CN103855269A - 表面贴装led - Google Patents

表面贴装led Download PDF

Info

Publication number
CN103855269A
CN103855269A CN201210514310.6A CN201210514310A CN103855269A CN 103855269 A CN103855269 A CN 103855269A CN 201210514310 A CN201210514310 A CN 201210514310A CN 103855269 A CN103855269 A CN 103855269A
Authority
CN
China
Prior art keywords
led chip
type led
covering type
crystal covering
polarity substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201210514310.6A
Other languages
English (en)
Inventor
吴裕朝
吴冠伟
刘艳
林立宸
王瑞庆
陈浩明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DONGGUAN ZHENGGUANG LIGHTING TECHNOLOGY Co Ltd
Original Assignee
DONGGUAN ZHENGGUANG LIGHTING TECHNOLOGY Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DONGGUAN ZHENGGUANG LIGHTING TECHNOLOGY Co Ltd filed Critical DONGGUAN ZHENGGUANG LIGHTING TECHNOLOGY Co Ltd
Priority to CN201210514310.6A priority Critical patent/CN103855269A/zh
Publication of CN103855269A publication Critical patent/CN103855269A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明公开了一种表面贴装LED,涉及发光元件技术领域。该表面贴装LED包括:支架(1)以及覆晶式LED芯片(2);支架(1)包括:基座(11),其支承面上设置有正极性基板(111)以及负极性基板(112),两基板之间形成有绝缘区(113);支架本体(12),围设在基座(11)的支承面上,且覆晶式LED芯片(2)位于支架本体(12)所围空间中;覆晶式LED芯片(2)置于绝缘区(113)上方,且其正负电极分别与正负极性基板电性接触。本发明实施例提供的表面贴装LED采用表面贴装支架固定支撑覆晶式LED芯片成本低,且能够获得最高的光效能。

Description

表面贴装LED
技术领域
本发明涉及发光元件技术领域,具体涉及一种表面贴装LED。
背景技术
随着LED(Light Emitting Diode,发光二极管)照明技术的日益发展,LED在人们日常生活中的应用也越来越广泛。
采用覆晶(Flip Chip)方式进行封装的LED(以下称覆晶式LED)较一般的立体型LED封装的固晶方式简略许多,拥有更高的信赖度,且可避掉杂乱工艺,使得量产可行性大幅晋升,且兼具缩短高温烘烤的制程时间、高良率、导热效果佳、高出光量等优势,遂于市场脱颖而出,是业界竭力开展的技术。
在现有技术中,通常采用板上芯片(Chip On Board,COB)封装方式,在覆晶式LED芯片的正负电极所电性连接的基板的结构上进行金球、锡球、或共晶焊接从而焊接覆晶式LED芯片,以实现覆晶式LED芯片的固定封装,不仅结构复杂且封装成本较高。
发明内容
有鉴于此,本发明要解决的技术问题是提供一种表面贴装LED,其可以以较低的成本和简单的结构实现对覆晶式LED芯片的固定支承。
为了解决上述问题,第一方面,本发明实施例提供了一种表面贴装LED,包括:支架以及置于所述支架上的覆晶式LED芯片;所述支架包括:
基座,所述基座的支承面上设置有正极性基板以及负极性基板,所述正极性基板以及负极性基板之间形成有绝缘区;
支架本体,围设在所述基座的支承面上,且所述覆晶式LED芯片位于所述支架本体所围空间中;
所述覆晶式LED芯片置于所述绝缘区上方,所述覆晶式LED芯片的正电极与所述正极性基板电性接触,所述覆晶式LED芯片的负电极与所述负极性基板电性接触。
结合第一方面,在第一种可能的实现方式中,所述绝缘区位于所述覆晶式LED芯片下方的部分在竖直方向上的投影落在所述覆晶式LED芯片下表面上。
结合第一种可能的实现方式,在第二种可能的实现方式中,所述绝缘区位于所述覆晶式LED芯片下方的部分的中心线与支架本体的发光区中心线为同一条直线。
结合第一种可能的实现方式,在第三种可能的实现方式中,所述绝缘区位于所述覆晶式LED芯片下方的部分的中心线位于支架本体的发光区中心线的一侧。
结合第一方面或上述任一种可能的实现方式,在第四种可能的实现方式中,所述绝缘区位于所述覆晶式LED芯片下方的部分水平方向上的宽度在0.05~1mm范围内,所述水平方向为与所述基座的支承面平行的方向。
结合第四种可能的实现方式,在第五种可能的实现方式中,所述覆晶式LED芯片的中心位于所述支架本体的发光区中心线上
本发明实施例提供的表面贴装LED采用表面贴装支架固定支撑覆晶式LED芯片,较传统的固定支撑方式成本更低;此外,通过合理放置覆晶式LED芯片的位置,且能够获得最高的光效能。
附图说明
图1为本发明实施例的表面贴装LED的剖视图;
图2为本发明实施例的表面贴装LED的支架的侧视图;
图3为本发明实施例的表面贴装LED的支架的仰视图;
图4为本发明实施例的表面贴装LED的支架的俯视图;
图5(a)至图5(c)为本发明实施例的表面贴装LED的剖面示意简图;
附图标记说明:
1:支架;11:基座;111:正极性基板;112:负极性基板;113:绝缘区;12:支架本体;2:覆晶式LED芯片。
具体实施方式
以下将参考附图详细说明本发明的各种示例性实施例、特征和方面。附图中相同的附图标记表示功能相同或相似的元件。尽管在附图中示出了实施例的各种方面,但是除非特别指出,不必按比例绘制附图。
在这里专用的词“示例性”意为“用作例子、实施例或说明性”。这里作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。
另外,为了更好的说明本发明,在下文的具体实施方式中给出了众多的具体细节。本领域技术人员应当理解,没有这些具体细节,本发明同样可以实施。在另外一些实例中,对于大家熟知的方法、手段、元件和电路未作详细描述,以便于凸显本发明的主旨。
如图1-4所示,本发明实施例表面贴装LED包括:支架1以及置于支架1上的覆晶式LED芯片2。该支架1包括基座11以及支架本体12。其中:
基座11的支承面(用于支撑覆晶式LED芯片2的表面,图1至图2中所示为在与纸面平行的方向上基座11的上表面上,图3至图4中所示为垂直纸面方向上基座11的上表面)上设置有正极性基板111以及负极性基板112,该正极性基板111和负极性基板112分别连接外部电源的正负极,且正极性基板111以及负极性基板112之间形成有绝缘区113。在本发明实施例的表面贴装LED中,正极性基板111以及负极性基板112分别包覆基座11的两侧直至底面。
支架本体12围设在该基座11的支承面上,且覆晶式LED芯片2位于该支架本体12所围空间(即发光区)中,支架本体12的上开口为该表面贴装LED的发光面,该上开口的面积比下开口的面积大,以将覆晶式LED芯片2所发光能最大限度的散射出去,从而获得最大的发光量。此外,支架本体12所围空腔也可为任意形状,例如,上下开口表面平行的圆台、棱台体,也可为上下开口表面不平行的不规则圆台、棱台体等等,以能够获得最大的发光量为目的进行设置。
覆晶式LED芯片2置于绝缘区113上方,覆晶式LED芯片2的正电极(未示出)和负电极(未示出)位于覆晶式LED芯片2朝向基座11的面上,覆晶式LED芯片2的正电极(未示出)与正极性基板111电性接触,负电极(未示出)与负极性基板112电性接触,优选地,为了获得最高的光效能,本发明实施例中的覆晶式LED芯片2的中心位于支架本体12的发光区中心最佳位置,即中心线A上,以取得最高的光效能。
本发明实施例的表面贴装LED采用表面贴装支架固定支撑覆晶式LED芯片,较传统的固定支撑方式成本更低;此外,通过合理放置覆晶式LED芯片的位置,且能够获得最高的光效能。
绝缘区113为将正极性基板111以及负极性基板112绝缘隔离的设置,其可为直的、斜的、或弯曲的且在水平方向上(与基座11的支承面平行的方向)具有一定宽度的缝隙,但为了保证覆晶式LED芯片2的正电极和负电极能够分别与正极性基板111和负极性基板112电性接触,绝缘区113位于覆晶式LED芯片2下方的部分在竖直方向上的投影落在该覆晶式LED芯片2下表面上。如图4以及图5(a)所示,在本发明实施例的表面贴装LED中,绝缘区113在覆晶式LED芯片2下方的部分可位于基座11中间,也即绝缘区113该部分的中心线B与支架本体12的中心线A为同一条直线,此时,覆晶式LED芯片2位于其正上方。如图5(b)至图5(c)所示,在本发明实施例的表面贴装LED中,绝缘区113在覆晶式LED芯片2下方的部分还可位于基座11偏左或偏右的位置上,也即绝缘区113该部分的中心线B位于支架本体12的中心线A的一侧。考虑到本领域通用的覆晶式LED芯片的尺寸,在本发明实施例的表面贴装LED中,绝缘区113位于覆晶式LED芯片2下方的部分的水平(与基座11的支承面平行)宽度可在0.05~1mm的范围内。
此外,本发明实施例的表面贴装LED的正极性基板111以及负极性基板112可为相同的基板,也可如图4中所示的,出于绝缘以及散热等性能的考虑,正极性基板111以及负极性基板112的形状和大小可不相同。
需要说明的是,在本发明实施例的表面贴装LED中,可适当调整支架1的各组成部分的具体尺寸,以适应覆晶式LED芯片2的不同尺寸,各组成部分的材料和形状也不作为对本发明实施例的限制。例如但不限于此的:在如图1至图4所示的表面贴装LED中,整个基座加上正极性基板以及负极性基板后的长度a=3.5±0.1mm,高度h=1.9±0.05mm;基座为长方体,且其支承面的长a1=3.2±0.05mm,宽b1=2.8±0.05mm;支架本体12所围空间为圆台,且高h2=0.8±0.05mm,上开口表面的半径R1=2.4mm,下开口表面的半径R2=1.7±0.05mm;绝缘区113的水平宽度a2=0.22±0.01mm,等等。

Claims (6)

1.一种表面贴装LED,其特征在于,包括:支架(1)以及置于所述支架(1)上的覆晶式LED芯片(2);所述支架(1)包括:
基座(11),所述基座(11)的支承面上设置有正极性基板(111)以及负极性基板(112),所述正极性基板(111)以及负极性基板(112)之间形成有绝缘区(113);
支架本体(12),围设在所述基座(11)的支承面上,且所述覆晶式LED芯片(2)位于所述支架本体(12)所围空间中;
所述覆晶式LED芯片(2)置于所述绝缘区(113)上方,所述覆晶式LED芯片(2)的正电极与所述正极性基板(111)电性接触,所述覆晶式LED芯片(2)的负电极与所述负极性基板(112)电性接触。
2.根据权利要求1所述的表面贴装LED,其特征在于,所述绝缘区(113)位于所述覆晶式LED芯片(2)下方的部分在竖直方向上的投影落在所述覆晶式LED芯片(2)的下表面上。
3.根据权利要求2所述的表面贴装LED,其特征在于,所述绝缘区(113)位于所述覆晶式LED芯片(2)下方的部分的中心线与支架本体(12)的发光区中心线为同一条直线。
4.根据权利要求2所述的表面贴装LED,其特征在于,所述绝缘区(113)位于所述覆晶式LED芯片(2)下方的部分的中心线位于支架本体(12)的发光区中心线的一侧。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的表面贴装LED,其特征在于,所述绝缘区(113)位于所述覆晶式LED芯片(2)下方的部分水平方向上的宽度在0.05~1mm范围内,所述水平方向为与所述基座(11)的支承面平行的方向。
6.根据权利要求5所述的表面贴装LED,其特征在于,所述覆晶式LED芯片(2)的中心位于所述支架本体(12)的发光区中心线上。
CN201210514310.6A 2012-12-04 2012-12-04 表面贴装led Pending CN103855269A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210514310.6A CN103855269A (zh) 2012-12-04 2012-12-04 表面贴装led

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201210514310.6A CN103855269A (zh) 2012-12-04 2012-12-04 表面贴装led

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN103855269A true CN103855269A (zh) 2014-06-11

Family

ID=50862677

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201210514310.6A Pending CN103855269A (zh) 2012-12-04 2012-12-04 表面贴装led

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103855269A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106784274A (zh) * 2017-01-05 2017-05-31 格瑞电子(厦门)有限公司 一种正负分离的led组件、汽车车灯及手电筒

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
US20030057421A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tzer-Perng Chen High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
US20070018190A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. LED package and fabricating method thereof

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6184544B1 (en) * 1998-01-29 2001-02-06 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device with light reflective current diffusion layer
US20030057421A1 (en) * 2001-09-27 2003-03-27 Tzer-Perng Chen High flux light emitting diode having flip-chip type light emitting diode chip with a transparent substrate
US20070018190A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. LED package and fabricating method thereof

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106784274A (zh) * 2017-01-05 2017-05-31 格瑞电子(厦门)有限公司 一种正负分离的led组件、汽车车灯及手电筒

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8791484B2 (en) LED lamp
JP2011061244A5 (zh)
CN203134860U (zh) 一种中小功率led贴片封装结构
CN102570293A (zh) 高热负载大功率半导体激光器
TW201101548A (en) LED package structure with a plurality of standby pads for increasing wire-bonding yield and method for manufacturing the same
CN103367591A (zh) 发光二极管芯片
TW201301561A (zh) Led覆晶結構及其製造方法
CN102881812B (zh) 发光二极管封装结构的制造方法
CN102185086B (zh) 一种led支架及具有该支架的led
EP2442370A3 (en) Package structure of concentrated photovoltaic cell
US9502618B2 (en) LED module
US8748913B2 (en) Light emitting diode module
CN102522478A (zh) 发光二极管模组及其支架
CN202564438U (zh) 发光二极管封装结构
CN203351644U (zh) 覆晶式led支架和表面贴装led
CN102956792B (zh) 发光二极管封装结构
CN103855269A (zh) 表面贴装led
CN202977525U (zh) 表面贴装led
CN202549840U (zh) 多晶片集成式白光led封装结构
TWI337783B (en) Through hole type led chip package structure using ceramic material as a substrate and method of the same
CN202678310U (zh) 基于cob技术封装的大功率led集成阵列照明光源
CN203617337U (zh) Led封装结构
CN202996893U (zh) 一种直插式大功率led
CN202268386U (zh) 一种led封装结构
CN103794698B (zh) 发光二极管

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140611