DE112019006420T5 - Gasphasenabscheidungsvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Es ist eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung bereitgestellt, die die LPD-Qualität besser machen oder verbessern kann. Eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung (1) umfasst einen ersten Halter (172), der einen Träger (C) auf einer obersten Ebene stützt, und einen zweiten Halter (173), der den Träger (C) unter dem ersten Halter in einer Ladeschleusenkammer (13) stützt, und einen zweiten Roboter (141), der einen aus einem Waferlagerbehälter (15) entnommenen Wafer vor der Behandlung (WF) auf dem am ersten Halter in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert.

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung, die z. B. bei der Herstellung von Epitaxiewafern verwendet wird.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Um die Beschädigung der Rückseite eines Siliziumwafers in Gasphasenabscheidungsvorrichtungen zur Herstellung von Epitaxiewafern möglichst gering zu halten, wurde z. B. vorgeschlagen, den Siliziumwafer in einem Zustand, in dem der Siliziumwafer auf einem ringförmigen Träger montiert ist, schrittweise von einer Ladeschleusenkammer in eine Reaktionskammer zu transportieren (Patentliteratur 1).
  • Während bei dieser Art von Gasphasenabscheidungsvorrichtung ein Wafer vor der Behandlung auf einem ringförmigen Träger montiert ist, der in der Ladeschleusenkammer bereitsteht, wird ein Wafer nach der Behandlung aus der Reaktionskammer in die Ladeschleusenkammer transportiert, der immer noch auf einem ringförmigen Träger montiert ist.
  • STAND DER TECHNIK
  • Patentliteratur
  • Patentliteratur 1: U.S. Patent Anmeldung Nr. 2017/0110352
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Durch die Erfindung zu lösende Probleme
  • In der Ladeschleusenkammer müssen der Wafer vor der Behandlung und der Wafer nach der Behandlung gehandhabt werden. Um Platz zu sparen und die Produktivität zu verbessern, ist es daher denkbar, die Ladeschleusenkammer in mehreren Stufen auszugestalten. Da jedoch der in die Ladeschleusenkammer transferierte ringförmige Träger über die Reaktionskammer transferiert wird, kommt es zu einer Partikelgenerierung und es besteht das Problem, dass sich die LPD-Qualität (Light Point Defect) verschlechtert.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung bereitzustellen, mit der die LPD-Qualität verbessert oder verbessert werden kann.
  • Mittel zum Lösen der Probleme
  • Die vorliegende Erfindung ist eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung, die einen ringförmigen Träger bereitstellt, der einen äußeren Rand eines Wafers stützt, und die eine Vielzahl der Träger verwendet, um:
    • eine Vielzahl von Wafern vor der Behandlung von einem Waferlagerbehälter durch eine Werksschnittstelle, eine Ladeschleusenkammer und eine Wafertransferkammer in dieser Reihenfolge zu einer Reaktionskammer zu transportieren und
    • eine Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle in dieser Reihenfolge zum Waferlagerbehälter zu transportieren,
    • und bei dem die Ladeschleusenkammer über eine erste Tür mit der Werksschnittstelle kommuniziert und über eine zweite Tür auch mit der Wafertransferkammer kommuniziert,
    • die Wafertransferkammer über ein Absperrventil mit der Reaktionskammer kommuniziert, in der eine CVD-Schicht auf dem Wafer gebildet wird,
    • die Wafertransferkammer mit einem ersten Roboter versehen ist, der einen in die Ladeschleusenkammer transportierten Wafer vor der Behandlung in die Reaktionskammer in einem Zustand ablegt, in dem der Wafer vor der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und auch einen Wafer nach der Behandlung, für den die Behandlung in der Reaktionskammer beendet ist, aus der Reaktionskammer in einem Zustand entnimmt, in dem der Wafer nach der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und den Wafer zu der Ladeschleusenkammer transportiert,
    • die Werksschnittstelle mit einem zweiten Roboter versehen ist, der einen Wafer vor der Behandlung aus dem Waferlagerbehälter entnimmt und den Wafer auf einem in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert, und außerdem einen auf dem Träger montierten Wafer nach der Behandlung, der in die Ladeschleusenkammer transportiert wurde, in dem Waferlagerbehälter lagert, und
    • die Ladeschleusenkammer mit einem ersten Halter, der den Träger auf einer obersten Ebene stützt, und einem zweiten Halter, der den Träger unter dem ersten Halter stützt, versehen ist,
    • wobei der zweite Roboter den aus dem Waferlagerbehälter entnommenen Wafer vor der Behandlung auf dem am ersten Halter in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert.
  • Noch bevorzugter ist es bei der vorliegenden Erfindung, dass der erste Roboter den von dem zweiten Halter gestützten Träger an den ersten Halter transferiert, wenn der erste Halter keinen Träger stützt, wenn der erste Roboter den vom zweiten Roboter aus dem Waferlagerbehälter entnommenen Wafer vor der Behandlung auf den in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert.
  • Noch bevorzugter ist es bei der vorliegenden Erfindung, dass der erste Roboter den Wafer nach der Behandlung, für den die Behandlung in der Reaktionskammer beendet ist, in dem Zustand, in dem der Wafer nach der Behandlung auf dem Träger montiert ist, aus der Reaktionskammer entnimmt und den Wafer zum zweiten Halter in der Ladeschleusenkammer transportiert.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung die Ladeschleusenkammer mit einem dritten Halter versehen, der den Träger unter dem zweiten Halter stützt.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung der erste Roboter mit einem ersten Blatt (blattförmiger Fortsatz) versehen, auf dem der Träger montiert ist.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung das erste Blatt mit einer Aussparung versehen, die einem Teil einer äußeren Umfangswand der Trägeroberfläche auf einer Oberseite entspricht.
  • Noch bevorzugter ist bei der vorliegenden Erfindung der zweite Roboter mit einem zweiten Blatt versehen, auf dem der Wafer montiert ist.
  • Noch bevorzugter ist in der vorliegenden Erfindung die CVD-Schicht eine Silizium-Epitaxieschicht.
  • Die vorliegende Erfindung ist ein Gasphasenabscheidungsverfahren, das eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung verwendet, die mit einem ringförmigen Träger versehen ist, der einen äußeren Rand eines Wafers stützt, und das eine Vielzahl der Träger verwendet, um:
    • eine Vielzahl von Wafern vor der Behandlung von einem Waferlagerbehälter durch eine Werksschnittstelle, eine Ladeschleusenkammer und eine Wafertransferkammer in dieser Reihenfolge zu einer Reaktionskammer zu transportieren und
    • eine Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle in dieser Reihenfolge zum Waferlagerbehälter zu transportieren,
    • und bei dem die Ladeschleusenkammer über eine erste Tür mit der Werksschnittstelle kommuniziert und über eine zweite Tür auch mit der Wafertransferkammer kommuniziert,
    • die Wafertransferkammer über ein Absperrventil mit der Reaktionskammer kommuniziert, in der eine CVD-Schicht auf dem Wafer gebildet wird,
    • die Wafertransferkammer mit einem ersten Roboter versehen ist, der einen in die Ladeschleusenkammer transportierten Wafer vor der Behandlung in die Reaktionskammer in einem Zustand ablegt, in dem der Wafer vor der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und auch einen Wafer nach der Behandlung, für den die Behandlung in der Reaktionskammer beendet ist, aus der Reaktionskammer in einem Zustand entnimmt, in dem der Wafer nach der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und den Wafer zur Ladeschleusenkammer transportiert,
    • die Werksschnittstelle mit einem zweiten Roboter versehen ist, der einen Wafer vor der Behandlung aus dem Waferlagerbehälter entnimmt und den Wafer auf einem in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert, und außerdem einen auf dem Träger montierten Wafer nach der Behandlung, der in die Ladeschleusenkammer transportiert wurde, in dem Waferlagerbehälter lagert, und
    • die Ladeschleusenkammer mit einem ersten Halter, der den Träger auf einer obersten Ebene stützt, und einem zweiten Halter, der den Träger unter dem ersten Halter stützt, versehen ist,
    • wobei der zweite Roboter den aus dem Waferlagerbehälter entnommenen Wafer vor der Behandlung auf dem an dem ersten Halter in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert, und der erste Roboter den von dem zweiten Halter gestützten Träger zu dem ersten Halter transferiert, wenn der erste Halter keinen Träger stützt, nachdem der erste Roboter den aus dem Waferlagerbehälter entnommenen Wafer vor der Behandlung durch den zweiten Roboter auf dem in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert hat.
  • Effekt der Erfindung
  • Erfindungsgemäß montiert der zweite Roboter den aus dem Waferspeicher entnommenen Wafer vor der Behandlung auf den am ersten Halter bereitstehenden Träger auf der obersten Ebene in der Ladeschleusenkammer, so dass sich kein Träger oberhalb des Wafer vor der Behandlung befindet. Dadurch kann verhindert werden, dass vom Träger stammende Partikel am Wafer anhaften, und die LPD-Qualität kann verbessert werden.
  • Figurenliste
    • [1] ist ein Blockdiagramm, das eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [2A] ist eine Draufsicht, die einen Träger gemäß der Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt.
    • [2B] ist eine Querschnittsansicht des Trägers, einschließlich eines Wafers und eines Reaktionsofensuszeptors.
    • [3A] ist eine Draufsicht, die einen Halter zeigt, der für eine Ladeschleusenkammer bereitgestellt ist.
    • [3B] ist eine Querschnittsansicht des Halters einschließlich des Wafers und des Trägers.
    • [4] ist eine Draufsicht und Querschnittsansichten, die ein Transferprotokoll für den Wafer und den Träger in der Ladeschleusenkammer zeigen.
    • [5] ist eine Draufsicht und Querschnittsansichten, die ein Transferprotokoll für den Wafer und den Träger innerhalb einer Reaktionskammer zeigen.
    • [6A] ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für ein erstes Blatt zeigt, das an der Spitze einer Hand eines ersten Roboters angebracht ist.
    • [6B] ist eine Querschnittsansicht des ersten Blatts mit einem Träger.
    • [7] ist ein Diagramm (Nr. 1), das ein Handhabungsprotokoll für den Wafer und den Träger in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung der Ausführungsform zeigt.
    • [8] ist ein Diagramm (Nr. 2), das das Handhabungsprotokoll für den Wafer und den Träger in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung der Ausführungsform zeigt.
    • [9] ist ein Diagramm (Nr. 3), das das Handhabungsprotokoll für den Wafer und den Träger in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung der Ausführungsform zeigt.
    • [10] ist ein Diagramm (Nr. 4), das das Handhabungsprotokoll für den Wafer und den Träger in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung der Ausführungsform zeigt.
  • MODUS ZUR AUSFÜHRUNG DER ERFINDUNG
  • Nachfolgend wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung anhand der Zeichnungen beschrieben. 1 ist ein Blockdiagramm, das eine Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigt. Ein Hauptkörper der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1, der in der Mitte des Diagramms dargestellt ist, ist in einer Draufsicht dargestellt. Die Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 der vorliegenden Ausführungsform ist eine sogenannte CVD-Vorrichtung und ist versehen mit einem Paar Reaktionsöfen 11, 11; einer Wafertransferkammer 12, in der ein erster Roboter 121 installiert ist, der einen Wafer WF, wie z.B. einen Einkristall-Siliziumwafer, handhabt; einem Paar Ladeschleusenkammern 13; einer Werksschnittstelle 14, in der ein zweiter Roboter 141 installiert ist, der den Wafer WF handhabt; und einem Laderoboter, in dem ein Waferlagerbehälter 15 (Kassettengehäuse) installiert ist, in dem eine Vielzahl der Wafer WF gelagert werden.
  • Die Werksschnittstelle 14 ist eine Zone, die ausgestaltet ist, um die gleiche Luftatmosphäre wie ein Reinraum zu haben, in dem der Waferlagerbehälter 15 montiert ist. Die Werksschnittstelle 14 ist mit dem zweiten Roboter 141 versehen, der einen Wafer vor der Behandlung WF, der im Waferlagerbehälter 15 gelagert ist, entnimmt und den Wafer WF in der Ladeschleusenkammer 13 ablegt, und auch einen Wafer nach der Behandlung WF, der zur Ladeschleusenkammer 13 transportiert wurde, im Waferlagerbehälter 15 lagert. Der zweite Roboter 141 wird von einer zweiten Robotersteuerung 142 gesteuert, und ein zweites Blatt 143, das an einem distalen Ende einer Roboterhand montiert ist, bewegt sich entlang einer vorbestimmten Bahn, die im Voraus eingelernt wurde.
  • Eine erste Tür 131, die sich luftdicht öffnen und schließen lässt, ist zwischen der Ladeschleusenkammer 13 und der Werksschnittstelle 14 bereitgestellt, während eine zweite Tür 132, die sich ebenfalls luftdicht öffnen und schließen lässt, zwischen der Ladeschleusenkammer 13 und der Wafertransferkammer 12 bereitgestellt ist. Darüber hinaus dient die Ladeschleusenkammer 13 als Raum, in dem ein atmosphärischer Gasaustausch zwischen der Wafertransferkammer 12, die für eine Inertgasatmosphäre ausgelegt ist, und der Werksschnittstelle 14, die für eine Luftatmosphäre ausgelegt ist, stattfindet. Daher sind eine Absaugvorrichtung, die einen Innenraum der Ladeschleusenkammer 13 auf Vakuum evakuiert, und eine Versorgungsvorrichtung, die der Ladeschleusenkammer 13 Inertgas zuführt, bereitgestellt.
  • Wenn z.B. ein Wafer vor der Behandlung WF aus dem Waferlagerbehälter 15 in die Wafertransferkammer 12 transportiert wird, wird der Wafer WF in einem Zustand, in dem die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geschlossen ist, die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geschlossen ist und die Ladeschleusenkammer 13 eine Inertgasatmosphäre aufweist, mit Hilfe des zweiten Roboters 141 aus dem Waferlagerbehälter 15 entnommen, die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geöffnet und der Wafer WF in die Ladeschleusenkammer 13 transportiert. Nachdem die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geschlossen und die Ladeschleusenkammer 13 wieder in eine Inertgasatmosphäre versetzt wurde, wird die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geöffnet und der Wafer WF mit dem ersten Roboter 121 in die Wafertransferkammer 12 transportiert.
  • Umgekehrt wird beim Transport eines Wafer nach der Behandlungs WF von der Wafertransferkammer 12 zum Waferlagerbehälter 15 in einem Zustand, in dem die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geschlossen ist, die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geschlossen ist und die Ladeschleusenkammer 13 eine Inertgasatmosphäre aufweist, die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geöffnet und der Wafer WF in der Wafertransferkammer 12 mittels des ersten Roboters 121 zur Ladeschleusenkammer 13 transportiert. Nachdem die zweite Tür 132 auf der Seite der Wafertransferkammer 12 geschlossen und die Ladeschleusenkammer 13 wieder in eine Inertgasatmosphäre versetzt wurde, wird die erste Tür 131 auf der Seite der Werksschnittstelle 14 geöffnet und der Wafer WF mit Hilfe des zweiten Roboters 141 in den Waferlagerbehälter 15 transportiert.
  • Die Wafertransferkammer 12 ist als abgedichtete Kammer ausgebildet, die auf der einen Seite über die zweite Tür 132, die sich öffnen und schließen lässt und luftdicht verschlossen ist, und auf der anderen Seite über ein Absperrventil 114, das sich öffnen und schließen lässt und luftdicht verschlossen ist, mit der Ladeschleusenkammer 13 verbunden ist. An der Wafertransferkammer 12 ist der erste Roboter 121 installiert, der die Wafer vor der Behandlung WF von der Ladeschleusenkammer 13 zur Reaktionskammer 111 transportiert und die Wafer nach der Behandlung WF von der Reaktionskammer 111 zur Ladeschleusenkammer 13 transportiert. Der erste Roboter 121 wird von einer ersten Robotersteuerung 122 gesteuert, und ein erstes Blatt 123, das an einem distalen Ende einer Roboterhand montiert ist, bewegt sich entlang einer im Voraus eingelernten Betriebstrajektorie.
  • Eine integrierte Steuerung 16, die die Steuerung der gesamten Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 integriert, die erste Robotersteuerung 122 und die zweite Robotersteuerung 142 senden und empfangen untereinander Steuersignale. Wenn ein Betriebsbefehlssignal von der integrierten Steuerung 16 an die erste Robotersteuerung 122 gesendet wird, steuert die erste Robotersteuerung 122 den Betrieb des ersten Roboters 121, und ein Betriebsergebnis des ersten Roboters 121 wird von der ersten Robotersteuerung 122 an die integrierte Steuerung 16 gesendet. Dementsprechend erkennt die integrierte Steuerung 16 einen Betriebszustand des ersten Roboters 121. Wenn ein Betriebsbefehlssignal von der integrierten Steuerung 16 an die zweite Robotersteuerung 142 gesendet wird, steuert die zweite Robotersteuerung 142 den Betrieb des zweiten Roboters 141, und ein Betriebsergebnis des zweiten Roboters 141 wird von der zweiten Robotersteuerung 142 an die integrierte Steuerung 16 gesendet. Dementsprechend erkennt die integrierte Steuerung 16 einen Betriebszustand des zweiten Roboters 141.
  • Der Wafertransferkammer 12 wird Inertgas von einer in den Zeichnungen nicht dargestellten Inertgasversorgungseinrichtung zugeführt, und das Gas in der Wafertransferkammer 12 wird mit einem Wäscher (Waschstaubabscheider, Abscheider) gereinigt, der mit einer Abluftöffnung verbunden ist, woraufhin das Gas außerhalb des Systems freigesetzt wird. Obwohl auf eine detaillierte Darstellung verzichtet wird, kann für diese Art von Wäscher z. B. ein herkömmlich bekannter Druckwasserwäscher verwendet werden.
  • Der Reaktionsofen 11 ist eine Vorrichtung zum Wachsen einer Epitaxieschicht auf einer Oberfläche des Wafers WF unter Verwendung eines CVD-Verfahrens und umfasst eine Reaktionskammer 111; ein Suszeptor 112, auf dem der Wafer WF platziert und gedreht wird, ist innerhalb der Reaktionskammer 111 bereitgestellt, und eine Gaszufuhrvorrichtung 113 ist ebenfalls bereitgestellt, die Wasserstoffgas und Rohmaterialgas zum Wachsen einer CVD-Schicht (wenn die CVD-Schicht eine Silizium-Epitaxieschicht ist, kann das Rohmaterialgas beispielsweise Siliziumtetrachlorid SiCl4 oder Trichlorsilan SiHCl3 sein) in die Reaktionskammer 111 liefert. Zusätzlich, obwohl in den Zeichnungen nicht dargestellt, ist um den Umfang der Reaktionskammer 111 herum eine Wärmelampe zum Erhöhen der Temperatur des Wafers WF auf eine vorbestimmte Temperatur bereitgestellt. Außerdem ist ein Absperrventil 114 zwischen der Reaktionskammer 111 und der Wafertransferkammer 12 bereitgestellt, und die Luftdichtheit mit der Wafertransferkammer 12 der Reaktionskammer 111 wird durch Schließen des Absperrventils 114 sichergestellt. Verschiedene Steuerungen, wie z. B. der Antrieb des Suszeptors 112 des Reaktionsofens 11, die Zufuhr und das Anhalten von Gas durch die Gaszufuhrvorrichtung 113, das Ein- und Ausschalten der Wärmelampe und das Öffnen und Schließen des Absperrventils 114, werden durch ein Befehlssignal von der integrierten Steuerung 16 gesteuert. Die in 1 gezeigte Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 stellt ein Beispiel dar, das mit einem Paar von Reaktionsöfen 11, 11 versehen ist, aber die Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 kann einen Reaktionsofen 11 oder drei oder mehr Reaktionsöfen haben.
  • Dem Reaktionsofen 11 ist ein Scrubber (Waschnebelabscheider) mit einer ähnlichen Ausgestaltung wie die der Wafertransferkammer 12 bereitgestellt. Mit anderen Worten: Das von der Gasversorgungseinrichtung 113 zugeführte Wasserstoffgas oder Rohmaterialgas wird durch den Wäscher, der an einen für die Reaktionskammer 111 bereitgestellten Abluftanschluss angeschlossen ist, gereinigt und anschließend außerhalb des Systems abgegeben. Für diesen Wäscher kann z. B. auch ein herkömmlich bekannter Druckwasserwäscher verwendet werden.
  • In der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird der Wafer WF zwischen der Ladeschleusenkammer 13 und der Reaktionskammer 111 mit Hilfe eines ringförmigen Trägers C transportiert, der den gesamten äußeren Umfangsrand des Wafers WF stützt. 2A ist eine Draufsicht auf den Träger C, 2B ist eine Querschnittsansicht des Trägers C mit dem Wafer WF und dem Suszeptor 112 des Reaktionsofens 11, und 5 ist eine Draufsicht und Querschnittsansichten, die ein Transferprotokoll für den Wafer WF und den Träger C innerhalb der Reaktionskammer 111 illustrieren.
  • Der Träger C gemäß der vorliegenden Ausführungsform ist aus einem Material wie beispielsweise SiC ausgestaltet, ist in einer Endlosringform ausgebildet und umfasst eine untere Oberfläche C11, die auf einer oberen Oberfläche des in 2B gezeigten Suszeptors 112 ruht, eine obere Oberfläche C12, die den gesamten äußeren Umfangsrand einer Rückfläche des Wafers WF berührt und stützt, eine äußere Umfangswandoberfläche C13 und eine innere Umfangswandoberfläche C14. Wenn der von dem Träger C gestützte Wafer WF in die Reaktionskammer 111 transportiert wird, wird in einem Zustand, in dem der Träger C auf dem ersten Blatt 123 des ersten Roboters 121 ruht, wie in der Draufsicht von 5A dargestellt, der Wafer WF zu einem oberen Abschnitt des Suszeptors 112 transportiert, wie in 5B dargestellt ist, wird der Träger C vorübergehend durch drei oder mehr Trägerhebestifte 115 angehoben, die am Suszeptor 112 bereitgestellt sind, so dass er vertikal verschoben werden kann, wie in 5C dargestellt, und das erste Blatt 123 wird zurückgezogen, wie in 5D dargestellt, woraufhin der Suszeptor 112 angehoben wird, wie in 5E dargestellt, wodurch der Träger C auf der oberen Oberfläche des Suszeptors 112 platziert wird.
  • Umgekehrt wird, wenn die Behandlung des Wafers WF in der Reaktionskammer 111 beendet ist und der Wafer WF in einem auf dem Träger C montierten Zustand entnommen wird, der Suszeptor 112 aus dem in 5E dargestellten Zustand abgesenkt und stützt den Träger C nur mit den Trägerhebestiften 115, wie in 5D dargestellt ist, wird das erste Blatt 123 zwischen den Träger C und den Suszeptor 112, wie in 5C dargestellt, vorgeschoben, und dann werden die drei Trägerhebestifte 115 abgesenkt, um den Träger C auf dem ersten Blatt 123, wie in 5B dargestellt, zu ruhen, und die Hand des ersten Roboters 121 wird betätigt. Auf diese Weise kann der Wafer WF, für den die Behandlung beendet ist, in einem auf dem Träger C montierten Zustand entnommen werden.
  • Außerdem wird in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform der Träger C zwischen den Prozessen, die von der Ladeschleusenkammer 13 zur Reaktionskammer 111 laufen, transportiert, und daher wird in der Ladeschleusenkammer 13 der Wafer vor der Behandlung WF auf den Träger C gelegt und der Wafer nach der Behandlung WF vom Träger C entfernt. Daher ist in der Ladeschleusenkammer 13 ein Halter 17 bereitgestellt, der den Träger C auf zwei vertikalen Ebenen stützt. 3A ist eine Draufsicht, die den Halter 17 zeigt, der in der Ladeschleusenkammer 13 bereitgestellt ist, und 3B ist eine Querschnittsansicht des Halters 17 einschließlich des Trägers C. Der Halter 17 gemäß der vorliegenden Ausführungsform umfasst eine feste Halterbasis 171; einen ersten Halter 172 und einen zweiten Halter 173, die zwei Träger C auf zwei vertikalen Ebenen stützen und die an der Halterbasis 171 so bereitgestellt sind, dass sie vertikal angehoben und abgesenkt werden können; und drei Waferhebestifte 174, die an der Halterbasis 171 so bereitgestellt sind, dass sie vertikal angehoben und abgesenkt werden können.
  • Der erste Halter 172 und der zweite Halter 173 (in der Draufsicht von 3A ist der zweite Halter 173 durch den ersten Halter 172 verdeckt und daher nur der erste Halter 172 dargestellt) haben an vier Punkten Vorsprünge zum Stützen des Trägers C, wobei ein Träger C auf den ersten Halter 172 und ein anderer Träger C auf den zweiten Halter 173 gelegt wird. Der Träger C, der auf dem zweiten Halter 173 ruht, wird in einen Spalt zwischen dem ersten Halter 172 und dem zweiten Halter 173 eingesetzt.
  • Der Halter 17 kann weiterhin mit einem dritten Halter versehen sein, der die Träger unter dem zweiten Halter 173 stützt, um die drei Träger C in drei Stufen vertikal zu stützen. In diesem Fall wird jeder der drei Träger C an jedem des ersten Halters 172, des zweiten Halters 173 und des dritten Halters montiert. Der auf dem dritten Halter montierte Träger C wird in den Spalt zwischen dem zweiten Halter 173 und dem dritten Halter eingesetzt.
  • 4 ist eine Draufsicht und Querschnittsansichten eines Transferprotokolls für den Wafer WF und den Träger C in der Ladeschleusenkammer 13 und zeigt ein Protokoll, bei dem ein vor der Behandlung befindlicher Wafer WF auf dem Träger C in einem Zustand ruht, in dem der Träger C von dem ersten Halter 172 gestützt wird, wie in 4B dargestellt. Mit anderen Worten, der zweite Roboter 141, der an der Werksschnittstelle 14 bereitgestellt ist, lädt einen Wafer WF, der in dem Waferlagerbehälter 15 gelagert ist, auf das zweite Blatt 143 und transportiert den Wafer WF durch die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 zu einem oberen Abschnitt des Halters 17, wie in 4B dargestellt. Als nächstes werden, wie in 4C dargestellt, die drei Waferhebestifte 174 relativ zur Halterbasis 171 angehoben und halten den Wafer WF vorübergehend fest, und das zweite Blatt 143 wird, wie in 4D dargestellt, zurückgezogen. Die drei Waferhebestifte 174 sind in Positionen bereitgestellt, die das zweite Blatt 143 nicht behindern, wie in der Draufsicht von 4A dargestellt. Als nächstes werden, wie in den 4D und 4E dargestellt, die drei Waferhebestifte 174 abgesenkt und der erste Halter 172 und der zweite Halter 173 angehoben, wodurch der Wafer WF auf dem Träger C platziert wird.
  • Umgekehrt werden beim Transport des Wafer nach der Behandlungs WF, der in einem auf dem Träger C ruhenden Zustand in die Ladeschleusenkammer 13 transportiert wird, wie in 4D dargestellt, die drei Waferhebestifte 174 angehoben und der erste Halter 172 und der zweite Halter 173 aus dem in 4E dargestellten Zustand abgesenkt, der Wafer WF wird nur von den Waferhebestiften 174 gestützt, und das zweite Blatt 143 wird zwischen dem Träger C und dem Wafer WF vorgeschoben, wie in 4C dargestellt, wonach die drei Waferhebestifte 174 abgesenkt werden, um den Wafer WF auf das zweite Blatt 143 zu laden, wie in 4B dargestellt, und die Hand des zweiten Roboters 141 wird betätigt. Auf diese Weise kann der Wafer WF, dessen Behandlung beendet ist, aus dem Träger C in den Waferlagerbehälter 15 entnommen werden. In dem in 4E dargestellten Zustand wird der Wafer WF, für den die Behandlung beendet ist, in einem auf dem Träger C ruhenden Zustand zum ersten Halter 172 transportiert, aber der Wafer WF kann mit einem ähnlichen Protokoll auch aus dem Träger C und in den Waferlagerbehälter 15 genommen werden, wenn der Wafer WF zum zweiten Halter 173 transportiert wird.
  • 6A ist eine Draufsicht, die ein Beispiel eines ersten Blatts zeigt, die an der Spitze einer Hand eines ersten Roboters angebracht ist, 6B ist eine Querschnittsansicht des ersten Blatts einschließlich eines Trägers C. Das erste Blatt 123 der vorliegenden Ausführungsform ist mit einer ersten Aussparung 124 versehen, die einen Durchmesser aufweist, der der äußeren Umfangswandoberfläche C13 des Trägers C auf einer Oberfläche eines streifenplattenförmigen Hauptkörpers entspricht. Der Durchmesser der ersten Aussparung 124 ist etwas größer ausgebildet als der Durchmesser der äußeren Umfangswandoberfläche C13 des Trägers C. Wenn der erste Roboter 121 den Wafer WF oder den leeren Träger C transferiert, montiert der erste Roboter 121 den Träger C an die erste Aussparung 124.
  • Als nächstes wird ein Protokoll zur Handhabung des Trägers C und des Wafers WF vor der Erzeugung der Epitaxieschicht (im Folgenden einfach als „Vorbehandlung“ bezeichnet) und nach der Erzeugung der Epitaxieschicht (im Folgenden einfach als „Nachbehandlung“ bezeichnet) in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform beschrieben. 7 bis 10 sind schematische Ansichten, die ein Handhabungsprotokoll für einen Wafer und einen Träger in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung der vorliegenden Ausführungsform illustrieren und dem Waferlagerbehälter 15 auf einer Seite der Vorrichtung, der Beladeschleusenkammer 13 und dem Reaktionsofen 11 in 1 entsprechen; eine Mehrzahl von Wafern W1, W2, W3, ... (z.B. insgesamt 25 Wafer) werden im Waferlagerbehälter 15 gelagert und die Behandlung wird in dieser Reihenfolge eingeleitet.
  • Schritt S0 in 7 zeigt einen Standby-Zustand, von dem aus die Behandlung mit der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 beginnen soll, und hat die Mehrzahl von Wafern W1, W2, W3, ... (z.B. insgesamt 25 Wafer) in dem Waferlagerbehälter 15 gelagert sind, einen leeren Träger C1 haben, der von dem ersten Halter 172 der Ladeschleusenkammer 13 gestützt wird, einen leeren Träger C2 haben, der von dem zweiten Halter 173 gestützt wird, und eine Inertgasatmosphäre in der Ladeschleusenkammer 13 haben.
  • Im nächsten Schritt (Schritt S1) lädt der zweite Roboter 141 den im Waferlagerbehälter 15 gelagerten Wafer W1 auf das zweite Blatt 143 und transferiert den Wafer W1 durch die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 an den Träger C1, der von dem ersten Halter 172 gestützt wird. Das Protokoll für diesen Transfer wurde mit Bezug auf 4 beschrieben.
  • Im nächsten Schritt (Schritt S2) wird die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen und in einem Zustand, in dem auch die zweite Tür 132 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 wieder ein Gasaustausch mit der Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die zweite Tür 132 geöffnet, der Träger C1 auf das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 geladen, das Absperrventil 114 des Reaktionsofens 11 geöffnet und der Träger C1, auf dem der Wafer W1 montiert ist, durch das Absperrventil 114 zum Suszeptor 112 transferiert. Das Protokoll für diesen Transfer wurde unter Bezugnahme auf 4 beschrieben. In den Schritten S2 bis S4 wird der CVD-Schichterzeugungsprozess auf dem Wafer W1 im Reaktionsofen 11 durchgeführt.
  • Mit anderen Worten, der Träger C1, auf dem der Wafer vor der Behandlung W1 montiert ist, wird zum Suszeptor 112 der Reaktionskammer 111 transferiert, und das Absperrventil 114 wird geschlossen, und nach dem Abwarten einer vorbestimmten Zeitspanne liefert die Gasversorgungseinrichtung 113 Wasserstoffgas in die Reaktionskammer 111, wodurch die Reaktionskammer 111 eine Wasserstoffgasatmosphäre erhält. Als nächstes wird der Wafer W1 in der Reaktionskammer 111 durch die Wärmelampe auf eine vorbestimmte Temperatur aufgeheizt und eine Vorbehandlung, wie z. B. Ätzen oder Wärmebehandlung, wird durchgeführt, wonach die Gaszufuhrvorrichtung 113 Rohmaterialgas zuführt, während sie die Durchflussmenge und/oder die Zufuhrzeit steuert. Dadurch wird eine CVD-Schicht auf der Oberfläche des Wafers W1 erzeugt. Nach der Erzeugung der CVD-Schicht versorgt die Gaszufuhreinrichtung 113 den Reaktionskammer 111 erneut mit Wasserstoffgas und die Reaktionskammer wird in eine Wasserstoffgasatmosphäre überführt, woraufhin das Protokoll für eine vorgegebene Zeitspanne ruht.
  • Während der Reaktionsofen 11 den Wafer W1 in den Schritten S2 bis S4 behandelt, entnimmt der zweite Roboter 141 den nächsten Wafer (W2) aus dem Waferlagerbehälter 15 und bereitet ihn für die nächste Behandlung vor. Zuvor, in Schritt S3 der vorliegenden Ausführungsform, wird die zweite Tür 132 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem auch die erste Tür 131 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die zweite Tür 132 geöffnet, der von dem zweiten Halter 173 gestützte Träger C2 wird durch den ersten Roboter 121 in den ersten Halter 172 transferiert, und die zweite Tür 132 wird geschlossen. Anschließend, in Schritt S4, lädt der zweite Roboter 141 den Wafer W2, der im Waferlagerbehälter 15 gelagert wurde, auf das zweite Blatt 143, die erste Tür 131 wird geöffnet, und der Wafer W2 wird auf den Träger C2 transferiert, der von dem ersten Halter 172 der Ladeschleusenkammer 13 gestützt wird.
  • Auf diese Weise wird in der vorliegenden Ausführungsform der Schritt S3 hinzugefügt und der im Waferlagerbehälter 15 gelagerte Wafer vor der Behandlung WF auf den ersten Halter 172 montiert, der der Halter der obersten Ebene des Halters 17 der Ladeschleusenkammer 13 darstellt. Dies geschieht aus den folgenden Gründen. Insbesondere besteht, wie in Schritt S2 dargestellt, wenn der leere Träger C2, auf dem der nächste Wafer W2 montiert werden soll, von dem zweiten Halter 173 gestützt wird, die Möglichkeit, dass der Träger C1, auf dem der Wafer nach der Behandlung W1 montiert ist, auf den ersten Halter 172 transferiert wird, sobald der Wafer W2 auf dem Träger C2 montiert ist. Der Träger C der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform wird zur Reaktionskammer 111 transportiert, und daher ist der Träger C ein Faktor bei der Partikelproduktion, und wenn der Träger C1 über dem Wafer vor der Behandlung W2 gehalten wird, kann Staub auf den Wafer vor der Behandlung W2 fallen. Daher wird der Schritt S3 hinzugefügt und der leere Träger C2 wird zum ersten Halter 172 transferiert, so dass der Wafer vor der Behandlung WF auf dem Halter der obersten Ebene (erster Halter 172) des Halters 17 der Ladeschleusenkammer 13 montiert wird.
  • In Schritt S5 wird die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen und in einem Zustand, in dem auch die zweite Tür 132 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird das Absperrventil 114 des Reaktionsofens 11 geöffnet, das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 wird in die Reaktionskammer 111 eingeführt und mit dem Träger C1 beladen, auf dem der Wafer nach der Behandlung W1 montiert ist, der Träger C1 wird aus der Reaktionskammer 111 herausgezogen und das Absperrventil 114 geschlossen, woraufhin die zweite Tür 132 geöffnet und der Träger C1 in den zweiten Halter 173 der Beladungsschleusenkammer 13 transferiert wird. Anschließend wird der von dem ersten Halter 172 gestützte Träger C2 auf das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 geladen, und, wie in Schritt S6 dargestellt, wird das Absperrventil 114 geöffnet und der Träger C2, auf dem der Wafer vor der Behandlung W2 montiert ist, durch die Wafertransferkammer 12 zum Suszeptor 112 des Reaktionsofens 11 transferiert.
  • In den Schritten S6 bis S9 wird der CVD-Schichterzeugungsprozess auf dem Wafer W2 im Reaktionsofen 11 durchgeführt. Mit anderen Worten, der Träger C2, auf dem der Wafer vor der Behandlung W2 montiert ist, wird zum Suszeptor 112 der Reaktionskammer 111 transferiert, und das Absperrventil 114 wird geschlossen, und nach dem Abwarten einer vorbestimmten Zeitspanne liefert die Gasversorgungseinrichtung 113 Wasserstoffgas in die Reaktionskammer 111, wodurch die Reaktionskammer 111 eine Wasserstoffgasatmosphäre erhält. Als nächstes wird der Wafer W2 in der Reaktionskammer 111 durch die Wärmelampe auf eine vorbestimmte Temperatur aufgeheizt und eine Vorbehandlung, wie z. B. Ätzen oder Wärmebehandlung, wird durchgeführt, wonach die Gaszufuhrvorrichtung 113 Rohmaterialgas zuführt, während sie die Durchflussmenge und/oder die Zufuhrzeit steuert. Dadurch wird eine CVD-Schicht auf der Oberfläche des Wafers W2 erzeugt. Nach der Bildung der CVD-Schicht versorgt die Gaszufuhreinrichtung 113 den Reaktionskammer 111 erneut mit Wasserstoffgas und die Reaktionskammer 111 wird in eine Wasserstoffgasatmosphäre überführt, woraufhin das Protokoll für eine vorgegebene Zeitspanne ruht.
  • Auf diese Weise lagert der zweite Roboter 141, während der Reaktionsofen 11 die Wafer W2 in den Schritten S6 bis S9 behandelt, den Wafer nach der Behandlung W1 im Waferlagerbehälter 15 und entnimmt außerdem den nächsten Wafer (W3) aus dem Waferlagerbehälter 15 und bereitet sich auf die nächste Behandlung vor. Mit anderen Worten: In Schritt S7 wird die zweite Tür 132 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem auch die erste Tür 131 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die erste Tür 131 geöffnet, der zweite Roboter 141 lädt den Wafer nach der Behandlung W1 auf das zweite Blatt 143 von dem Träger C1, der von dem zweiten Halter 173 gestützt wird, und, wie in Schritt S8 dargestellt, wird der Wafer nach der Behandlung W1 in dem Waferlagerbehälter 15 gespeichert. Anschließend wird in Schritt S8, ähnlich wie in dem oben beschriebenen Schritt S3, die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem die zweite Tür 132 ebenfalls geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die zweite Tür 132 geöffnet und der von dem zweiten Halter 173 gestützte Träger C1 wird durch den ersten Roboter 121 in den ersten Halter 172 transferiert.
  • Anschließend wird in Schritt S9 die zweite Tür 132 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem auch die erste Tür 131 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann lädt der zweite Roboter 141 den Wafer W3, der in dem Waferlagerbehälter 15 gelagert wurde, auf das zweite Blatt 143 und, wie in Schritt S9 dargestellt, wird die erste Tür 131 geöffnet und der Wafer W3 wird auf den Träger C1 transferiert, der von dem ersten Halter 172 der Ladeschleusenkammer 13 gestützt wird.
  • In Schritt S10 wird, ähnlich wie in dem oben beschriebenen Schritt S5, die erste Tür 131 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen und in einem Zustand, in dem auch die zweite Tür 132 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird das Absperrventil 114 des Reaktionsofens 11 geöffnet, das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 wird in die Reaktionskammer 111 eingeführt und mit dem Träger C2 beladen, auf dem der Wafer nach der Behandlung W2 montiert ist, und das Absperrventil 114 wird geschlossen, woraufhin die zweite Tür 132 geöffnet und der Träger C2 aus der Reaktionskammer 111 in den zweiten Halter 173 der Beladeschleusenkammer 13 transferiert wird. Anschließend wird der vom ersten Halter 172 gestützte Träger C1 auf das erste Blatt 123 des ersten Roboters 121 geladen, und, wie in Schritt S11 dargestellt, wird der Träger C1, auf dem der Wafer vor der Behandlung W3 montiert ist, durch die Wafertransferkammer 12 zum Suszeptor 112 des Reaktionsofens 11 transferiert.
  • In Schritt S10 wird, ähnlich wie in Schritt S7 beschrieben, die zweite Tür 132 der Ladeschleusenkammer 13 geschlossen, und in einem Zustand, in dem auch die erste Tür 131 geschlossen ist, findet im Inneren der Ladeschleusenkammer 13 ein Gasaustausch mit einer Inertgasatmosphäre statt. Dann wird die erste Tür 131 geöffnet, der zweite Roboter 141 lädt den Wafer nach der Behandlung W2 auf das zweite Blatt 143 von dem Träger C2, der auf dem zweiten Halter 173 gestützt wird, und, wie in Schritt S11 dargestellt, wird der Wafer nach der Behandlung W2 in dem Waferlagerbehälter 15 gelagert. Danach werden die obigen Schritte wiederholt, bis die Behandlung für alle im Waferlagerbehälter 15 gelagerten Wafer vor der Behandlung WF beendet ist.
  • Wie oben beschrieben, wird in der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform während der Behandlung im Reaktionsofen 11 der nächste Wafer vor der Behandlung WF aus dem Waferlagerbehälter 15 entnommen und vorbereitet, der Wafer nach der Behandlung WF im Waferlagerbehälter 15 gelagert und dergleichen, und so wird der Zeitaufwand allein für den Transport drastisch reduziert. In einem solchen Fall, wenn eine Anzahl von Standby-Trägern C in der Ladeschleusenkammer 13 auf zwei oder mehr eingestellt ist, wie mit dem Halter 17 in der vorliegenden Ausführungsform, kann ein Freiheitsgrad bei der Verkürzung der einfach beim Transport verbrauchten Zeit wesentlich erhöht werden.
  • Wenn die Anzahl der in der Ladeschleusenkammer 13 bereitstehenden Träger C auf 3 oder mehr eingestellt ist, steht nach dem Transfer des Trägers C1, auf dem der Wafer nach der Behandlung W1 montiert ist, in die Ladeschleusenkammer 13 in Schritt S6 mindestens ein leerer Träger C, auf dem keine Scheibe WF montiert ist, in der Ladeschleusenkammer 13 bereit, Daher kann der leere Träger zum Halter der obersten Ebene (erster Halter 172) des Halters 17 in der Ladeschleusenkammer 13 transferiert werden, ohne den Schritt S7 des Herausziehens des Wafer nach der Behandlungs W1 aus der Ladeschleusenkammer 13 zu durchlaufen. In diesem Fall kann der Wafer nach der Behandlung W1 im Schritt S9 des Transfers der Wafer vor der Behandlung W3 auf einen leeren Träger, der von dem ersten Halter 172 gestützt wird, aus der Lastschleusenkammer 13 herausgezogen werden. Daher ist es nicht notwendig, den Wafer nach der Behandlung W1 aus der Ladeschleusenkammer 13 zu entnehmen, um den leeren Träger in den ersten Halter 172 der Ladeschleusenkammer 13 zu transferieren, und die Wartezeit des ersten Roboters 121 im Schritt S7 kann reduziert werden. Das heißt, der Freiheitsgrad bei der Verkürzung des reinen Zeitverbrauchs beim Transport kann noch einmal deutlich erhöht werden.
  • Wenn also der für die Ladeschleusenkammer 13 vorgesehene Platz berücksichtigt wird, reduziert die Ausrichtung der mehreren Träger C in mehreren vertikalen Ebenen den für die Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 insgesamt vorgesehenen Platz im Vergleich zur Ausrichtung der mehreren Träger C von links nach rechts. Wenn jedoch die mehreren Träger C in mehreren vertikalen Ebenen ausgerichtet sind, kann der Träger C über einem Wafer vor der Behandlung WF gehalten werden und Staub kann auf den Wafer vor der Behandlung WF fallen. In der Gasphasenabscheidungsvorrichtung 1 gemäß der vorliegenden Ausführungsform werden jedoch die Schritte S3 und S8 hinzugefügt, und der leere Träger C2 wird zum ersten Halter 172 transferiert, so dass der Wafer vor der Behandlung WF auf dem Halter der obersten Ebene (erster Halter 172) des Halters 17 der Ladeschleusenkammer 13 montiert wird, und daher wird der Wafer vor der Behandlung WF auf dem Träger der obersten Ebene C montiert. Dadurch kann verhindert werden, dass vom Träger C stammende Partikel am Wafer WF anhaften, und die LPD-Qualität kann verbessert werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Gasphasenabscheidungsvorrichtung
    11
    Reaktionsofen
    111
    Reaktionskammer
    112
    Suszeptor
    113
    Gasversorgungsvorrichtung
    114
    Absperrventil
    115
    Trägerhebestift
    12
    Wafertransferkammer
    121
    Erster Roboter
    122
    Erste Robotersteuerung
    123
    Ersts Blatt
    124
    Erste Aussparung
    13
    Ladeschleusenkammer
    131
    Erste Tür
    132
    Zweite Tür
    14
    Werksschnittstelle
    141
    Zweiter Roboter
    142
    Zweite Robotersteuerung
    143
    Zweites Blatt
    15
    Waferlagerbehälter
    16
    Integrierte Steuerung
    17
    Halter
    171
    Halterbasis
    172
    Erster Halter
    173
    Zweiter Halter
    174
    Waferhebestift
    C
    Träger
    C11
    Untere Oberfläche
    C12
    Obere Oberfläche
    C13
    Äußere Umfangswandoberfläche
    C14
    Innere Umfangswandoberfläche
    WF
    Wafer
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 2017/0110352 [0004]

Claims (9)

  1. Gasphasenabscheidungsvorrichtung, die mit einem ringförmigen Träger versehen ist, der einen äußeren Rand eines Wafers stützt, und die eine Vielzahl der Träger verwendet, um: eine Vielzahl von Wafern vor der Behandlung von einem Waferlagerbehälter durch eine Werksschnittstelle, eine Ladeschleusenkammer und eine Wafertransferkammer in dieser Reihenfolge zu einer Reaktionskammer zu transportieren und eine Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle in dieser Reihenfolge zum Waferlagerbehälter zu transportieren, und bei dem die Ladeschleusenkammer über eine erste Tür mit der Werksschnittstelle kommuniziert und über eine zweite Tür auch mit der Wafertransferkammer kommuniziert, die Wafertransferkammer über ein Absperrventil mit der Reaktionskammer kommuniziert, in der eine CVD-Schicht auf dem Wafer gebildet wird, die Wafertransferkammer mit einem ersten Roboter versehen ist, der einen in die Ladeschleusenkammer transportierten Wafer vor der Behandlung in die Reaktionskammer in einem Zustand ablegt, in dem der Wafer vor der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und auch einen Wafer nach der Behandlung, für den die Behandlung in der Reaktionskammer beendet ist, aus der Reaktionskammer in einem Zustand entnimmt, in dem der Wafer nach der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und den Wafer zu der Ladeschleusenkammer transportiert, die Werksschnittstelle mit einem zweiten Roboter versehen ist, der einen Wafer vor der Behandlung aus dem Waferlagerbehälter entnimmt und den Wafer auf einem in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert, und außerdem einen auf dem Träger montierten Wafer nach der Behandlung, der in die Ladeschleusenkammer transportiert wurde, in dem Waferlagerbehälter lagert, und die Ladeschleusenkammer mit einem ersten Halter, der den Träger auf einer obersten Ebene stützt, und einem zweiten Halter, der den Träger unter dem ersten Halter stützt, versehen ist, wobei der zweite Roboter den aus dem Waferlagerbehälter entnommenen Wafer vor der Behandlung auf dem am ersten Halter in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert.
  2. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei der erste Roboter den von dem zweiten Halter gestützten Träger an den ersten Halter transferiert, wenn der erste Halter keinen Träger stützt, wenn der erste Roboter den vom zweiten Roboter aus dem Waferlagerbehälter entnommenen Wafer vor der Behandlung auf den in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert.
  3. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei der erste Roboter den Wafer nach der Behandlung, für den die Behandlung in der Reaktionskammer beendet ist, in dem Zustand, in dem der Wafer nach der Behandlung auf dem Träger montiert ist, aus der Reaktionskammer entnimmt und den Wafer zu dem zweiten Halter in der Ladeschleusenkammer transportiert.
  4. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Ladeschleusenkammer mit einem dritten Halter versehen ist, die den Träger unter dem zweiten Halter stützt.
  5. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der erste Roboter mit einem ersten Blatt versehen ist, an dem der Träger montiert ist.
  6. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach Anspruch 5, wobei das erste Blatt mit einer Aussparung versehen ist, die einem Teil einer äußeren Umfangswand der Trägeroberfläche auf einer Oberseite entspricht.
  7. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der zweite Roboter mit einem zweiten Blatt versehen ist, an dem der Wafer montiert ist.
  8. Gasphasenabscheidungsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei die CVD-Schicht eine Silizium-Epitaxieschicht ist.
  9. Gasphasenab scheidungsverfahren unter Verwendung einer Gasphasenabscheidungsvorrichtung, die mit einem ringförmigen Träger versehen ist, der einen äußeren Rand eines Wafers stützt, und die eine Vielzahl der Träger verwendet, um: eine Vielzahl von Wafern vor der Behandlung von einem Waferlagerbehälter durch eine Werksschnittstelle, eine Ladeschleusenkammer und eine Wafertransferkammer in dieser Reihenfolge zu einer Reaktionskammer zu transportieren und eine Vielzahl von Wafern nach der Behandlung von der Reaktionskammer durch die Wafertransferkammer, die Ladeschleusenkammer und die Werksschnittstelle in dieser Reihenfolge zum Waferlagerbehälter zu transportieren, und bei dem die Ladeschleusenkammer über eine erste Tür mit der Werksschnittstelle kommuniziert und über eine zweite Tür auch mit der Wafertransferkammer kommuniziert, die Wafertransferkammer über ein Absperrventil mit der Reaktionskammer kommuniziert, in der eine CVD-Schicht auf dem Wafer gebildet wird, die Wafertransferkammer mit einem ersten Roboter versehen ist, der einen in die Ladeschleusenkammer transportierten Wafer vor der Behandlung in die Reaktionskammer in einem Zustand ablegt, in dem der Wafer vor der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und auch einen Wafer nach der Behandlung, für den die Behandlung in der Reaktionskammer beendet ist, aus der Reaktionskammer in einem Zustand entnimmt, in dem der Wafer nach der Behandlung auf einem Träger montiert ist, und den Wafer zu der Ladeschleusenkammer transportiert, die Werksschnittstelle mit einem zweiten Roboter versehen ist, der einen Wafer vor der Behandlung aus dem Waferlagerbehälter entnimmt und den Wafer auf einem in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert, und außerdem einen auf dem Träger montierten Wafer nach der Behandlung, der in die Ladeschleusenkammer transportiert wurde, in dem Waferlagerbehälter lagert, und die Ladeschleusenkammer mit einem ersten Halter, der den Träger auf einer obersten Ebene stützt, und einem zweiten Halter, der den Träger unter dem ersten Halter stützt, versehen ist, wobei der zweite Roboter den aus dem Waferlagerbehälter entnommenen Wafer vor der Behandlung auf dem an dem ersten Halter in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert, und der erste Roboter den von dem zweiten Halter gestützten Träger an den ersten Halter transferiert, wenn der erste Halter keinen Träger stützt, wenn der erste Roboter den vom zweiten Roboter aus dem Waferlagerbehälter entnommenen Wafer vor der Behandlung auf den in der Ladeschleusenkammer bereitstehenden Träger montiert.
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