DE102011083669A1 - Halbleiter-Leuchtvorrichtung mit Reflexions-Oberflächenbereich - Google Patents

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Abstract

Die Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11) weist ein mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (17) bestücktes Substrat (12) auf, wobei zumindest ein Reflexions-Oberflächenbereich (16a, 16b) des Substrats (12) mit einer lichtreflektierenden Schicht (15) belegt ist und wobei die lichtreflektierende Schicht (15) einen reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger aufweist. Das Verfahren dient zum Herstellen einer Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11), wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats (12); Beschichten zumindest eines Reflexions-Oberflächenbereichs (16a, 16b) des Substrats (12) mit einem reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger (15); und Bestücken des Substrats (12) mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (17).

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Leuchtvorrichtung, aufweisend ein mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle bestücktes Substrat, wobei zumindest ein Reflexions-Oberflächenbereich des Substrats mit einer lichtreflektierenden Schicht belegt ist. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Herstellen einer solchen Halbleiter-Leuchtvorrichtung. Die Erfindung ist insbesondere vorteilhaft einsetzbar für Leuchtmodule, insbesondere im Bereich der Allgemeinbeleuchtung.
  • Eine Lichtauskopplung von Leuchtmodulen (insbesondere sog. "Light Engines"), welche typischerweise ein mit Leuchtdioden bestücktes Substrat aufweisen, kann durch eine mangelnde Reflektivität des Substrats begrenzt sein. Zur Realisierung eines hohen Lichtauskopplungsgrads bei solchen Leuchtmodulen kann das Substrat mit einer lichtreflektierenden Schicht belegt werden.
  • So ist es bekannt, nach dem Bestücken und Kontaktieren der Leuchtdioden das Substrat neben den Leuchtdioden mit Silikon zu vergießen, wobei in dem Silikon ein reflektierendes Füllmaterial wie Titanoxid vorhanden ist. Dabei kommt es häufig zu Problemen aufgrund einer Verschmutzung von Emissionsoberflächen der Leuchtdioden durch Spritzer von Silikon und dadurch verursachte Lichtverluste. Ferner kann eine mangelnde Benetzung bestimmter Substratbereiche abhängig von einer Oberflächenrauhigkeit und Oberflächenenergie auftreten. Auch mag eine starke Benetzung bestimmter Bereiche und ein 'Hochkriechen' des Silikons an Wänden und elektrischen Leitungen (z.B. Bonddrähten) der Leuchtdioden auf die Emitterfläche auftreten, insbesondere bei einer Verwendung flacher LED-Chips.
  • Auch ist eine Verwendung einer großflächigen Silberschicht als lichtreflektierende Schicht bekannt, welche jedoch gegen Korrosion ("Anlaufen") und Migration geschützt werden muss.
  • Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Nachteile des Standes der Technik zumindest teilweise zu überwinden und insbesondere eine Leuchtvorrichtung, insbesondere Leuchtmodul, mit einer verbesserten lichtreflektierenden Schicht bereitzustellen.
  • Diese Aufgabe wird gemäß den Merkmalen der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind insbesondere den abhängigen Ansprüchen entnehmbar.
  • Die Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleiter-Leuchtvorrichtung, aufweisend ein mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle bestücktes Substrat, wobei zumindest ein Oberflächenbereich (in Folgenden "Reflexions-Oberflächenbereich" genannt) des Substrats mit einer lichtreflektierenden Schicht belegt ist und wobei die lichtreflektierende Schicht einen reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger aufweist.
  • Ein reflexionsverstärkend beschichteter Aluminiumträger kann hochgradig reflektiv ausgestaltet sein und ist durch seine mindestens eine reflexionsverstärkende Beschichtung ('Coating') außerdem zuverlässig vor Umwelteinflüssen geschützt.
  • Der Aluminiumträger kann insbesondere ein hochgradig reflektierendes Aluminium-Feinblech (insbesondere mit einer Dicke zwischen 0,1 mm und 0,8 mm) oder eine Aluminiumfolie (insbesondere mit einer Dicke von weniger als 0,1 mm) sein.
  • Der reflexionsverstärkend beschichtete Aluminiumträger kann mittels eines Beschichtungsprozesses auf das Substrat aufgebracht werden oder als eigenständiges Teil bereitgestellt und folgend auf das Substrat appliziert werden.
  • Ein solcher reflexionsverstärkend beschichteter Aluminiumträger kann beispielsweise ein Aluminiumträger der Firma Alanod sein, insbesondere der Produktreihe „MIRO“. Der Reflexions-Oberflächenbereich kann also insbesondere ein MIRO-beschichteter oder MIRO-belegter Bereich des Substrats sein.
  • Es wird zur Ermöglichung einer besonders hohen Lichtausbeute bevorzugt, dass der reflexionsverstärkend beschichtete Aluminiumträger zwischen dem Aluminiumträger und der mindestens einen reflexionsverstärkenden Schicht eine Silberschicht aufweist. Ein solcher reflexionsverstärkend beschichteter Aluminiumträger kann beispielsweise ein Aluminiumträger der Firma Alanod sein, insbesondere der Produktreihe „MIRO SILVER“. Der Reflexions-Oberflächenbereich kann also insbesondere ein MIRO SILVER-beschichteter oder MIRO SILVER-belegter Bereich des Substrats sein.
  • Bevorzugterweise umfasst die mindestens eine Halbleiterlichtquelle mindestens eine Leuchtdiode. Bei Vorliegen mehrerer Leuchtdioden können diese in der gleichen Farbe oder in verschiedenen Farben leuchten. Eine Farbe kann monochrom (z.B. rot, grün, blau usw.) oder multichrom (z.B. weiß) sein. Auch kann das von der mindestens einen Leuchtdiode abgestrahlte Licht ein infrarotes Licht (IR-LED) oder ein ultraviolettes Licht (UV-LED) sein. Mehrere Leuchtdioden können ein Mischlicht erzeugen; z.B. ein weißes Mischlicht. Die mindestens eine Leuchtdiode kann mindestens einen wellenlängenumwandelnden Leuchtstoff enthalten (Konversions-LED). Der Leuchtstoff kann alternativ oder zusätzlich entfernt von der Leuchtdiode angeordnet sein ("remote phosphor"). Die mindestens eine Leuchtdiode kann in Form mindestens einer einzeln gehäusten Leuchtdiode oder in Form mindestens eines LED-Chips vorliegen. Mehrere LED-Chips können auf einem gemeinsamen Substrat ("Submount") montiert sein. Die mindestens eine Leuchtdiode kann mit mindestens einer eigenen und/oder gemeinsamen Optik zur Strahlführung ausgerüstet sein, z.B. mindestens einer Fresnel-Linse, Kollimator, und so weiter. Anstelle oder zusätzlich zu anorganischen Leuchtdioden, z.B. auf Basis von InGaN oder AlInGaP, sind allgemein auch organische LEDs (OLEDs, z.B. Polymer-OLEDs) einsetzbar. Alternativ kann die mindestens eine Halbleiterlichtquelle z.B. mindestens einen Diodenlaser aufweisen.
  • Das Substrat kann beispielsweise eine Leiterplatte (z.B. FR4, Metallkernplatine usw.) oder ein keramischer Träger sein.
  • Es ist eine Ausgestaltung, dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle auf dem mindestens einen Reflexions-Oberflächenbereich aufgebracht ist. Dadurch wird eine Herstellung erleichtert, weil der reflexionsverstärkend beschichtete Aluminiumträger großflächig und insbesondere ohne oder ohne häufige Aussparungen auf das Substrat aufgebracht werden kann.
  • Jedoch kann die mindestens eine Halbleiterlichtquelle alternativ an Aussparungen des Reflexions-Oberflächenbereichs auf dem Substrat aufgebracht werden, so dass sich der Reflexions-Oberflächenbereich seitlich von der mindestens einen Halbleiterlichtquelle befindet.
  • Es ist noch eine Ausgestaltung, dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle eine elektrisch isolierende Unterseite aufweist. Eine solche Halbleiterlichtquelle kann ohne weitere Maßnahmen und mit einfachen Mitteln an grundsätzlich beliebiger Stelle auf einem Reflexions-Oberflächenbereich oder einem sonstigen Oberflächenbereich des Substrats aufgebracht werden. Insbesondere braucht zwischen der Halbleiterlichtquelle und dem Reflexions-Oberflächenbereich weder eine elektrisch isolierende Schicht noch eine elektrisch leitfähige Schicht vorgesehen zu werden. Beispielsweise kann eine solche Halbleiterlichtquelle über ein Haftmittel, z.B. ein doppelseitiges Klebeband, einen flüssigen Kleber oder eine Wärmeleitpaste usw., auf den Reflexions-Oberflächenbereich bzw. dessen reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger aufgeklebt werden. Eine solche Halbleiterlichtquelle weist zur elektrischen Kontaktierung typischerweise zwei oberseitige Kontaktstellen auf.
  • Es ist noch eine Ausgestaltung, dass die Halbleiter-Leuchtvorrichtung mindestens eine auf dem Substrat angebrachte Versorgungsleitung zur Versorgung der mindestens einen Halbleiterlichtquelle mit elektrischen Signalen aufweist, wobei sich die mindestens eine Versorgungsleitung außerhalb des zumindest einen Reflexions-Oberflächenbereichs befindet. Dies ermöglicht eine herstellungstechnisch einfache und voneinander weitgehend unabhängige Belegung des Substrats mit mindestens einem reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger und (davon getrennt) mit der mindestens einen Versorgungsleitung. Mittels dieser Ausgestaltung können insbesondere Halbleiterlichtquellen mit nur oberseitigen Kontaktstellen bestückt werden. Eine Versorgungsleitung kann insbesondere eine Leiterbahn sein, ggf. mit mindestens einem zugehörigen Kontaktfeld usw.
  • Es ist ferner eine Ausgestaltung, dass die mindestens eine Halbleiterlichtquelle ein Volumenemitter ist. Bei einem Volumenemitter erstreckt sich der aktive Teil in signifikantem Maße in alle Richtungen (ist also vergleichsweise dick), wobei typischerweise nur ein Teil des Lichts (ca. 50%) aus der oberseitigen Emitterfläche austritt und ansonsten z.B. seitlich austritt. Eine Halbleiterlichtquelle auf der Grundlage eines Volumenemitters weist meist eine elektrisch isolierte Unterseite auf und oberseitige elektrische Kontakte. Jedoch kann auch ein Oberflächenemitter eine elektrisch isolierte Unterseite und oberseitige elektrische Kontakte aufweisen.
  • Es ist zudem eine Ausgestaltung, dass die Halbleiter-Leuchtvorrichtung mindestens eine auf dem Substrat angebrachte Versorgungsleitung zur Versorgung der mindestens einen Halbleiterlichtquelle mit elektrischen Signalen aufweist, wobei die mindestens eine Versorgungsleitung über eine Isolierschicht auf dem mindestens einen Reflexions-Oberflächenbereich aufgebracht ist. Dadurch können insbesondere Halbleiterlichtquellen auf einfache Weise elektrisch kontaktiert werden, welche unterseitig (d.h., an ihrer Auflagefläche) einen ersten elektrischen Kontakt besitzen. Insbesondere kann so auch auf eine Einbringung von Aussparungen in den reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger und/oder eine Aufbringung von mehreren, vergleichsweise kleinen Aluminiumträgern vermieden werden. Jedoch ist eine Aufbringung der Versorgungsleitung(en) auch direkt auf das Substrat möglich, bei einem Substrat mit einer elektrisch isolierenden Oberfläche auch ohne eine dedizierte Isolierschicht.
  • Typischerweise befindet sich ein zweiter elektrischer Kontakt auf einer Oberseite der Halbleiterlichtquelle, er mag jedoch grundsätzlich ebenfalls unterseitig angeordnet sein. Eine Versorgungsleitung kann insbesondere eine Leiterbahn sein, ggf. mit mindestens einem zugehörigen Kontaktfeld usw.
  • Es ist auch eine Ausgestaltung, dass die Halbleiter-Leuchtvorrichtung mindestens eine Halbleiterlichtquelle aufweist, die an ihrer Unterseite einen elektrischen Kontakt aufweist, wobei der elektrische Kontakt auf einer elektrisch leitfähigen Versorgungsleitung aufliegt. Eine solche Halbleiterlichtquelle kann insbesondere einen aktiven Teil aufweisen, bei dem typischerweise zumindest ein Großteil des Lichts (> 80%) aus einer oberseitigen Emitterfläche ("Oberflächenemitter") emittiert wird. Eine solche Halbleiterlichtquelle kann insbesondere eine Dünnschicht-LED (z.B. auf Basis eines sog. „Thin-GaN“) sein.
  • Es ist noch eine weitere Ausgestaltung, dass die Isolierschicht seitlich über die jeweilige Versorgungsleitung herausragt und der seitlich herausragende Teil der Isolierschicht zumindest bereichsweise und/oder die mindestens eine Versorgungsleitung zumindest abschnittsweise von einer reflektierenden Vergussmasse belegt ist. So kann eine reflektierende Fläche des Substrats vergrößert und folglich eine Lichtausbeute verbessert werden.
  • Es ist außerdem eine Ausgestaltung, dass die reflektierende Vergussmasse Polymer, insbesondere Silikon oder Gemische davon, ist, welches ein (diffus) reflektierendes Füllmaterial, insbesondere Titanoxid, Bariumsulfat, Zinnoxid, Zinkoxid usw., aufweist. Durch das Titanoxid wird das Silikon weiß oder weißlich und stellt dann ein diffuses Reflexionsmaterial dar. Jedoch sind auch andere Materialien einsetzbar, als auch spekular reflektierende Füllmaterialien oder mit kleinen Einschlüssen versehene Vergussmasse usw. Die Vergussmasse ist nicht auf Silikon beschränkt.
  • Es ist noch eine Ausgestaltung, dass das Substrat ein plattenförmiges Substrat ist. Die Grundform des plattenförmigen Substrats kann in Draufsicht beispielsweise kreisförmig oder eckig, z.B. quadratisch, sein. Das Substrat kann einseitig oder beidseitig bestückt sein.
  • Es ist eine weitere Ausgestaltung, dass die Halbleiter-Leuchtvorrichtung ein Leuchtmodul ist, insbesondere zum Einbau in eine Leuchte oder ein Leuchtensystem.
  • Die Aufgabe wird auch gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Leuchtvorrichtung, wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist: Bereitstellen eines Substrats; Beschichten zumindest eines Reflexions-Oberflächenbereichs des Substrats mit einem reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger; und Bestücken des Substrats mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle.
  • Dieses Verfahren kann analog zu der oben beschriebenen Leuchtvorrichtung ausgestaltet werden und weist die gleichen Vorteile auf.
  • So ist es eine Ausgestaltung, dass das Bestücken ein Aufsetzen der mindestens einen Halbleiterlichtquelle im Wesentlichen direkt (d.h. insbesondere ohne eine dedizierte Isolierschicht und/oder Versorgungsleitung, aber ggf. mit einem Haftmittel) auf einen Reflexions-Oberflächenbereich umfasst. Die Halbleiterlichtquelle kann insbesondere ein Volumenemitter sein.
  • Es ist noch eine Ausgestaltung, dass dem Bestücken vorausgeht: ein Beschichten eines Teils des Reflexions-Oberflächenbereichs mit einem Isoliermaterial und ein Beschichten des Isoliermaterials mit elektrisch leitfähigem Material zur Herstellung mindestens einer elektrischen Versorgungsleitung. Ferner kann ein Schritt eines Bestückens mindestens einer unterseitig kontaktierenden Halbleiterlichtquelle auf mindestens eine elektrische Versorgungsleitung vorhanden sein. Die Halbleiterlichtquelle kann insbesondere ein Oberflächenemitter sein.
  • Die Reihenfolge der Verfahrensschritte ist nicht auf die oben beschriebene Reihenfolge beschränkt.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden schematischen Beschreibung von Ausführungsbeispielen, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei können zur Übersichtlichkeit gleiche oder gleichwirkende Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sein.
  • 1 zeigt in Draufsicht eine Halbleiterleuchtvorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel; und
  • 2 zeigt in Draufsicht einen Ausschnitt aus einer Halbleiterleuchtvorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel.
  • 1 zeigt in Draufsicht eine Halbleiterleuchtvorrichtung in Form eines LED-Moduls 11 gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Das LED-Modul 11 weist ein kreisförmiges, plattenartiges Substrat 12, z.B. eine Leiterplatte, auf. Eine gezeigte Oberseite 13 des Substrats 12 ist mit zwei halbkreisförmigen, sich spiegelsymmetrisch entlang ihrer geraden Seiten 14 gegenüberliegenden lichtreflektierenden Schicht 15 belegt. Die lichtreflektierenden Schichten 15 sind als reflexionsverstärkend beschichtete Aluminiumträger ausgestaltet.
  • Die lichtreflektierenden Schichten 15 sind voneinander beabstandet und definieren jeweilige Reflexions-Oberflächenbereiche 16a, 16b. Die Reflexions-Oberflächenbereiche 16a, 16b sind allseitig von freiem Substrat 12 bedeckt.
  • Auf jedem der Reflexions-Oberflächenbereiche 16a, 16b sind mehrere Halbleiterlichtquellen in Form von Leuchtdioden 17 direkt aufgeklebt. Die Leuchtdioden 17 weisen jeweils einen Volumenemitter zur Aussendung von Licht auf und sind an ihrer Unterseite elektrisch isoliert. Eine elektrische Kontaktierung einer Leuchtdiode 17 wird durch zwei zugehörige oberseitige Kontaktfelder 18 ermöglicht. Die Kontaktfelder 18 der Leuchtdioden 17 können miteinander und mit einer oder zwei Versorgungsleitungen in Form von Leiterbahnen 19a, 19b elektrisch verbunden sein, insbesondere über Bonddrähte o.ä. (o.Abb.).
  • Die Leiterbahnen 19a, 19b dienen einer elektrischen Versorgung der Leuchtdioden 17, umgeben einen jeweiligen Reflexions-Oberflächenbereich 16a, 16b allseitig (sind also außerhalb der Reflexions-Oberflächenbereich 16a, 16b vorhanden) und weisen jeweils einen Kontaktierungsvorsprung 20 auf. An die Kontaktierungsvorsprünge 20 kann beispielsweise eine Spannungsdifferenz angelegt werden, wobei beispielsweise die Spannung oder ein Strom als Führungsgröße verwendet werden können.
  • Durch die getrennte Aufbringung der lichtreflektierenden Schichten 15 und der Leiterbahnen 19a, 19b kann bei elektrisch isolierender Oberfläche des Substrats 12 auf eine dedizierte Isolierschicht verzichtet werden. Zudem können die lichtreflektierenden Schichten 15 als geschlossene Flächen auf das Substrat 12 aufgebracht werden.
  • Das LED-Modul 11 kann weiter vergossen werden, z.B. einer transparenten oder diffusen Vergussmasse.
  • 2 zeigt in Draufsicht einen Ausschnitt aus einer Halbleiterleuchtvorrichtung 21 gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Die Halbleiterleuchtvorrichtung 21 weist ein Substrat 12 auf, dessen eine Oberfläche 13 im Wesentlichen ganzflächig von einer lichtreflektierenden Schicht 25 in Form eines reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträgers (z.B. MIRO oder MIRO SILVER) bedeckt ist und folglich der Reflexions-Oberflächenbereich 26 zumindest im Wesentlichen einer ganzen Seite des Substrats 12 entsprechen kann. Eine solche Belegung des Substrats 12 ist besonders einfach umsetzbar.
  • Die Halbleiterquellen liegen hier als Leuchtdioden-Chips 27 in Dünnschichttechnik (z.B. Thin-GaN) vor, deren Unterseite einem elektrischen Anschluss entspricht und deren Oberseite einem weiteren elektrischen Anschluss entspricht. Zur elektrischen Kontaktierung der LED-Chips 27 sind hier zwei elektrische Versorgungsleitungen 29a, 29b vorhanden, welche über eine elektrische Isolierschicht 31 auf der lichtreflektierenden Schicht 25 aufgebracht worden sind. Die Isolierschicht 31 ragt seitlich über die jeweilige Versorgungsleitung 29a, 29b hinaus.
  • Die Versorgungsleitungen 29a, 29b laufen an einem Ende in einem jeweiligen Kontaktfeld 30 zur elektrischen Kontaktierung mit einer externen Strom- oder Spannungsquelle aus. Auf der anderen Seite kann über Bonddrähte (o.Abb.) und elektrisch leitfähige Verbindungsleitungen 32 (welche ebenfalls Versorgungsleitungen darstellen) eine Verbindung mit den LED-Chips 27 hergestellt werden, welche z.B. elektrisch in Reihe geschaltet sein können. Dazu liegt die Unterseite der LED-Chips 27 auf der Versorgungsleitung 29a oder auf einer der Verbindungsleitungen 32 auf, die beide als Leiterbahnen ausgebildet sind, welche unterhalb eines LED-Chips 27 insbesondere in Form eines Kontaktfelds erweitert sein können.
  • Typischerweise sind die elektrischen Versorgungsleitungen 29a, 29b sowie 32 nicht signifikant reflektierend. Um eine Lichtausbeute zu erhöhen, sind der seitlich über die Versorgungsleitungen 29a, 29b sowie 32 herausragende Teil der Isolierschicht 31 und die Versorgungsleitungen 29a, 29b sowie 32 von einer reflektierenden Vergussmasse 33 belegt. Die Vergussmasse 33 kann insbesondere Silikon sein, welches ein reflektierendes Füllmaterial, insbesondere Titanoxid, aufweist.
  • Obwohl die Erfindung im Detail durch die gezeigten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht darauf eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 11
    LED-Modul
    12
    Substrat
    13
    Oberseite
    14
    gerade Seite
    15
    lichtreflektierende Schicht
    16a
    Reflexions-Oberflächenbereich
    16b
    Reflexions-Oberflächenbereich
    17
    Leuchtdiode
    18
    Kontaktfeld
    19a
    Leiterbahn
    19b
    Leiterbahn
    20
    Kontaktierungsvorsprung
    21
    Halbleitervorrichtung
    22
    lichtreflektierende Schicht
    23
    Reflexions-Oberflächenbereich
    24
    Leuchtdioden-Chip
    29a
    Versorgungsleitung
    29b
    Versorgungsleitung
    30
    Kontaktfeld
    31
    Isolierschicht
    32
    Verbindungsleitungen
    33
    Vergussmasse

Claims (14)

  1. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11; 21), aufweisend ein mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (17; 27) bestücktes Substrat (12), wobei zumindest ein Reflexions-Oberflächenbereich (16a, 16b; 26) des Substrats (12) mit einer lichtreflektierenden Schicht (15; 25) belegt ist und wobei die lichtreflektierende Schicht (15; 25) einen reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger aufweist.
  2. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11; 21) nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine Halbleiterlichtquelle (17; 27) auf dem mindestens einen Reflexions-Oberflächenbereich (16a, 16b; 26) aufgebracht ist.
  3. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11) nach Anspruch 1, wobei die mindestens eine Halbleiterlichtquelle (17) eine elektrisch isolierende Unterseite aufweist.
  4. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11) nach Anspruch 3, aufweisend mindestens eine auf dem Substrat (12) angebrachte Versorgungsleitung (19a, 19b) zur Versorgung der mindestens einen Halbleiterlichtquelle (17) mit elektrischen Signalen, wobei die mindestens eine Versorgungsleitung (19a, 19b) sich außerhalb des zumindest einen Reflexions-Oberflächenbereichs (16a, 16b) befindet.
  5. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11) nach einem der Ansprüche 3 oder 4, wobei die mindestens eine Halbleiterlichtquelle (17) ein Volumenemitter oder ein TOP-Emitter ist.
  6. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (21) nach Anspruch 2, aufweisend mindestens eine auf dem Substrat (12) angebrachte Versorgungsleitung (29a, 29b) zur Versorgung der mindestens einen Halbleiterlichtquelle (27) mit elektrischen Signalen, wobei die mindestens eine Versorgungsleitung (29a, 29b) über eine Isolierschicht (31) auf dem mindestens einen Reflexions-Oberflächenbereich (16) aufgebracht ist.
  7. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (21) nach Anspruch 6, aufweisend mindestens eine Halbleiterlichtquelle (27), die an ihrer Unterseite einen elektrischen Kontakt aufweist, wobei der elektrische Kontakt auf einer elektrisch leitfähigen Versorgungsleitung (29a, 29b, 32) aufliegt.
  8. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (21) nach einem der Ansprüche 6 oder 7, wobei die Isolierschicht (31) seitlich über die jeweilige Versorgungsleitung (29a, 29b, 32) herausragt und der seitlich herausragende Teil der Isolierschicht (31) zumindest bereichsweise und/oder die mindestens eine Versorgungsleitung zumindest abschnittsweise von einer reflektierenden Vergussmasse (33) belegt ist.
  9. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (21) nach Anspruch 8, wobei die reflektierende Vergussmasse (33) Polymer, insbesondere Silikon ist, welches ein reflektierendes Füllmaterial, insbesondere Titanoxid, aufweist.
  10. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11; 21) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Substrat (12) ein plattenförmiges Substrat ist.
  11. Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11; 21) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11; 21) ein Leuchtmodul ist.
  12. Verfahren zum Herstellen einer Halbleiter-Leuchtvorrichtung (11; 21), wobei das Verfahren mindestens die folgenden Schritte aufweist: – Bereitstellen eines Substrats (12); – Beschichten zumindest eines Reflexions-Oberflächenbereichs (16a, 16b; 16) des Substrats (12) mit einem reflexionsverstärkend beschichteten Aluminiumträger (15; 25); und – Bestücken des Substrats (12) mit mindestens einer Halbleiterlichtquelle (17; 27).
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Bestücken ein Aufsetzen der mindestens einen Halbleiterlichtquelle (17) im Wesentlichen direkt auf einen Reflexions-Oberflächenbereich (16a, 16b) umfasst.
  14. Verfahren nach Anspruch 12, wobei dem Bestücken vorausgeht: – Beschichten eines Teils des Reflexions-Oberflächenbereichs (16) mit einem Isoliermaterial (31); – Beschichten des Isoliermaterials (31) mit elektrisch leitfähigem Material zur Herstellung mindestens einer elektrischen Versorgungsleitung (29a, 29b, 32).
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018217469A1 (de) * 2018-10-12 2020-04-16 Osram Gmbh Verfahren zum herstellen einer lichtemittierenden vorrichtung
US11735684B2 (en) 2018-10-12 2023-08-22 Osram Gmbh Method for manufacturing a light-emitting device

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6186904B2 (ja) * 2013-06-05 2017-08-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN104035222A (zh) * 2014-06-13 2014-09-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
JP6827265B2 (ja) * 2015-01-05 2021-02-10 シチズン電子株式会社 Ｌｅｄ発光装置
JP6820809B2 (ja) * 2017-07-27 2021-01-27 三菱電機株式会社 チップマウンター、電子回路基板の製造方法、およびパワーモジュールの製造方法
EP3885801A1 (de) * 2020-03-25 2021-09-29 Ams Ag Interferenzfilter, optische vorrichtung und verfahren zur herstellung eines interferenzfilters
WO2024089110A1 (en) * 2022-10-25 2024-05-02 Motherson Innovations Company Ltd. Light emitting device, motor vehicle component, motor vehicle and method to manufacture a light emitting device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10245946C1 (de) * 2002-09-30 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Lichtquellenmoduls
DE10245930A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
US20110114969A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector, method of fabricating the same, and light emitting diode package having distributed bragg reflector
US20110169034A1 (en) * 2007-10-24 2011-07-14 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Package structure of photoelectronic device and fabricating method thereof
US20110220926A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Hye Young Kim Light emitting device package and lighting system including the same

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5798536A (en) * 1996-01-25 1998-08-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device and method for manufacturing the same
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
JP3956965B2 (ja) * 2004-09-07 2007-08-08 日立エーアイシー株式会社 チップ部品型発光装置及びそのための配線基板
KR20080054921A (ko) 2006-12-14 2008-06-19 엘지마이크론 주식회사 측면형 백라이트 유닛
JP5029893B2 (ja) 2007-07-06 2012-09-19 東芝ライテック株式会社 電球形ｌｅｄランプおよび照明装置
WO2009119461A1 (ja) 2008-03-26 2009-10-01 島根県 半導体発光モジュールおよびその製造方法
KR101428085B1 (ko) * 2008-07-24 2014-08-07 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8567988B2 (en) * 2008-09-29 2013-10-29 Bridgelux, Inc. Efficient LED array
US8017415B2 (en) * 2008-11-05 2011-09-13 Goldeneye, Inc. Dual sided processing and devices based on freestanding nitride and zinc oxide films
JP5499325B2 (ja) * 2009-06-01 2014-05-21 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
DE202010017532U1 (de) * 2010-03-16 2012-01-19 Eppsteinfoils Gmbh & Co.Kg Foliensystem für LED-Anwendungen
DE102010050343A1 (de) 2010-11-05 2012-05-10 Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg Chipintegrierte Durchkontaktierung von Mehrlagensubstraten

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10245946C1 (de) * 2002-09-30 2003-10-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Lichtquellenmoduls
DE10245930A1 (de) * 2002-09-30 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Bauelement-Modul
US20110169034A1 (en) * 2007-10-24 2011-07-14 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Package structure of photoelectronic device and fabricating method thereof
US20110114969A1 (en) * 2009-11-13 2011-05-19 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode chip having distributed bragg reflector, method of fabricating the same, and light emitting diode package having distributed bragg reflector
US20110220926A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Hye Young Kim Light emitting device package and lighting system including the same

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018217469A1 (de) * 2018-10-12 2020-04-16 Osram Gmbh Verfahren zum herstellen einer lichtemittierenden vorrichtung
US11735684B2 (en) 2018-10-12 2023-08-22 Osram Gmbh Method for manufacturing a light-emitting device

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US9190573B2 (en) 2015-11-17
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KR101605431B1 (ko) 2016-04-01
KR20140074368A (ko) 2014-06-17
CN103843466A (zh) 2014-06-04
WO2013045187A1 (de) 2013-04-04

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