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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG
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Die
vorliegende Erfindung bezieht sich insgesamt auf eine chemische
Gasphasenabscheidungs-(CVD-)Behandlung, und insbesondere auf ein Verfahren
und eine Vorrichtung für
die Reinigung einer CVD-Kammer.
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CVD
wird in weitem Umfang in der Halbleiterindustrie zum Abscheiden
von Filmen unterschiedlicher Arten, wie intrinsisches und dotiertes
amorphes Silicium (a-Si), Siliciumoxid (SixOy), Siliciumnitrid (SirNs), Siliciumoxynitrid, und dergleichen auf
einem Substrat verwendet. Die moderne Halbleiter-CVD-Behandlung
erfolgt gewöhnlich
in einer Vakuumkammer unter Verwendung von Vorläufergasen, die zur Bildung
des gewünschten
Films dissoziieren und reagieren. Um Filme bei niedrigen Temperaturen
und mit relativ hohen Abscheidungsraten abzuscheiden, kann ein Plasma
aus den Vorläufergasen
in der Kammer während
der Abscheidung gebildet werden. Solche Prozesse sind als plasmaverstärkte CVD-Prozesse
oder PECVD bekannt.
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CVD-Halbleiterbehandlungskammern
nach dem Stand der Technik bestehen aus Aluminium und haben einen
Halter für
das Substrat sowie eine Öffnung
für den
Eintritt der benötigten
Vorläufergase. Wenn
ein Plasma verwendet wird, sind der Gaseinlass und/oder der Substrathalter
mit einer Leistungsquelle verbunden, beispielsweise einer Hochfrequenz-(RF-)Leistungsquelle.
An die Kammer ist auch eine Vakuumpumpe angeschlossen, um den Druck
in der Kammer zu steuern und um verschiedene Gase und Teilchen zu
entfernen, die während
der Abscheidung erzeugt werden.
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Bei
der gesamten Halbleiterbehandlung müssen Teilchen in der Kammer
auf einem Minimum gehalten werden. Die Teilchen werden gebildet,
weil während
des Abscheidungsprozesses der Film nicht nur auf dem Substrat, sondern
auch auf Wänden
und verschiedenen Installationsteilen, wie Abschirmungen, dem Substrathalter
und dergleichen, in der Kammer abgeschieden werden. Während der
darauf folgenden Abscheidungen kann der Film an den Wänden usw.
reißen
oder sich abschälen,
wodurch Verunreinigungsteilchen auf das Substrat fallen können.
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Dies
verursacht Probleme und Schäden
an speziellen Bauelementen auf dem Substrat. Beschädigte Bauelemente
müssen
ausgesondert werden.
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Wenn
große
Glassubstrate, beispielsweise mit Größen von bis zu 360 mm × 450 mm
oder noch größer, zur
Herstellung von Dünnfilmtransistoren
für die
Verwendung als Rechnerbildschirme und dergleichen behandelt werden,
können
auf einem einzigen Substrat mehr als eine Million Transistoren ausgebildet
werden. Das Vorhandensein von Verunreinigungen in der Behandlungskammer
ist in diesem Fall noch schwerwiegender, da der Rechnerbildschirm und
dergleichen nicht funktioniert, wenn er durch Teilchen geschädigt wird.
In diesem Fall muss das ganze große Glassubstrat ausgesondert
werden.
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Deshalb
muss die CVD-Kammer periodisch gereinigt werden, um angesammelte
Filme von vorherigen Abscheidungen zu entfernen. Das Reinigen erfolgt
gewöhnlich
dadurch, dass ein Ätzgas,
insbesondere ein Fluor enthaltendes Gas, wie Stickstofftrifluorid
(NF3), in die Kammer eingeführt wird.
Ein Standardverfahren zur Durchführung
dieses Reinigungsverfahrens besteht darin, einen konstanten NF3-Strom in die Kammer zu führen. Aus
dem Fluorenthaltenden Gas wird ein Plasma injiziert, das mit Beschichtungen
aus früheren
Abscheidungen an den Kammerwänden
und Installationseinrichtungen, beispielsweise Beschichtungen aus
a-Si, SixOy, SirNs, SiON und dergleichen,
sowie mit irgendwelchen anderen Materialien in der Kammer reagiert.
Insbesondere erzeugt das NF3 freie Fluorradikale "F*", die mit Si-enthaltenden Rückständen reagieren.
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Die
Reaktion bildet gasförmige
Fluor-enthaltende flüchtige
Produkte, die durch das Kammerabsaugsystem abgepumpt werden können. Auf
dieses Verfahren folgt gewöhnlich
eine Stickstoffreinigung.
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Wenn
die flüchtigen
Stoffe abgepumpt sind, bleibt der F*-Beitrag zum Gesamtdruck niedrig,
bis keine Rückstände mehr
verblieben sind, mit denen das F* reagieren kann. Dann nimmt der
F*-Beitrag zum Gesamtdruck, und somit der Gesamtdruck an sich zu.
Diesen Anstieg kann man dazu nutzen, den Endpunkt des Reinigungsvorgangs
zu erfassen, indem der Gesamtdruck mit einem Manometer überwacht
wird und abgewartet wird, bis ein vom Benutzer festgelegter Endpunktdruck
erreicht ist.
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Diese
Technik ist beispielsweise für Änderungen
in der Manometerdruckablesung über
der Zeit, d.h. der "Manometerdruck-Nullpunktverschiebung", anfällig. Solche Änderungen
gibt es bei einem jeden solchen Instrument. Sie können gewöhnlich durch
geeignete Kalibriertechniken unterbunden werden. Wenn die Änderung
derart ist, dass das Manometer wenig abweicht, kann es scheinen,
dass der Prozess den Endpunkt nicht erreicht. In diesem Fall wird
die Reinigung unbegrenzt ausgeführt
oder bis eine vorgegebene Zeit erreicht wird, die als "Zeitsperre nach Vorgabe" bezeichnet wird.
Auch wenn die Kammer gereinigt ist, wird der Durchsatz verringert und
werden die Kosten erhöht,
letzteres insbesondere, weil NF3 wesentlich
teurer als jedes andere Prozessgas ist. Das Strömenlassen einer großen und konstanten
NF3-Menge ist kostspielig und ineffizient.
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Wenn
andererseits das Manometer stark abweicht, kann der vorgegebene
Druck vor dem Endpunkt erreicht werden, was zu einer unvollständigen Reinigung
führt.
Es können
Rückstände in der
Kammer verbleiben, die eine potenzielle Quelle für Verunreinigungsteilchen sind.
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Ein
Weg zum Bewahren von NF3 besteht darin,
an dem Ventileinlass für
NF3 einen Regler zu installieren. Der Regler
ermöglicht
es, dass NF3 so strömt, dass der NF3-Druck
in der Kammer konstant gehalten wird. Auf diese Weise ist der Durchsatz nicht
länger
von der Lösung
abhängig,
dass der Endpunkt des Reinigungsvorgangs bei Verwendung des Anstiegs
des NF3-Pegels
nicht erfasst werden kann, da der Druck gemäß Auslegung konstant ist.
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Die
US 5,632,821 beschreibt
ein Verfahren zur Durchführung
eines Nachbehandlungsprozesses nach einer In-situ-Reinigung zum
Entfernen von Rückstandsmaterial,
das in einer Reaktionskammer nach einem CVD-Prozess zurückgeblieben
ist. Der Nachbehandlungsprozess weist ein Nachbehandlungsgas auf,
welches ein Element enthält,
das auch der Dünnfilm
aufweist und das mit einem Reinigungsgas zur Bildung eines flüchtigen
Produkts reagiert. Ferner ist ein plasmabildendes System vorgesehen.
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Die
US 5,308,414 stellt ein
Verfahren und eine Vorrichtung zum Bestimmen der Zeit bereit, bei welcher
ein Plasmaätzprozess
beendet werden sollte. Das Verfahren erzeugt wenigstens ein Ätzprodukt und
eine Plasmakontinuum-Emission. Diese Emissionen werden überwacht,
und es wird ein Beendigungssignal erzeugt, wenn sie divergieren.
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Die
US 5,348,614 beschreibt
ein Verfahren zur dynamischen Einstellung der Konzentration von einem
oder mehreren Reaktionsteilnehmern in einem plasmagestützten Ätz- oder
Abscheidungsprozess. Die Konzentrationen der Spezies werden aktinometrisch überwacht,
und die Konzentration wird durch Einstellen des Stroms in die Kammer
aufrechterhalten.
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Die
US 4,491,499 beschreibt
ein Verfahren zur Bestimmung der optimalen Zeit, bei welcher ein Plasmaätzprozess
beendet werden sollte.
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ZUSAMMENFASSUNG
DER ERFINDUNG
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Gemäß einem
Aspekt ist die Erfindung auf ein Verfahren zum Reinigen einer Behandlungskammer
gerichtet, das eine optoelektronische Erfassung des Abschlusses
oder des Endpunkts des Reinigungsvorgangs aufweist, wenn eine Ration
von Emissionslinien einen Schwellenwert erreicht. Das Verfahren
umfasst die folgenden Schritte. In der Kammer wird ein Plasma aus
Reinigungsgas bereitgestellt. Die Stärke von Emissionslinien von
wenigstens einem Reinigungsgas und der Hintergrundemission in der
Kammer werden überwacht.
Es wird ein Verhältnis
zwischen der Stärke
und der Reinigungsgas-Emissionslinie und der Stärke der Hintergrundemission
bestimmt und über
einen Zeitraum überwacht.
Das bestimmte Verhältnis
wird mit einem vorgegebenen Schwelleneichwert verglichen. Basierend auf
dem Vergleichsschritt wird der Strom des Reinigungsgases gesteuert.
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Bei
einer Ausführungsform
dissoziiert das Plasma des Reinigungsgases einen Teil der Moleküle des Reinigungsgases
wenigstens teilweise. Die Emissionslinienstärke eines Bestandteils des
teilweise dissoziierten Reinigungsgases kann überwacht und bei dem obigen
Verhältnis
verwendet werden.
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Zu
den Ausführungen
der Erfindung können eine
oder mehrere der folgenden Ausgestaltungen gehören. Die Kammer kann eine CVD-Kammer
sein. Das Reinigungsgas kann NF3 mit einem
Partialdruck im Bereich von etwa 13,3 und 266 Pa (0,1 und 2,0 Torr),
und insbesondere von etwa 133 Pa (1,0 Torr) sein. Der Bestandteil
des teilweise dissoziierten Reinigungsgases kann Fluor aufweisen.
Die überwachte Reinigungsgas-Emissionslinie
kann etwa 740 nm betragen. Die Emissionsstärke des Hintergrundgases kann
der Emissionsstärke
einer Vielzahl von Hintergrundgasen entsprechen, wie sie durch einen
neutralen Dichtefilter gemessen wird. Zu dem Steuerschritt kann
der Schritt des Beginns einer vorher eingestellten Verzögerungspe riode
basierend auf dem Vergleichsschritt und das Steuern des Gasstroms
nach dem Ende der vorher eingestellten Verzögerungsperiode gehören. Die
vorher eingestellte Verzögerungsperiode
kann sowohl bei der Hardware als auch bei der Software ausgeführt werden.
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Bei
einer Ausführungsform
wird ein Reinigungssystem für
eine Behandlungskammer bereitgestellt, das eine Reinigungszuführung mit
einem mit einem Ventil versehenen Einlass für einen Eintritt ins Innere
der Kammer zum Führen
eines Reinigungsgases in den Innenraum der Kammer aufweist. Zum
Erfassen einer elektromagnetischen Strahlung in dem Innenraum der
Kammer wird ein Detektor mit einem optischen Eingang verwendet.
Der Detektor hat einen ersten Kanal zum Erfassen einer relativen
Stärke einer
Emissionslinie, die einem Bestandteil des Reinigungsgases entspricht,
sowie einen zweiten Kanal zum Erfassen einer relativen Stärke einer
Emissionslinie, die den Hintergrundgasen entspricht. Zum Bestimmen
eines normalisierten Signals wird eine Einrichtung verwendet, die
ein Signal aus dem ersten Kanal und ein Signal aus dem zweiten Kanal
benutzt. Der Wert des normalisierten Signals ist bezüglich gleichzeitiger
entsprechender Änderungen
der Stärke
des von dem ersten Kanal gemessenen Signals und der Stärke des
von dem zweiten Kanal gemessenen Signals im Wesentlichen invariant.
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Zu
den Ausführungen
der Erfindung können die
folgenden gehören.
Das System kann weiterhin einen neutralen Dichtefilter zum Filtrieren
eines Eingangs zum zweiten Kanal haben, so dass der zweite Kanal
die relative Stärke
von Emissionslinien einer Anhäufung
der Hintergrundgase misst. Die Einrichtung kann Software oder eine
Schaltung oder beides sein. Das System kann weiterhin einen Zeitgeber
aufweisen, der eine vorgegebene Verzögerungsperiode einstellt. Der
Zeitgeber kann als Hardware, Software oder beides eingesetzt werden.
Der Detektor kann an der Außenseite
der Kammer angeordnet werden, um die Strahlung im Innenraum der
Kammer durch einen transparenten Sichtkanal zu überwachen, oder er kann direkt
im Inneren der Kammer angeordnet werden.
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Bei
einer Ausführungsform
wird ein Verfahren zum Reinigen einer Behandlungskammer bereitgestellt,
bei welchem der Abschluss oder der Endpunkt des Reinigungsvorgangs
optoelektronisch erfasst wird, wenn ein Verhältnis von Emissionslinien einen
Schwellenwert erreicht. Das Verfahren weist die folgenden Schritte
auf. In der Kammer wird ein Plasma eines Reinigungsgases bereitgestellt.
Es wird die Stärke
von Emissionslinien des Reinigungsgases und wenigstens eines Hintergrundgases
der Kammer überwacht.
Unter Verwendung der Stär ke der
Emissionslinie des Reinigungsgases und der Stärke der Emission des Hintergrundgases
wird ein normalisiertes Signal so bestimmt, dass der Wert des normalisierten
Signals bezüglich
gleichzeitiger entsprechender Änderungen
bei den Hintergrundgas- und Reinigungsgassignalstärken im
Wesentlichen invariant ist. Das normalisierte Signal wird über eine Zeitperiode überwacht.
Das normalisierte Signal wird mit einem vorher eingestellten Schwellenwert
verglichen. Basierend auf dem Vergleichsschritt wird der Gasstrom
gesteuert.
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Ein
Vorteil der Erfindung besteht darin, dass eine beträchtlich
verringerte Reinigungsgasmenge zum Reinigen einer Kammer erforderlich
ist, da nur die NF3-Menge verwendet wird,
die zum Reinigen der Kammer tatsächlich
erforderlich ist. Es ergibt sich ein geringerer Verbrauch an teurem
NF3, da eine Ist-Zeit-Überwachung der Reinigung verwendet
wird. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass der Endpunkt einer
Kammerreinigung bestimmt werden kann. Wenigstens aus diesen Gründen ist
der Reinigungsprozess billiger als bei bisherigen Verfahren. Schließlich werden
Probleme hinsichtlich Manometerabweichung und Zeitsperre nach Vorgabe
im Wesentlichen beseitigt.
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KURZBESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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1 ist
eine Schnittansicht einer PECVD-Kammer zum Abscheiden von Dünnfilmen auf
einem Substrat, die gemäß einer
Ausführung
der vorliegenden Erfindung verwendet werden kann.
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2 ist
ein Ablaufdiagramm einer Vorrichtung zur Durchführung eines Reinigungsverfahrens der
vorliegenden Erfindung.
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3 ist
ein Diagramm, das optoelektronische invertierende Vorverstärkersignale
von Fluor- und Hintergrundemissionen über der
Zeit für
zwei unterschiedliche Plasmaleistungen zeigt.
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4 ist
ein Diagramm, das optoelektronische invertierte Signale von F*-
und Hintergrundemissionen, ein dem Verhältnis der obigen optoelektronischen
Signale entsprechendes normalisiertes Signal, ein End-Bit-Signal
und ein verstärktes
Kammer-Manometersignal jeweils über
der Zeit zeigt.
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5 ist
ein Diagramm, das ein normalisiertes Signal und ein End-Bit-Signal
für die
beiden Plasmaleistungen von 3 zeigt.
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6 ist
ein Diagramm, das ein End-Bit-Signal verglichen mit den verschiedenen
Gas-"Stärken" zeigt, die durch
einen Rückstands-Gasanalysator (RGA)
erhalten werden.
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Gleiche
Bezugszeichen und Bezeichnungen in den verschiedenen Zeichnungen
stehen für
gleiche Bauelemente.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG
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Das
am 22. November 1994 für
Robertson et al. ausgegebene US-Patent 5,366,585 mit dem Titel "Verfahren und Vorrichtung
zum Schutz von leitenden Oberflächen
in einem Plasmabehandlungsreaktor", das auf die Zessionarin der vorliegenden
Erfindung übertragen
ist, offenbart eine PECVD-Kammer, bei der die vorliegende Erfindung
verwendet werden kann. Natürlich
lässt sich
die Erfindung auch bei zahlreichen anderen Arten von CVD-Einrichtungen
sowie bei Einrichtungen für
andere Abscheidungsverfahren verwenden.
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Wie
in 1 gezeigt ist, hat eine PECVD-Vorrichtung 130 einen
Suszeptor 135 mit einem Schaft 137. Der Suszeptor 135 ist
mittig in einer Vakuumabscheidungsprozesskammer 133 angeordnet.
Der Suszeptor 135 hält
ein Substrat, wie eine Glasplatte (nicht gezeigt), in einem Substratbehandlungs-
oder Reaktionsbereich 141. Zum Anheben und Absenken des
Suszeptors 135 ist ein Hubmechanismus (nicht gezeigt) vorgesehen.
Von einer Steuereinrichtung werden Befehle für den Hubmechanismus gegeben.
Die Substrate werden in die Kammer 133 und aus ihr durch
eine Öffnung 142 in einer
Seitenwand 134 der Kammer 133 durch ein Robotblatt
(nicht gezeigt) transportiert.
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Die
Abscheidungsprozessgase strömen durch
einen Sammler 61 und einen Einlass 126 in die Kammer 133.
Die Gase strömen
dann durch eine perforierte Sperrplatte 124 und eine Anzahl
von Löchern 121 einer
Behandlungsgas-Verteilungsstirnplatte 122 (angezeigt durch
kleine Pfeile in dem Substratbehandlungsbereich 141 von 1).
Zum Anlegen einer elektrischen Leistung zwischen der Gasverteilungsstirnplatte 122 und
dem Suszeptor 135 kann eine RF-Leistungszufuhr (nicht gezeigt) verwendet
werden, um das Prozessgasgemisch zur Bildung eines Plasmas anzuregen.
Die Bestandteile des Plasmas reagieren so, dass ein gewünschter Film
auf der Oberfläche
des Substrats auf dem Suszeptor 135 abgeschieden wird.
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Die
Abscheidungsprozessgase können
aus der Kammer durch eine den Substratbehandlungsbereich 141 umgebende
schlitzförmige Öffnung 131 in eine
Auslasskammer 150 abgeführt
werden. Aus der Auslasskammer 150 strömen die Gase durch ein Vakuumsperrventil 154 und
in einen Absaugauslass 152, der an eine externe Vakuumpumpe
(nicht gezeigt) angeschlossen ist.
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Ein
Manometer 63 misst den Gesamtdruck der Gase in der Kammer 133.
Natürlich
kann das Manometer 63 durch zahlreiche andere Arten von
Sensoren für
einen Gesamtdruck mit gleich guten Ergebnissen ersetzt werden. Beispielsweise
kann ein Ionisationsmessgerät
verwendet werden.
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Gemäß 2 hat
die Kammer 133 wenigstens eine NF3-Gaszuführung 59.
Abhängig
von den Umständen
des Prozesses können
auch andere Gaszuführungen
verwendet werden. 2 zeigt beispielsweise auch
eine Zuführung 57 für Argon
(Ar).
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Es
ist ein optoelektronischer Endpunktdetektor 39 vorgesehen,
der durch ein Fenster 38 ins Innere der Kammer 113 sieht.
Zum Erfassen der Lichtemissionsstärke bei einer Fluoremissionslinie
F* durch Filtern der Kammeremission durch ein Filter 39 wird ein
erster Kanal 33 mit einer ersten F*-Faser 70 verwendet.
D.h., dass wie bei jeder atomaren oder molekularen Spezies Fluor
Strahlung nur bei bestimmten Wellenlängen absorbiert und emittiert.
Wenn ein Photon emittiert und absorbiert wird, entspricht seine Energie
der Differenz zwischen zwei zugelassenen Energiewerten der Atome
oder Moleküle
der Spezies. Die Energieniveaus können dadurch untersucht werden,
dass die Differenzen zwischen ihnen beobachtet werden. Jede solche
Differenz entspricht einer "Emissionslinie". Die Emissionslinien
für irgendeine gegebene
Spezies variieren in der Stärke
stark. Eine charakteristische Emission von F* liegt bei 704 Nanometer
(nm). Der Pegel dieser Emission kann kontinuierlich durch einen
Photodetektor überwacht
werden, der Lichtstärke
in ein elektrisches Signal umwandelt. Wenn das F* mit den früheren Abscheidungen
reagiert (d.h. verbraucht wird), ist die 704-nm-Emissionsstärke gering.
Wenn die früheren
Abscheidungen durch Reinigung entfernt sind, steigt das F*-Emissionsniveau,
da nur wenige Rückstände verblieben sind,
mit denen F* reagieren kann.
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Dieser
Anstieg von F* bezeichnet somit das Ende des Reinigungsvorgangs,
oder eher seinen "Endpunkt".
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Der
Endpunktdetektor hat auch einen zweiten Kanal 35 mit einer
Hintergrundfaser 69 zum Überwachen der gesamten Hintergrund-Lichtemission. Vor
oder gerade nach dem Verlassen der Fasern 69 und 70 wird
das Licht durch einen geeigneten Filter geführt, so dass entweder die F*-Emission
oder die Hintergrundemission gemessen wird. Die Hintergrund-Lichtemission kann
mit einem Breitband-Neutraldichtefilter 32 gefiltert werden.
Der Filter 32 ermöglicht
es, dass der zweite Kanal Hintergrundgasbeiträge misst, die bei vielen unterschiedlichen
Wellenlängen,
nicht nur bei einer speziellen Wellenlänge, vorhanden sein können. D.h.,
dass diese Art von Filter Beiträge über einen
weiten Bereich von Wellenlängen
aufweist. Die Fasern 69 und 70 übertragen Lichtsignale
vom Fenster 38 durch Filter 32 und 34 zu einem
Paar von Standard-Photodetektoren 30. Nach der Messung
durch die Photodetektoren 30 werden Signale abgegeben,
die der Größe der Lichtstärke von
entweder F* oder dem Hintergrund entsprechen.
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Durch
optoelektronisches Teilen der F*-Emission durch die Hintergrundemission
unter Verwendung von Firmware und einer Schaltung auf einer gedruckten
Leiterplatte kann ein normalisiertes Signal aufgebaut werden. Natürlich kann
die gedruckte Leiterplatte und die zugehörige Schaltung durch Software
ersetzt werden, um die gleichen Funktionen auszuführen.
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Die
oben beschriebene Teilung ist nicht der einzige nutzbare Algorithmus.
Beispielsweise können
Subtraktions- oder zahlreiche anderen arithmetische Funktionen an
den Signalen ausgeführt
werden, um ein normalisiertes Signal zu erhalten, das zur Überwachung
des Endpunkts verwendet werden kann. Eine Anforderung an dieses
normalisierte Signal ist, dass sein Wert bezogen auf gleichzeitige
entsprechende Änderungen
der Stärke
der von dem ersten und zweiten Kanal gemessenen Signale im Wesentlichen
invariant ist. Wenn beispielsweise die F*-Emissionssignalstärke und
die Hintergrund-Emissionssignalstärke beide aufgrund einer Abscheidung auf
dem den Photodetektoren zugewandten Fenster oder aufgrund sich ändernder
Pegel der angelegten HF-Leistung abnehmen, kann das normalisierte
Signal im Wesentlichen das gleiche bleiben.
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Eine
Detektorelektronik 31 überwacht
dieses normalisierte Signal in Ist-Zeit und bestimmt, wann das normalisierte
Signal einem Schwellenwert-Eichsignal entspricht, das aus einer
sauberen Bezugskammer erhalten wird.
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Wenn
das normalisierte Signal diesen Endpunkt dadurch gefunden hat, dass
es dem Schwellenwertsignal entspricht, kann die Konsistenz des Endpunkts
durch einen vom Benutzer ausgewählten "Hardware-Überätzungs"-Zeitgeber 69 geprüft werden.
Der Hardware-Überätzungs-Zeitgeber 68 erstellt
einen Wartezeitraum in der Detektorelektronik 31, während dessen
der Wert des normalisierten Signals überwacht und geprüft wird,
um zu gewährleisten,
dass es fortfährt,
den Eichwert zu überschreiten. Der
Hardware-Überätzungs-Zeitgeber
dient dazu, den Endpunkt für
Kammerschwankungen oder -anomalien "unempfindlich zu machen". Wenn die Detektorelektronik 31 feststellt,
dass während
der Hardware-Überätzungs-Zeit
das normalisierte Signal keiner sauberen Kammer entspricht, wird
der Hardware-Überätzungs-Zeitgeber 68 rückgesetzt.
Wenn die Detektorelektronik 31 einmal über der gesamten Hardware-Überätzungs-Zeit
zufrieden gestellt worden ist, wird ein zusätzliches Signal, das nur ein
einziges Bit sein kann, auf das hier als "Getan-Bit 67" Bezug genommen wird,
einem Reinigungsprogramm 55 übermittelt, was anzeigt, dass
die Kammer für
die darauf folgenden Schritte in dem Reinigungsprogramm bereit ist
(beispielsweise weiteres Überätzen, Altern,
usw.). Die Detektorelektronik 31 kann dann auf Empfang
von beispielsweise einem "Ermöglichungsbit" 72 rückgesetzt
werden.
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Ein
weiterer Schritt kann durch einen Software-Überätzungs-Zeitgeber 71 ausgeführt werden. Der
Software-Überätzungs-Zeitgeber 71 ist
dem oben erwähnten
Hardware-Überätzungs-Zeitgeber 68 ähnlich mit
der Ausnahme, dass der Software-Überätzungs-Zeitgeber 71 durch
die Software des Reinigungsprogramms 55 erstellt wird,
das auf dem Rechner 50 läuft. Der Software-Überätzungs-Zeitgeber 71 kann
entweder mit oder ohne Hardware-Überätzungs-Zeitgeber 68 betrieben
werden.
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Nachdem
im Betrieb das letzte Substrat, auf dem eine Schicht abzuscheiden
war, aus der Kammer 133 entfernt worden ist, kann die Kammer 133 gereinigt
werden. Der Benutzer stellt einen Gasstrom in die Kammer 113 her,
aus dem ein Plasma erzeugt wird. Ein Verfahren zum Durchführen dieser
Reinigung ist in der mit gleichem Datum eingereichten US-Patentanmeldung
mit dem Titel "Verfahren
zur Kammerreinigung mit reduzierten Kosten", übertragen
auf die Zessionarin der vorliegenden Erfindung, beschrieben. Insbesondere
wird bei dieser Aus führungsform
ein NF3-Strom hergestellt. Dies kann einen
Druckbereich in der Kammer 133 von etwa 13,3 Pa bis etwa
266 Pa (0,1 bis etwa 2,0 Torr) bei einem Abstand von Suszeptor 135 zur
Gasstirnplatte 122 von etwa 500 mil bis 2500 mil erzeugen.
Zu erwähnen
ist, dass das Plasma der Gase entweder in situ in der Kammer 133 oder
ex situ in einer entfernten Plasmakammer gebildet werden kann. Bei
der letzteren Ausführung
treten die Gase aus der entfernt liegenden Plasmakammer in die Kammer 133 aus
einem gesonderten, mit Ventil versehenen Einlass ein. Weitere Einzelheiten
der entfernt liegenden Plasmakammer finden sich in dem US-Patent
5,788,778, eingereicht am 16. September 1996 mit dem Titel "Abscheidungskammer-Reinigungsverfahren
unter Verwendung einer entfernt liegenden Erregerquelle mit hoher
Leistung", das auf
die Zessionarin der vorliegenden Erfindung übertragen ist.
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Zur
Erzeugung eines Plasmas wird eine RF-Leistung von etwa 1000 W bis
etwa 4000 W entsprechend Leistungsdichten von etwa 0,5 W/cm2 bis etwa 3 W/cm2 Substratfläche angelegt.
Die unterschiedlichen abgeschiedenen Materialien ändern sich
in den Geschwindigkeiten, mit denen sie gereinigt oder entfernt
werden. Beispielsweise reinigt ein Plasma, das grob innerhalb des
obigen Energiebereichs liegt, mit einer Geschwindigkeit von etwa
3000 Ångström pro Minute
bis etwa 4000 Ångström pro Minute
für a-Si
und mit einer Geschwindigkeit von etwa 6000 Ångström pro Minute bis etwa 7500 Ångström pro Minute
für SiN.
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Wie
oben erwähnt,
nimmt die von dem ersten Kanal 33 gemessene F*-Emissionslinie
in der Stärke zu,
wenn die Kammer sauber ist, da weniger abgeschiedenes Material für die Reaktion
mit den freien Fluorradikalen F* zur Verfügung steht und somit die freien
Fluorradikale F* nicht in Lösung
gehen. 3 zeigt den Anstieg des F*-Signals für einen
Film, der aus drei Zyklen von 3500 Ångström Siliciumnitrid und 600 Ångström a-Si besteht.
Dieser "Anstieg" ist tatsächlich ein "Abfall" in 3,
da die Spannungssignale in dieser Figur und in den 4 und 5 invertiert
werden. Insbesondere zeigt 3 die invertierten
Spannungssignale des Photodiodenvorverstärkers, die von Photodetektoren 30 für das 3000-W-704-nm-F*-Emissionsliniensignal 21 und
für das
Hintergrund-Emissionsliniensignal 23 gemessen werden. Diese
Signale sind als Funktionen der Zeit für zwei unterschiedliche Werte
einer angelegten Plasmaleistung von 3000 W bzw. 1500 W gezeigt (die
1500-W-Kurven sind gestrichelt, die 1500-W-F*-Linie ist als Kurve 22 gezeigt,
die entsprechende Hintergrundlinie ist die Kurve 24). Bei
etwa 50 s nimmt das F*-Signal 21 in der Stärke (für den Fall,
dass die invertierte Vorverstärkerspannung
stärker
negativ wird) bis zur Sättigung
zu. Da das F*-Signal 21 in der Stärke zunimmt, kann der Kammerdruck entsprechend
steigen. Tatsächlich
entspricht bei diesem Beispiel der F*-Anstieg einem Anstieg im Kammerdruck
auf einem Bereich von etwa 33 Pa (0,25 Torr) bis etwa 60 Pa (0,45
Torr). Andererseits nimmt das Hintergrund-Emissionssignal 23 ab
(wird weniger negativ), bis ein Sättigungswert erreicht ist.
Der Endpunkt tritt ein, wenn die beiden Signale sich jeweils auf
Sättigungswerten
befinden (der Sättigungswert
für jedes
Signal ist insgesamt anders). 3 zeigt,
dass unabhängig
von der Plasmaleistung die beiden Sätze der Kurven 21 und 23 sowie 22 und 24 sich
an einem Endpunkt sättigen,
der etwa zwischen 50 bis 75 s einzutreten scheint.
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4 zeigt
die invertierten Spannungssignale des Photodiodenvorverstärkers als
Funktion der Zeit für
einen ähnlichen
Film, obwohl die a-Si-Schicht dieses Films nur 500 Ångström dick ist.
Man sieht erneut, dass das F*-Signal 26 am Endpunkt zunimmt und
das Hintergrundsignal 28 abnimmt. Ebenfalls deutlich sichtbar
ist ein schneller Anstieg des Werts des normalisierten Signals 25 am
Endpunkt, das das Verhältnis
der Stärken
des F*-Signals 26 und des Hintergrundsignals 28 darstellt.
Das normalisierte Signal 25 wird mit einem geeichten Verhältnis einer "sauberen" Kammer verglichen,
das vom Benutzer gesetzt werden kann. Wenn das normalisierte Signal 25 kleiner
als das geeichte Verhältnis
ist, ist der Endpunkt noch nicht erreicht. Wenn das normalisierte
Signal 25 dem kalibrierten Verhältnis gleich ist, ist der Endpunkt
erreicht. In 4 ist bei etwa 53 s ein Sprung
im normalisierten Signal 25 sichtbar. Dieser Sprung führt dazu,
dass das normalisierte Signal 25 größer ist als das geeichte Verhältnis und
entspricht somit dem Endpunkt.
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Wenn
das normalisierte Signal 25 einmal größer ist als das kalibrierte
Schwellenwertverhältnis, ist
der Endpunkt erreicht, und der Hardware-Überätzungs-Zeitgeber 68 in
der Detektorelektronik 31 kann gestartet werden, was, wie
vorstehend erläutert, dazu
beiträgt,
die Konsistenz des Endpunkts dadurch zu unterstützen, dass Streuanzeigen des
Endpunkts aufgrund von Druckschwankungen, usw. beseitigt werden.
Dieser Zeitgeber kann vom Benutzer beispielsweise auf 0, 2, 5, 10
oder 15 s eingestellt werden. Während
dieser Zeit fährt
die Detektorelektronik 31 fort, zu prüfen, dass das normalisierte
Signal 25 mit dem kalibrierten Schwellenwertverhältnis vergleichbar
ist. Wenn die Signale divergieren, wird die Detektorelektronik 31 rückgesetzt,
um wieder auf eine richtige Signalanpassung zu warten. Wenn die Hardware-Überätzung erfolgreich abgeschlossen
ist, ändert
die Detektorelektronik 31 den Zustand des Getan-Bits 67 von "bestätigt" auf "unbestätigt" oder von "hoch" auf "niedrig". In 4 geschieht
dies bei etwa 53 s. Der Empfang des Getan-Bits 67 kann
wiederum einen zusätzlichen
Software-Überätzungs-Zeitgeber 71 in
dem Reinigungsprogramm 55 beginnen lassen. Dem Zeitraum
dieses Zeitgebers folgend, können
nachfolgende Reinigungsschritte oder Behandlungsschritte ausgeführt werden.
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5 zeigt
die normalisierten Signale für
die Daten, die in 3 angezeigt sind, wo das Reinigungsverfahren
mit zwei Plasmaleistungen verwendet wird. Die Kurve 52 zeigt
das normalisierte Signal bei einem 3000-W-Plasma, während die
Kurve 54 das normalisierte Signal bei einem 1500-W-Plasma zeigt.
Die Kurve 54 ist nicht so stark wie die Kurve 52, und
die Zeit zum Erreichen des Endpunkts ist größer. Trotzdem ist das Niveau
der Signalsättigung
konsistent. Dies zeigt, dass das Verfahren und die Vorrichtung der
Erfindung in vorteilhafter Weise bei Plasmen mit unterschiedlichen
Leistungen verwendet werden können.
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Bei
einer verwandten Form können
das Verfahren und die Vorrichtung der Erfindung auch dann verwendet
werden, wenn die Detektoreingänge
weniger effizient sind. Beispielsweise ist es häufig der Fall, dass die Transparenz
des die Detektoren von der Kammer 133 trennenden Fensters 38 sich ändert, wenn
sich versehentlich Abscheidungsfilme auf dem Fenster 38 aufbauen
(diese Wirkungsgradänderung
wirkt ähnlich
wie eine Änderung
der Plasmaleistung). Dies verhindert nicht, dass das Verfahren und die
Vorrichtung der Erfindung zweckmäßig sind,
da die Signalsättigung
trotz der Änderung
der Fenstertransparenz noch effektiv erfasst werden kann.
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6 zeigt
Stärkesignale,
gemessen an einem Rückstandsgas-Analysator
("RGA") für die Gasmassen,
die Fluor (Signal 62) und Siliciumfluorid (SiF3,
Signal 64) entsprechen. Ebenfalls gezeigt ist das Getan-Bit-Signal 66 aus
der Detektorelektronik 31. Im Gegensatz zu den Signalen
in 3 bis 5 sind diese Signale nicht invertiert.
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Diese
RGA-Signale werden als eine Prüfung bei
dem oben erörterten
optoelektronischen Verfahren gemessen. Die y-Achse hat willkürliche Einheiten.
Die Einheiten der x-Achse sind Sekunden. Das Diagramm zeigt, dass
das Fluorsignal 64 ansteigt und das Siliciumfluoridsignal 62 abfällt, so
dass sie sich bei etwa 50 s schneiden. Dieser Schnittpunkt kann
als "RGA-Endpunkt" bezeichnet werden.
Dieser Schnittpunkt tritt gerade vor der Signalsättigung und der Bestätigung des
Getan-Bits 66 auf, die bei etwa 62 s in Erscheinung tritt.
Somit stimmt der RGA-Endpunkt annähernd mit dem von der Detektorelektronik 31 bestimmten überein.
Der genaue Zeitpunkt, bei dem die Detektorelektronik 31 den
Endpunkt bestimmt hat, ist bei diesem Beispiel als quadratischer Punkt 57 gezeigt.
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Die
vorstehende Ausführungsform
wurde unter Bezug auf bestimmte Gase beschrieben. Insbesondere wurden
Ar als Inertgas und NF3 als Reinigungsgas
verwendet. Es können
auch andere inerte Edelgase und molekulare Gase verwendet werden, wie
Helium, Neon, Krypton, Xenon und molekularer Stickstoff, sowie andere
Gase mit ähnlichen
Eigenschaften. Darüber
hinaus können
andere Reinigungsgase ebenfalls verwendet werden, beispielsweise
CF4, C2F6 und SF6, sowie
andere Gase mit ähnlichen
Reinigungseigenschaften. Häufig
enthalten diese Gase Fluor.
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Das
Reinigungsverfahren kann dazu verwendet werden, eine Anzahl von
abgeschiedenen Filmen abzureinigen. Beispielsweise können Filme von
SixOy, SirNs, a-Si, Polysilicium
und SiON nach der Erfindung entfernt werden.
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Die
vorliegende Erfindung wurde bezogen auf eine bevorzugte Ausführungsform
beschrieben. Die Erfindung ist jedoch nicht auf die dargestellte
und beschrieben Ausgestaltung beschränkt. Stattdessen wird der Rahmen
der Erfindung durch die beiliegenden Ansprüche bestimmt.