DE19840226A1 - Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Träger - Google Patents

Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Träger

Info

Publication number
DE19840226A1
DE19840226A1 DE19840226A DE19840226A DE19840226A1 DE 19840226 A1 DE19840226 A1 DE 19840226A1 DE 19840226 A DE19840226 A DE 19840226A DE 19840226 A DE19840226 A DE 19840226A DE 19840226 A1 DE19840226 A1 DE 19840226A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
circuit
substrate
circuit chip
auxiliary
auxiliary substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19840226A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19840226B4 (de
Inventor
Andreas Plettner
Karl Haberger
Christof Landesberger
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Original Assignee
Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV filed Critical Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV
Priority to DE19840226A priority Critical patent/DE19840226B4/de
Priority to PCT/EP1999/006470 priority patent/WO2000014789A1/de
Publication of DE19840226A1 publication Critical patent/DE19840226A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19840226B4 publication Critical patent/DE19840226B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/96Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68318Auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H01L2221/68322Auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68354Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83001Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector involving a temporary auxiliary member not forming part of the bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/35Mechanical effects
    • H01L2924/351Thermal stress
    • H01L2924/3511Warping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Bei einem Verfahren zum Aufbringen eines auf ein Hilfssubstrat aufgebrachten Schaltungschips auf ein Schaltungssubstrat wird zunächst der auf das Hilfssubstrat aufgebrachte Schaltungschip bereitgestellt. Nachfolgend wird ein Schaltungssubstrat, auf oder in das der Schaltungschip aufgebracht werden soll, an der von dem Hilfssubstrat abgewandten Oberfläche des Schaltungschips positioniert, indem eine Positionsänderung des Schaltungssubstrats und/oder des Hilfssubstrats durchgeführt wird. Der Schaltungschip wird nachfolgend von dem Hilfssubstrat abgelöst und auf das Schaltungssubstrat aufgebracht. Abschließend wird das Schaltungssubstrat mit dem Schaltungschip von dem Hilfssubstrat entfernt, indem wiederum eine Positionsänderung des Schaltungssubstrats und/oder des Hilfssubstrats durchgeführt wird.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Positionieren eines Schaltungschips auf einem Schaltungssub­ strat, und insbesondere auf einem Verfahren zum Positionie­ ren eines Schaltungschips, der sich auf einem Hilfssubstrat befindet, auf einem Schaltungssubstrat.
Durch die Entwicklung von kontaktbehafteten und kontaktlosen Chipkarten hat sich ein völlig neuer und schnellwachsender Markt für elektronische Mikro-Systeme ergeben. Demnach wer­ den integrierte Schaltungen nicht mehr lediglich in Großge­ räte oder auch Handsysteme eingebaut, sondern sozusagen "nackt" in Chipkarten. Eine konsequente Weiterentwicklung in diese Richtung führt zur sogenannten "Wegwerfelektronik", deren erster Vertreter die Telephonkarte war, und die nun­ mehr auch elektronische Etiketten und dergleichen umfaßt.
Bei derartigen Anwendungsgebieten sind sehr kleine und sehr dünne Schaltungschips, die die integrierten Schaltungen be­ inhalten, erforderlich. Ferner handelt es sich beispiels­ weise bei den elektronischen Etiketten um Massenartikel, so daß Bestrebungen dahingehend durchgeführt werden müssen, eine preisgünstige Massenfertigung zu ermöglichen. Eine sol­ che Massenfertigung erfordert eine parallele Fertigung, die solange wie möglich im Wafer-Verbund durchgeführt wird. So werden die auf den integrierten Schaltungschips definierten integrierten Schaltungen vollständig im Wafer-Verbund fer­ tiggestellt. Letztendlich müssen die Wafer jedoch zu Einzel­ chips vereinzelt werden, um die Chips nachfolgend auf das Bestimmungssubstrat aufzubringen. Diese Handhabung der Ein­ zelchips ist jedoch bei der für elektronische Etiketten und ähnliche Wegwerfelektronik vorliegenden Größe schwierig. So­ mit können übliche Handhabungsverfahren, beispielsweise mit­ tels eines Unterdrucks und dergleichen, nicht ohne weiteres angewendet werden.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht somit darin, neuartige Verfahren zum Aufbringen eines auf ein Hilfssub­ strat aufgebrachten Schaltungschips auf einen Träger zu schaffen, bei dem Probleme hinsichtlich der Handhabung klei­ ner und dünner Schaltungschips nicht auftreten.
Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 1 gelöst.
Die vorliegende Erfindung schafft ein Verfahren zum Aufbrin­ gen eines auf ein Hilfssubstrat aufgebrachten Schaltungs­ chips auf ein Schaltungssubstrat, bei dem zunächst ein auf ein Hilfssubstrat aufgebrachter Schaltungschip bereitge­ stellt wird. Nachfolgend wird ein Schaltungssubstrat auf oder in das der Schaltungschip aufgebracht werden soll, an der von dem Hilfssubstrat abgewandten Oberfläche des Schal­ tungschips positioniert, indem eine Positionsänderung des Schaltungssubstrats und/oder des Hilfssubstrats durchgeführt wird. Im Anschluß wird der Schaltungschip von dem Hilfssub­ strat abgelöst und auf das Schaltungssubstrat aufgebracht. Abschließend wird das Schaltungssubstrat mit dem aufgebrach­ ten Schaltungschip von dem Hilfssubstrat entfernt, indem wiederum eine Positionsänderung des Schaltungssubstrats und/oder des Hilfssubstrats durchgeführt wird.
Somit ist gemäß der vorliegenden Erfindung keine Handhabung des Schaltungschips erforderlich, wobei lediglich Positions­ änderungen des Schaltungssubstrats bzw. einer Haftfolie, auf das bzw. die der Schaltungschip aufgebracht werden soll, durchgeführt werden. Somit wird gemäß der vorliegenden Er­ findung eine direkte Handhabung der Schaltungschips vermie­ den, was insbesondere bei sehr kleinen und dünnen Schal­ tungschips vorteilhaft ist.
Das Ablösen des Schaltungschips von dem Hilfssubstrat, wenn das Schaltungssubstrat an der von dem Hilfssubstrat abge­ wandten Oberfläche des Schaltungschips positioniert ist, er­ folgt bei bevorzugten Ausführungsbeispielen der vorliegenden Erfindung durch das Zuführen von Energie zu der Verbindungs­ stelle zwischen Hilfssubstrat und Schaltungschip. Diese zu­ geführte Energie kann gleichzeitig auch eine Befestigung des Schaltungschips an oder in dem Schaltungssubstrat bewirken, beispielsweise eine Flip-Chip-Verbindung. Somit kann durch ein einmaliges Zuführen von Energie der Schaltungschip so­ wohl von dem Hilfssubstrat gelöst als auch auf das Schal­ tungssubstrat aufgebracht werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich insbesondere zum Aufbringen von solchen Schaltungschips auf ein Schaltungs­ substrat, die sich in einem Pseudo-Waferverbund auf einem Hilfssubstrat befinden. Pseudo-Waferverbund heißt, daß sich die Schaltungschips noch in der geometrischen Anordnung des ursprünglichen Waferverbunds befinden, jedoch bereits durch Ätzgräben, Sägestraßen, Trennfugen und dergleichen getrennt und somit vereinzelt sind. Die Vereinzelung in die Einzel­ chips erfolgte dabei derart, daß die Chips im Pseudo-Wafer­ verbund bleiben, in dem dieselben die gleiche Anordnung und Beabstandung wie im ursprünglichen Waferverbund besitzen. Aus diesem Pseudo-Waferverbund können die Schaltungschips gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren gelöst und auf ein Schaltungssubstrat aufgebracht werden, so daß eine getrennte Handhabung der Einzelchips nicht notwendig ist.
Vorzugsweise heben sich die Bondpads oder die Klebefläche auf dem Schaltungssubstrat, auf das der Schaltungschip auf­ gebracht werden soll, von der restlichen Oberfläche topo­ graphisch ab. Somit kann beispielsweise durch einen geziel­ ten Laserbeschuß sowohl die Verbindung Schaltungschip-Hilfs­ substrat gelöst als auch die Verbindung Schaltungschip-Trä­ gersubstrat hergestellt werden.
Das Schaltungssubstrat auf das der Schaltungschip aufge­ bracht wird, kann ein flexibles Substrat sein, wobei das­ selbe beispielsweise lokal verwölbt werden kann, um eine lo­ kale topographische Erhöhung zu bewirken, auf der ein ein­ zelner Schaltungschip plaziert werden kann. Überdies ist es möglich, eine Anzahl von Schaltungssubstraten, auf denen Schaltungschips positioniert werden sollen, auf einer fle­ xiblen Trägeranordnung, beispielsweise einer Folie, zu po­ sitionieren, wobei dann die flexible Trägeranordnung lokal verwölbt wird, um das Schaltungssubstrat an der von dem Hilfssubstrat abgewandten Oberfläche des Schaltungschips zu positionieren.
Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind in den ab­ hängigen Ansprüchen dargelegt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung eines ersten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Darstellung zur Veranschaulichung eines zweiten Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 eine schematische Darstellung, die eine Anzahl von Schaltungschips auf einem flexiblen Hilfssubstrat zeigt; und
Fig. 4 eine schematische Darstellung, die zeigt, wie die Schaltungschips vor dem Aufbringen auf ein Schal­ tungssubstrat mittels des flexiblen Hilfssubstrats positioniert werden können.
In Fig. 1 ist ein Hilfssubstrat 2 dargestellt, wobei auf ei­ ne Hauptoberfläche des Hilfssubstrats 2 beispielsweise über eine Haftschicht 4 Schaltungschips 6 aufgebracht sind. Das Hilfssubstrat 2, das auch als Handhabungssubstrat bezeichnet werden kann, kann beispielsweise ein Siliziumwafer, ein Glaswafer (Pyrex), eine Folie, ein metallisches Substrat oder ein Keramiksubstrat sein. An diesem Hilfssubstrat 2 sind die Schaltungschips mit ihrer Rückseite angebracht. Die dargestellte Struktur kann beispielsweise erhalten werden, wenn in einem Siliziumwafer zunächst eine Grabenstruktur ge­ bildet wird, die die Umrisse und die Tiefe der einzelnen Schaltungschips definiert, woraufhin das Hilfssubstrat 2 auf die Oberfläche des Wafers, in der die Grabenstruktur gebil­ det ist, aufgebracht wird. Nachfolgend wird der Wafer von der Rückseite her bis zu dem unteren Ende der Grabenstruktur gedünnt, so daß sich die in Fig. 1 dargestellte Struktur aus Hilfssubstrat und an demselben angebrachten Schaltungschips 6 ergibt.
Das Hilfssubstrat kann gemäß der vorliegenden Erfindung bei­ spielsweise ein Siliziumwafer, ein Pyrexglaswafer oder ein Quarzwafer sein. Alternativ kann das Hilfssubstrat durch ein keramisches oder metallisches Substrat gebildet sein. Es ist ferner möglich, als Hilfssubstrat ein flexibles Substrat zu verwenden, beispielsweise eine flexible Polymerfolie.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist nun vorteilhaft anwend­ bar, um diese Schaltungschips aus dem Pseudo-Waferverbund auf ein Schaltungssubstrat aufzubringen. Ein solches Schal­ tungssubstrat ist bei 8 in Fig. 1 gezeigt. Wie in Fig. 1 ferner schematisch gezeigt ist, befinden sich auf dem Schal­ tungssubstrat 8 Bondpads oder eine Klebefläche 10. Um einen Schaltungschip 6 aus dem Pseudo-Waferverbund auf diese Bond­ pads oder die Klebefläche aufzubringen, wird gemäß der vor­ liegenden Erfindung das Schaltungssubstrat 8 zu dem aufzu­ bringenden Schaltungschip 6 bewegt, derart, daß die Bondpads oder die Klebefläche 10 benachbart zu der von dem Hilfssub­ strat 2 abgewandten Oberfläche des Schaltungschips 6 ange­ ordnet sind. Überdies kann eine Postitionsänderung des Schaltungschips durchgeführt werden, indem das Hilfssubstrat gehandhabt wird, um die oben genannten Anordnung von Schal­ tungschip und Hilfssubstrat zu erreichen. Alternativ kann dabei lediglich eine Handhabung des Hilfssubstrats erfolgen, um einen Schaltungschip benachbart zu einem Schaltungssub­ strat zu positionieren. Im Anschluß wird mittels einer ge­ eigneten Vorrichtung 12, beispielsweise einer Vorrichtung zum Erzeugen eines Laserbeschusses, der Schaltungschip 6 von dem Hilfssubstrat 2 abgelöst, indem die Haftschicht 4 bei­ spielsweise geschmolzen wird. Gleichzeitig kann dadurch eine Verbindung des Schaltungschips mit den Bondpads oder der Klebefläche 10 auf dem Schaltungssubstrat 8 bewirkt werden. Sind diese Schritte durchgeführt, wird wiederum eine Posi­ tionsänderung des Schaltungssubstrats 8 durchgeführt, so daß der auf das Schaltungssubstrat aufgebrachte Schaltungschip von dem Hilfssubstrat 2 entfernt wird. Somit wurde der Schaltungschip auf das Schaltungssubstrat aufgebracht, ohne denselben einer getrennten Handhabung zu unterziehen.
Fig. 2 zeigt eine schematische Darstellung, die veranschau­ licht, wie das erfindungsgemäße Verfahren zur Ablösung einer Mehrzahl von Schaltungschips von einem Hilfsträger und das Aufbringen derselben auf Schaltungssubstrate verwendet wer­ den kann. Der Ausgangszustand des Hilfsträgers 2 mit den auf einer Hauptoberfläche desselben aufgebrachten Schaltungs­ chips 6 entspricht dem Ausgangszustand in Fig. 1. Jedoch ist in Fig. 2 eine Trägervorrichtung 20 gezeigt, auf der in be­ stimmten Abständen zueinander Schaltungssubstrate 22 ange­ ordnet sind, auf die jeweils Schaltungschips 6 aufgebracht werden sollen. Die Trägervorrichtung 20 ist in der Richtung des Pfeils 24 bewegbar, um die Schaltungssubstrate 22 nach­ einander jeweils an einem Schaltungschip 6 zu positionieren.
Wie in Fig. 2 ferner dargestellt ist, ist eine Hubvorrich­ tung 26 vorgesehen, die von unten auf die Trägervorrichtung 20, die aus einem flexiblen Material besteht, einwirken kann, um eine lokale Deformierung der Trägervorrichtung 20 zu bewirken, um ein Schaltungssubstrat 22 benachbart zu der von dem Hilfssubstrat 2 beabstandeten Oberfläche eines Schaltungschips 6 zu positionieren. Wie bezugnehmend auf Fig. 1 erläutert wurde, wird dann mittels einer Vorrichtung 12 der Schaltungschip von dem Hilfssubstrat 2 abgelöst und auf das Schaltungssubstrat 22 aufgebracht. Nachfolgend wird die Hubvorrichtung entgegen der Richtung des Pfeils 28 von dem Hilfssubstrat weg bewegt, wodurch die Trägervorrichtung 20 wiederum in die Position gebracht wird, die in Fig. 2 ge­ zeigt ist. Nachfolgend wird die Transportvorrichtung in die Richtung, die durch den Pfeil 24 gezeigt ist, bewegt, um das nächste Schaltungssubstrat 22 in Stellung zu bringen. Gleichzeitig kann das gesamte Hilfssubstrat 2 bewegt werden, um beispielsweise den nächsten Schaltungschip, 6' in Fig. 2, gegenüber der Hubvorrichtung 26 zu positionieren.
Bezugnehmend auf Fig. 2 wurde eine Transportvorrichtung 20 erläutert, die beispielsweise ein über Rollen verlaufendes Endlosband sein kann. Eine solche Transportvorrichtung ist jedoch nicht notwendig, wenn es sich bei dem Schaltungssub­ strat, auf das der Schaltungschip aufgebracht werden soll, um ein flexibles Substrat, beispielsweise eine Folie, han­ delt, die mit weiteren solchen flexiblen Substraten verbun­ den ist. Auf diesem flexiblen Substrat wären wiederum Bond­ pads bzw. Klebeflächen angeordnet. Entsprechend dem bezug­ nehmend auf Fig. 2 beschriebenen Verfahren würden die zu­ sammenhängenden flexiblen Substrate dann jeweils in der Richtung des Pfeils 24 weiterbewegt, bis die Bondpads bzw. die Klebefläche über der Hubvorrichtung 26 angeordnet wäre, woraufhin die Bondfläche bzw. die Klebefläche durch die Hub­ vorrichtung 26 benachbart zu der von dem Hilfssubstrat 2 be­ abstandeten Oberfläche eines Schaltungschips positioniert werden würde. Das Ablösen bzw. Aufbringen des Schaltungs­ chips auf den Bondflächen auf der Klebefläche des flexiblen Substrats würde wiederum auf die oben beschriebene Art und Weise erfolgen.
Neben der oben beschriebenen bandförmigen Anordnung der fle­ xiblen Träger könnten die Träger auch matrizenförmig, d. h. zweidimensional, in einem lösbaren Verbund angeordnet sein. Wiederum wird jeweils der Träger, d. h. das flexible Schal­ tungssubstrat, auf das ein Schaltungschip aufgebracht werden soll, über der Hubvorrichtung positioniert, woraufhin durch dieselbe eine vertikale Verwölbung des Trägers durchgeführt wird.
Es ist für Fachleute offensichtlich, daß beliebige Bewegun­ gen der Hubvorrichtung 26, der Transportvorrichtung 20 sowie des Hilfssubstrats 2 zueinander möglich sind, um jeweils ei­ nen Schaltungschip und ein Schaltungssubstrat oberhalb der Hubvorrichtung 26 in der richtigen Ausrichtung zueinander anzuordnen. Wichtig für die vorliegende Erfindung ist ledig­ lich daß nachfolgend das Schaltungssubstrat zu dem Schal­ tungschip bewegt wird (Pfeil 28 in Fig. 2), bzw. das Hilfs­ substrat zu dem Schaltungssubstrat bewegt wird, so daß keine gesonderte Handhabung eines kleinen, schwer zu handhabenden Chips erforderlich ist. Beispielsweise ist es möglich, nach einer groben Positionierung des Schaltungssubstrats eine Feinpositionierung des Hilfssubstrats mit den im Pseudowa­ ferverbund auf demselben angeordneten Schaltungschips durch­ zuführen, um die richtige Anordnung von einem der Schal­ tungschips bezüglich eines Schaltungssubstrats zu bewirken.
Ist der oder die Schaltungschips mittels eines Haftmittels an dem Hilfssubstrat angebracht, kann das Ablösen der Schal­ tungschips von dem Hilfssubstrat 2 kann auf eine Vielzahl von Arten erfolgen. Bevorzugt ist jedoch die Ablösung durch das Richten eines Laserstrahls auf die Verbindungsstelle zwischen Schaltungschip und Hilfssubstrat. Alternativ kann eine Wärmebehandlung, eine Ultraschallstrahlung oder eine Ultraviolett-Licht-Bestrahlung durchgeführt werden, um den Schaltungschip von dem Hilfssubstrat abzulösen. Überdies könnte ein solches Ablösen chemisch bewirkt werden, indem beispielsweise über eine Kanüle lokal ein Lösungsmittel zu­ geführt wird, oder indem ein lokales Plasma erzeugt wird. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können jeweils einzelne Schaltungschips auf Schaltungssubstrate aufgebracht werden, oder jeweils eine Reihe von Schaltungschips, d. h. bei der Anordnung von Fig. 2 beispielsweise eine Reihe von Schal­ tungschips, die in die Zeichenebene hinein angeordnet ist. Dabei können jeweils eine Mehrzahl von Schaltungssubstraten nebeneinander zugeführt werden und gleichzeitig mittels ei­ ner Hubvorrichtung benachbart zu Schaltungschips angeordnet werden. In diesem Fall kann eine geeignete Vorrichtung vor­ gesehen sein, um gleichzeitig eine Reihe von Schaltungschips von dem Hilfssubstrat abzulösen.
Obwohl die Vorrichtung 12 in den Fig. 1 und 2 derart ange­ ordnet ist, daß die Energie von der Rückseite des Hilfssub­ strats 2 her zugeführt wird, ist es für Fachleute offen­ sichtlich, daß diese Energie beispielsweise auch von der Seite oder beispielsweise mittels der Hubvorrichtung 26 zu­ geführt werden kann.
Alternativ können die Schaltungschips mittels elektrostati­ scher oder magnetischer Kupplungen an dem Hilfssubstrat an­ gebracht sein. Ferner ist es möglich, die Schaltungschips mittels Unterdruck an dem Hilfssubstrat zu halten. In diesen Fällen ist es jeweils nur notwendig, den jeweiligen Halteme­ chanismus abzustellen, um die Schaltungschips von dem Hilfs­ substrat abzulösen.
Bezugnehmend auf Fig. 3 wird nun eine Variante des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens beschrieben, bei dem als Hilfssub­ strat eine flexible Folie 30 (Fig. 3a) verwendet ist. Auf dieser Folie 30 sind, wiederum im Pseudowaferverbund mit ei­ nem Abstand A zwischen denselben, eine Mehrzahl von Schal­ tungschips 6 angeordnet. Bei der flexiblen Folie 30 handelt es sich vorzugsweise um eine flexible Haftfolie, die dehnbar ist.
Die flexible Haftfolie kann nun, eventuell unter Wärmezu­ fuhr, gedehnt werden, wodurch sich die Abstände zwischen den einzelnen Schaltungschips vergrößern, siehe Abstand B in Fig. 3b. Durch diese Vergrößerung der Abstände zwischen den einzelnen Schaltungschips 6 ist es möglich, das erfindungs­ gemäße Verfahren, das oben bezugnehmend auf Fig. 2 beschrie­ ben wurde, einfacher durchzuführen. Die Darstellung in Fig. 3b ist rein schematisch, wohingegen in Fig. 3c dargestellt ist, daß der unterhalb der Schaltungschips 6 befindliche Teil der Haftfolie 32 bei der Dehnung der Haftfolie seine ursprüngliche Dicke beibehält, während die übrigen Abschnit­ te 34 der Haftfolie bei der Dehnung der Haftfolie eine Ver­ dünnung erfahren.
Um die Schaltungschips in der in Fig. 3a gezeigten Anord­ nung auf die Folie 30 aufzubringen, kann beispielsweise die Folie ganzflächig auf die auf einem Zwischenträger angeord­ neten Schaltungschips auflaminiert werden. Überdies kann die Folie bereits als Träger bei Dünnungs- und Vereinzelungs- Prozessen der Schaltungschips gedient haben.
Die Folie 30 kann nun vorteilhaft gehandhabt werden, um die einzelnen Schaltungschips jeweils in einer vorbestimmten Beziehung zu einem Schaltungssubstrat zu positionieren. In Fig. 4 ist schematisch eine Möglichkeit für eine solche Handhabung dargestellt. So kann die Folie auf ein kugelför­ miges Objekt gespannt werden, wobei das kugelförmige Objekt nachfolgend wie ein Typenrad einer Schreibmaschine gesteuert wird, um die Schaltungschips 6 bestimmungsgemäß jeweils re­ lativ zu einem Schaltungssubstrat zu positionieren.
Die vorliegende Erfindung ermöglicht somit das Ablösen von Schaltungschips von einem Hilfsträger und das Aufbringen dieser Schaltungschips auf ein Schaltungssubstrat bzw. eine flexible Haftfolie, ohne die Schaltungschips einzeln hand­ haben zu müssen. Somit eignet sich das erfindungsgemäße Ver­ fahren hervorragend für schnelle und kosteneffiziente Mas­ senfertigungsverfahren.
Das Schaltungssubstrat, auf das die jeweiligen Schaltungs­ chips aufgebracht werden, kann beispielsweise ein isolie­ rendes Substrat sein, das eine Ausnehmung aufweist, in die der Schaltungschip eingebracht werden soll. In diesem Fall können die Wände der Ausnehmung beispielsweise abgeschrägt sein, um mögliche Justierungsungenauigkeiten auszugleichen, so daß der Schaltungschip durch die Abschrägung in die Aus­ nehmung geführt wird.

Claims (12)

1. Verfahren zum Aufbringen eines auf ein Hilfssubstrat (2; 30) aufgebrachten Schaltungschips (6) auf ein Schaltungssubstrat (8; 22), mit folgenden Schritten:
Bereitstellen des auf das Hilfssubstrat (2; 30) aufgebrachten Schaltungschips (6);
Positionieren eines Schaltungssubstrats (8; 22), auf oder in das der Schaltungschip (6) aufgebracht werden soll, an der von dem Hilfssubstrat (2; 30) abgewandten Oberfläche des Schaltungschips (6), durch eine Posi­ tionsänderung des Schaltungssubstrats (8; 22) und/oder des Hilfssubstrats (2; 30);
Ablösen des Schaltungschips (6) von dem Hilfssubstrat (2; 30) und Aufbringen desselben auf das Schaltungssub­ strat (8; 22); und
Entfernen des Schaltungssubstrats (8; 22) mit dem Schaltungschip (6) von dem Hilfssubstrat (2; 30), durch eine Positionsänderung des Schaltungssubstrats (8; 22) und/oder des Hilfssubstrats (2; 30).
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, bei dem das Schaltungssub­ strat ein isolierendes Substrat ist und eine Ausnehmung aufweist, in der der Schaltungschip (6) plaziert wird.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1 oder 2, bei dem das Schal­ tungssubstrat (8; 22) ein flexibles Schaltungssubstrat ist.
4. Verfahren gemäß Anspruch 3, bei dem das flexible Schal­ tungssubstrat (8; 22) an die von dem Hilfssubstrat (2; 30) abgewandte Oberfläche des Schaltungschips (6) he­ rangeführt wird, indem dasselbe lokal deformiert wird.
5. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem der Schritt b) folgende Schritte aufweist:
Bewegen des Schaltungssubstrats (22) in die Nähe der von dem Hilfssubstrat (2; 30) abgewandten Oberfläche des Schaltungschips (6) mittels einer flexiblen Trans­ porteinrichtung (20); und
Positionieren des Schaltungssubstrats (22) an der dem Hilfssubstrat (2; 30) abgewandten Oberfläche des Schal­ tungschips (6) durch lokales Deformieren der flexiblen Transporteinrichtung (20).
6. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem das Schaltungssubstrat (8; 22) Bondanschlußflächen oder eine Klebefläche aufweist, die sich von der restlichen des Schaltungschips topographisch abheben, und auf die der integrierte Schaltungschip (6) aufgebracht wird.
7. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem das Hilfssubstrat (30) eine dehnbare flexible Folie ist.
8. Verfahren gemäß Anspruch 7 zum Aufbringen einer Mehr­ zahl von Schaltungschips, die mit einer ersten Beab­ standung zwischen denselben auf der dehnbaren flexiblen Folie (30) angeordnet sind, auf jeweilige Schaltungs­ substrate, das ferner den Schritt des Dehnens der fle­ xiblen Folie (30) aufweist, um die erste Beabstandung (A) zwischen den Schaltungschips (6) in eine zweite Be­ abstandung (B) zu vergrößern.
9. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, bei dem der integrierte Schaltungschip (6) oder die integrier­ ten Schaltungschips (6) durch das Zuführen von Energie zu der Verbindungsstelle zwischen Hilfssubstrat (2; 30) und Schaltungschip (6) von dem Hilfssubstrat (2; 30) gelöst wird bzw. werden.
10. Verfahren gemäß Anspruch 9, bei dem im Schritt c) Ener­ gie durch eine Laserbestrahlung, eine UV-Licht-Bestrah­ lung oder eine Ultraschallbehandlung zugeführt wird.
11. Verfahren gemäß Anspruch 9, bei dem im Schritt c) Ener­ gie durch eine Wärmebehandlung zugeführt wird.
12. Verfahren gemäß Anspruch 9, bei dem durch die Energie­ zufuhr im Schritt c) ferner der integrierte Schaltungs­ chip (6) mit dem Schaltungssubstrat (8; 22) verbunden wird.
DE19840226A 1998-09-03 1998-09-03 Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Träger Expired - Fee Related DE19840226B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19840226A DE19840226B4 (de) 1998-09-03 1998-09-03 Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Träger
PCT/EP1999/006470 WO2000014789A1 (de) 1998-09-03 1999-09-02 Verfahren zum aufbringen eines schaltungschips auf einen träger

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19840226A DE19840226B4 (de) 1998-09-03 1998-09-03 Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Träger

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19840226A1 true DE19840226A1 (de) 2000-03-16
DE19840226B4 DE19840226B4 (de) 2006-02-23

Family

ID=7879717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19840226A Expired - Fee Related DE19840226B4 (de) 1998-09-03 1998-09-03 Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Träger

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE19840226B4 (de)
WO (1) WO2000014789A1 (de)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10158563C1 (de) * 2001-11-29 2003-07-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Bauelementmoduls
WO2003105063A2 (en) * 2002-01-18 2003-12-18 Avery Dennison Corporation Cross-reference
DE10349847B3 (de) * 2003-10-25 2005-05-25 Mühlbauer Ag Positionierungsvorrichtung und -Verfahren für die Übertragung elektronischer Bauteile
DE102004021259A1 (de) * 2004-04-30 2005-11-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats
DE102004033645A1 (de) * 2004-05-10 2005-12-15 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Herstellungswerkzeug für eine Waferebene-Packung und Verfahren zum Anordnen von Chips
US7023347B2 (en) 2002-08-02 2006-04-04 Symbol Technologies, Inc. Method and system for forming a die frame and for transferring dies therewith
US7117581B2 (en) 2002-08-02 2006-10-10 Symbol Technologies, Inc. Method for high volume assembly of radio frequency identification tags
US7187293B2 (en) 2004-08-17 2007-03-06 Symbol Technologies, Inc. Singulation of radio frequency identification (RFID) tags for testing and/or programming
US7223320B2 (en) 2003-06-12 2007-05-29 Symbol Technologies, Inc. Method and apparatus for expanding a semiconductor wafer
US7370808B2 (en) 2004-01-12 2008-05-13 Symbol Technologies, Inc. Method and system for manufacturing radio frequency identification tag antennas
US7479614B2 (en) 2004-01-12 2009-01-20 Symbol Technologies Radio frequency identification tag inlay sortation and assembly
US7578053B2 (en) 2004-12-03 2009-08-25 Hallys Corporation Interposer bonding device
US7646304B2 (en) 2006-04-10 2010-01-12 Checkpoint Systems, Inc. Transfer tape strap process
US8025086B2 (en) 2005-04-06 2011-09-27 Hallys Corporation Electronic component manufacturing apparatus
DE102011017218A1 (de) * 2011-04-15 2012-10-18 Mühlbauer Ag Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten Träger zu einem zweiten Träger
DE102008033651B4 (de) * 2007-07-20 2013-08-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102009022299B4 (de) * 2008-05-26 2014-07-17 Technische Universität Chemnitz Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen eines elektronischen Bauelements auf ein Substrat
DE102017101536A1 (de) 2017-01-26 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips
DE102006048799B4 (de) 2006-10-16 2018-09-20 Nissan Chemical Industries, Ltd. Verfahren und Einrichtung zum Ablösen eines dünnen Wafers oder bereits vereinzelter Bauelemente eines dünnen Wafers von einem Träger

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6606247B2 (en) 2001-05-31 2003-08-12 Alien Technology Corporation Multi-feature-size electronic structures
US7253735B2 (en) 2003-03-24 2007-08-07 Alien Technology Corporation RFID tags and processes for producing RFID tags
US7500307B2 (en) 2004-09-22 2009-03-10 Avery Dennison Corporation High-speed RFID circuit placement method
US7688206B2 (en) 2004-11-22 2010-03-30 Alien Technology Corporation Radio frequency identification (RFID) tag for an item having a conductive layer included or attached
US7555826B2 (en) 2005-12-22 2009-07-07 Avery Dennison Corporation Method of manufacturing RFID devices
DE102013001967B4 (de) 2013-02-05 2014-10-09 Mühlbauer Ag Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten Träger zu einem zweiten Träger
DE102018006771B4 (de) 2018-08-27 2022-09-08 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten zu einem zweiten Träger
DE102018006760A1 (de) 2018-08-27 2020-02-27 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Inspektion beim Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten zu einem zweiten Träger
DE102020001439B3 (de) 2020-02-21 2021-06-10 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten zu einem zweiten Träger
TWI768349B (zh) * 2020-05-22 2022-06-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 晶片移轉系統以及晶片移轉模組
DE102020005484A1 (de) 2020-09-07 2022-03-10 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Vorrichtungen und Verfahren zum Betreiben von mindestens zwei Werkzeugen

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1805174A1 (de) * 1968-10-25 1970-05-14 Telefunken Patent Verfahren zum Aufbringen von Einzelkoerpern auf einen Grundkoerper
US3931922A (en) * 1972-01-29 1976-01-13 Ferranti, Limited Apparatus for mounting semiconductor devices
DE3808667A1 (de) * 1988-03-15 1989-10-05 Siemens Ag Montageverfahren zur herstellung von led-zeilen
US5411921A (en) * 1992-02-10 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Semiconductor chip die bonding using a double-sided adhesive tape
DE19738922A1 (de) * 1997-09-05 1998-11-19 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Bestücken eines Leadframes mit integrierten Schaltungen

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5850021B2 (ja) * 1982-07-16 1983-11-08 富士通株式会社 半導体装置の製法
US4845335A (en) * 1988-01-28 1989-07-04 Microelectronics And Computer Technology Corporation Laser Bonding apparatus and method
JPH06275662A (ja) * 1993-03-24 1994-09-30 Hitachi Ltd 半導体ペレット付け方法及びその実施装置
US5528222A (en) * 1994-09-09 1996-06-18 International Business Machines Corporation Radio frequency circuit and memory in thin flexible package
JP3197788B2 (ja) * 1995-05-18 2001-08-13 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1805174A1 (de) * 1968-10-25 1970-05-14 Telefunken Patent Verfahren zum Aufbringen von Einzelkoerpern auf einen Grundkoerper
US3931922A (en) * 1972-01-29 1976-01-13 Ferranti, Limited Apparatus for mounting semiconductor devices
DE3808667A1 (de) * 1988-03-15 1989-10-05 Siemens Ag Montageverfahren zur herstellung von led-zeilen
US5411921A (en) * 1992-02-10 1995-05-02 Rohm Co., Ltd. Semiconductor chip die bonding using a double-sided adhesive tape
DE19738922A1 (de) * 1997-09-05 1998-11-19 Siemens Ag Vorrichtung und Verfahren zum Bestücken eines Leadframes mit integrierten Schaltungen

Non-Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Patents Abstracts of Japan & JP 03046242 A, E 1066, 1991, Vol. 15/No. 185 *
Patents Abstracts of Japan & JP 54019363 A, E 102, 1979, Vol. 3/No. 40 *
Patents Abstracts of Japan & JP 55107239 A, E 32, 1980, Vol. 4/No. 157 *
Patents Abstracts of Japan & JP 55151342 A, E 45, 1981, Vol. 5/No. 23 *
Patents Abstracts of Japan & JP 60063939 A, E 335, 1985, Vol. 9/No. 197 *
Patents Abstracts of Japan & JP 60063940 A, E 335, 1985, Vol. 9/No. 197 *
Patents Abstracts of Japan & JP 61116846 A, E 445,1986, Vol. 10/No. 302 *

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7211451B2 (en) 2001-11-29 2007-05-01 Infineon Technologies Ag Process for producing a component module
DE10158563C1 (de) * 2001-11-29 2003-07-17 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Bauelementmoduls
EP1693792A1 (de) 2002-01-18 2006-08-23 Avery Dennison Corporation Verfahren zur Herstellung von RFID-Etiketten
WO2003105063A2 (en) * 2002-01-18 2003-12-18 Avery Dennison Corporation Cross-reference
WO2003105063A3 (en) * 2002-01-18 2004-07-29 Avery Dennison Corp TECHNIQUE FOR PRODUCING RFID TAGS
AU2003267938B2 (en) * 2002-01-18 2008-04-24 Avery Dennison Retail Information Services Llc Method for manufacturing RFID labels
US7117581B2 (en) 2002-08-02 2006-10-10 Symbol Technologies, Inc. Method for high volume assembly of radio frequency identification tags
US7023347B2 (en) 2002-08-02 2006-04-04 Symbol Technologies, Inc. Method and system for forming a die frame and for transferring dies therewith
US7795076B2 (en) 2003-06-12 2010-09-14 Symbol Technologies, Inc. Method, system, and apparatus for transfer of dies using a die plate having die cavities
US7276388B2 (en) 2003-06-12 2007-10-02 Symbol Technologies, Inc. Method, system, and apparatus for authenticating devices during assembly
US7404199B2 (en) 2003-06-12 2008-07-22 Symbol Technologies, Inc. Method, system, and apparatus for high volume assembly of compact discs and digital video discs incorporating radio frequency identification tag technology
US7223320B2 (en) 2003-06-12 2007-05-29 Symbol Technologies, Inc. Method and apparatus for expanding a semiconductor wafer
US8136231B2 (en) 2003-10-25 2012-03-20 Muehlbauer Ag Positioning device and method for transferring electronic components using optical alignment
DE10349847B3 (de) * 2003-10-25 2005-05-25 Mühlbauer Ag Positionierungsvorrichtung und -Verfahren für die Übertragung elektronischer Bauteile
US7479614B2 (en) 2004-01-12 2009-01-20 Symbol Technologies Radio frequency identification tag inlay sortation and assembly
US7370808B2 (en) 2004-01-12 2008-05-13 Symbol Technologies, Inc. Method and system for manufacturing radio frequency identification tag antennas
DE102004021259B4 (de) * 2004-04-30 2010-09-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats
DE102004021259A1 (de) * 2004-04-30 2005-11-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleitersubstrats
SG129292A1 (en) * 2004-05-10 2007-02-26 Advanced Chip Eng Tech Inc Manufacturing tool for wafer level package and method of placing dice
DE102004033645B4 (de) * 2004-05-10 2006-08-31 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Herstellungswerkzeug für eine Waferebene-Packung und Verfahren zum Anordnen von Chips
DE102004033645A1 (de) * 2004-05-10 2005-12-15 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Herstellungswerkzeug für eine Waferebene-Packung und Verfahren zum Anordnen von Chips
US7187293B2 (en) 2004-08-17 2007-03-06 Symbol Technologies, Inc. Singulation of radio frequency identification (RFID) tags for testing and/or programming
US7578053B2 (en) 2004-12-03 2009-08-25 Hallys Corporation Interposer bonding device
US8025086B2 (en) 2005-04-06 2011-09-27 Hallys Corporation Electronic component manufacturing apparatus
US7646304B2 (en) 2006-04-10 2010-01-12 Checkpoint Systems, Inc. Transfer tape strap process
US7884726B2 (en) 2006-04-10 2011-02-08 Checkpoint Systems, Inc. Transfer tape strap process
DE102006048799B4 (de) 2006-10-16 2018-09-20 Nissan Chemical Industries, Ltd. Verfahren und Einrichtung zum Ablösen eines dünnen Wafers oder bereits vereinzelter Bauelemente eines dünnen Wafers von einem Träger
DE102008033651B4 (de) * 2007-07-20 2013-08-22 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls
DE102009022299B4 (de) * 2008-05-26 2014-07-17 Technische Universität Chemnitz Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen eines elektronischen Bauelements auf ein Substrat
DE102011017218A1 (de) * 2011-04-15 2012-10-18 Mühlbauer Ag Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten Träger zu einem zweiten Träger
WO2012139766A1 (de) 2011-04-15 2012-10-18 Mühlbauer Ag Vorrichtung und verfahren zum übertragen elektronischer bauteile von einem ersten träger zu einem zweiten träger
US9555979B2 (en) 2011-04-15 2017-01-31 Muehlbauer GmbH & Co. KG Device and method for transferring electronic components from a first carrier to a second carrier
DE102011017218B4 (de) 2011-04-15 2018-10-31 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen elektronischer Bauteile von einem ersten Träger zu einem zweiten Träger
DE102017101536A1 (de) 2017-01-26 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips
US11257705B2 (en) 2017-01-26 2022-02-22 Osram Oled Gmbh Method of selecting semiconductor chips
DE102017101536B4 (de) 2017-01-26 2022-06-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Selektieren von Halbleiterchips

Also Published As

Publication number Publication date
WO2000014789A1 (de) 2000-03-16
DE19840226B4 (de) 2006-02-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19840226A1 (de) Verfahren zum Aufbringen eines Schaltungschips auf einen Träger
EP1095399B1 (de) Verfahren zur handhabung einer mehrzahl von schaltungschips
DE69636338T2 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleitervorrichtung
DE19957111B4 (de) Halbleitervorrichtung mit flacher Schutzklebstofffolie und Herstellungsverfahren dafür
DE69508816T2 (de) Substrat für integrierte Bauelemente mit einer Dünnschicht und Herstellungsverfahren
DE69508817T2 (de) Abscheidungsverfahren von Halbleiterschichten auf einem Träger
DE69206868T2 (de) Einrichtung zum Abziehen eines Abdeckfilms von einem Halbleitersubstrat
DE112011102435B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Zusammenbonden von zwei Wafern durch Molekularadhäsion
EP1678744B1 (de) Positionierungsvorrichtung und verfahren für die übertragung elektronischer bauteile
DE69012444T2 (de) Excimer-induzierte flexible Zusammenschaltungsstruktur.
DE102020200724B4 (de) Trägerplattenentfernungsverfahren
DE10146936B4 (de) Herstellverfahren für eine Chipkomponenten-Baugruppe
DE10023758A1 (de) Verfahren zur Behandlung eines Halbleiterwafers und Halbleiterwafer-Tragelement
DE102020209954A1 (de) Schutzelementausbildungsverfahren und schutzelementausbildungsvorrichtung
DE102018126936A1 (de) Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen
DE69212888T2 (de) Verfahren zum Verbessern der Herstellung von SOI-Anordnungen mittels Positions-Ausrichtungsmarken
EP2359398B1 (de) Verfahren zum ablösen und entnehmen eines halbleiterchips von einer folie
DE69127316T2 (de) Verfahren zum Zusammenbau eines Leiterrahmens
EP3443587B1 (de) Vorrichtung, system und verfahren zum ausrichten elektronischer bauteile
WO2024153616A1 (de) Transferverfahren zum transferieren von elektronischen bauelementen und elektronische anordnung
DE2832408A1 (de) Verfahren zur herstellung von praezisionsflachteilen, insbesondere mit mikrooeffnungen
DE19822512A1 (de) Verfahren zum Vereinzeln und Positionieren von Halbleiter-Bauteilen
EP4360132A1 (de) Verfahren und system zur herstellung mikrostrukturierter komponenten
DE68921547T2 (de) Herstellungsverfahren für eine Maske für lithographische Strukturierung.
EP2499886B1 (de) Verfahren und vorrichtung zur strukturierung einer auf einem substrat angeordneten lage

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20150401