DE10115492A1 - Verfahren zur Aufbereitung einer Reaktionskammer - Google Patents
Verfahren zur Aufbereitung einer ReaktionskammerInfo
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Abstract
Es wird ein Verfahren zum Aufbereiten der Reaktionskammer eines Ätzreaktors und zum Kontrollieren kritischer Abmessungen einer Ätzschicht vorgeschlagen. Nach einer Trockenreinigung oder vorsorglichen Wartung werden gasförmiger Stickstoff und Wasserstoff in die Reaktionskammer eingelassen und wird ein Dummy-Wafer im Inneren der Reaktionskammer angeordnet. Eine Quelle für Radiofrequenzenergie (RF) wird eingeschaltet, um einen Waferätzvorgang einzuleiten. Photolackmaterial auf dem Dummy-Wafer reagiert mit den Gasen im Inneren der Reaktionskammer, so daß Teilchen mit hohem Molekulargewicht gebildet werden und so die Kammer innerhalb sehr kurzer Zeit wieder aufbereitet wird. Alternativ kann statt eines Dummy-Wafers ein Wafer für die Produktion, der mit einer Ätzstoppschicht versehen ist, die mit gasförmigem Stickstoff und Sauerstoff reagieren kann, im Inneren der Reaktionskammer nach einer Trockenreinigung oder einer vorsorglichen Wartung angeordnet werden. Gasförmiger Stickstoff und Wasserstoff werden in die Reaktionskammer eingelassen, und dann wird RF-Energie eingeschaltet, um die Ätzung des Wafers einzuleiten. Die Gase im Inneren der Reaktionskammer reagieren mit dem für die Produktion vorgesehenen Wafer, so daß schnell Teilchen mit hohem Molekulargewicht erzeugt werden, wodurch die Reaktionskammer in situ aufbereitet wird. Darüber hinaus reagiert die gasförmige Mischung mit der Ätzstoppschicht auf dem Wafer in kontrollierter Art und Weise, so daß kritische Abmessungen ...
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur
Herstellung von Halbleitergeräten. Insbesondere betrifft die
vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Aufbereiten einer
Reaktionskammer und zum Kontrollieren der kritischen
Abmessungen einer Ätzschicht.
Nach der Verwendung eines Reaktors für chemische
Dampfablagerung (CVD) oder eines Ätzreaktors über eine
gewissen Zeitraum hat sich häufig Material aus
Reaktionsprodukten oder Material mit hohem Molekulargewicht
auf der Innenoberfläche der Reaktionskammer abgelagert. Das
aufgebrachte Material haftet nur lose an den
Reaktorseitenwänden an. Daher kann das Material leicht
abfallen, so daß es Verschmutzungsteilchen im Inneren der
Reaktionskammer bei einem darauffolgenden Prozeß erzeugt.
Um die Ansammlung einer zu starken Verschmutzung im Inneren
einer Reaktionskammer zu verhindern, wird bei einem
CVD-Reaktor oder einem Ätzreaktor nach einem eingestellten
Zeitraum eine Trockenreinigung durchgeführt, so daß
Mikroteilchen, die an den inneren Seitenwänden der
Reaktionskammer anhaften, entfernt werden. Weiterhin wird
nach langer Betriebszeit und einer bestimmten Anzahl an
Trockenreinigungsvorgängen häufig eine vorsorgliche Wartung
(PM) der Reaktionskammer durchgeführt, um die Reaktionskammer
so wieder herzustellen, daß ideale Betriebsbedingungen
herrschen.
Bei einer typischen Bearbeitungssituation, beispielsweise
einem Ätzvorgang, bleiben häufig wenige Mikroteilchen an den
inneren Seitenwänden der Reaktionskammer haften. Nach der
Trockenreinigung oder einer vorsorglichen Wartung haften
jedoch Mikroteilchen nicht mehr an den Innenoberflächen der
Reaktionskammer an. Der Zustand ohne Mikroteilchen
unmittelbar nach einer Trockenreinigung oder einer
vorsorglichen Wartung führt häufig zu einem Absinken der
Ätzrate und zu einer Verschlechterung der Gleichförmigkeit
der Ätzung. Daher ist ein Vorbehandlungsschritt dazu
erforderlich, um die Reaktionskammer nach einer
Trockenreinigung oder einer vorsorglichen Wartung wieder
aufzubereiten.
Herkömmlich wird zur Aufbereitung einer Reaktionskammer nach
einer Trockenreinigung oder einer routinemäßig durchgeführten
vorsorglichen Wartung ein Dummy-Wafer im Inneren der
Reaktionskammer angeordnet. Danach werden Gase einschließlich
Trifluormethan, Kohlenstofftetrachlorid, Argon und Sauerstoff
in die Reaktionskammer eingelassen. Schließlich wird eine
Sauerstoffplasmaätzung über einen vorbestimmten Zeitraum
durchgeführt, so daß einige Mikroteilchen erneut an den
Innenoberflächen der Reaktionskammer anhaften.
Das voranstehend geschilderte Aufbereitungsverfahren weist
jedoch einige Nachteile auf, zum Beispiel:
- 1. Zur Aufbereitung des Inneren der Reaktionskammer muß ein Ätzvorgang mit einem Sauerstoffplasma über mehr als eine Stunde nach jeder Trockenreinigung oder vorsorglichen Wartung durchgeführt werden. Dies ist eine beträchtliche Zeit.
- 2. Da eine Sauerstoffplasmaätzung mit einer Dauer von mehr als einer Stunde erforderlich ist, nach jeder Trockenreinigung oder vorsorglichen Wartung, wird der Dummy-Wafer schnell verbraucht. Daher muß der Dummy-Wafer, der innerhalb der Reaktionskammer angebracht ist, häufig ausgetauscht werden. Weiterhin müssen spezielle Gase in die Reaktionskammer während der Aufbereitung eingelassen werden, wodurch die Kosten für die Trockenreinigung und die vorsorgliche Wartung erhöht werden.
- 3. Da die Aufbereitungszeit nach jeder Trockenreinigung und vorsorglichen Wartung zeitaufwendig ist, wird der Trockenreinigungszyklus verlängert. Durch Verlängerung des Trockenreinigungszyklus sammeln sich jedoch mehr Teilchen mit hohem Molekulargewicht auf den Innenoberflächen der Reaktionskammer an, was zu einem kürzeren Zyklus für die vorsorgliche Wartung führt, und die Nutzungsrate der Ausrüstung verringert.
- 4. Nach Aufbereitung der Reaktionskammer werden die Gase Stickstoff und Sauerstoff in die Reaktionskammer eingelassen, um mit der zu ätzenden Schicht zu reagieren, jedoch kann die Gasquelle nicht einfach die kritischen Abmessungen der zu ätzenden Schicht kontrollieren.
Daher besteht ein Vorteil der vorliegenden Erfindung in der
Bereitstellung eines Verfahrens zum Aufbereiten einer
Reaktionskammer auf solche Weise, daß die Reaktionskammer den
Normalbetrieb innerhalb des kürzestmöglichen Zeitraums wieder
aufnehmen kann.
Ein zweiter Vorteil der Erfindung besteht in der
Bereitstellung eines Verfahrens zum Aufbereiten einer
Reaktionskammer auf solche Weise, daß die Kosten für die
Trockenreinigung und die vorsorgliche Wartung verringert
werden.
Ein dritter Vorteil der Erfindung besteht in der
Bereitstellung eines Verfahrens zum Aufbereiten einer
Reaktionskammer auf solche Weise, daß der Zyklus für die
vorsorgliche Wartung der Reaktionskammer verlängert wird, und
die Nutzungsrate der Nutzzeit der Einrichtung erhöht wird.
Ein vierter Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht in der
Bereitstellung eines Verfahrens zum Kontrollieren einer
Ätzschicht auf solche Weise, daß die geätzte Schicht
vertikale Seitenwände und exakte, kritische Abmessungen
aufweist.
Um diese und weitere Vorteile zu erreichen, wird gemäß der
vorliegenden Erfindung Erfindung ein Verfahren zum
Aufbereiten der Reaktionskammer eines Ätzreaktors
vorgeschlagen. Nach mehreren Waferätzvorgängen wird eine
Trockenreinigung oder vorsorgliche Wartung der
Reaktionskammer durchgeführt. Nach der Trockenreinigung oder
vorsorglichen Wartung werden gasförmiger Stickstoff und
Wasserstoff in die Reaktionskammer eingelassen, und wird ein
Dummy-Wafer in der Reaktionskammer angeordnet. Eine Quelle
für Radiofrequenz (RF) wird eingeschaltet, um einen
Waferätzvorgang einzuleiten. Photolackmaterial auf dem Dummy-
Wafer reagiert mit den Gasen im Inneren der Reaktionskammer,
so daß Teilchen mit hohem Molekulargewicht erzeugt werden, so
daß die Reaktionskammer in sehr kurzer Zeit wieder
aufbereitet wird. Alternativ kann statt eines Dummy-Wafers
ein Wafer für die Produktion, der tatsächlich geätzt werden
soll, in der Reaktionskammer nach der Trockenreinigung oder
der vorsorglichen Wartung angeordnet werden. Zum Aufbereiten
der Reaktionskammer werden gasförmiger Stickstoff und
Wasserstoff in die Reaktionskammer eingelassen, und wird dann
RF-Energie eingeschaltet, um die Waferätzung zu beginnen. Die
Gase im Inneren der Reaktionskammer reagieren mit dem für die
Produktion vorgesehenen Wafer, so daß schnell Teilchen mit
hohem Molekulargewicht erzeugt werden. Daher wird die
Reaktionskammer in-situ bei dem Waferätzvorgang aufbereitet.
Zusätzlich führt das Vorhandensein gasförmigen Stickstoffs
und Wasserstoffs im Inneren der Reaktionskammer dazu, daß die
Ätzreaktion des für die Produktion vorgesehenen Wafers auf
kontrollierte Art und Weise vor sich geht. Daher werden
kritische Abmessungen der geätzten Schicht auf dem Wafer für
die Produktion exakter kontrolliert, während nahezu vertikale
Seitenwände hergestellt werden.
Es wird darauf hingewiesen, daß sowohl die voranstehende,
allgemeine Beschreibung als auch die folgende Beschreibung
von Einzelheiten als beispielhaft zu verstehen sind, und das
Verständnis der vorliegenden Erfindung erleichtern sollen.
Die beigefügten Zeichnungen sollen dazu dienen, das
Verständnis der Erfindung noch weiter zu erleichtern, und
gehören zur Beschreibung und bilden einen Teil von dieser.
Die Zeichnungen erläutern Ausführungsformen der Erfindung,
und dienen zusammen mit der Beschreibung zur Erläuterung der
Grundlagen der Erfindung. Es zeigt:
Fig. 1 und 2 eine schematische Querschnittsansicht des
Vorgangs der Aufbereitung einer Reaktionskammer
gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 eine schematische Querschnittsansicht eines Wafers
für die Produktion mit einer Ätzstoppschicht gemäß
der Erfindung; und
Fig. 4 eine schematische Querschnittsansicht zur
Erläuterung einer in-situ Aufbereitung einer
Reaktionskammer gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung.
Nunmehr werden die momentan bevorzugten Ausführungsformen der
Erfindung im einzelnen erläutert, von denen Beispiele in den
beigefügten Zeichnungen dargestellt sind. Soweit möglich
werden dieselben Bezugszeichen in den Zeichnungen und der
Beschreibung zur Bezeichnung gleicher oder ähnlicher Teile
verwendet.
Die Fig. 1 und 2 sind schematische Querschnittsansichten,
die den Vorgang zum Aufbereiten einer Reaktionskammer gemäß
einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
zeigen. Üblicherweise haftet eine bestimmte Menge an Teilchen
mit hohem Molekulargewicht an den inneren Seitenwänden einer
Reaktionskammer 100 nach jedem Produktionszyklus an. Nach
mehreren Produktionszyklen benötigt die Reaktionskammer 100
einen Trockenreinigungsvorgang zum Entfernen einiger dieser
Teilchen, und dann wird eine vorsorgliche Wartung nach
mehreren Trockenreinigungszyklen durchgeführt. Die
Trockenreinigung und die vorsorgliche Wartung der
Reaktionskammer wird danach in bestimmten Zyklen oder
Abständen wiederholt. Zur Durchführung einer Trockenreinigung
wird ein Dummy-Wafer (nicht gezeigt), auf welchem sich eine
Siliziumschicht befindet, im Inneren der in Fig. 1 gezeigten
Reaktionskammer 100 angebracht. Gas 108 wird in die
Reaktionskammer 100 von einer oberen Gasverteilungsplatte 110
aus eingelassen. Dann wird ein Schalter 104 für
Radiofrequenzleistung (RF) eingeschaltet. Die Radiofrequenz
weist beispielsweise eine Ausgangsleistung von etwa 700 W und
eine Frequenz von etwa 13,6 MHz auf. Das Gas, das in die
Reaktionskammer 110 eingelassen wird, ist eine Mischung, die
Stickstofffluorid, Sauerstoff und Stickstoff enthält, in
einem Verhältnis von etwa 10 : 48 : 30. Da jedoch sämtliche
Mikroteilchen mit hohem Molekulargewicht im Inneren der
Reaktionskammer 100 nach einem Trockenreinigungsvorgang oder
einer vorsorglichen Wartung entfernt wurden, muß die
Reaktionskammer für einen Zustand wieder aufbereitet werden,
der für die übliche Waferätzung geeignet ist.
Wie aus Fig. 2 hervorgeht, werden Gase 108 innerhalb der
Reaktionskammer 110 durch einen Auslaß 112 abgelassen. Ein
Dummy-Wafer 118 mit einer Photolackschicht 120 wird auf einer
elektrostatischen Spannvorrichtung 116 angeordnet, und dann
wird die elektrostatische Spannvorrichtung 116 über einer
unteren Elektrode 106 innerhalb der Reaktionskammer 100
angeordnet. Gas 114 wird in die Reaktionskammer 100
eingelassen, und dann wird die RF-Energie 104 eingeschaltet,
um einen Ätzschritt zum Aufbereiten der Reaktionskammer 100
durchzuführen. Das Gas 100 ist eine Gasmischung, die
Stickstoff und Wasserstoff im Verhältnis von 50 : 50 enthält.
Die RF-Energie 104 wird etwa 1 Minute lang eingeschaltet. Da
das Gas 114 mit der Photolackschicht 120 auf dem Dummy-Wafer
118 so reagiert, daß Mikroteilchen mit hohem Molekulargewicht
gebildet werden, kehrt die Reaktionskammer 100 zum üblichen
Betriebszustand in sehr kurzer Zeit zurück.
Wenn die Gasquelle bei einem tatsächlich für die Produktion
eingesetzten Ätzvorgang Stickstoff und Wasserstoff enthält,
kann der Aufbereitungsvorgang in-situ mit einem tatsächlichen
Wafer für die Produktion unmittelbar nach einem
Reinigungsvorgang durchgeführt werden. Darüber hinaus führt
die Verwendung einer Gasquelle, die gasförmigen Stickstoff
und Wasserstoff umfaßt, damit diese mit dem Wafer für die
Produktion reagieren, häufig zu einer besseren Kontrolle
kritischer Abmessungen einer geätzten Schicht, und erzeugt
exakt vertikale Seitenwände. Die geätzte Schicht kann
beispielsweise eine reflexvermindernde Beschichtung sein.
Fig. 3 ist eine schematische Querschnittsansicht eines
Wafers für die Produktion mit einer Ätzstoppschicht gemäß der
vorliegenden Erfindung. Wie in Fig. 3 gezeigt ist, werden
eine Isolierschicht 124, eine Ätzstoppschicht 126 und eine
Photolackschicht 128 hintereinander auf einem Wafer 122
ausgebildet. Die Isolierschicht kann eine Siliziumoxidschicht
sein, und die Ätzstoppschicht 126 eine reflexvermindernde
Beschichtung, wobei dies Beispiele sind. Nachdem Stickstoff
und Wasserstoff von der Gasquelle 114 (Fig. 1 und 2) mit
der Ätzstoppschicht 126 und der Photolackschicht 128 oben auf
dem Wafer 122 reagiert haben, kann das in Fig. 1
dargestellte Verfahren zum Reinigen der Reaktionskammer 100
verwendet werden.
Fig. 4 ist eine schematische Querschnittsansicht, welche die
in-situ-Aufbereitung einer Reaktionskammer gemäß einer
bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
erläutert. Gase 108 im Inneren der Reaktionskammer 110 werden
durch den Auslaß 112 abgelassen. Der Wafer 122, auf welchem
die Isolierschicht 124, die Ätzstoppschicht 126 und die
Photolackschicht 128 vorhanden sind, wird auf die
elektrostatische Spannvorrichtung 116 aufgelegt. Die
elektrostatische Spannvorrichtung 116 wird über der unteren
Elektrode 106 im Inneren der Reaktionskammer 100 angeordnet.
Gas 114 wird in die Reaktionskammer 100 eingelassen, und dann
wird die RF-Energie 104 eingeschaltet, um sowohl eine Ätzung
des Wafers 122 als auch eine Aufbereitung der Reaktionskammer
100 durchzuführen. Das Gas 114 ist eine Gasmischung, die
Stickstoff und Wasserstoff im Verhältnis von 50 : 50 enthält.
Da das Ätzen der Ätzstoppschicht 126 den ersten Schritt bei
dem Vorgang darstellt, ist ganz am Anfang der Ätzvorgang
langsam. Sobald jedoch das Gas von der Gasquelle 114 mit dem
Material in der Ätzstoppschicht 124 reagiert, werden schnell
Mikroteilchen mit hohem Molekulargewicht erzeugt. Innerhalb
weniger Minuten kehrt daher die Reaktionskammer 100 zum
normalen Betriebszustand zurück. Anders ausgedrückt wird,
während der Wafer für die Produktion geätzt wird, die
Reaktionskammer 100 in-situ aufbereitet. Nach einer
vorsorglichen Wartung wird jedoch die Reaktionskammer 100
vorzugsweise dadurch wieder aufbereitet, daß in ihr ein
Dummy-Wafer 118 angeordnet wird, und die voranstehend
geschilderten Schritte durchgeführt werden.
Wie aus der voranstehend geschilderten Ausführungsform
deutlich wird, besteht eine wesentliche Eigenschaft der
vorliegenden Erfindung in der Aufbereitung einer
Reaktionskammer durch Einlassen von gasförmigem Stickstoff
und Wasserstoff in die Reaktionskammer. Der gasförmige
Stickstoff und Wasserstoff reagieren mit dem
Photolackmaterial auf einem Dummy-Wafer, um Mikroteilchen mit
hohem Molekulargewicht zu erzeugen. Daher kann die
Reaktionskammer innerhalb sehr kurzer Zeit zum normalen
Betriebszustand zurückkehren.
Der Wiederaufbereitungsschritt kann in sehr kurzer Zeit
fertiggestellt werden. Anders als ein herkömmliches
Wiederaufbereitungsverfahren, dessen Durchführung mehr als
eine Stunde erfordert, wird der Verbrauch des Dummy-Wafers
wesentlich verringert. Schließlich werden die Kosten für die
Trockenreinigung und die vorsorgliche Wartung der
Reaktionskammer wesentlich verringert.
Da der Aufbereitungsschritt schnell und einfach durchgeführt
werden kann, können die Trockenreinigungszyklen verlängert
werden, um so Produktionsbedingungen zu schaffen, mit denen
Produkte höherer Qualität hergestellt werden können. Durch
Verkürzung des Trockenreinigungszyklus können darüber hinaus
die Abstände für die vorsorgliche Wartung verringert werden,
und kann die Nutzungsrate der Einrichtung verbessert werden.
Wenn die Gase einer Gasquelle, die Stickstoff und Wasserstoff
enthält, mit dem Material in einer Ätzstoppschicht auf einen
Wafer reagieren können, kann darüber hinaus die
Reaktionskammer wieder aufbereitet werden, während ein Wafer
für die Produktion geätzt wird. Dies liegt daran, daß große
Mengen an Mikroteilchen mit hohem Molekulargewicht schnell
erzeugt werden, wenn der erste Schritt die Ätzung der
Ätzstoppschicht ist. Weiterhin wird eine bessere Kontrolle
der kritischen Abmessungen einer Ätzstoppschicht erzielt, und
werden exakter vertikale Seitenwände der Ätzstoppschicht
erzeugt, wenn die Ätzstoppschicht mit gasförmigem Stickstoff
und Wasserstoff reagiert.
Fachleuten wird deutlich werden, daß verschiedene
Modifikationen und Variationen bei dem Gegenstand der
vorliegenden Erfindung vorgenommen werden können, ohne vom
Wesen oder Umfang der Erfindung abzuweichen. Wesen und Umfang
der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der Gesamtheit
der vorliegenden Anmeldeunterlagen und sollen von den
beigefügten Patentansprüchen umfaßt sein.
Claims (16)
1. Verfahren zum Aufbereiten einer Reaktionskammer mit
folgenden Schritten:
Reinigen der Reaktionskammer durch Entfernen von Mikroteilchen mit hohem Molekulargewicht im Inneren der Reaktionskammer;
Anordnung eines Dummy-Wafers, auf welchem sich eine Photolackschicht befindet, im Inneren der Reaktionskammer, und Einlassen einer ersten Gasmischung aus Wasserstoff und Stickstoff in die Reaktionskammer; und
Zulassen einer Reaktion der Gasmoleküle in der ersten Gasmischung mit Photolackmaterial auf dem Dummy-Wafer.
Reinigen der Reaktionskammer durch Entfernen von Mikroteilchen mit hohem Molekulargewicht im Inneren der Reaktionskammer;
Anordnung eines Dummy-Wafers, auf welchem sich eine Photolackschicht befindet, im Inneren der Reaktionskammer, und Einlassen einer ersten Gasmischung aus Wasserstoff und Stickstoff in die Reaktionskammer; und
Zulassen einer Reaktion der Gasmoleküle in der ersten Gasmischung mit Photolackmaterial auf dem Dummy-Wafer.
2. Aufbereitungsverfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Verhältnis von Stickstoff zu Wasserstoff in der ersten
Gasmischung etwa 50 : 50 beträgt.
3. Aufbereitungsverfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das Reinigen
der Reaktionskammer den Vorgang einer vorsorglichen
Wartung umfaßt.
4. Aufbereitungsverfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, daß das Reinigen
der Reaktionskammer einen Trockenreinigungsvorgang
umfaßt.
5. Aufbereitungsverfahren nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Trockenreinigung der Reaktionskammer weiterhin umfaßt:
Anordnung eines Dummy-Wafers, auf welchem eine Siliziumschicht vorhanden ist, im Inneren der Reaktionskammer;
Einlassen einer zweiten Gasmischung in die Reaktionskammer; und
Einschalten einer Quelle für Radiofrequenzenergie.
Anordnung eines Dummy-Wafers, auf welchem eine Siliziumschicht vorhanden ist, im Inneren der Reaktionskammer;
Einlassen einer zweiten Gasmischung in die Reaktionskammer; und
Einschalten einer Quelle für Radiofrequenzenergie.
6. Aufbereitungsverfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle
für Radiofrequenzenergie eine Ausgangsleistung von etwa
700 W aufweist.
7. Aufbereitungsverfahren nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet, daß die zweite
Gasmischung eine Mischung aus Stickstofffluorid,
Sauerstoff und Stickstoff ist.
8. Aufbereitungsverfahren nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Verhältnis von Stickstofffluorid, Sauerstoff und
Stickstoff in der zweiten Gasmischung etwa 10 : 48 : 30
beträgt.
9. Verfahren zum Aufbereiten einer Reaktionskammer und zum
Steuern kritischer Abmessungen einer Ätzschicht, mit
folgenden Schritten:
Einlassen einer ersten Gasmischung in die Reaktionskammer;
Einschalten einer Quelle für Radiofrequenzenergie zum Einleiten eines Trockenreinigungsvorgangs, der Mikroteilchen mit hohem Molekulargewicht im Inneren der Reaktionskammer entfernt;
Anordnen eines Wafers, der eine Ätzstoppschicht aufweist, im Inneren der Reaktionskammer;
Einlassen einer zweiten Gasmischung, die Stickstoff und Wasserstoff enthält, in die Reaktionskammer; und
Durchführung eines Ätzvorgangs.
Einlassen einer ersten Gasmischung in die Reaktionskammer;
Einschalten einer Quelle für Radiofrequenzenergie zum Einleiten eines Trockenreinigungsvorgangs, der Mikroteilchen mit hohem Molekulargewicht im Inneren der Reaktionskammer entfernt;
Anordnen eines Wafers, der eine Ätzstoppschicht aufweist, im Inneren der Reaktionskammer;
Einlassen einer zweiten Gasmischung, die Stickstoff und Wasserstoff enthält, in die Reaktionskammer; und
Durchführung eines Ätzvorgangs.
10. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Verhältnis von Stickstoff zu Wasserstoff in der zweiten
Gasmischung etwa 50 : 50 beträgt.
11. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die zweite
Gasmischung mit der Ätzstoppschicht reagieren kann.
12. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Ätzstoppschicht eine reflexvermindernde Beschichtung
umfaßt.
13. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die
Trockenreinigung der Reaktionskammer weiterhin das Ätzen
mit einem Sauerstoffplasma umfaßt.
14. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Gasmischung eine Mischung aus Stickstofffluorid,
Sauerstoff und Stickstoff ist.
15. Verfahren nach Anspruch 14,
dadurch gekennzeichnet, daß das
Verhältnis von Stickstofffluorid, Sauerstoff und
Stickstoff in der zweiten Gasmischung etwa 10 : 48 : 30
beträgt.
16. Verfahren nach Anspruch 9,
dadurch gekennzeichnet, daß die Quelle
für Radiofrequenzenergie eine Ausgangsleistung von etwa
700 W aufweist.
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|---|---|---|---|
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Patent Citations (3)
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