technik die Lichtemissionseffizienz der licht­ emittierenden Schicht herabsetzt, als Mittel zum Erhöhen der Intensität des Ausgabelichts verwendet. Es hat sich gezeigt, daß so die Emissionseffizienz eines erfindungsgemäßen LED- Elements erheblich gegenüber der gemäß dem Stand der Technik verbessert ist.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschrei­ bung, in der ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand von schematischen Zeichnungen erläutert ist. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine Vorderansicht, im Teillängsschnitt, eines bekannten LED-Elements;
Fig. 2 eine Vorderansicht, im Teillängsschnitt, eines LED-Elements der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 3 eine Ansicht eines lichtemittierenden Bauteils, das auf einem Schaltkreis ge­ mäß der gegenwärtigen Erfindung aufgebracht ist.
Nun wird mit Bezug auf Fig. 2 eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung im Detail beschrieben. Danach umfaßt ein LED-Element 11 gemäß der vorliegenden Erfindung im we­ sentlichen die gleichen Bauelemente wie mit Bezug auf Fig. 1 im Zusammenhang mit dem Stand der Technik beschrieben, wobei gleiche Teile mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. Erfindungsgemäß ist jedoch der Stromdiffusionsfilm 6 aus einem Metall ausgebildet, das eine elektrische Leitfähigkeit und einen hohen Reflexionsfaktor aufweist. Ein Metall, das solche Charakteristiken aufweist, kann Al, Ni, Ti, Pt oder dergleichen enthalten. Der Strom­ diffusionsfilm 6, der aus einem dieser Metalle hergestellt ist, ist eben auf die p-leitende Über­ zugsschicht 5 aufgebracht.
Das LED-Element 11 der vorliegenden Erfindung ist auf eine Leiterplatine mit Leitungen 12, 13 derart aufgebracht, daß das Ausgabelicht bzw. Emissionslicht E von der lichtemittierenden Schicht 4 auf der Seite, des Saphir-Substrats 1 emittiert wird. Beim Aufbringen des LED- Elements 11 auf die Leitungen 12, 13 wird die Seite des LED-Elements 11, auf der die Elek­ troden 7 und 8 der n- bzw. p-leitenden Seite ausgebildet sind, auf die Leiterplatine oder ein metallisiertes, verdrahtetes Isolationssubstrat unter Verwendung eines elektrisch leitfähigen Materials als Verbindungsmaterial aufgeprägt, wie in Fig. 3 gezeigt. Ein derartiges Aufbrin­ gen des LED-Elements 11 auf die Leitungen 12, 13 ermöglicht es, daß ein Teil des Ausgabe­ lichts als Emissionslicht E direkt von dem LED-Element 11 über das Saphir-Substrat 1 emit­ tiert und ein weiterer Teil des Ausgabelichts durch Reflexion an dem Stromdiffusionsfilm 6 als Reflexionslicht R reflektiert wird, so daß das resultierende Gesamtlicht aus Emissionslicht E und Reflexionslicht R von dem Saphir-Substrat 1 abgeben wird.
Beim Aufbringen des LED-Elements 11 auf die Leitungen 12, 13 wird erfindungsgemäß vor­ teilhafterweise ausgenutzt, daß das Saphir-Substrat 1 Lichttransmissionscharakteristiken auf­ weist, die bislang nicht genutzt wurden, da das Saphier-Substrat 1 bislang auf der Seite ange­ ordnet worden ist, die der Seite gegenüberliegt, auf der das Ausgabelicht E der lichtemittie­ renden Schicht emittiert wird. Das LED-Element 11 ist also auf den Leitungen 12, 13 so auf­ gebracht, daß das Ausgabelicht E der lichtemittierenden Schicht 4 von dem Saphir-Substrat 1 emittiert wird.
Damit die lichtemittierende Schicht 4 mit einem gleichmäßigen Strom in dem LED-Element 11 beliefert wird, ist der Stromdiffusionsfilm 6 auf der p-leitenden Überzugsschicht 5 ausge­ bildet worden. Bei der vorliegenden Erfindung wird zudem der Stromdiffusionsfilm 6 aus einem Metall ausgebildet, das ein hohes Reflexionsvermögen für Licht aufweist, so daß er als ein Reflektor für Ausgabelicht von dem lichtemittierenden Schicht 4 verwendet werden kann.
In Übereinstimmung mit der vorliegende Erfindung ist das LED-Element 11 auf den Leitun­ gen 12, 13 derart aufgebracht, daß Ausgabelicht E der lichtemittierenden Schicht 4, die zwi­ schen dem Saphir-Substrat 1 und dem Stromdiffusionsfilm 6 ausgebildet ist, von der Saphir- Substrat-Seite aus emittiert wird, und Ausgabelicht E der lichtemittierenden Schicht 4 von dem Stromdiffusionsfilm 6 reflektiert wird, da der Stromdiffusionsfilm 6 aus einem Metall ausgebildet wird, das einen hohen Reflexionsfaktor für Licht aufweist, und dann von dem Saphir-Substrat 1 als Reflexionslicht R emittiert wird. Mit anderen Worten liegt der Kern der Erfindung darin, den Stromdiffusionsfilm 6, der bislang das Ausgabelicht E von dem LED- Element in seiner Intensität verringert hat, als Mittel zum Erhöhen der Intensität beim Emit­ tieren von Licht zu verwenden.
Da das LED-Element 11 auf den Leitungen 12, 13 aufgebracht ist, so daß Ausgabelicht E der lichtemittierenden Schicht 4 von dem Stromdiffusionsfilm 6 reflektiert und von der Saphir- Substrat-Seite emittiert wird, in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung, wie zuvor beschrieben, kann der Stromdiffusionsfilm 6 in Abwendung vom Stand der Technik zur Er­ höhung der Intensität des Ausgabelichts E um das Reflexionslicht R verwendet werden. Die Lumineszenzeffizienz des erfindungsgemäßen LED-Elements wird also durch Hinzufügen von Reflexionslicht R erheblich erhöht.
Die in der vorstehenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offen­ barten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in jeder beliebigen Kombi­ nation für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen we­ sentlich sein.
Bezugszeichenliste
1
Saphir-Substrat
2
GaN-Puffer-Schicht
3
n-leitende Schicht
4
aktive Schicht
5
p-leitende Schicht
6
Stromdiffusionsfilm
7
Elektrode der n-leitenden Seite
8
Elektrode der p-leitenden Seite
10
LED-Element
11
LED-Element
12
Leitung
13
Leitung
E Emissionslicht
R Reflexionslicht

Claims (4)

1. Lichtemittierendes Diodenelement, mit
einem Film aus einer auf GaN basierenden halbleitenden Verbindung, wobei der Film eine lichtemittierende Schicht (4) bildet, die auf ein Saphir-Substrat (1) auflaminiert ist, und
einem darauf ausgebildeten Stromdiffusionsfilm (6), der aus einem elektrisch lei­ tenden Metallfilm hergestellt ist, der einen hohen Reflexionsfaktor für Licht auf­ weist.
2. Lichtemittierendes Diodenelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das lichtemittierende Diodenelement (11) auf einen Schaltkreis (12, 13) aufge­ bracht ist, so daß Ausgabelicht E der lichtemittierenden Schicht (4) von der Sa­ phir-Substrat-Seite aus zusammen mit von dem Stromdiffusionsfilm (6) reflek­ tierten Licht R abgegeben wird.
3. Lichtemittierendes Diodenelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Stromdiffusionsfilm (6) aus einem Metall ausgebildet ist, ausgewählt aus einer Gruppe, die Al, Ni, Ti und Pt umfaßt.
4. Lichtemittierendes Diodenelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß
auf das Saphir-Substrat (1) eine Tieftemperatur-Puffer-Schicht (2), umfassend GaN, ausgebildet ist,
auf der Tieftemperatur-Puffer-Schicht (2) eine n-leitende Schicht (3) ausgebildet ist,
auf der n-leitenden Schicht (3) die aktive lichtemittierende Schicht (4) ausgebildet ist,
auf der aktiven Schicht (4) eine p-leitende Schicht (5) ausgebildet ist,
auf der p-leitenden Schicht (5) der Stromdiffusionsfilm (6) ausgebildet ist,
eine Elektrode (7) auf der n-leitenden Seite des beschichteten Saphir-Substrats (1) angeordnet ist,
eine Elektrode (8) auf der p-leitenden Seite des beschichteten Saphir-Substrats (1) angeordnet ist, und
die Elektroden (7, 8) einen Schaltkreis (12, 13) kontaktieren.
DE19901917A 1998-01-29 1999-01-19 Lichtemittierendes Diodenelement Expired - Fee Related DE19901917B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-055662 1998-01-29
JP5566298A JPH11220170A (ja) 1998-01-29 1998-01-29 発光ダイオード素子

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19901917A1 true DE19901917A1 (de) 1999-08-05
DE19901917B4 DE19901917B4 (de) 2009-11-26

Family

ID=13005072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19901917A Expired - Fee Related DE19901917B4 (de) 1998-01-29 1999-01-19 Lichtemittierendes Diodenelement

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6335545B1 (de)
JP (1) JPH11220170A (de)
DE (1) DE19901917B4 (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
JP5523277B2 (ja) * 2000-04-26 2014-06-18 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光半導体素子並びに発光性半導体素子の製造方法
DE10051465A1 (de) 2000-10-17 2002-05-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis
US6643304B1 (en) * 2000-07-26 2003-11-04 Axt, Inc. Transparent substrate light emitting diode
JP5283293B2 (ja) 2001-02-21 2013-09-04 ソニー株式会社 半導体発光素子
JP2005026395A (ja) * 2003-07-01 2005-01-27 Toshiba Corp 半導体発光素子及び半導体発光装置
DE10353679A1 (de) * 2003-11-17 2005-06-02 Siemens Ag Kostengünstige, miniaturisierte Aufbau- und Verbindungstechnik für LEDs und andere optoelektronische Module
JP4370158B2 (ja) * 2003-12-24 2009-11-25 シャープ株式会社 光結合器およびそれを用いた電子機器
KR20050071238A (ko) * 2003-12-31 2005-07-07 엘지전자 주식회사 고휘도 발광 소자 및 그 제조 방법
JP4181515B2 (ja) * 2004-02-25 2008-11-19 シャープ株式会社 光半導体装置およびそれを用いた電子機器
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
KR101051326B1 (ko) * 2010-04-23 2011-07-22 주식회사 세미콘라이트 화합물 반도체 발광소자
TWI536605B (zh) * 2013-08-20 2016-06-01 隆達電子股份有限公司 發光二極體
US8999737B2 (en) 2013-08-27 2015-04-07 Glo Ab Method of making molded LED package
US9257616B2 (en) 2013-08-27 2016-02-09 Glo Ab Molded LED package and method of making same
US9142745B2 (en) 2013-08-27 2015-09-22 Glo Ab Packaged LED device with castellations
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS546787A (en) * 1977-06-17 1979-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd Luminous element
JP2704181B2 (ja) * 1989-02-13 1998-01-26 日本電信電話株式会社 化合物半導体単結晶薄膜の成長方法
JPH06120562A (ja) * 1992-10-01 1994-04-28 Nichia Chem Ind Ltd 青色発光デバイス
JPH0964477A (ja) * 1995-08-25 1997-03-07 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
JPH09232632A (ja) * 1995-12-22 1997-09-05 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
US5977566A (en) * 1996-06-05 1999-11-02 Kabushiki Kaisha Toshiba Compound semiconductor light emitter
US5898185A (en) * 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes

Also Published As

Publication number Publication date
DE19901917B4 (de) 2009-11-26
US6335545B1 (en) 2002-01-01
JPH11220170A (ja) 1999-08-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19901917A1 (de) Lichtemittierendes Diodenelement
DE19901916B4 (de) Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
DE102006021648B4 (de) Licht emittierende Vorrichtung für Wechselspannung und Herstellungsverfahren dafür
EP1328976B1 (de) Led-modul
DE19517697A1 (de) Strahlungsemittierende Diode
DE102005031613B4 (de) LED und LED-Array mit einer jeweiligen Kleberschicht
DE19832852A1 (de) Halbleiter-Lichtemissionsvorrichtung
DE102005025416A1 (de) Lumineszenzdiodenchip mit einer Kontaktstruktur
EP2415077B1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE2554398A1 (de) Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung
DE112011101327T5 (de) Licht aussendende Vorrichtung
DE102008053489A1 (de) Trägerkörper für ein Halbleiterbauelement, Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Trägerkörpers
DE19603444C2 (de) LED-Vorrichtung mit mindestens zwei LEDs
DE112018006870T5 (de) Anzeigevorrichtung, die lichtemittierende Halbleitervorrichtung verwendet
DE102006015606A1 (de) Halbleiter-Leuchtmittel und Leuchtpaneel mit solchen
WO2013045576A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen bauelements mit einer drahtlosen kontaktierung
DE102011083669A1 (de) Halbleiter-Leuchtvorrichtung mit Reflexions-Oberflächenbereich
DE102008011809A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE10208171A1 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit vertikaler Emissionsrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP2609633B1 (de) Strahlungsemittierendes bauelement und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden bauelements
WO2018146084A1 (de) Led-einheit
EP2304816B1 (de) Elektrolumineszierende vorrichtung und verfahren zur herstellung einer elektrolumineszierenden vorrichtung
DE2412505A1 (de) Halbleiter-elektrolumineszenz-anzeigeeinheit
DE102010046089A1 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112015000595B4 (de) Oberflächenmontierbares Multichip-Bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20130801