DE3811372A1 - Vorrichtung zur behandlung eines gegenstands, insbesondere halbleiterkoerpers - Google Patents
Vorrichtung zur behandlung eines gegenstands, insbesondere halbleiterkoerpersInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Behandlung von
Gegenständen, insbesondere Halbleiterkörpern, z. B. Halb
leiterscheiben, in einem Vakuum.
In der Halbleiterindustrie wie in anderen Industriezweigen
existiert als ständiges Problem die Kontamination durch un
erwünschte Partikel. Die Quelle der Partikel ist Legion, und
Apparate- und Einrichtungshersteller suchen ständig nach
Wegen, um die Kontamination zu verringern. Ein Weg, nämlich
der "reine Raum" wurde im Lauf der Jahre bis zu einem Punkt
verbessert, an welchem ein Raum, in welchem Halbleiterkörper
bzw. Halbleiterplättchen behandelt werden, äußerst rein ge
halten werden kann, was äußerst teuer ist, selbst wenn noch
keine Einrichtung in ihm enthalten ist.
Bei Bearbeitungsvorgängen, bei welchen Halbleiterkörper unter
Vakuum, z. B. durch Plasmaätzen oder -abscheidung, durch
Glühen, Zerstäubung und dgl., behandelt werden, hat man die
Möglichkeit, eine äußerst reine und kleine Umgebung für die
Halbleiterscheiben zu erhalten. Ein Vorschlag auf diesem
Gebiet ist beispielsweise aus der US-PS 44 87 678 bekannt.
Bei dieser Vorrichtung sind für die Scheibchen Ladeschleusen
vorgesehen, welche in Form einer oder mehrerer Zwischen
kammern ausgebildet sind und die Behandlungskammer von der
äußeren Umgebung isolieren. Hierdurch erreicht man eine gute
Steuerung der lokalen Atmosphäre in unmittelbarer Nähe der
Scheibchen, jedoch beeinträchtigt die Anzahl an Dichtungen
und Verschlüssen, welche aufgebaut und abgebaut werden müs
sen, um diese Steuerung zu erhalten, die Gesamtbetriebs
sicherheit der Einrichtung und erhöht ihre Kosten. Ferner ist
die Behandlungskammer infolge einer Fehlbedienung oder auch
bei der routinemäßigen Instandhaltung gegenüber der Atmo
sphäre zu öffnen. Es ist dann erforderlich, daß alle Kammern
sorgfältig gereinigt werden, um die Vorzüge der verschiedenen
Schleusen zu erhalten. Die Reinigung kann eine beträchtlich
lange Zeit in Anspruch nehmen in Abhängigkeit vom Volumen,
das gereinigt werden muß.
Bekannte Ladeschleusen sind in aller Regel durch Absperr
schieber voneinander bzw. gegenüber dem Umgebungsdruck ge
trennt. Diese Absperrschieber erfordern zusätzliche mechani
sche Einrichtungen. Beispielsweise sind zusätzliche Teile
erforderlich, die sich im rechten Winkel zu der Stelle bewe
gen, durch welche die Halbleiterscheiben auf ihrem Weg zur
Behandlung und von der Behandlung hindurchgelangen. Die zu
sätzliche erforderliche Kompliziertheit der Vorrichtung er
zeugt zusätzliche Partikel, welche die Halbleiterscheiben
kontaminieren können. Das bedeutet, daß selbst dann, wenn
Gase, welche schädlich für die Behandlung sind, beseitigt
sind, eine Kontamination bzw. Verschmutzung der Halbleiter
plättchen noch erfolgen kann.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Behandlungsvorrich
tung, insbesondere einen Plasmareaktor, zu schaffen, der
zwei voneinander isolierte Kammern aufweist, die ohne die
Verwendung von Schiebern voneinander isoliert sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im Anspruch 1
angegebenen Merkmale gelöst.
In vorteilhafter Weise wird durch die Erfindung eine verbes
serte Behandlungskammer, insbesondere eine Plasmareaktions
einrichtung, geschaffen mit minimalem Volumen für die Reini
gung.
Außerdem wird durch die verbesserte Behandlungsvorrichtung,
insbesondere Plasmareaktionseinrichtung, eine minimierte
Kontamination durch Partikel erzielt.
Außerdem wird eine kompakte Einrichtung erhalten mit weniger
Verbindungsstellen und Kammern als dies bei bekannten Be
handlungsvorrichtungen der Fall ist.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung ist ein becherförmi
ges Gehäuse für eine Behandlungskammer innerhalb einer etwas
größeren Kammer zur Aufnahme zu behandelnder Halbleiterkörper
bzw. -scheiben vorgesehen. Die größere Kammer ist durch Ober
flächen begrenzt, die ein relativ kleines Volumen im Verhält
nis zum Ausmaß der Fläche jener Oberflächen definieren. Mit
anderen Worten, die Kammer ist bevorzugt relativ flach aus
gebildet. Das offene Ende der Behandlungskammer ist gegen
eine der Oberflächen vor Beginn der Behandlung abgedichtet.
Eine biegsame Membran, welche an das becherförmige Gehäuse
angebracht ist, dient als eine der Oberflächen, so daß eine
Bewegung des becherförmigen Gehäuses ohne Reibung möglich
ist.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung dienen die Figuren der
beigefügten Zeichnung. Es zeigt:
Fig. 1 eine bekannte Plasmareaktionseinrichtung;
Fig. 2 ein erstes Ausführungsbeispiel für eine Plasma
reaktionseinrichtung nach der Erfindung;
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel einer Plasmareaktions
einrichtung nach der Erfindung und
Fig. 4 ein weiteres Ausführungsbeispiel einer Plasma
reaktionseinrichtung nach der Erfindung.
Die Fig. 1 zeigt eine herkömmliche Reaktionseinrichtung, wel
che eine Reaktionskammer 10, eine obere Elektrode 11 und eine
untere Elektrode 12 aufweist. Die untere Elektrode 12 emp
fängt Halbleiterscheiben 14 aus einer Kassette 13. Die Schei
ben 14 werden jeweils einzeln auf die untere Elektrode 12 zur
Behandlung in der Reaktionskammer 10 aufgebracht. Die
Kassette 13 befindet sich in einer Ladeschleuse mit einem
Schieber 15, durch welchen die Kassette 13 eingebracht und
entfernt werden kann. Ferner ist ein Schieber 16 vorgesehen,
durch welchen die Scheiben 14 auf die Elektrode 12 übertra
gen werden.
Die beschriebene, die Reaktionskammer 10 enthaltende Plasma
reaktionsvorrichtung enthält die Teile, welche für eine ein
endige Maschine bekannt sind. Häufig ist eine zweite Lade
schleuse 17 vorgesehen, welche die Halbleiterscheiben nach
der Behandlung empfängt. Die Ladeschleuse 17 enthält eben
falls Absperrschiebereinrichtungen, welche sie von äußeren
Gasen und von Gasen innerhalb einer Kammer 18 isolieren. Wie
aus der Fig. 1 zu ersehen ist, beanspruchen die Ladeschleusen
und die Kammer 18 ein beträchtliches Volumen zusätzlich zu
dem Volumen, welches die Reaktionskammer 10 benötigt. Außer
dem gelangen die Halbleiterscheiben durch wenigstens einen
Absperrschieber, beispielsweise durch den Absperrschieber 16,
um zur Elektrode 12 zu gelangen oder von dort zu kommen. Dem
nach existiert zusätzlich zu dem Volumen der Kammer, welche
gereinigt werden muß, eine erhebliche Wahrscheinlichkeit
zur Partikelbildung und zur Kontamination bzw. Verunreinigung
der Halbleiterscheiben.
Diese Schwierigkeiten werden erheblich verringert bzw. ver
mieden durch die Erfindung, von der in Fig. 2 ein Ausfüh
rungsbeispiel dargestellt ist. Bei diesem bevorzugten Aus
führungsbeispiel besitzt eine Plasmareaktionsvorrichtung 20
eine Reaktionskammer 21, die durch geeignete, nicht näher
dargestellte Öffnungen mit Gasen versorgt und aus der durch
diese Öffnungen die Gase entfernt werden. Eine Halbleiter
scheibe 22 wird durch Zinken 23 und 24 in ihrer gewünschten
Stellung gehalten. Hierbei wird die Halbleiterscheibe 22
gegen eine durchsichtige Platte 25 gehalten. In einer chemi
schen Aufdampfeinrichtung wird die Halbleiterscheibe 22 durch
eine geeignete Aufheizeinrichtung 26, welche beispielsweise
mehrere Lampen aufweisen kann, aufgeheizt.
Die Reaktionskammer 21 wird von einem Bauteil 31 gebildet,
welches einen hochgezogenen Kantenteil aufweist, der dicht
gegen die durchsichtige Platte 25 anliegt. Der Bauteil 31
ist becherförmig ausgebildet und mit einer Stützeinrichtung
33 verbunden, die wiederum mit einer Säule 34 gekoppelt ist.
Der becherförmige Bauteil 31 wird durch eine Betätigungs
einrichtung 35, welche die Säule 34 aufwärts und abwärts be
wegt, angehoben und abgesenkt. Die Betätigungseinrichtung 35
kann einen geeigneten Mechanismus, beispielsweise einen
Linearmotor, hydraulische oder pneumatische Mittel oder auch
Zahnradgetriebeeinrichtungen aufweisen. Das Volumen, welches
die Stützeinrichtung 33 und den becherförmigen Bauteil 31
umgibt, wird geteilt durch eine biegsame Membran 37, welche
am Außenumfang des becherförmigen Bauteils 31 befestigt ist
und mit einem weiteren Bauteil 39 verbunden ist. Ein Bauteil
36 und der Bauteil 39 erstrecken sich beim dargestellten
Ausführungsbeispiel rechts von der Reaktionskammer 21 und um
fassen ein kleines Volumen, welches als Ladeschleuse dient,
durch welche die Halbleiterscheiben transportiert werden.
Eine große Öffnung in der Oberfläche des Bauteils 36 wird
von einer Verschlußplatte 41 verschlossen. Die Verschluß
platte 41 kann in eine Position gebracht werden, in welcher
ein Spatel 42 für die Aufnahme und für den Transport der
Halbleiterscheiben freigelegt wird, und aus dieser Position
wieder entfernt werden. Der Spatel 42 dreht sich an einer
Säule 43, welche durch den Bauteil 39 sich hindurch
erstreckt.
Die durchsichtige Platte 25 besteht bevorzugt aus Quarz bei
chemischen Aufdampfverfahren und kann aus einem anderen
Material bestehen, das mit der durchzuführenden Behandlung
verträglich ist. Die verschiedenen Bauteile, welche die grö
ßere Kammer bilden, können aus Aluminium und rostfreiem Stahl
bestehen. Die biegsame Membran 37 besteht bevorzugt aus einem
Elastomer, obgleich auch andere Materialien, wie beispiels
weise Metalle, verwendet werden können.
Der Betrieb der dargestellten Vorrichtung wird im Zusammen
hang mit den Fig. 2 und 3 erläutert. Die Fig. 3 stellt
den Betriebszustand dar, bei welchem der becherförmige Bau
teil 31 von der durchsichtigen Platte 25 entfernt ist. In
dieser Position ist eine einzelne Kammer vorhanden, welche
umschlossen ist durch die durchsichtige Platte 25, den Bau
teil 39, die Membran 37, den becherförmigen Bauteil 31, den
weiteren Bauteil 36 und die Verschlußplatte 41. Aufgrund der
Wirkung der Membran 37 und der Bewegung des becherförmigen
Bauteils 31 ist dieses Volumen geringfügig erweitert gegen
über dem Volumen, bei welchem der becherförmige Bauteil 31
dicht gegen die durchsichtige Platte 25 anliegt.
Beim Beginn eines Bearbeitungszyklusses nimmt die Vorrichtung
die in der Fig. 2 dargestellte Betriebsstellung ein. Die Ver
schlußplatte 41 wird dann geöffnet, und eine Halbleiterschei
be wird auf den Spatel 42 aufgebracht. Die Verschlußkappe 41
wird geschlossen, und das System wird gereinigt. Anschließend
bewegt sich der becherförmige Bauteil 31 von der insbesondere
als Quarzfenster ausgebildeten durchsichtigen Platte nach un
ten und der Spatel 42 wird so bewegt, daß er sich in die Re
aktionskammer erstreckt, wobei die Halbleiterscheibe in eine
Position über den Zinken 23 und 24 gebracht wird. Eine Betä
tigungseinrichtung 48 hebt dann die Anordnung etwas an, so
daß die Halbleiterscheibe von dem Spatel 42 abgehoben wird.
Der Spatel wird dann wieder in seine Ausgangsposition, d. h.
in der Fig. in seine rechte Position zurückgebracht. Die Be
tätigungseinrichtung 35 hebt die Halbleiterscheibe weiter an.
bis sie die durchsichtige Platte 25 berührt. Die Zinken 23,
24 verbiegen sich, und die angehobene obere Kante des becher
förmigen Bauteils 31 berührt die durchsichtige Platte 25. Auf
diese Weise wird die abgedichtete Reaktionskammer 21 gebil
det. Die Reaktionskammer 21 wird gereinigt, und der Behand
lungsvorgang wird durchgeführt. Anschließend wird der umge
kehrte Vorgang für den Rücktransport der Halbleiterscheibe
durch die Verschlußöffnung bei entfernter Verschlußplatte 41
durchgeführt.
Das in den Fig. 2 und 3 dargestellte Ausführungsbeispiel
beinhaltet eine einendige Maschine, bei welcher die Halb
leiterscheiben an einer Seite zugeführt und wieder entfernt
werden. Die Fig. 4 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel
für eine kompakt aufgebaute doppelendige Maschine. Bei die
sem Ausführungsbeispiel besitzt ein plattenförmiger Bauteil
36′ eine mittlere Öffnung 51 mit einem Spatel 52, der an
einer Seite der Öffnung angeordnet ist. Der Spatel 52 dreht
sich um eine Achse 53 für den Transport von Halbleiterschei
ben in eine Kammer oder aus dieser Kammer, welche oberhalb
oder unterhalb der Öffnung 51 angeordnet ist. In gleicher
Weise läßt sich ein Spatel 54 um eine Achse 55 schwenken,
um Halbleiterkörper von der anderen Seite her zuzuliefern
bzw. an dieser anderen Seite zu entfernen. Durch die doppel
endige Maschine läßt sich die Behandlungsrate, mit welcher
die Halbleiterscheiben behandelt werden, erhöhen. Bei dem
in der Fig. 4 dargestellten Ausführungsbeispiel wird diese
Behandlungsgeschwindigkeit jedoch nicht unter Inkaufnahme
einer erheblichen Steigerung des Volumens erreicht. Bei
einem Ausführungsbeispiel umfaßt eine Maschine, welche
nach der Fig. 2 konstruiert ist, ein Gesamtvolumen, welches
die Reaktionskammer miteinschließt, von etwa 4 Litern. Dies
steht in erheblichem Gegensatz zu Maschinen herkömmlicher
Bauart, welche ein Gesamtvolumen von 22 Litern und mehr um
fassen.
Durch die Erfindung wird mithin eine kompakte Vorrichtung
geschaffen, welche eine relativ reine Umgebung für die Halb
leiterscheiben vorsieht, ohne daß eine ernsthafte Gefahr
für das zu reinigende Volumen beim Öffnen des Systems be
steht. Man erhält somit eine Maschine, die relativ kompakt
ist, wenig Aufwand bei der Herstellung erfordert und in
gleicher Weise verwendet werden kann wie herkömmliche Maschi
nen. Außerdem ist die Gefahr der Partikelverunreinigung
erheblich verringert durch den Wegfall von Absperrschiebern
und durch den Transport bzw. die Bewegung der Halbleiter
scheiben in der Art, daß keinerlei Flächen vorhanden sind,
die in reibendem Kontakt miteinander stehen.
Verschiedene Abänderungen der beschriebenen Ausführungsformen
sind möglich. Beispielsweise können die Kammern mit Gasen
versorgt werden bzw. aus den Kammern können Gase entfernt
werden. Hierzu können geeignete bekannte Mittel verwendet
werden. Bei dem in den Fig. 2 und 3 dargestellten Aus
führungsbeispiel befindet sich eine Kammer unterhalb der
Halbleiterscheibe. Bei der Erfindung kann jedoch ebenso eine
Reaktionskammer über der Halbleiterscheibe, insbesondere für
die Verwendung in einer Plasmareaktionseinrichtung, angeord
net sein. Bei einem derartigen Ausführungsbeispiel bildet der
becherförmige Bauteil 31 die untere Elektrode, an deren
unterem Teil die Membran 37 befestigt ist. Anstelle der
in der Fig. 4 dargestellten Anordnung der Spateln 52 und 54
an entgegengesetzten Seiten der mittleren Öffnung 51 können
die Spateln auch an jeder beliebigen anderen Stelle angeord
net sein. Anstelle des Verschwenkens der Spateln können
lineare Bewegungen der Spateln, beispielsweise durch Betäti
gung von der Seite her, vorgesehen sein.
Man erhält somit eine kompakte Anordnung von Ladeschleuse
und Behandlungskammer, in welcher ein beweglicher Teil als
Verschluß dient für sowohl das Schleusenvolumen als auch
das Behandlungsvolumen, in welchem der Gegenstand behandelt
wird. Der bewegliche Teil ist über eine flexible bzw. bieg
same Membran, welche eine nichtgleitende Abdichtung vor
sieht, mit feststehenden Bauteilen verbunden.
Claims (6)
1. Vorrichtung zur Behandlung eines Gegenstands, insbesondere
mit einer Plasmaglimmentladung, gekennzeichnet durch
- - eine Einrichtung (36, 39), deren Weite größer ist als ihre Höhe und welche an ihrer Unterseite eine Öffnung aufweist zum im wesentlichen Umschließen eines ersten Volumens;
- - ein erstes Bauteil (31) mit einer maximalen Weite, die ge ringer ist als die maximale Weite der Öffnung, und mit einem abstehenden Kantenteil, und
- - ein biegsames Abdichtmittel (37), das die Einrichtung (36, 39) zum Umschließen des ersten Volumens und das erste Bauteil (31) miteinander verbindet.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
zusätzlich eine Betätigungseinrichtung (48) außerhalb des
ersten Volumens vorgesehen ist, durch welche der erste Bau
teil (31) durch die Öffnung bewegt wird.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich
net, daß der abstehende Kantenteil des ersten Bauteils (31)
an einen oberen Flächenteil der Einrichtung (36, 39) zum
Umschließen des ersten Volumens anlegbar ist zum Bilden
eines zweiten, kleineren Volumens (21), in welchem der Gegen
stand behandelt, insbesondere der Glimmentladung ausgesetzt
ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Einrichtung (36, 39) zum Umschließen
des ersten Volumens eine zusätzliche Öffnung aufweist, die
von der Öffnung an der Unterseite entfernt liegt.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch ge
kennzeichnet, daß ferner eine Transporteinrichtung (42, 43)
vorgesehen ist zur Bewegung des zu behandelnden Gegenstan
des innerhalb des ersten Volumens.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß
die Transporteinrichtung (42, 43) den Gegenstand nichtlinear
bewegt.
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