DE19844882A1 - In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung, In-Situ-Überwachungsverfahren für diese Vorrichtung und In-Situ-Reinigugnsverfahren zur Entfernung von Rückständen aus einer Plasmaätzkammer - Google Patents

In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung, In-Situ-Überwachungsverfahren für diese Vorrichtung und In-Situ-Reinigugnsverfahren zur Entfernung von Rückständen aus einer Plasmaätzkammer

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Description

Gebiet der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft eine In-Situ-Überwachungs-Plasma­ ätzvorrichtung mit einer ein Massenspektrometer umfassenden Restgasanalysator-Quadrupol-Massenspektrometer-Einrichtung (RGA-QMS = Residual Gas Analyzer-Quadrupole Mass Spectrometer). Sie betrifft zudem ein Verfahren zur In-Situ-Überwachung eines in einer Plasmaätzkammer durchgeführten Polysilizium-Ätzverfahrens und ein Reinigungsverfahren für die Ätzkammer unter Verwendung der ein Massenspektrometer umfassenden RGA-QMS-Einrichtung. Die vorliegende Erfindung betrifft zudem ein In-Situ-Reinigungsverfahren zur Entfernung von Rückständen aus der Plasmaätzkammer unter Verwendung einer RGA-QMS-Einrichtung, wobei das Reinigungsverfahren für die Ätzkammer durch Überwachung der Mechanismen der in der Kammer ablaufenden Gasreaktionen optimiert wird.
Beschreibung des Standes der Technik
Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen werden im allgemeinen in Prozeßkammern durchgeführt, in denen bestimmte Prozeßbedingungen vorliegen und in denen eine entsprechende Prozeßumgebung geschaffen wird. Bei Plasmaätzverfahren und bei der plasmagestützten chemischen Dampfabscheidung (PECVD = plasma enhanced chemical vapour deposition) werden insbesondere viele Nebenprodukte erzeugt, die mit Gas oder mit dem Photoresist usw. reagieren, so daß Polymere gebildet werden. Da sich die bei dem Plasmaverfahren erzeugten Nebenprodukte an der Waferoberfläche und an der Innenfläche der Prozeßkammer anlagern, verändern sich die Prozeßparameter und es werden Teilchen erzeugt, die die Ursache für Waferdefekte bilden, was wiederum zu einer geringeren Ausbeute bei der Produktion führt.
Zur Verringerung der Defekte erfolgt für eine bestimmte Zeit eine vorbeugende Wartung (PM = preventive maintenance) für die Prozeßkammer, wobei das Nicht-Betreiben der Anlage zu einer Verringerung der Produktivität führt.
Fig. 1 zeigt ein PM-Verfahren für eine herkömmliche Prozeßkammer. Das PM-Verfahren wird so durchgeführt, daß für einen Halbleiterwafer eine spezielle Verarbeitung erfolgt, daß das System abgeschaltet wird, daß das System seinen Betrieb einstellt und daß das System abgekühlt wird. Wenn die Prozeßkammer ausreichend stark abgekühlt ist, werden die Einzelteile oder Bauteile der Prozeßkammer demontiert und die Oberflächen der demontierten Bauteile wird naßgeätzt, wobei die durch das Plasma erzeugten Nebenprodukte entfernt werden. Zum Entfernen des Polysilizium-Films oder des Siliziumnitrid-Films werden üblicherweise Chemikalien der HF-Gruppe verwendet. Nach der Montage der demontierten Bauteile wird die Vakuumpumpe wieder betätigt und mit dem Pumpen begonnen, um die Prozeßkammer auf einem bestimmten Druck zu halten. Die Prozeßkammer wird mit den zu testenden Wafern beladen, die einem Alterungsvorgang unterworfen werden. Um zu überprüfen, ob die Prozeßkammer betriebsbereit ist, erfolgt eine Neuzulassung des Verfahrens.
Das PM-Verfahren erweist sich jedoch als problematisch, da es mit großen Unkosten und hohen Leistungsverlusten verbunden ist und so zu einer Durchführung mehr als 24 Stunden erforderlich sind. Zur Lösung dieser Probleme kann anstatt eines Naßätzverfahrens ein Plasmaätzverfahren unter Verwendung von NF3, CF4 oder ein thermisches Schockverfahren verwendet werden, um die in der Kammer ausgebildeten Filme durch thermische Spannungen zu zerstören. Es kann auch ein Trockenätzverfahren unter Verwendung von ClF3, BrF5 durchgeführt werden.
Selbst bei Verwendung dieser Verfahren ist jedoch nach wie vor noch ein Ausbau oder eine Montage/Demontage erforderlich, was zu ökonomischen Verlusten und zu Leistungsverlusten führt.
Es wurde auch eine In-Situ-Reinigung der Prozeßkammer unter Verwendung eines Trockenätzgases durchgeführt, wobei es sich jedoch als schwierig erwies, den genauen Reaktionsmechanismus herauszufinden und die Effizienz bei der Durchführung einer Reinigung zu erfassen.
Zusammenfassung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung betrifft die Schaffung einer In-Situ-Über­ wachungs-Plasmaätzvorrichtung mit einer Reinigungsgas-Versorgungseinrichtung, einer Probenentnahme-Verteilereinrichtung und einer Gasanalyseneinrichtung zur In-Situ-Reinigung einer Prozeßkammer, mit der sich eines oder mehrere der auf die Nachteile und Beschränkungen des Standes der Technik zurückzuführenden Probleme im wesentlichen lösen lassen.
Eine andere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung eines In-Situ-Überwachungsverfahrens für ein Ätzverfahren zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode bzw. Polysilizium-Speicherelementes eines Halbleiterwafers und in der Schaffung eines In-Situ-Reinigungsverfahrens für die Prozeßkammer nach der Durchführung des Ätzverfahrens.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht in der Schaffung eines optimierten In-Situ-Reinigungsverfahrens zur Entfernung der in der Plasmaprozeßkammer verbliebenen Rückstände unter Verwendung einer Restgasanalysator-Quadrupol-Massenspektrometer-Einrichtung (RGA-QMS = Residual Gas Analyzer-Quadrupole Mass Spectrometer).
Zum Erreichen dieser und anderer Vorteile umfaßt eine erfindungsgemäße In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung der hier beschriebenen Art folgende Bauteile: eine Prozeßkammer zur Durchführung eines Ätzverfahrens unter Verwendung eines Plasmas; eine Prozeßgas-Versorgungseinrichtung zum Zuführen eines Prozeßgases in die Prozeßkammer; eine Abgasauslaßeinrichtung zum Entfernen von Abgas aus der Prozeßkammer nach Durchführung des Verfahrens unter Verwendung einer Pumpeinrichtung; eine mit der Prozeßkammer verbundene Probenentnahme-Einrichtung zur Entnahme von Gasproben des sich in der Prozeßkammer befindenden Gases unter Ausnutzung einer Druckdifferenz; und eine Gasanalyseneinrichtung zur Analyse der Gasproben aus der Probenentnahme-Verteilereinrichtung.
Die Prozeßkammer ist eine Kammer zur Durchführung eines Ätzverfahrens zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode eines Halbleiterkondensators bzw. Halbleiterkondensatspeichers unter Verwendung eines Plasmas. Das durch die Prozeßgas-Versorgungseinrichtung zugeführte Prozeßgas umfaßt SF6-Gas und Cl2-Gas. In die Prozeßkammer und in die Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung wird zudem ein Zusatzgas oder ein Trägergas, wie zum Beispiel Stickstoff, eingeführt.
In der Prozeßkammer ist ein optisches Emissionsspektroskop (OES = Optical Emission Spectroscop) zur Überwachung der Veränderung der Wellenlänge eines bestimmten Gases installiert.
Die Prozeßkammer ist mit einer Ladeschleusenkammer verbunden, in der die geätzten Gegenstände unter einem hohen Vakuum gehalten werden. Die Prozeßkammer und die Ladeschleusenkammer umfassen jeweils ein Oszilloskop zur Überwachung von Druckänderungen.
In der Probenentnahme-Verteilereinrichtung ist eine kritische Öffnung angebracht, um den Innendruck der Probenentnahme-Verteilereinrichtung auf dem gleichen Pegel zu halten wie in der Prozeßkammer.
Die Probenentnahme-Verteilereinrichtung umfaßt ein erstes Luftventil, ein zweites Luftventil, ein erstes Absperrventil, ein zweites Absperrventil, ein drittes Absperrventil und ein Tor- oder Gateventil, die von einer Verbindungseinrichtung zu der Prozeßkammer aus aufeinanderfolgend angeordnet sind. In die Probenentnahme-Verteilereinrichtung wird ein Trägergas zum Reinigen eingespeist. Eine Trägergasversorgungsleitung ist von einer Trägergasversorgungsquelle aus mit dem ersten Luftventil und dem zweiten Luftventil verbunden, wobei in der Leitung zu dem ersten Luftventil und dem zweiten Luftventil noch ein drittes Luftventil bzw. ein viertes Luftventil angeordnet sind.
Zwischen dem ersten Absperrventil und dem zweiten Absperrventil der Probenentnahme-Verteilereinrichtung ist eine kapazitive Druckmeßeinrichtung (CM = capacitance manometer gauge) und eine Drucksteuerungs-Aus­ strömung mit einer Pumpe zur Steuerung des Druckes zwischen der Prozeßkammer und der Probenentnahme-Verteilereinrichtung angeordnet.
Zudem ist eine Gaswascheinrichtung zum Reinigen des durch die Pumpeinrichtung der Abgasauslaßeinrichtung strömenden Abgases installiert, wobei das durch die Gasanalyseneinrichtung strömende Gas durch die Gaswascheinrichtung ausströmt.
Bei der Gasanalyseneinrichtung handelt es sich um eine RGA-QMS-Ein­ richtung (RGA-QMS = Residual Gas Analyzer-Quadrupol Mass Spectrometer = Restgasanalysator-Quadrupol-Massenspektrometer) mit einem Massenspektrometer, einer Turbopumpe und einer Ausheizpumpe.
Ein anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein In-Situ-Über­ wachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung mit folgenden Bauteilen: eine Prozeßkammer zur Durchführung eines Ätzverfahrens unter Verwendung eines Plasmas; eine Prozeßgas-Ver­ sorgungseinrichtung zum Zuführen eines Prozeßgases in die Prozeßkammer; eine Abgasauslaßeinrichtung zum Entfernen von Abgas aus der Prozeßkammer nach Durchführung des Verfahrens unter Verwendung einer Pumpeinrichtung; eine mit der Prozeßkammer verbundene Probenentnahme-Verteilereinrichtung zur Entnahme von Gasproben des sich in der Prozeßkammer befindenden Gases mittels einer Druckdifferenz; und eine Gasanalyseneinrichtung zur Entnahme der Gasproben aus der Probenentnahme-Verteilereinrichtung, wobei das In-Situ-Über­ wachungsverfahren die folgenden Schritte umfaßt:
  • a) Entnahme von Gasproben des sich in der Prozeßkammer befindenden Gases unter Verwendung der Probenentnahme-Verteilereinrichtung;
  • b) Ausheizen oder Austreiben des Gases zum Absenken des Anfangshintergrundwertes der Gasanalyseneinrichtung unter einen bestimmten Wert und Entgasen;
  • c) Durchführung eines Ätzverfahrens zur Bildung einer Poly­ silizium-Speicherelektrode eines Halbleiterwafers in der Prozeßkammer und Überwachung des Reaktionsmechanismus des Prozeßgases;
  • d) Entnahme des Wafers nach Beendigung des Ätzvorganges und Ausströmenlassen des Abgases aus der Prozeßkammer; und
  • e) In-Situ-Zuführung eines Reinigungsgases in die Prozeßkammer und Überwachung des Reaktionsmechanismus des Reinigungsgases in der Prozeßkammer.
Bei dem für das Polysilizium-Ätzverfahren verwendeten Ätzgas handelt es sich um Cl2. Die Gasanalyseneinrichtung ist eine RGA-QMS-Einrichtung mit einem Massenspektrometer. In der Prozeßkammer ist außerdem eine OES-Ein­ richtung (OES = Optical Emission Spectroscop = optisches Emissionsspektroskop) installiert. Zudem wird die Wellenlängenveränderung von SlClx während des Ätzvorganges überwacht.
Bei dem Ätzgas für das Polysilizium-Ätzverfahren handelt es sich um SF6+Cl2-Gas. Die Gasanalyseneinrichtung ist eine RGA-QMS-Einrichtung mit einem Massenspektrometer.
In der Prozeßkammer ist zudem eine OES-Einrichtung (OES = Optical Emission Spectroscop = optisches Emissions-Spektroscop) installiert. Zudem wird die Wellenlängenveränderung von SlFx während des Ätzvorganges überwacht.
Bei dem für das Polysilizium-Ätzverfahren verwendeten Reinigungsgas handelt es sich um Cl2-Gas+SF6-Gas. Die Gasanalyseneinrichtung ist eine RGA-QMS-Einrichtung mit einem Massenspektrometer.
In der Prozeßkammer ist außerdem eine OES-Einrichtung (OES = Optical Emission Spectroscop = optisches Emissionsspektroskop) installiert. Außerdem wird die Wellenlängenveränderung von SlFx während des Reinigungsvorganges überwacht.
Die Prozeßkammer ist mit einer Ladeschleusenkammer verbunden, die unter einem hohen Vakuum steht. In der Prozeßkammer und in der Ladeschleusenkammer ist jeweils ein Oszilloskop zur Überwachung von Druckänderungen installiert. Nach Durchführung des Ätzverfahrens wird der Wafer entnommen, wobei die Druckänderungen in der Prozeßkammer und in der Ladeschleusenkammer überwacht werden. Die Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung und die Gasanalyseneinrichtung werden kontinuierlich mit einem Reinigungsgas gereinigt, wobei die Probenentnahme durch die Probenentnahme-Verteilereinrichtung gestoppt wird, so daß sich eine größere Zuverlässigkeit bei der Analyse ergibt.
Zusätzlich hierzu wird vor einer neuen Probenentnahme durch die Probenentnahme-Verteilereinrichtung vorzugsweise das in der Gasanalyseneinrichtung vorhandene Gas ausgeheizt oder ausgetrieben und es wird eine Entgasung durchgeführt, so daß der Hintergrundwert unter einen bestimmten Wert absinkt und die Zuverlässigkeit der Analyse erhöht wird.
Ein anderer Aspekt der vorliegenden Erfindung betrifft ein In-Situ-Reinigungsverfahren zum Entfernen von Rückständen aus einer Plasmaätzkammer, in der ein Ätzverfahren zur Bildung einer Poly­ silizium-Speicherelektrode eines Halbleiterkondensators unter Verwendung von Plasma durchgeführt wird, wobei das In-Situ-Reinigungsverfahren die folgenden Schritte umfaßt:
  • a) Entnahme des Halbleiterwafers aus der Ätzkammer nach Durchführung des Ätzverfahrens;
  • b) Zuführung von SF6-Gas+Cl2-Gas in die Prozeßkammer und Durchführung einer Reinigung der Prozeßkammer von den Ätzrückständen; und
  • c) Auspumpen und Entfernen der Rückstände aus der Prozeßkammer.
Das Verfahren umfaßt als weiteren Verfahrensschritt zudem das Entnehmen des Wafers und das Ausströmenlassen des Abgases in der Prozeßkammer.
In der Prozeßkammer ist eine Probenentnahm-Verteilereinrichtung zur Entnahme von Gasproben des sich in der Prozeßkammer befindenden Gases unter Ausnutzung einer Druckdifferenz installiert. Die Prozeßkammer umfaßt eine RGA-QMS-Einrichtung zur Analyse der Gasproben aus der Probenentnahme-Verteilereinrichtung und zur Überwachung des Reaktionsmechanismus des Gases während der Reinigung von den Ätzrückständen.
Zusätzlich hierzu wird typischerweise das Ende des Reinigungsvorganges durch Analyse der Überwachungsergebnisse der RGA-QMS-Einrichtung bestimmt. Vorzugsweise wird das Ende des Ätzens beim Reinigungsvorgang durch Analyse der Überwachungsergebnisse der RGA-QMS-Einrichtung optimiert, wobei der Druck und die Temperaturbedingungen in der Prozeßkammer verändert werden.
Zusätzlich hierzu erfolgt zwischen dem Reinigungsschritt zum Entfernen der Rückstände aus der Prozeßkammer und dem Pumpschritt ein Alterungsschritt.
Der Alterungsschritt erfolgt durch Stoppen der SF6-Gaszufuhr in die Prozeßkammer und durch Einleiten von Cl2-Gas in die Kammer, wobei bei dem Alterungsschritt zusätzlich noch Stickstoff in die Prozeßkammer eingeleitet wird.
Erfindungsgemäß wird somit ein Plasmaätzverfahren zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode eines Halbleiterkondensators unter Verwendung der Probenentnahme-Verteilereinrichtung und der Gasanalyseneinrichtung durchgeführt, wobei der Reaktionsmechanismus der Gase während des Reinigungsvorganges in der In-Situ-Prozeßkammer genau überwacht wird, so daß der Reinigungsprozeß optimiert wird. Zudem wird das Verfahren einfacher und effektiver gestaltet.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
In den Zeichnungen zeigen:
Fig. 1 einen Prozeßablauf eines herkömmlichen Reinigungsverfahrens zum Entfernen von Rückständen aus einer Plasmaprozeßkammer;
Fig. 2 in schematischer Darstellung die Anordnung um eine erfindungsgemäße In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung;
Fig. 3 eine ausführliche Darstellung der In-Situ-Über­ wachungsvorrichtung gemäß Fig. 2;
Fig. 4 in schematischer Darstellung den Prozeßablauf bei der Analyse des Ätzverfahrens und des Reinigungsverfahrens;
Fig. 5 die Analysenergebnisse der RGA-QMS-Einrichtung mit dem Amplitudenverhalten der bei dem Ätzverfahren zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode verwendeten Hauptgase;
Fig. 6 ein Spektrum eines 233er Abtastvorganges des Hauptätzschrittes in Fig. 5;
Fig. 7 die Analysenergebnisse der OES-Einrichtung für das Ätzverfahren zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode gemäß Ätzanweisung 1;
Fig. 8 die Analysenergebnisse der RGA-QMS-Einrichtung mit dem Amplitudenverhalten der bei dem Ätzverfahren zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode gemäß Ätzanweisung 2 verwendeten Hauptgase;
Fig. 9 ein Spektrum eines 172er-Abtastvorganges des Hauptätzschrittes in Fig. 8;
Fig. 10 OES-Analysenergebnisse des Ätzverfahrens zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode gemäß Ätzanweisung 2;
Fig. 11 die Analysentendenz bei den RGA-QMS-Ergebnissen der Hauptgase in der Prozeßkammer bei einem erfindungsgemäßen In-Situ-Reinigungsvorgang;
Fig. 12 die Analysentendenz bei den RGA-QMS-Ergebnissen der Hauptgase in der Prozeßkammer bei einem In-Situ-Reinigungs­ verfahren, bei dem die Zeit für den Hauptätzvorgang länger ist als in Fig. 11;
Fig. 13 die Analysentendenz der RGA-QMS-Ergebnisse der Hauptgase während der Durchführung des optimierten In-Situ-Reinigungs­ verfahrens in der Prozeßkammer.
Ausführliche Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele
Nachstehend werden bevorzugte erfindungsgemäße Ausführungsbeispiele ausführlich beschrieben, die in den zugehörigen Zeichnungen beispielhaft dargestellt sind.
Fig. 2 zeigt in einer schematischen Darstellung die Anordnung um eine erfindungsgemäße In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung, während Fig. 3 eine ausführliche Darstellung der In-Situ-Überwachungsvorrichtung gemäß Fig. 2 zeigt.
Eine herkömmliche Trockenätzvorrichtung umfaßt mehrere Prozeßkammern 10; eine Ladeschleusenkammer 14 mit einem (nicht dargestellten) Transportroboter, die zwischen der Prozeßkammer 10 und einer Vorrichtung 16 zum Transport eines Waferhalters angeordnet ist, die die auf einem Halter angebrachten Wafer der Ladeschleusenkammer 14 zuführt; und mit einem Ausrichtungsteil 12 zum Ausrichten einer flachen Kante der Wafer, durch das die Wafer vor dem Einführen in die Prozeßkammer 10 ausgerichtet werden. In der Prozeßkammer 10 wird ein Ätzverfahren unter Verwendung eines Plasmas durchgeführt. Ein Ätzgas wird von einer Ätzgasversorgungsquelle 20 aus über einen Gasversorgungsteil 22 in die Prozeßkammer 10 geleitet, während das beim Ätzen erzeugte Abgas nach einem Reinigungsvorgang ausströmt, wobei es durch eine Auslaßleitung strömt und eine Entleerungsvakuumpumpe 30 und eine Gaswascheinrichtung 40 passiert.
Eine Probenentnahme-Verteilereinrichtung 50 ist so angeordnet, daß man mit ihr Gasproben aus der Prozeßkammer 10 entnehmen kann, um Veränderungen des Gasmechanismus zu untersuchen. Die die Probenentnahme-Verteilereinrichtung 50 durchströmenden Gasproben werden durch eine Gasanalyseneinrichtung 80 In-Situ überwacht. Hinter der Gasanalyseneinrichtung 80 ist eine Probenentnahme-Vakuumpumpe 100 für eine kontinuierliche Probenentnahme und Gasanalyse angeordnet. Das Abgas wird in der Gaswascheinrichtung 40 gereinigt, bevor es ausströmt.
In der Prozeßkammer 10 kann zudem ein optisches Emissionsspektroskop (OES = Optical Emission Spectroscop) installiert sein. Das OES ist eine Einrichtung zur Messung der Intensitätsveränderung einer bestimmten Wellenlänge des von dem Reaktionsmaterial des Wafers und den bei dem Plasmatrockenätzverfahren oder dem CVD-Verfahren usw. verwendeten Gasen emittierten Lichtes. Da die Farbe und die Wellenlänge des Lichtes in Abhängigkeit von der Art der Gase und der geätzten Schichten eines Halbleitersubstrates unterschiedlich sind, wird die Intensität der Wellenlänge des Lichtes erfaßt, wobei sich aus den dargestellten Ergebnissen Punkte ermitteln lassen, an denen sich die Wellenlänge abrupt verändert. Die Ätzzeit zum Ätzen einer bestimmten Schicht wird demgemäß dadurch bestimmt, daß das Ende des Ätzvorganges an dem Grenzschichtpunkt zwischen der zu ätzenden Schicht und der darunterliegenden Schicht erfaßt wird.
Beim Einführen/Entnehmen des Wafers in/aus der Prozeßkammer 10 werden Teilchen aus der Prozeßkammer 10 in die Ladeschleusenkammer 14 eingeführt, die zu einer Verunreinigung der anderen benachbarten Prozeßkammern 10 führen. Zwischen der Prozeßkammer 10 und der Ladeschleusenkammer 14 ist ein Drucksensor angebracht. Die OES-Einrichtung ist mit dem Drucksensor verbunden, um auftretende Druckänderungen bei den einzelnen Verfahrensschritten analysieren zu können.
Die Entnahme von Gasproben und die Analyseleitung werden nachstehend anhand von Fig. 3 beschrieben. In der Außenwand der Prozeßkammer 10 ist eine Probenentnahmeöffnung 56 angeordnet, die über eine aus einem elastischen Material bestehende Verbindungseinrichtung 52 mit der Probenentnahme-Verteilereinrichtung 50 verbunden ist. Eine Probenentnahmeleitung 54 der Probenentnahme-Verteilereinrichtung 50 besteht aus einem elektrochemisch polierten rostfreien Stahl mit einem Durchmesser von 3/8 Zoll. Entlang der Probenentnahmeleitung 54 sind aufeinanderfolgend ein erstes Luftventil 62, ein zweites Luftventil 66, ein erstes Absperrventil 68, ein zweites Absperrventil 70, ein drittes Absperrventil 72 und ein Tor- oder Gateventil 74 miteinander verbunden. Das erste Luftventil 62 und das zweite Luftventil 66 besitzen jeweils eine Öffnung von 100 µm, während in dem dritten Absperrventil 72 eine Öffnung von 250 µm ausgebildet ist.
Stickstoffgas von einer Trägergasversorgungsquelle 24 wird über eine Verteilungseinrichtung 58 dem ersten Luftventil 62 und dem zweiten Luftventil 66 zugeleitet, so daß der Probenentnahme-Verteilereinrichtung 50 stets ein Reinigungsgas zugeleitet wird, selbst wenn keine Probenentnahme stattfindet. Zusätzlich hierzu ist zwischen dem ersten Absperrventil 68 und dem zweiten Absperrventil 70 eine kapazitive Druckmeßeinrichtung 76 (CM = capacitance manometer gauge) installiert. Zwischen den beiden Ventilen 68 und 70 verzweigt sich die Probenentnahmeleitung 54 so, daß sie eine in der Gasanalyseneinrichtung 80 angeordnete Probenentnahmepumpe 90 passiert und mit der Gaswascheinrichtung 40 verbunden ist.
Die Gasanalyseneinrichtung 80 ist mit der mit dem Torventil 74 versehenen Endseite der Probenentnahmeleitung 54 verbunden. Als Gasanalyseneinrichtung wird eine kommerzielle Restgasanalysator-Quadru­ pol-Massenspektrometer-Einrichtung (RGA-QMS-Einrichtung = Residual Gas Analyzer-Quadrupol Mass Spectrometer) verwendet, die ein Massenspektrometer 84 umfaßt und über eine Turbopumpe 86, eine Ausheizpumpe 88 und eine Probenentnahmepumpe 90 mit der Gaswascheinrichtung 40 verbunden ist. Das Massenspektrometer 84 umfaßt einen Ionisationsmanometer oder Ionisationsvakuummeter 82.
Die als Gasanalyseneinrichtung 80 verwendete RGA-QMS-Einrichtung ist kommerziell erhältlich. Die Durchführung einer Gasanalyse unter Verwendung des Massenspektrometers umfaßt die folgenden Verfahrensschritte: Entnahme von Proben des benutzten oder in der Prozeßkammer 10 verbliebenen Gases; Zusammentreffenlassen der Gasmoleküle mit Elektronen, die mit einer Potentialdifferenz von 70 eV beschleunigt wurden, um die Gasmoleküle zu ionisieren; und Durchströmenlassen des ioniersierten Gases durch die RGA-QMS-Einrichtung, in der ein Gleichstrom und ein Wechselstrom konstant aufrecht erhalten werden, so daß lediglich die Ionen mit einem bestimmten Massenverhältnis bzw. ratio of mars to electron (m/z) passieren können. Hierdurch läßt sich der Gasmechanismus der nach der Kollision erzeugten Ionen untersuchen. Die RGA-QMS-Einrichtung besteht bei der vorliegenden Erfindung aus einem beweglichem System, bei dem im Gegensatz zu einer für ein typisches Sputterverfahren verwendeten offenen Ionenquelle (OIS = Open Ion Source) eine geschlossene Ionenquelle (CIS = Closed Ion Source) verwendet wird, so daß sowohl das Prozeßgas als auch das Grundgas oder Bulkgas analysiert wird.
Der Probenentnahmedruck in der Probenentnahme-Verteilereinrichtung 50 wird so gesteuert, daß er unter dem Druck in der Prozeßkammer liegt, wobei eine kritische Öffnung mit einem Durchmesser von 100/250 µm verwendet wird.
Fig. 4 zeigt anhand einer schematischen Darstellung den Prozeßverlauf bei der Analyse des Ätzverfahrens in der Prozeßkammer gemäß Fig. 2 und des In-Situ-Reinigungsverfahrens. Zuerst erfolgt der RGA-QMS-Anwendungstest. Die Gasanalyseneinrichtung 80 ist mit der Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung 50 verbunden, so daß Stickstoffgas in die RGA-QMS-Ein­ richtung eingeleitet wird, wobei das erste Luftventil 62 und das dritte Luftventil 60 geschlossen sind, während das zweite Luftventil 66 und das vierte Luftventil 64 offen sind. Nun wird das vierte Luftventil 64 geschlossen und das erste Luftventil 62 geöffnet und es wird mit der Entnahme von Gasproben aus der Prozeßkammer 10 begonnen. Durch Betätigung der Probenentnahmepumpe 90 in erforderlichem Umfang, der durch den von der kapazitiven Druckmeßeinrichtung CM (CM = capacitance manometer gauge) angezeigten Druck bestimmt wird, wird der Druck in der Prozeßkammer 10 und der Probenentnahmeleitung 54 gesteuert.
Nun wird ein RGA-QMS-Ausheiztest durchgeführt. Das bedeutet, daß nach der Installation des Quadrupol-Massenspektrometers in der RGA-QMS-Kammer (nicht dargestellt) ein Ausheizen zur Verringerung des Hintergrundwertes durchgeführt wird. Da es sich bei der RGA-QMS-Einrichtung um eine empfindliche Einrichtung bezüglich der Verunreinigung des Analysesystems selbst handelt, wird bei jeder Analysezeit das Hintergrundspektrum analysiert, wobei der Verunreinigungszustand bezüglich Feuchtigkeit und bezüglich Sauerstoffelementen untersucht werden sollte. Bei einem hohen Verunreinigungspegel wird die Prozeßkammer bei einer Temperatur von etwa 250°C ausgeheizt, während die Probenentnahme-Verteilereinrichtung bei einer Temperatur von etwa 150°C ausgeheizt wird, so daß die Verunreinigungen miniert werden und sich steuern lassen. Das heißt Überwachen der molekularen Verunreinigungen (H2O, H2, O2, Ar, CO2) als Verunreinigung oder Fremdstoffe, Beschleunigen des Entgases der Verunreinigungen durch Ausheizen zur Analyse des Anfangshintergrundwertes der RGA-QMS-Einrichtung.
Durch Durchführung eines bestimmten Verfahrens für Halbleiterwafer und eine erneute Probenentnahme wird nun das Ergebnis für das Verfahren analysiert. Das heißt, das die Analyse beispielsweise durch eine Inlineüberwachung des Reaktionsmechanismusses des Ätzgases erfolgt, wie zum Beispiel bei dem Hauptätzschritt, der einen wichtiger Schritt bei dem Ätzverfahren zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode bei einem DRAM-Verfahren bildet und beim Überätzen usw.
Bei der Entnahme des Wafers aus der Prozeßkammer nach Durchführung des Polysilizium-Ätzverfahrens und beim Zuführen von Reinigungsgas in die Prozeßkammer wird die Prozeßkammer In-Situ gereinigt. Während des Reinigungsvorganges wird das entnommene Ätzgas und der Reaktionsmechanismus des Gases bei dem Reingigungsvorgang mittels der RGA-QMS-Einrichtung analysiert. Durch die Analyse des Gases vor/nach dem Reinigungsverfahren und der Analyse bezüglich der Teilchenverunreinigungen usw. wird der Einfluß auf das In-Situ-Reinigungsverfahren bestimmt und schließlich wird der Verfahrensablauf bezüglich der Zeit, des Druckes und der Temperatur optimiert.
Bei der vorliegenden Erfindung wird das bei einem relativ niedrigen Druck durchgeführte Ätzverfahren analysiert, wobei in der Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung eine kritische Öffnung von 250 µm verwendet wird. Die RGA-QMS-Einrichtung liefert in 6, 7 Sekunden ein Spektrum zwischen 1 und 200 u (u = amu atomare Masseneinheit oder Atommasseneinheit). Während jeder Analysezeit vor/nach der Probenentnahme werden das RGA-QMS-Spektrum und das Hintergrundspektrum der Probenröhre bestätigt, um die Zuverlässigkeit der Analysenergebnisse zu gewährleisten.
Bei dem erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel wird das Ätzverfahren zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode auf zwei Arten durchgeführt:
Bei dem Verfahrensablauf 1 wird Cl2-Gas als Ätzgas für die Poly­ silizium-Speicherelektrode verwendet. Fig. 5 zeigt die durch die RGA-QMS-Ein­ richtung erhaltenen Analysenergebnisse der Amplitudentendenz der bei dem Ätzverfahren für die Polysilizium-Speicherelektrode verwendeten Hauptätzgase. Fig. 6 zeigt ein Spektrum bei einem 233er Scan oder Abtastvorgang des Hauptätzschrittes in Fig. 5. Fig. 7 zeigt die OES-Analysenergebnisse für das Polysilizium-Speicherätzverfahren gemäß Verfahrensablauf 1.
Aus den Fig. 5 und 6 ergibt sich, daß das Polysilizium durch das Ätzmittel Cl2 zu einem Gas, wie zum Beispiel SiCLx (SiCl⁺, SiCl3⁺) geätzt wird. Die graphische Form der SiCl3⁺-Kurve bei der RGA-QMS-Darstellung stimmt mit dem Ergebnis des Endpunktbestimmungsspektrums (EPD-Spektrum = Endpoint Detection Spectrum) bei 405 nm in Fig. 7 überein.
Bei dem Verfahrensablauf 2 wird als nächstes SF6+Cl2-Gas als Ätzgas für die Polysilizium-Speicherelektrode verwendet.
Fig. 8 zeigt die RGA-QMS-Analysenergebnisse der Amplitudentendenz der bei dem Polysilizium-Speicherelektroden gemäß Verfahrensablauf 2 verwendeten Hauptgase. Fig. 9 zeigt ein Spektrum bei einem 172er Scan des Hauptätzschrittes in Fig. 8. Fig. 10 zeigt ein OES-Analysenergebnis für das Polysilizium-Speicherätzverfahren gemäß der Ätzanweisung oder dem Verfahrensablauf 2.
Nach der Durchführung des Hauptätzschrittes für das Polysilizium unter Verwendung des SF6-Gases+SCl2-Gases erfolgt bei dem Verfahrensablauf 2 ein Überätzen unter Verwendung von Cl2-Gas. SF6 ist ein inertes Gas, es bildet jedoch reaktive Fluorionen im Hochfrequenzfeld aus und ist beim Polysilizium-Ätzen zusammen mit dem Cl2-Gas verwendbar.
Aus den in den Fig. 5 und 6 dargestellten Analysenergebnissen ergibt sich, daß das Hauptnebenprodukt bei der Verwendung von SF6- und Cl2-Gas als Ätzmittel SiFx(SiF⁺, SiF2⁺, SiF3⁺)-Gas ist und daß das Polysilizium zu einem Gas wie zum Beispiel SiClxFy (SiCl⁺, SiCL2F2⁺, SiL2CF2⁺, SiCL2F3⁺) geätzt wird. Die Analyse des Gases durch die RGA-QMS-Einrichtung ergibt ähnliche Resultate bei dem Endpunkt-Bestimmungsspektrum (EPD = Endpoint Detection) in Fig. 10. Aus Fig. 10 ergibt sich, daß der Hauptätzschritt nach dem dritten Schritt nach dem Anschalten der Hochfrequenzleistung durchgeführt wird und daß das Abschalten im vierten Schritt erfolgt. Nach dem fünften Schritt erfolgt nun bei eingeschalteter Hochfrequenzleistung ein Überätzen.
Das erfindungsgemäße In-Situ-Reinigungsverfahren für die Prozeßkammer umfaßt drei Verfahrensschritte. Es umfaßt einen Ätzschritt unter Verwendung von SF6z-Gas und Cl2-Gas als Ätzmittel, einen Alterungsschritt unter Verwendung von Cl2 und einen Pumpschritt zum Auspumpen des Abgases.
Fig. 11 zeigt die Analysentendenz der durch die RGA-QMS-Einrichtung gewonnenen Ergebnisse der Hauptgase bei einem Ausführungsbeispiel bei dem erfindungsgemäßen In-Situ-Reinigungsverfahren für die Prozeßkammer (Ätzzeit = 60 Sekunden). Fluor (F) wirkt als reaktives Ätzmittel in der Prozeßkammer und ätzt das Polymere in der Prozeßkammer zu SiFx. Zusätzlich werden Nebenprodukte, wie zum Beispiel SOF⁺, SO2⁺ usw. erzeugt.
Aus Fig. 11 ergibt sich, daß das Hauptprodukt des Ätzvorganges (der Reinigung) SlF3⁺, unmittelbar nach dem Ätzvorgang rasch zunimmt und anschließend allmählich abnimmt. Es verschwindet nach dem Ätzen, so daß der Endpunkt nicht bestimmbar ist.
Fig. 12 zeigt die Analysentendenz der durch die RGA-QMS-Einrichtung ermittelten Ergebnisse der Hauptgase bei dem In-Situ-Reinigungsverfahren für die Prozeßkammer, wobei die Ätzzeit auf 120 Sekunden verlängert wurde. Aus Fig. 12 ergibt sich, daß der Ätzvorgang nach etwa 74 Sekunden beendet ist.
Fig. 13 zeigt die Analysentendenz der durch die RGA-QMS-Einrichtung ermittelten Ergebnisse der Hauptgase bei der Optimierung des In-Situ-Reinigungsverfahrens in der Prozeßkammer durch Veränderung der oben genannten Ätzzeit. Das bedeutet, daß der Ätzschritt mit SF6-Gas+Cl2-Gas für 100 Sekunden bei einem Druck von 15 mT und einer Hochfrequenzleistung von 400 W durchgeführt wird. Der Alterungsschritt wird für 30 Sekunden bei einem Druck von 20 mT und einer Hochfrequenzleistung von 400 W unter Verwendung von Cl2 durchgeführt. Nach dem Abschalten der Hochfrequenzleistung wird für 300 Sekunden der Pumpschritt durchgeführt.
Zur Überprüfung des Einflusses des erfindungsgemäßen In-Situ-Reinigungsverfahrens läßt sich bei einer Analyse der Teilchen auf der Siliziumoxid-Oberfläche des Wafers mit Sufscan bestätigen, daß die Anzahl der Teilchen nach Durchführung des In-Situ-Reinigungsverfahrens abgenommen hat.
Vor und nach dem Reinigungsschritt werden die Metallverunreinigungen und die Ionenverunreinigungen, wie zum Beispiel Fe, Cr, Ni, Zn, Ti, S, Cl, F, NH4 usw., in der Prozeßkammer unter Verwendung der Röntgenstrahl-Ge­ samtreflektionsfluoreszenz (TXRF = Total X-ray Reflection Fluorescence) /Hochleistungsionenchromatographie (HPIC = High Performance Ion Chromatography) untersucht und gemessen, so daß sich das Ergebnis des Reinigungsschrittes analysieren läßt.
Erfindungsgemäß wird demgemäß der Reaktionsmechanismus des Gases während des Ätzschrittes und des Reinigungsschrittes unter Verwendung der RGA-QMS-Einrichtung und durch eine In-Situ-Überwachung der Prozeßkammer analysiert. Basierend auf diesen Ergebnissen werden das reaktive Ätzmittel und die Reaktionsnebenprodukte während des Polysilizium-Ätz­ vorganges nachgewiesen und der Reaktionsmechanismus und der Endpunkt des Ätzvorganges werden exakt bestimmt, so daß die Ätzzeit während des Reinigungsvorganges optimiert wird und die Zeitverluste für den Reinigungsvorgang verringert werden. Zudem wird die Erzeugung von Teilchen unterdrückt und die Betriebseffizienz der Anlage verbessert.
Für Fachleute auf diesem Gebiet ergeben sich zahlreiche Modifikationen und Abwandlungen der vorliegenden Erfindung, die von dem Erfindungsgedanken erfaßt werden. Die vorliegende Erfindung deckt daher alle Modifikationen und Abänderungen ab, die in den Schutzbereich der zugehörigen Ansprüche und ihrer Äquivalente fallen.

Claims (32)

1. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung mit folgenden Bauteilen:
eine Prozeßkammer zur Durchführung eines Ätzverfahrens unter Verwendung eines Plasmas;
eine Prozeßgas-Versorgungseinrichtung zum Zuführen eines Prozeßgases in die Prozeßkammer;
eine Abgasauslaßeinrichtung zum Entfernen von Abgas aus der Prozeßkammer nach Durchführung des Verfahrens unter Verwendung einer Pumpeinrichtung;
eine mit der Prozeßkammer verbundene Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung zur Entnahme von Gasproben des sich in der Prozeßkammer befindenden Gases mittels einer Druckdifferenz; und
eine Gasanalyseneinrichtung zur Analyse der Gasproben aus der Probenentnahme-Verteilereinrichtung.
2. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Prozeßkammer eine Kammer ist, in der ein Ätzverfahren zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode eines Halbleiterkondensators unter Verwendung eines Plasmas durchgeführt wird.
3. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 2, wobei das Prozeßgas, das SF6-Gas und Cl2-Gas umfaßt, durch die Prozeß­ gas-Versorgungseinrichtung zugeführt wird.
4. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 1, wobei in die Prozeßkammer und in die Probenentnahme-Verteilereinrichtung auch ein Trägergas zugeführt wird.
5. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 1, wobei in der Prozeßkammer eine OES-Einrichtung (OES = Optical Emission Spectroscop = optisches Emissionsspektroskop) zur Überwachung der Wellenlängenveränderungen eines bestimmten Gases installiert ist.
6. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Prozeßkammer mit einer Ladeschleusenkammer verbunden ist, in der die zu ätzenden Gegenstände unter einem hohen Vakuum gehalten werden, und wobei die Prozeßkammer und die Ladeschleusenkammer jeweils ein Oszilloskop zur Überwachung von Druckänderungen umfassen.
7. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 1, wobei in der Probenentnahme-Verteilereinrichtung eine kritische Öffnung angebracht ist, um den Innendruck der Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung auf dem gleichen Pegel wie in der Prozeßkammer zu erhalten.
8. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Probenentnahme-Verteilereinrichtung folgende Bauteile umfaßt:
ein erstes Luftventil, ein zweites Luftventil, ein erstes Absperrventil, ein zweites Absperrventil, ein drittes Absperrventil und ein Tor- oder Gateventil, die von einer Verbindungseinrichtung zu der Prozeßkammer aus aufeinanderfolgend installiert sind.
9. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 8, wobei in die Probenentnahme-Verteilereinrichtung ein Trägergas zum Reinigen eingeführt wird, wobei eine Trägergas-Versorgungsleitung von einer Trägergas-Versorgungsquelle aus mit dem ersten Luftventil und dem zweiten Luftventil verbunden ist, und wobei in der Leitung zu dem ersten Luftventil und dem zweiten Luftventil ein drittes Luftventil und ein viertes Luftventil installiert sind.
10. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 8, wobei zwischen dem ersten Absperrventil und dem zweiten Absperrventil der Probenentnahm-Verteilereinrichtung eine kapazitive Druckmeßeinrichtung (CM = capacitance manometer gauge) und eine Drucksteuerungs-Ausströmleitung mit einer Pumpe zur Steuerung des Druckes zwischen der Prozeßkammer und der Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung installiert sind.
11. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Öffnungen des ersten Absperrventils, des zweiten Absperrventils und des dritten Absperrventils der Probenentnahme-Verteilereinrichtung 100 µm, 100 µm und 250 µm betragen.
12. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 1 mit einer zusätzlich installierten Gaswascheinrichtung zum Reinigen des durch eine Pumpeinrichtung der Abgasauslaßeinrichtung strömenden Abgases, wobei das durch die Gasanalyseneinrichtung strömende Gas durch die Gaswascheinrichtung ausströmt.
13. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Gasanalyseneinrichtung eine RGA-QMS-Einrichtung (Residual Gas Analyzer-Quadrupol Mass Spectrometer = Restgas­ analysator-Quadrupol-Massenspektrometer) ist, das ein Massenspektrometer, eine Turbopumpe und eine Ausheizpumpe umfaßt.
14. In-Situ-Überwachungs-Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Probenentnahme-Verteilereinrichtung eine aus einem elektrolytisch polierten rostfreien Stahl bestehende Leitung umfaßt.
15. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung mit folgenden Bauteilen: eine Prozeßkammer zur Durchführung des Ätzverfahrens unter Verwendung eines Plasmas, eine Prozeßgas-Versorgungseinrichtung zum Zuführen eines Prozeßgases in die Prozeßkammer; eine Abgasauslaßeinrichtung zum Entfernen von Abgas aus der Prozeßkammer nach Durchführung des Verfahrens unter Verwendung einer Pumpeinrichtung; eine mit der Prozeßkammer verbundene Probenentnahme-Verteilereinrichtung zur Entnahme von Gasproben des sich in der Prozeßkammer befindenden Gases mittels einer Druckdifferenz; und eine Gasanalyseneinrichtung zur Entnahme der Gasproben aus der Probenentnahme-Verteilereinrichtung, wobei das In-Situ-Überwachungsverfahren die folgenden Verfahrensschritte umfaßt:
  • a) Entnahme von Gasproben des sich in der Prozeßkammer befindenden Gases unter Verwendung der Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung;
  • b) Ausheizen oder Austreiben des Gases zur Absenkung des Anfangshintergrundwertes der Gasanalyseneinrichtung unter einen bestimmten Wert und Entgasen;
  • c) Durchführung eines Ätzverfahrens zur Bildung einer Polysilizium-Speicher­ elektrode eines Halbleiterwafers in der Prozeßkammer und Überwachung des Reaktionsmechanismus des Prozeßgases;
  • d) Entnahme des Wafers nach Beendigung des Ätzverfahrens und Ausströmenlassen des Abgases aus der Prozeßkammer; und
  • e) In-Situ-Zuführung eines Reinigungsgases in die Prozeßkammer und Überwachung des Reaktionsmechanismus des Reinigungsgases in der Prozeßkammer.
16. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 15, wobei das Ätzgas für den Polysilizium-Ätzvorgang Cl2 ist und wobei die Gasanalyseneinrichtung eine RGA-QMS-Einrichtung mit einem Massenspektrometer ist.
17. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 16, wobei in der Prozeßkammer außerdem eine OES-Einrichtung (OES = Optical Emission Spectroscop = optisches Emissionsspektroskop) installiert ist, und wobei während des Ätzvorganges die Wellenlängenveränderung von SiClx überwacht wird.
18. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 15, wobei das Ätzgas für das Polysilizium-Ätzverfahren SF6-Gas und Cl2-Gas ist und wobei die Gasanalyseneinrichtung eine RGA-QMS-Einrichtung mit einem Massenspektrometer ist.
19. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 18, wobei in der Prozeßkammer außerdem eine OES-Einrichtung (OES = Optical Emission Spectroscop = optisches Emissionsspektroskop) installiert ist und wobei während des Ätzvorganges die Wellenlängenveränderung von SiFx überwacht wird.
20. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 15, wobei das Reinigungsgas für das Polysilizium-Ätzverfahren Cl2-Gas+SF6-Gas ist und wobei die Gasanalyseneinrichtung eine RGA-QMS-Einrichtung mit einem Massenspektrometer ist.
21. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 20, wobei in der Prozeßkammer außerdem eine OES-Einrichtung (OES = Optical Emission Spectroscop = optisches Emissionsspektroskop) installiert ist und wobei außerdem während des Reinigungsverfahrens die Wellenlängenveränderung von SiFx überwacht wird.
22. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Prozeßkammer mit einer unter einem hohen Vakuum stehenden Ladeschleusenkammer verbunden ist, wobei in der Prozeßkammer und in der Ladeschleusenkammer jeweils ein Oszilloskop zur Überwachung von Druckänderungen installiert ist, und wobei der Wafer nach Durchführung des Ätzvorganges unter Überwachung von Druckänderungen in der Prozeßkammer und der Ladeschleusenkammer entnommen wird.
23. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 15, wobei die Probenentnahme- Verteilereinrichtung und die Gasanalyseneinrichtung kontinuierlich mit einem Reinigungsgas gereinigt werden, während die Probenentnahme durch die Probenentnahme-Verteilereinrichtung gestoppt wird.
24. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 15, wobei vor einer neuen Probenentnahme durch die Probenentnahme-Verteilereinrichtung das in der Gasanalyseneinrichtung vorhandene Gas ausgeheizt oder ausgetrieben wird und eine Entgasung erfolgt, um den Hintergrundwert unter einen bestimmten Wert abzusenken.
25. In-Situ-Reinigungsverfahren zum Entfernen von Rückständen aus einer Plasmakammer zur Durchführung eines Ätzverfahrens zur Bildung einer Polysilizium-Speicherelektrode eines Halbleiterkondensators unter Verwendung eines Plasmas, wobei das In-Situ-Reinigungsverfahren die folgenden Verfahrensschritte umfaßt:
  • a) Entnahme von Halbleiterwafern aus der Prozeßkammer nach Durchführung des Ätzverfahrens;
  • b) Zuführung von SF6Gas+Cl2-Gas in die Prozeßkammer und Reinigung der Prozeßkammer von Ätzrückständen;
  • c) Auspumpen und Entfernen der Rückstände in der Prozeßkammer.
26. In-Situ-Reinigungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 25 mit folgendem zusätzlichen Verfahrensschritt: Entnahme des Wafers und Ausströmenlassen von Abgas aus der Prozeßkammer.
27. In-Situ-Reinigungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 25, wobei in der Prozeßkammer eine Probenentnahme-Verteilereinrichtung zur Entnahme von Gasproben aus der Prozeßkammer durch Ausnutzung einer Druckdifferenz installiert ist, wobei die Prozeßkammer eine RGA-QMS-Ein­ richtung zur Analyse aus Gasproben von der Probenentnahme-Ver­ teilereinrichtung umfaßt, und wobei während des Reinigungsschrittes für die Ätzrückstände der Reaktionsmechanismus der Gase überwacht wird.
28. In-Situ-Reinigungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß das Ende des Reinigungsvorganges durch Analyse der Überwachungsergebnisse der RGA-QMS-Einrichtung bestimmt wird.
29. In-Situ-Reinigungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 28, wobei das Ende des Ätzens bei dem Reinigungsvorgang durch Analyse der Überwachungsergebnisse der RGA-QMS-Einrichtung optimiert wird, wobei der Druck und die Temperaturbedingungen in der Prozeßkammer verändert werden.
30. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 25 mit einem zusätzlichen Alterungsschritt zwischen dem Reinigungsschritt zur Entfernung der Rückstände aus der Prozeßkammer und dem Pumpschritt.
31. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 29, wobei zur Durchführung des Alterungsschrittes die Zufuhr von SF6-Gas in die Prozeßkammer gestoppt und Cl2-Gas in die Prozeßkammer eingeleitet wird.
32. In-Situ-Überwachungsverfahren unter Verwendung einer Plasmaätzvorrichtung nach Anspruch 31, wobei bei dem Alterungsschritt zusätzlich N2-Gas in die Prozeßkammer eingeleitet wird.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004061269A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Siemens Ag Verfahren zum Reinigen eines Werkstückes mit Halogenionen

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
US6468814B1 (en) * 1998-07-24 2002-10-22 Leybold Inficon, Inc. Detection of nontransient processing anomalies in vacuum manufacturing process
US20030116281A1 (en) * 2000-02-11 2003-06-26 Anthony Herbert Atmospheric pressure plasma system
US6887337B2 (en) 2000-09-19 2005-05-03 Xactix, Inc. Apparatus for etching semiconductor samples and a source for providing a gas by sublimation thereto
US6627463B1 (en) * 2000-10-19 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Situ measurement of film nitridation using optical emission spectroscopy
JP3670206B2 (ja) * 2000-11-06 2005-07-13 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置又はプラズマ処理システムの性能評価方法、保守方法、性能管理システム、及び性能確認システム、並びにプラズマ処理装置
WO2002075281A1 (en) * 2001-02-20 2002-09-26 Mykrolis Corporation Vacuum sensor
JP4627916B2 (ja) * 2001-03-29 2011-02-09 キヤノンアネルバ株式会社 イオン化装置
US6776851B1 (en) * 2001-07-11 2004-08-17 Lam Research Corporation In-situ cleaning of a polymer coated plasma processing chamber
US20030027428A1 (en) * 2001-07-18 2003-02-06 Applied Materials, Inc. Bypass set up for integration of remote optical endpoint for CVD chamber
US7227624B2 (en) * 2001-07-24 2007-06-05 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for monitoring the condition of plasma equipment
JP3660896B2 (ja) * 2001-07-26 2005-06-15 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置のメンテナンス方法
JP2003086574A (ja) * 2001-09-07 2003-03-20 Mitsubishi Electric Corp 半導体処理装置のガス分析方法およびその装置
GB0206158D0 (en) * 2002-03-15 2002-04-24 Intellemetrics Ltd Use of light emitting chemical reactions for control of semiconductor production processes
US7153362B2 (en) * 2002-04-30 2006-12-26 Samsung Electronics Co., Ltd. System and method for real time deposition process control based on resulting product detection
US20030221708A1 (en) * 2002-06-04 2003-12-04 Chun-Hao Ly Method of cleaning a semiconductor process chamber
US6919279B1 (en) 2002-10-08 2005-07-19 Novellus Systems, Inc. Endpoint detection for high density plasma (HDP) processes
US7010374B2 (en) * 2003-03-04 2006-03-07 Hitachi High-Technologies Corporation Method for controlling semiconductor processing apparatus
CN1295757C (zh) * 2003-03-04 2007-01-17 株式会社日立高新技术 半导体处理装置的控制方法
US8257546B2 (en) * 2003-04-11 2012-09-04 Applied Materials, Inc. Method and system for monitoring an etch process
US20040237888A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 General Electric Company Optical monitoring system for plasma enhanced chemical vapor deposition
US20050220984A1 (en) * 2004-04-02 2005-10-06 Applied Materials Inc., A Delaware Corporation Method and system for control of processing conditions in plasma processing systems
US20060075968A1 (en) * 2004-10-12 2006-04-13 Applied Materials, Inc. Leak detector and process gas monitor
KR100725938B1 (ko) * 2005-05-30 2007-06-11 삼성전자주식회사 신뢰성있는 갭 필 공정을 진행할 수 있는 반도체 제조 장치및 이를 이용한 반도체 제조 공정 방법
JP4343875B2 (ja) * 2005-06-08 2009-10-14 Ｔｄｋ株式会社 エッチング量計測装置、エッチング装置及びエッチング量計測方法
CN100423186C (zh) * 2005-10-31 2008-10-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种用于真空系统防止晶片颗粒缺陷的方法及其装置
US20090014644A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-15 Inficon, Inc. In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring
US8158017B2 (en) * 2008-05-12 2012-04-17 Lam Research Corporation Detection of arcing events in wafer plasma processing through monitoring of trace gas concentrations
US8003959B2 (en) * 2009-06-26 2011-08-23 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Ion source cleaning end point detection
US8580585B2 (en) * 2009-12-18 2013-11-12 Micrel, Inc. Method and system for controlled isotropic etching on a plurality of etch systems
DE102011014866A1 (de) * 2011-03-24 2012-09-27 Carl Zeiss Jena Gmbh Anordnung zur Prozessüberwachung und Steuerung beim Plasma-Ätzen
CN102820197B (zh) * 2012-08-31 2016-03-09 中微半导体设备(上海)有限公司 一种等离子处理系统
CN104157568B (zh) * 2013-05-14 2017-02-22 北大方正集团有限公司 一种去除硅渣的方法及装置
CN105161395A (zh) * 2015-08-11 2015-12-16 上海华力微电子有限公司 等离子体刻蚀装置及等离子体刻蚀方法
US10871477B2 (en) * 2015-08-20 2020-12-22 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Contaminant cleaning systems and related methods using one or more reactive substances, reaction byproduct measurements, and differential pressure or vacuum transfer of the reactive substances and reaction byproducts
JP6767257B2 (ja) * 2016-12-22 2020-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN111197157A (zh) * 2018-11-16 2020-05-26 长鑫存储技术有限公司 具有工艺腔室实时监控功能的半导体制造装置
CN110220842B (zh) * 2019-05-13 2021-07-27 江苏天楹环保能源成套设备有限公司 一种电极烧蚀检测工具及其检测方法
KR102140711B1 (ko) 2019-10-17 2020-08-03 주식회사 프라임솔루션 고진공 플라즈마 잔류가스 분석장치 및 이를 이용한 잔류가스 분석방법
US20220065735A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 Applied Materials Inc. Method and hardware for post maintenance vacuum recovery system
CN112067565B (zh) * 2020-09-22 2023-01-17 江苏师范大学 一种基于波长变化的金属腐蚀状态评估测试装置及方法
US11635338B2 (en) * 2020-10-23 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Rapid chamber vacuum leak check hardware and maintenance routine
KR20230105522A (ko) 2022-01-04 2023-07-11 에이피시스템 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치 세정 방법

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4214946A (en) * 1979-02-21 1980-07-29 International Business Machines Corporation Selective reactive ion etching of polysilicon against SiO2 utilizing SF6 -Cl2 -inert gas etchant
JPS62151562A (ja) * 1985-12-26 1987-07-06 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成装置
JPS62210483A (ja) * 1986-03-12 1987-09-16 Ricoh Co Ltd 複写装置の多色現像装置
US4786352A (en) * 1986-09-12 1988-11-22 Benzing Technologies, Inc. Apparatus for in-situ chamber cleaning
JPH03261062A (ja) * 1990-03-09 1991-11-20 Hitachi Ltd プラズマ極微量元素質量分析装置
JP2753103B2 (ja) * 1990-03-23 1998-05-18 松下電子工業株式会社 アルミニウム合金膜のプラズマエッチング方法
US5290383A (en) * 1991-03-24 1994-03-01 Tokyo Electron Limited Plasma-process system with improved end-point detecting scheme
JPH04313223A (ja) * 1991-04-04 1992-11-05 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
JPH0521394A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Nec Corp プラズマプロセス装置
JPH05234959A (ja) * 1991-08-16 1993-09-10 Hitachi Ltd ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
JPH0775230B2 (ja) * 1991-09-24 1995-08-09 株式会社小電力高速通信研究所 プラズマエッチング終点モニタリング方法
JPH05152254A (ja) * 1991-11-29 1993-06-18 Nec Corp ドライエツチング装置
JPH05291188A (ja) * 1992-04-08 1993-11-05 Hitachi Ltd プラズマ処理装置のパラメータ監視システム
US5421957A (en) * 1993-07-30 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Low temperature etching in cold-wall CVD systems
JPH07106305A (ja) * 1993-10-06 1995-04-21 Hitachi Ltd 原子層エッチング装置
US5427621A (en) * 1993-10-29 1995-06-27 Applied Materials, Inc. Method for removing particulate contaminants by magnetic field spiking
JPH0837175A (ja) * 1994-07-21 1996-02-06 Kokusai Electric Co Ltd 汚染測定方法
US5504328A (en) * 1994-12-09 1996-04-02 Sematech, Inc. Endpoint detection utilizing ultraviolet mass spectrometry
JP3386287B2 (ja) * 1995-05-08 2003-03-17 堀池 靖浩 プラズマエッチング装置
JPH09129709A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Nec Corp プロセス装置
US5652170A (en) * 1996-01-22 1997-07-29 Micron Technology, Inc. Method for etching sloped contact openings in polysilicon
US5900105A (en) * 1996-07-09 1999-05-04 Gamma Precision Technology, Inc. Wafer transfer system and method of using the same
US5928426A (en) * 1996-08-08 1999-07-27 Novellus Systems, Inc. Method and apparatus for treating exhaust gases from CVD, PECVD or plasma etch reactors
US6095158A (en) * 1997-02-06 2000-08-01 Lam Research Corporation Anhydrous HF in-situ cleaning process of semiconductor processing chambers
US5966586A (en) * 1997-09-26 1999-10-12 Lam Research Corporation Endpoint detection methods in plasma etch processes and apparatus therefor
US6136211A (en) * 1997-11-12 2000-10-24 Applied Materials, Inc. Self-cleaning etch process

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004061269A1 (de) * 2004-12-10 2006-06-14 Siemens Ag Verfahren zum Reinigen eines Werkstückes mit Halogenionen

Also Published As

Publication number Publication date
US6146492A (en) 2000-11-14
CN1221807A (zh) 1999-07-07
CN1227389C (zh) 2005-11-16
GB2332881A (en) 1999-07-07
TW473771B (en) 2002-01-21
KR19990058999A (ko) 1999-07-26
GB2332881B (en) 2002-04-10
JP3636422B2 (ja) 2005-04-06
JPH11204509A (ja) 1999-07-30
GB9821040D0 (en) 1998-11-18
KR100257903B1 (ko) 2000-08-01
DE19844882B4 (de) 2007-02-01
US6499492B1 (en) 2002-12-31

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