DE19859469A1 - Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten - Google Patents

Abstract

Bei einer Vorrichtung und einem Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, bei der bzw. bei dem ein ein Substrat tragender Substrathalter in eine Behandlungsposition über einer ersten Behandlungseinheit, eine erste Substratbehandlung und ein Anheben des Substrathalters nach der ersten Substratbehandlung erfolgt, wird auf einfache und Platz sparende Weise eine weitere Substratbehandlung ermöglicht, in dem eine zweite Behandlungseinheit zwischen den angehobenen Substrathalter und die erste Behandlungseinheit bewegt wird und eine zweite Substratbehandlung durchgeführt wird.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, mit einer er­ sten Behandlungseinheit und einem über der ersten Behand­ lungseinheit vertikal bewegbaren Substrathalter sowie ein Verfahren zum Behandeln von Substraten, insbesondere Halbleiterwafern, bei dem ein ein Substrat tragender Sub­ strathalter in eine Behandlungsposition über eine erste Behandlungseinheit bewegt wird, eine erste Substratbe­ handlung durchgeführt wird, und der Substrathalter nach der ersten Substratbehandlung vertikal angehoben wird.

Vorrichtungen und Verfahren dieser Art sind beispielswei­ se aus der US-A-5 222 310 bekannt, die ein Behandlungs­ becken sowie einen vertikal darüber bewegbar angeordneten Deckel aufweist, der als Substrathalter ausgebildet ist. Bei der bekannten Vorrichtung bzw. dem bekannten Verfah­ ren wird ein vom Deckel getragener Wafer in das Behand­ lungsbecken eingeführt, behandelt und nach der Behandlung und anschließendem Anheben des Deckels durch eine Sub­ strathandhabungsvorrichtung vom Deckel abgenommen. Bei dieser Vorrichtung ist es somit notwendig, den Wafer für eine nachfolgende Waferbehandlung mit der Substrathandha­ bungsvorrichtung zu einer weiteren Behandlungseinheit zu bewegen und gegebenenfalls in einen weiteren Substrathal­ ter einzusetzen.

Bei jeder Handhabung des Substrats besteht jedoch die Ge­ fahr, daß das Substrat beschädigt wird. Darüber hinaus ist der für die Behandlungseinheiten verfügbare Raum in der Regel begrenzt. Darüber hinaus besteht durch das Vor­ sehen zweier unabhängiger Behandlungseinheiten ein großer Raumbedarf. Außerdem muß das Substrat häufig im feuchten Zustand transportiert werden, was zu verstärkten Kontami­ nationsproblemen führen kann.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu­ grunde, die Handhabungsschritte zwischen unterschiedli­ chen Substratbehandlungen zu reduzieren bzw. zu eliminie­ ren, sowie den für Behandlungsvorrichtungen benötigten Raum zu minimieren.

Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei der oben beschriebenen Vorrichtung eine zweite Behand­ lungseinheit vorgesehen ist, die in einer angehobenen Po­ sition des Substrathalters zwischen den Substrathalter und die erste Behandlungseinheit bewegbar ist. Durch das Bewegen einer zweiten Behandlungseinheit zwischen den Substrathalter und die erste Behandlungseinheit ist es möglich, daß derselbe Substrathalter verwendet werden kann, ohne daß ein Umladen des Wafers in einen neuen Sub­ strathalter notwendig ist. Hierdurch wird das Risiko ei­ ner Beschädigung des Wafers wesentlich reduziert und die Durchsatzzeiten werden verkürzt, da die für das Umladen benötigte Zeit entfällt. Darüber hinaus kann der Platzbe­ darf für die zwei Behandlungseinheiten minimiert werden, da die zweite Behandlungseinheit direkt neben der ersten Behandlungseinheit plaziert und für die Behandlung in den oben genannten Zwischenraum bewegt wird. Die Verringerung des Raumbedarfs ist deshalb von großem Vorteil, weil die für die Waferbehandlungen erforderlichen Räume hochrein sein müssen und daher sehr kostenintensiv sind. Ferner entfällt die Notwendigkeit für einen zusätzlichen Sub­ strathalter, der für die zweite Behandlungseinheit not­ wendig wäre, und die Transportwege der Substrate, insbe­ sondere wenn sie in einem feuchten Zustand sind, werden verkürzt und somit die damit verbundenen Kontaminations­ probleme vermindert.

Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung ist die zweite Behandlungseinheit geradlinig bewegbar, während sie bei einer anderen Ausführungsform verschwenkbar ist.

Vorteilhafterweise weist die zweite Behandlungseinheit eine Spülvorrichtung auf. Substrate, insbesondere Halb­ leiterwafer müssen häufig während eines mehrere Schritte umfassenden Herstellungsvorgangs, und insbesondere nach bestimmten Behandlungsschritten gespült werden, so daß sich eine Spülvorrichtung als zweite Behandlungseinheit oberhalb einer ersten Behandlungseinheit anbietet. Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die zweite Behandlungseinheit eine Trocknungsvor­ richtung auf. Bei einer vorhergehenden Naßbehandlung ist es insbesondere notwendig, daß das zuvor behandelte Sub­ strat möglichst rasch, das heißt ohne daß es vorher von einer Handhabungsvorrichtung transportiert werden muß, in einer Trocknungsvorrichtung kontrolliert getrocknet wird. Dabei ist es besonders vorteilhaft, wenn die zweite Be­ handlungseinheit eine kombinierte Spül- und Trocknungs­ vorrichtung umfaßt.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist ein Teil des Substrathalters auf die zweite Behandlungsein­ heit auflegbar. Durch Auflegen eines Teils des Substrat­ halters auf die zweite Behandlungseinheit ist es bei ei­ nem zweiteiligen Substrathalter möglich, einen der Teile abzulegen, während der andere angehoben wird, um einen Zugriff auf das Substrat zu ermöglichen.

Bei einer weiteren besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist wenigstens eine weitere, dritte Behand­ lungseinheit und ein über der dritten Behandlungseinheit vertikal bewegbarer zweiter Substrathalter vorgesehen, wobei die zweite Behandlungseinheit in einer angehobenen Position des zweiten Substrathalters zwischen den zweiten Substrathalter und die dritte Behandlungseinheit bewegbar ist. Durch Vorsehen einer dritten Behandlungseinheit kann die bewegbare zweite Behandlungseinheit abwechselnd für die erste und dritte Behandlungseinheit verwendet werden, so daß zusätzlich Platz eingespart werden kann, da die zweite Behandlungseinheit zwei anderen Behandlungseinhei­ ten zugeordnet ist. Darüber hinaus ergibt sich dadurch auch eine Kostenersparnis da eine Behandlungseinheit ein­ gespart werden kann.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung ist es jedoch auch möglich, mehr als zwei, beispielsweise auf einem Kreis angeordnete Behandlungseinheiten vorzusehen, die in entsprechender Weise von einer gemeinsamen Behand­ lungseinheit, die sich beispielsweise in der Mitte der übrigen Behandlungseinheit befindet, nacheinander bedient werden.

Um zu verhindern, daß die Behandlungsvorgänge der ersten und der dritten Behandlungseinrichtung sich gegenseitig über die gemeinsame Verwendung des zweiten Substrathal­ ters beeinflussen, in dem zum Beispiel Kontaminationen von einer Behandlungseinheit in die andere übertragen werden, sind die erste und dritte Behandlungseinheit im wesentlichen gleich. Für den Fall, daß die Gefahr von Be­ einflussungen durch die gemeinsame Verwendung der zweiten Behandlungseinheit ausgeschlossen ist, können die erste und dritte Behandlungseinheit auch unterschiedlich sein.

Vorteilhafterweise ist die zweite Behandlungseinheit in eine zwischen der ersten und der dritten Behandlungsein­ heit befindliche Ruheposition bewegbar, in der die zweite Behandlungseinheit keine Behandlung durchführt und auch keine der ersten und dritten Behandlungseinheiten beein­ trächtigt bzw. überlappt. Dabei muß die Ruheposition nicht notwendigerweise zwischen der ersten und dritten Behandlungseinheit liegen. Es ist auch möglich die zweite Behandlungseinheit in irgendeine Position zu bewegen, in der sie keine der ersten und dritten Behandlungseinheiten beeinträchtigt bzw. überlappt.

Gemäß einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Er­ findung ist die erste Behandlungseinheit eine Metall- Plattierungseinheit. Vorteilhafterweise ist eine Handha­ bungsvorrichtung zum Be- und Entladen des Substrathalters vorgesehen.

Die erfindungsgemäße Aufgabe wird auch durch ein Verfah­ ren der oben beschriebenen Art gelöst, bei dem eine zwei­ te Behandlungseinheit zwischen den angehobenen Substrat­ halter und die erste Behandlungseinheit bewegt wird und eine zweite Substratbehandlung durchgeführt wird. Bei diesem Verfahren ergeben sich dieselben Vorteile, die zu­ vor unter Bezugnahme auf die Vorrichtung ausgeführt wur­ den. Bevorzugte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen, wobei sich wiederum die oben unter Bezugnahme auf die Vorrich­ tung ausgeführten Vorteile ergeben.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf die Figuren er­ läutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Draufsicht auf eine Waferbe­ handlungsstation mit mehreren Behandlungsvor­ richtungen;

Fig. 2 eine schematische Seitenansicht einer Behand­ lungsvorrichtung in einer ersten Behandlungspo­ sition;

Fig. 3 eine schematische Seitenansicht der Behand­ lungsvorrichtung in einer zweiten Behandlungs­ position;

Fig. 4 eine Querschnittsansicht durch eine erste Be­ handlungsstation mit einem darüber befindlichen Substrathalter;

Fig. 5 eine schematische Querschnittsansicht durch ei­ ne zweite Behandlungseinheit mit darüber be­ findlichem Substrathalter.

In Fig. 1 ist eine Draufsicht auf eine Behandlungsstati­ on 1 mit unterschiedlich konfigurierten Behandlungsvor­ richtungen 3, 4 und 5 dargestellt. Die Darstellung von unterschiedlich konfigurierten Behandlungsvorrichtungen in einer Behandlungsstation dient nur als Beispiel, um die bevorzugten Konfigurationsmöglichkeiten für die er­ findungsgemäße Behandlungsvorrichtung darzustellen. In der Regel werden in einer Behandlungsstation 1 nur eine Konfigurationsart der Behandlungsvorrichtung verwendet.

Die Behandlungsvorrichtungen 3, 4 und 5 sind in zwei Rei­ hen mit einem dazwischen befindlichen Freiraum 7 angeord­ net, in dem ein Wafer-Handhabungs-Roboter 10 beweglich angeordnet ist. An einer Stirnseite der Waferbehandlungs­ station 1 sind für jede der zwei Reihen von Waferbehand­ lungsvorrichtungen 3, 4, 5 je eine Waferkassette 11, 13 vorgesehen, aus denen der Wafer-Handhabungs-Roboter 10 Wafer 15 entnimmt und in Substrathalter der Behandlungs­ vorrichtung 3, 4, 5 einsetzt bzw. umgekehrt Wafer 15 aus dem Substrathalter entnimmt und in die Kassette 11 oder 13 einsetzt. Zwischen den Waferkassetten 11 und 13 ist eine Wafer-Vorausrichtungseinheit 17 vorgesehen, auf der ein von einer Kassette 11 oder 13 entnommener Wafer 15 zunächst abgelegt wird, um eine genaue Vorausrichtung zu erhalten.

Die Waferbehandlungsvorrichtung 5, welche den einfachsten Aufbau der erfindungsgemäßen Behandlungsvorrichtung zeigt, ist schematisch in Seitenansicht in den Fig. 2 und 3 dargestellt. Die Waferbehandlungsvorrichtung 5 weist eine Metall-Plattierungsvorrichtung 20, einen mit­ tels einer Hubvorrichtung 23 vertikal bewegbaren Sub­ strathalter 22, sowie eine horizontal bewegbare Spül- und Trocknungsvorrichtung 25 auf. Die Metall-Plattierungsvor­ richtung 20, der Substrathalter 22 und die Spül- und Trocknungsvorrichtung 25 werden nachfolgend unter Bezug­ nahme auf die Fig. 4 und 5 näher beschrieben.

Wie in Fig. 2 zu sehen ist, kann der Substrathalter 22 in eine über der Metall-Plattierungsvorrichtung 20 be­ findliche Position (siehe auch Fig. 4) abgesenkt werden, in der eine Metall-Plattierung vorgenommen wird. Nach der Metall-Plattierung wird der Substrathalter 22 angehoben, und die Spül- und Trocknungsvorrichtung 25 wird zwischen den Substrathalter 22 und die Metall-Plattierungsvorrich­ tung eingefahren. Danach wird der Substrathalter 22 in eine Position abgesenkt in der eine Spülung und Trocknung eines in dem Substrathalter befindlichen Substrats durch­ geführt wird (siehe Fig. 5). Anschließend wird der unte­ re Teil 41 des Substrathalters 22 auf der Spül- und Trocknungsvorrichtung 25 abgelegt, so daß der Wafer mit dem Wafer-Handhabungs-Roboter 10 entnommen werden kann. Der entnommene Wafer wird durch einen neuen Wafer er­ setzt, der Substrathalter wird geschlossen und angehoben. Die Spül- und Trocknungsvorrichtung wird aus dem Bereich des Substrathalters 22 weggefahren und der Substrathalter senkt dann wieder den neuen Wafer für eine Behandlung in der Metall-Plattierungsvorrichtung 20 ab.

Die Metall-Plattierungsvorrichtung 20 ist schematisch im Querschnitt in Fig. 4 dargestellt, wobei zur Vereinfa­ chung der Darstellung ein Gehäuse der Vorrichtung nicht dargestellt ist. Über einen Anschluß 30 wird ein ein ent­ sprechendes Metall, wie beispielsweise Kupfer, enthalten­ des Behandlungsfluid in eine erste Kammer 31 der Behand­ lungsvorrichtung eingeleitet. Oberhalb der Kammer ist ein sich nach oben öffnender Trichter 32 angeordnet, der in Strömungsverbindung mit der Kammer 31 steht, so daß Strö­ mungsmittel durch den Trichter nach oben strömen kann. Oberhalb des Trichters ist eine Lochplatte 33 angeordnet, welche die nach oben gerichtet Strömung des Behandlungs­ fluids homogenisiert. Über der Lochplatte 33 und beab­ standet dazu ist eine Anodenanordnung 34 vorgesehen.

Um Wiederholungen zu vermeiden wird wegen weiterer Ein­ zeilheiten der Metall-Plattierungsvorrichtung 20 auf die am selben Tag von der Anmelderin der vorliegenden Anmel­ dung angemeldete Patentanmeldung mit der Anmeldenummer . . . und dem Titel "Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten" Bezug genommen, die insofern zum Gegenstand der vorliegenden Anmeldung gemacht wird.

Wie aus Fig. 4 und 5 zu ersehen ist, befindet sich ober­ halb der Metall-Plattierungsvorrichtung 20 ein Substrat­ halter 22, der aus einem Oberteil 40 und einem ringförmi­ gen bzw. der Form des Substrats angepaßten Unterteil 41 besteht, zwischen denen ein Wafer 15 eingelegt ist. Das Oberteil 40 und das Unterteil 41 werden über ein dazwi­ schen angelegtes Vakuum zusammengehalten.

Um Wiederholungen zu vermieden wird für den weiteren Auf­ bau des Substrathalters 22 auf die am selben Tag von der Anmelderin der vorliegenden Anmeldung angemeldete Patent­ anmeldung mit der Anmeldenummer . . ., und dem Ti­ tel "Substrathalter" Bezug genommen, die insofern zum Ge­ genstand der vorliegenden Anmeldung gemacht wird.

Fig. 5 zeigt schematisch eine Querschnittsansicht der Spül- und Trocknungsvorrichtung 25, wobei zur Vereinfa­ chung der Darstellung bestimmte Teile, wie zum Beispiel ein äußeres Becken der Vorrichtung, weggelassen wurden. Die Spül- und Trocknungsvorrichtung umfaßt einen Düsen­ körper 50 mit einer erhöhten Düsenplatte 51, in der eine Vielzahl von Düsen 52 angeordnet ist. Im Zentrum der Dü­ senplatte 51 ist eine Öffnung vorgesehen, in die ein Ein­ satz 53 mit einer von den Düsen 52 der Düsenplatte sepa­ raten, nicht näher dargestellten Düse eingesetzt ist. Über Fluid Einlässe 54 und 55 wird ein Fluid über eine unterhalb der Düsenplatte 51 befindliche Kammer 56 einge­ leitet, welches über die Düsen 52 austritt und auf ein darüber befindliches Substrat 15 gerichtet wird. Über ei­ nen Einlaß 57 wird die in dem Einsatz 53 befindliche Düse mit einer Spülflüssigkeit zum Spülen des Substrats 15 be­ aufschlagt. Das über die Einlässe 54, 55 eingeleitete Fluid unterscheidet sich in der Regel von der Spülflüs­ sigkeit, die über den Einlaß 57 eingeleitet wird.

Wie aus Fig. 5 weiter zu ersehen ist, besitzt die Spül- und Trocknungsvorrichtung 25 eine gegenüber der Düsen­ platte 51 tiefer liegende, die Düsenplatte 51 ringförmig umgebende Fläche 58, die mehrere Stege 59 aufweist, von denen einer in Fig. 5 zu sehen ist. Die erhöhten Stege 59 dienen als Ablage für das Unterteil 41 des Substrathal­ ters 22 während eines Be- und Entladens des Substrathal­ ters 22.

Das Be- und Entladen des Substrathalters 22 erfolgt durch Ablegen des Unterteils 41 des Substrathalters 22 auf den Stegen 59, Lösen des zwischen dem Oberteil 40 und dem Un­ terteil 41 wirkenden Vakuums, und Anheben des Oberteils 40, so daß der Wafer 15 nunmehr frei auf dem Unterteil 41 liegt und von dem Wafer-Handhabungs-Roboter 10 ergriffen, bzw. durch diesen in die somit erzeugte Öffnung einge­ setzt werden kann.

Um Wiederholungen zu vermeiden wird für die weiteren Ein­ zelheiten bezüglich des Aufbaus und der Funktion der Spül- und Trocknungsvorrichtung 25 auf die am selben Tag von der Anmelderin der vorliegenden Anmeldung angemeldete Patentanmeldung mit der Anmeldenummer . . . und dem Titel "Vorrichtung und Verfahren zum Behandeln von Substraten" Bezug genommen, die insofern zum Gegenstand der vorliegenden Anmeldung gemacht wird.

Die in Fig. 1 dargestellte Behandlungsvorrichtung 3 un­ terscheidet sich von der oben beschriebenen Behandlungs­ vorrichtung 5 dadurch, daß die Spül- und Trocknungsvor­ richtung 25 zwischen zwei Metall-Plattierungsvorrich­ tungen 20 längs verschiebbar ist, so daß die Spül- und Trocknungsvorrichtung 25 für beide Metall-Plattierungs­ vorrichtungen einsetztbar ist. Dadurch wird, bei zusätz­ licher Platzersparnis, ferner eine Spül- und Trocknungs­ vorrichtung 25 eingespart. Bei der Behandlungsvorrichtung 3 ist, wie in Fig. 1 zu sehen ist, die Spül- und Trock­ nungsvorrichtung 25 zwischen zwei Metall-Plattierungs­ vorrichtungen 20 plazierbar. Es ist aber auch denkbar, daß zwischen den Metall-Plattierungsvorrichtungen 20 kein ausreichender Raum für die Spül- und Trocknungsvorrich­ tung vorhanden ist, so daß die Spül- und Trocknungsvor­ richtung abwechseln über der einen und der anderen der beiden Metall-Plattierungsvorrichtungen 20 angeordnet ist, d. h. sich zwischen der jeweiligen Metall-Plattier­ ungsvorrichtung 20 und dem Substrathalter 22 befindet, wodurch weiterer Platz eingespart wird.

Bei der Behandlungsvorrichtung 4 gemäß Fig. 1 ist die Spül- und Trocknungsvorrichtung 25 schwenkbar um eine Achse 60 angeordnet. Die Spül- und Trocknungsvorrichtung ist jeweils über eine der zwei Metall-Plattierungsvor­ richtungen 20 schwenkbar. Alternativ ist die Spül- und Trocknungsvorrichtung auch aus dem Bereich der Metall- Plattierungsvorrichtungen 20 heraus schwenkbar, so daß sie keine der beiden Vorrichtungen 20 überlappt, wie es beispielsweise in Fig. 1 dargestellt ist.

Die vorliegende Erfindung wurde anhand bevorzugter Aus­ führungsbeispiele der Erfindung beschrieben, ohne jedoch auf diese speziellen Ausführungsbeispiele beschränkt zu sein. Insbesondere können die Behandlungsvorrichtungen unterschiedlicher Bauart sein und für andere Prozesse dienen. So kann zum Beispiel anstatt der Metall-Plattier­ ungsvorrichtung eine Spüleinheit eine chemische Behand­ lungsvorrichtung oder ähnliches vorgesehen werden. Auch die zweite horizontal bewegliche Behandlungseinrichtung ist nicht auf eine Spül- und Trocknungsvorrichtung be­ schränkt. Beispielsweise könnte statt dessen eine reine Trocknungseinheit oder beispielsweise eine Poliereinheit vorgesehen werden. Auch ist es möglich, die Behandlungs­ einheiten so auszubilden oder anzuordnen, daß die Wafer- Behandlung nicht oder nicht nur von unten, sondern auch von oben und/oder von der Seite erfolgt. Auch können mit den Behandlungsvorrichtungen andere Substrate, wie z. B. Glassubstrate, CD' oder DVD's anstelle der beschriebenen Halbleiterwafer behandelt werden.

Claims (13)

1. Vorrichtung (3, 4, 5) zum Behandeln von Substraten (15), insbesondere Halbleiterwafern, mit einer er­ sten Behandlungseinheit (20), und einem über der er­ sten Behandlungseinheit (20) vertikal verstellbaren Substrathalter (22), gekennzeichnet durch eine zwei­ te Behandlungseinheit (25), die in einer angehobenen Position des Substrathalters (22) zwischen den Sub­ strathalter und die erste Behandlungseinheit (20) bewegbar ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Behandlungseinheit (25) geradlinig bewegbar ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Behandlungseinheit (25) verschwenkbar ist.

4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Behandlungs­ einheit (25) eine Spülvorrichtung aufweist.

5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Behandlungs­ einheit (25) eine Trocknungsvorrichtung aufweist.

6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil (41) des Sub­ strathalters (22) auf die zweite Behandlungseinheit (20) auflegbar ist.

7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine dritte Behandlungseinheit (20) und einen über der dritten Behandlungseinheit vertikal verstellbaren zweiten Substrathalter (22), wobei die zweite Behandlungseinheit (25) in einer angehobenen Position des zweiten Substrathalters (22) zwischen den zweiten Substrathalter (22) und die dritte Behandlungseinheit (20) bewegbar ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und dritte Behandlungseinheit (20, 20) im wesentlichen gleich sind.

9. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die erste und dritte Behandlungseinheit (20, 20) unterschiedlich sind.

10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 7 bis 9, da­ durch gekennzeichnet, daß die zweite Behandlungsein­ heit (25) in eine zwischen der ersten und der drit­ ten Behandlungseinheit (20, 20) befindliche Ruheposi­ tion bewegbar ist.

11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens die erste Be­ handlungseinheit (20) eine Metall-Plattierungsein­ heit ist.

12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch eine Handhabungsvorrichtung (10) zum Be- und Entladen des Substrathalters (22).

13. Verfahren zum Behandeln von Substraten (15), insbe­ sondere Halbleiterwafern, mit folgenden Verfahrens­ schritten:

• - Bewegen eines ein Substrat tragenden Substrat­ halters (22) in eine Behandlungsposition über einer ersten Behandlungseinheit (20);
• - Durchführen einer ersten Substratbehandlung;
• - Anheben des Substrathalters (22) nach der er­ sten Substratbehandlung;
• - dadurch gekennzeichnet, daß
• - eine zweite Behandlungseinheit (25) zwischen den angehobenen Substrathalter (22) und die er­ ste Behandlungseinheit (20) bewegt wird; und
• - eine zweite Substratbehandlung durchgeführt wird.
• - Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Behandlungseinheit (25) geradlinig zwischen den angehobenen Substrathalter (22) und die erste Behandlungseinheit (20) bewegt wird.
• - Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Behandlungseinheit (25) zwischen den angehobenen Substrathalter (22) und die erste Be­ handlungseinheit (20) geschwenkt wird.
• - Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, da­ durch gekennzeichnet, daß mit der ersten Substratbe­ handlung eine Metallplattierung durchgeführt wird.
• - Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, da­ durch gekennzeichnet, daß mit der ersten Substratbe­ handlung eine chemische Behandlung durchgeführt wird.
• - Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 17, da­ durch gekennzeichnet, daß mit der zweiten Substrat­ behandlung eine Spülung des Substrats (15) durchge­ führt wird.
• - Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 18, da­ durch gekennzeichnet, daß mit der zweiten Substrat­ behandlung eine Trocknung des Substrats (15) durch­ geführt wird.
• - Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 19, da­ durch gekennzeichnet, daß wenigstens ein Teil des Substrathalters (22) zum Be- und Entladen der Sub­ strate auf der zweiten Behandlungseinheit (25) abge­ legt wird.