DE19815899A1 - Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung - Google Patents
Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung und Verfahren zu dessen HerstellungInfo
- Publication number
- DE19815899A1 DE19815899A1 DE19815899A DE19815899A DE19815899A1 DE 19815899 A1 DE19815899 A1 DE 19815899A1 DE 19815899 A DE19815899 A DE 19815899A DE 19815899 A DE19815899 A DE 19815899A DE 19815899 A1 DE19815899 A1 DE 19815899A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- light
- imaging device
- lens
- solid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 29
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 5
- -1 siloxane compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims 1
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 125000005373 siloxane group Chemical group [SiH2](O*)* 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Festkörper-Farb-
Abbildungsvorrichtung und ein Verfahren zu dessen
Herstellung, insbesondere eine Festkörper-Farb-
Abbildungsvorrichtung mit einer verbesserten Bildauflösung
und ein Verfahren zu dessen Herstellung.
Beim Herstellen eines CCD-Farbfilters (Farbfilter eines
ladungsgekoppelten Schaltelements) mittels eines
chipintegrierenden Verfahrens wird auf der Oberseite einer
Vorrichtung eine Lichtsammellinse zum Verbessern der
Effizienz des Lichtsammelns ausgebildet, um die
Empfindlichkeit des CDD-Elements zu verbessern.
Die Lichtsammellinse wird mittels einer thermischen
Strömung auf einer Haupt-Fotolackschicht so ausgebildet,
daß sie die Krümmung einer konvexen Linse aufweist.
Folglich hat das CCD-Element aufgrund der großen
Einfalloberfläche pro Pixel eine verbesserte
Empfindlichkeit.
Fig. 3 ist eine Querschnittsansicht, die eine herkömmliche
Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung darstellt.
Wie dies in Fig. 3 dargestellt ist, werden bei der
herkömmlichen Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung
nacheinander eine erste polarisierte Schicht 12 und eine
Farbfilteranordnung 14 auf einem Halbleitersubstrat 2 mit
einer Fotodiode 4 und einer Gate-Elektrodenschicht 10
darauf ausgebildet. Ein Kanalbereich eines CCD-Elements 5
ist im Halbleitersubstrat 2 unterhalb der Gate-
Elektrodenschicht 10 ausgebildet. Die Farbfilteranordnung
14 weist eine Filterschicht R für rote Farbe, eine
Filterschicht G für grüne Farbe und eine Filterschicht B
für blaue Farbe auf, die jeweils entsprechend bei jeder
Fotodiode 4, welche ein Bildelement ist, ausgebildet sind.
Die Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung weist eine zweite
polarisierte Schicht 16 auf, die auf der ersten
polarisierten Schicht 12 ausgebildet ist und die die
Farbfilteranordnung 14 und eine Vielzahl von
Lichtsammellinsen 18 einschließt, die jeweils entsprechend
bei jedem Bildelement ausgebildet sind. Die
Lichtsammellinse 18 ist rechteckig oder elliptisch, in
Abhängigkeit von der Anordnung der mosaikartigen
Bildelemente. Folglich bleiben ungenutzte Teile zwischen
einem Bildelement und einem weiteren Bildelement übrig.
Das auf den unbenutzten Teil (d. h., der von den Linsen
nicht belegte Bereich) einfallende Licht wird entweder
unregelmäßig reflektiert oder fällt in ein angrenzendes
Bildelement ein und folglich treten unregelmäßige bzw.
ungültige Filterdaten, die vom Kantenteil bei jeder
Farbfilterschicht R, G, B erzeugt werden, auf, wodurch der
Grad der Bildauflösung bzw. der Bilddarstellung
verschlechtert ist. Wenn zusätzlich die Lichtsammellinse
konvex ausgebildet ist, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist,
haftet ein Partikel, das beim Sägen der Vorrichtung während
des anschließenden Packungsprozesses erzeugt wird, auf dem
Bereich zwischen der Linse und der angrenzenden Linse.
Diese Partikel, die durch Waschen nicht entfernt werden,
verursachen einen Defekt und eine schlechte Ausbeute.
Es ist daher eine Aufgabe der Erfindung eine Festkörper-
Farb-Abbildungsvorrichtung und ein Verfahren zu dessen
Herstellung vorzusehen, bei dem die Bildauflösung
verbessert wird, indem einfallendes Licht effizienter
verwendet und bei dem die Partikelansammlung vermieden
wird.
Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Vorrichtung nach
Anspruch 1 bzw. des Verfahrens nach Anspruch 12 gelöst.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind Gegenstand der
Unteransprüche.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Figuren
dargestellt und wird im Folgenden näher beschrieben. Es
zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittsansicht einer Festkörper-Farb-
Abbildungsvorrichtung gemäß der Erfindung,
Fig. 2A-2D Ablaufdiagramme, die die Prozeßschritte eines
Verfahrens zum Herstellen der Festkörper-Farb-
Abbildungsvorrichtung von Fig. 1 darstellen, und
Fig. 3 eine Querschnittsansicht einer herkömmlichen
Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung.
Fig. 1 zeigt einen Aufbau der Festkörper-Farb-
Abbildungsvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der
Erfindung.
Wie in Fig. 1 dargestellt, weist die Festkörper-Farb-
Abbildungsvorrichtung der Erfindung ein Halbleitersubstrat
100, eine lichtdurchlässige Schicht 118 und eine
Linsenschicht bzw. eine aus Linsen zusammengesetzte Schicht
124 auf.
Die Halbleiterschicht 100 weist einen Teil mit Elementen
und einen (Licht-)durchlässigen Teil auf. Der Teil mit
Elementen schließt eine Vielzahl von lichtempfindlichen
Elementen 102 ein, die auf dem Halbleitersubstrat 100 zum
Erzeugen von Ladungsträgern als Reaktion auf das
einfallende Licht ausgebildet sind. Das lichtempfindliche
Element 102 ist z. B. eine Fotodiode 102, die durch
Fremdatominjektion in das Halbleitersubstrat 100
ausgebildet ist. Der durchlässige Teil schließt einen
Kanalbereich 103, der die durch das lichtempfindliche
Element 102 erzeugten Ladungsträger überträgt, und eine
Gate-Elektrodenschicht 110 ein, die auf dem
Halbleitersubstrat 100 im Kanalbereich 103 ausgebildet ist.
Die Gate-Elektrodenschicht 110 weist eine Gateoxidschicht
106, die auf dem Halbleitersubstrat 100 des Kanalbereichs
103 ausgebildet ist, eine erste Polysiliciumschicht 108A
und eine zweite Polysiliciumschicht 108B auf, wobei die
Polysiliciumschichten jeweils als eine CCD-Gate-Elektrode
verwendet werden. Die erste und die zweite
Polysiliciumschicht 108A, 108B sind so ausgebildet, daß sie
von einer Isolationsschicht umgeben sind. Eine Schicht zum
Lichtabschirmen (nicht dargestellt) ist zusätzlich auf der
Gate-Elektrodenschicht 110 ausgebildet.
Die Linsenschicht 124 weist Lichtsammellinsen 120 zum
Sammeln bzw. Fokussieren des einfallenden Lichts 130 auf
die lichtempfindlichen Elementen und eine
Lichtdispersionsschicht 122 zum Streuen des Lichts, das
zwischen der Lichtsammellinse 120 für ein
lichtempfindliches Element und einer weiteren
Lichtsammellinse 120, die an das eine lichtempfindliche
Element angrenzt, auftrifft, auf. Die Lichtsammellinse ist
eine konvexe Linse und weist gegenüber der
Lichtdispersionsschicht 122 einen anderen Brechungsindex
auf. Im vorliegenden Fall hat die Lichtdispersionsschicht
122 gegenüber der Lichtsammellinse 120 einen geringeren
Brechungsindex. Die Lichtsammellinse 120 ist eine
Fotolackschicht mit einem Brechungsindex von ungefähr 1,65
bis 1,70, wobei die Lichtdispersionsschicht 122 eine SOG-
Schicht (Spin-On Glass- bzw. aufgeschleuderte Glas-Schicht)
aus der Gruppe der Siloxane mit einem Brechungsindex von
ungefähr 1,45 bis 1,50 ist. Zu diesem Zeitpunkt umfaßt die
Lichtdispersionsschicht 122 eine Schicht, die zumindest den
Bereich zwischen den Lichtsammellinsen auffüllt (Fig. 2B).
Die lichtdurchlässige Schicht 118 filtert das durch die
Linsenschicht 124 gesammelte Licht, so daß es auf die
lichtempfindlichen Elemente 102 auftrifft. Die
lichtdurchlässige Schicht 118 weist eine erste polarisierte
Schicht 112, eine Farbfilteranordnung 114 und eine zweite
polarisierte Schicht 116 auf. Die erste polarisierte
Schicht 112 ist auf dem Halbleitersubstrat 100 ausgebildet
und schließt die Gate-Elektrodenschicht 110 ein. Die
Farbfilteranordnung ist auf der ersten polarisierten
Schicht 112 ausgebildet. Die Farbfilteranordnung 114 weist
eine rote, eine grüne und eine blaue Farbfilterschicht auf,
die entsprechend bei jedem lichtempfindlichen Element 102
ausgebildet sind.
Die zweite polarisierte Schicht 116 ist auf der ersten
polarisierten Schicht 112 ausgebildet und schließt die
Farbfilteranordnung 114 ein. Die erste und die zweite
polarisierte Schicht 112, 116 sind z. B. aus einer
Isolationsschicht ausgebildet, welche entweder SiO2 oder
ein Polymer ist.
Die oben beschriebene Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung
kann ungefähr 100% des von außen einfallenden Lichts
verwenden, indem die Lichtdispersionsschicht 122 mit einem
relativ niedrigen Brechungsindex verwendet wird, um das
zwischen der Linse 120 und einer weiteren, daran
angrenzenden Linse 120 einfallende Licht 130 (Fig. 1) zum
entsprechenden lichtempfindlichen Element 102 zu streuen.
Das Verfahren zur Herstellung der oben beschriebenen
Festkörper-Abbildungsvorrichtung wird im folgenden
beschrieben.
Wie dies in Fig. 2A dargestellt ist, wird beim
Herstellungsverfahren der Festkörper-Farb-
Abbildungsvorrichtung gemäß einem Ausführungsbeispiel der
Erfindung zuerst eine lichtdurchlässige Schicht 118, die
einen Teil mit Elementen und einen (Licht-)durchlässigen
Teil aufweist, auf einem Halbleitersubstrat 100
ausgebildet.
Der Teil mit Elementen weist eine Vielzahl von
lichtempfindlichen Elementen 102 auf. Jedes
lichtempfindliche Element ist eine Fotodiode, die durch
Injektion von Fremdstoffatomen in das Halbleitersubstrat
100 ausgebildet wird und als Reaktion auf einfallendes
Licht Ladungsträger erzeugt.
Der durchlässige Teil weist einen Kanalbereich, der
Ladungsträger, die von jedem lichtempfindlichen Element 102
erzeugt werden, liefert, und eine Gate-Elektrodenschicht
110 des Kanalbereichs 103 auf dem Halbleitersubstrat 100,
die durch eine Isolationsschicht umgeben ist, auf. Die
Gate-Elektrodenschicht 110 weist eine erste
Polysiliciumschicht 108A und eine zweite
Polysiliciumschicht 108B auf, die nacheinander auf einer
Gateoxidschicht 106 ausgebildet sind. Die erste bzw. die
zweite Polysiliciumschicht 108A, 108B werden als eine CCD-
Gate-Elektrode verwendet. Eine lichtabschirmende Schicht
(nicht dargestellt) ist auf der Oberseite der Gate-
Elektrodenschicht 110 ausgebildet.
Der Herstellungsschritt der lichtdurchlässigen Schicht 118
weist einen Prozeß des Ausbildens einer ersten
polarisierten Schicht 112 auf dem Halbleitersubstrat 100,
einen Prozeß des Ausbildens einer Farbfilteranordnung 114
auf der ersten polarisierten Schicht 112 und einen Prozeß
des Ausbildens einer zweiten polarisierten Schicht 116 auf
der ersten polarisierten Schicht 112 einschließlich der
Farbfilteranordnung 114 auf. Die erste polarisierte Schicht
wird zum Schützen einer Kontaktstelle 111 und zum Ausbilden
der Farbfilteranordnung 114 verwendet. Die zweite
polarisierte Schicht 116 wird zum Schützen der
Farbfilteranordnung 114 verwendet und stellt eine
Brennweite einer Lichtsammellinse, die im folgenden Prozeß
ausgebildet wird, ein. Die erste und die zweite
polarisierte Schicht 112, 116 werden aus isolierenden
Schichten hergestellt, welche entweder SiO2- oder Polymer-
Schichten sind. Die Farbfilteranordnung 114 weist eine
Filterschicht R für rote Farbe, eine Filterschicht G für
grüne Farbe und eine Filterschicht B für blaue Farbe auf,
welche entsprechend bei dem jeweiligen lichtempfindlichen
Element 102 ausgebildet sind.
Wie in Fig. 2B dargestellt, wird die Linsenschicht 124 zum
Sammeln des einfallenden Lichts für jedes lichtempfindliche
Element 102 auf der lichtdurchlässigen Schicht 118
ausgebildet. Die Linsenschicht 124 weist eine Vielzahl von
Lichtsammellinsen 120 und eine Lichtdispersionsschicht 122
auf. Die Lichtsammellinse 120 ist entsprechend bei jedem
lichtempfindlichen Element 102 auf der zweiten
polarisierten Schicht 116 ausgebildet. Die Lichtsammellinse
ist eine konvexe Linse und wird unter Verwendung einer
Fotolackschicht ausgebildet, welche allgemein auf diesem
Fachgebiet verwendet wird. Zu diesem Zeitpunkt werden die
Linsen 120 so ausgebildet, daß sie einen Spalt im
Submikrometerbereich dazwischen aufweisen.
Die Lichtdispersionsschicht 122 wird so ausgebildet, daß
sie den Bereich zwischen der Linse 120 und einer auf der
zweiten polarisierten Schicht 116 der lichtdurchlässigen
Schicht 118 daran angrenzenden, weiteren Linse 120
ausfüllt, so daß keine Stufe zwischen den Linsen 120
vorhanden ist. Die Lichtdispersionsschicht 122 weist eine
Dicke von ungefähr 1,5 bis 2,5 µm auf. Die
Lichtdispersionsschicht 122 wird aus einem Material
hergestellt, welches einen anderen Brechungsindex aufweist
als die Linse 120, d. h., gegenüber der Linse 120 einen
relativ niedrigen Brechungsindex. Die Linse 120 weist einen
Brechungsindex von ungefähr 1,65 bis 1,70 auf, wobei die
Lichtdispersionsschicht 122 einen Brechungsindex von
ungefähr 1,45 bis 1,50 aufweist, insbesondere ist die
Lichtdispersionsschicht 122 aus einem Spin-On Glass (SOG,
aufgeschleudertes Glas) der Siloxangruppe mit einem
Brechungsindex von 1,45 ausgebildet.
Nimmt man auf die Fig. 2C Bezug, so wird eine Maskenschicht
126 ausgebildet, um die Kontaktstelle 111 auf der
Linsenschicht 124 freizulegen. Die Maskenschicht 126 wird
aus einer Fotolackschicht hergestellt.
Schließlich wird die Festkörper- Farb-Abbildungsvorrichtung
mit der freiliegenden Kontaktstelle 111 fertiggestellt
(Fig. 2D), wenn die Maskenschicht 126 entfernt wird,
nachdem die lichtdurchlässige Schicht 122, die zweite
polarisierte Schicht 116 und die erste polarisierte Schicht
112 durch ein Plasma unter Verwendung der Maskenschicht 126
geätzt wurde.
Claims (22)
1. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung, die aufweist:
- - ein Halbleitersubstrat (100) mit einem Teil mit
Elementen und einem durchlässigen Teil,
wobei der Teil mit Elementen eine Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen (102), die auf dem Halbleitersubstrat (100) ausgebildet sind, aufweist, wobei jedes der lichtempfindlichen Elemente (102) als Reaktion auf einfallendes Licht Ladungsträger erzeugt; und
wobei der durchlässige Teil eine Gate- Elektrodenschicht (110) aufweist, die auf einem Kanalbereich (103) des Halbleitersubstrats (100) ausgebildet ist, um die von den lichtempfindlichen Elementen (102) erzeugten Ladungsträger zu übertragen; - - eine Linsenschicht (124) mit
Lichtsammellinsen (120), um das einfallende Licht auf den lichtempfindlichen Elementen (102) zu sammeln, und
einer Lichtdispersionsschicht (122), um das Licht, das zwischen der Lichtsammellinse (120) und einer weiteren, daran angrenzenden Lichtsammellinse (120), einfällt zum entsprechenden lichtempfindlichen Element (102) zu streuen; und - - eine lichtdurchlässige Schicht (118) zur Farbfilterung des durch die Linsenschicht (124) gesammelten Lichts, welche das farbgefilterte Licht den entsprechenden lichtempfindlichen Elementen (102) zuführt.
2. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß Anspruch
1, bei der jedes der lichtempfindlichen Elemente (102) eine
Fotodiode aufweist.
3. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß Anspruch 1
oder 2, bei der die Lichtsammellinse (120) eine konvexe
Linse aufweist.
4. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß einem der
vorhergehenden Ansprüche, bei der die Lichtsammellinse
(120) und die Lichtdispersionsschicht (122)
unterschiedliche Brechungsindices aufweisen.
5. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß Anspruch
4, bei der die Lichtdispersionsschicht (122) im Vergleich
zur Lichtsammellinse (120) einen niedrigen Brechungsindex
aufweist.
6. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß Anspruch
5, bei der die Lichtsammellinse (120) einen Brechungsindex
von ungefähr 1,65 bis 1,70 und die Lichtdispersionsschicht
(122) einen Brechungsindex von ungefähr 1,45 bis 1,50
aufweist.
7. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß einem der
vorhergehenden Ansprüche, bei der die
Lichtdispersionsschicht (122) eine SOG-Schicht aus der
Siloxanverbindungen aufweist.
8. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß einem der
vorhergehenden Ansprüche, bei der die
Lichtdispersionsschicht (122) eine Schicht aufweist, die
zumindest den Bereich zwischen den Lichtsammellinsen (120)
auffüllt.
9. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß einem der
vorhergehenden Ansprüche, bei der die lichtdurchlässige
Schicht (118) eine erste polarisierte Schicht (112), die
auf dem Halbleitersubstrat (100) ausgebildet ist und die
lichtempfindlichen Elemente (102) und die Gate-
Elektrodenschicht (110) einschließt, eine
Farbfilteranordnung (114), die auf der ersten polarisierten
Schicht (112) ausgebildet ist, und eine zweite polarisierte
Schicht (116), die auf der ersten polarisierten Schicht
ausgebildet ist und die Farbfilteranordnung (114)
einschließt, aufweist.
10. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß Anspruch
9, bei der sowohl die erste als auch die zweite
polarisierte Schicht (112, 116) eine Isolationsschicht
(106) aufweisen.
11. Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung gemäß Anspruch 9
oder 10, bei der die Farbfilteranordnung (114) eine
Filterschicht (R) für rote Farbe, eine Filterschicht (G)
für grüne Farbe und eine Filterschicht (B) für blaue Farbe
aufweist, die bei den entsprechenden lichtempfindlichen
Elementen (102) ausgebildet sind.
12. Ein Verfahren zum Herstellen einer Festkörper-Farb-
Abbildungsvorrichtung, wobei das Verfahren die Schritte
aufweist:
- - Ausbilden einer lichtdurchlässigen Schicht (118),
die einen Teil mit Elementen und einen durchlässigen Teil
aufweist, auf einem Halbleitersubstrat (100),
wobei der Teil mit Elementen eine Vielzahl von lichtempfindlichen Elementen (102) aufweist, die auf dem Halbleitersubstrat (100) ausgebildet sind, um als Reaktion auf einfallendes Licht Ladungsträger zu erzeugen; und
wobei der durchlässige Teil eine Gate- Elektrodenschicht (110) aufweist, die auf einem Kanalbereich (103) des Halbleitersubstrats (100) ausgebildet ist, um die durch die lichtempfindlichen Elemente (102) erzeugten Ladungsträger zu übertragen; - - Ausbilden einer Linsenschicht (124) auf der lichtdurchlässigen Schicht (118), um einfallendes Licht auf die lichtempfindlichen Elementen (102) zu sammeln, wobei die Linsenschicht (124) eine Vielzahl von Lichtsammellinsen (120) bei den entsprechenden lichtempfindlichen Elementen (102) aufweist; und
- - Auffüllen einer Lichtdispersionsschicht (122) zwischen der Lichtsammellinse (120) und einer weiteren, daran angrenzenden Lichtsammellinse (120) sowie auf der lichtdurchlässigen Schicht (118), die die Lichtsammellinsen (120) einschließt.
13. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem jedes der
lichtempfindlichen Elemente (102) eine Fotodiode ist,
welche durch Injektion von Fremdatomen in das
Halbleitersubstrat (100) ausgebildet wird.
14. Verfahren nach Anspruch 12 oder 13, bei dem der
Schritt des Ausbildens der lichtdurchlässigen Schicht (118)
die Schritte aufweist:
- - Ausbilden einer ersten polarisierten Schicht (112) auf dem Halbleitersubstrat (100),
- - Ausbilden einer Farbfilteranordnung (114) auf der ersten polarisierten Schicht (112) und
- - Ausbilden einer zweiten polarisierten Schicht (116), die die Farbfilteranordnung (114) einschließt, auf der ersten polarisierten Schicht (112).
15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem sowohl die erste
als auch die zweite polarisierte Schicht (112, 116) eine
Isolationsschicht (106) aufweist.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, bei dem die
Farbfilteranordnung (114) eine Filterschicht (R) für rotes
Licht, eine Filterschicht (G) für grünes Licht und eine
Filterschicht (B) für blaues Licht aufweist, wobei die
Filterschicht bei den entsprechenden lichtempfindlichen
Elementen (102) ausgebildet werden.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 16, bei dem
die Lichtsammellinse (120) ein konvexe Linse aufweist.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 17, bei dem
die Lichtsammellinse (120) und die Lichtdispersionsschicht
(122) voneinander verschiedene Brechungsindices aufweisen.
19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem die
Lichtdispersionsschicht (122) einen im Vergleich zur
Lichtsammellinse (120) relativ niedrigen Brechungsindex
aufweist.
20. Verfahren nach Anspruch 19, bei dem die
Lichtsammellinse (120) einen Brechungsindex von ungefähr
1,65 bis 1,70 und die Lichtdispersionsschicht (122) einen
Brechungsindex von ungefähr 1,45 bis 1,50 aufweist.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 20, bei dem
die Lichtdispersionsschicht (122) eine SOG-Schicht aus der
Gruppe der Siloxane aufweist.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 12 bis 20, bei dem
die Lichtdispersionsschicht (122) eine Dicke von 1,5 bis
2,5 µm aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019980007218A KR100310102B1 (ko) | 1998-03-05 | 1998-03-05 | 고체 컬러 이미지 소자 및 그의 제조 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19815899A1 true DE19815899A1 (de) | 1999-09-09 |
DE19815899C2 DE19815899C2 (de) | 2002-06-27 |
Family
ID=19534250
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19815899A Expired - Fee Related DE19815899C2 (de) | 1998-03-05 | 1998-04-08 | Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6157017A (de) |
JP (2) | JP2000031446A (de) |
KR (1) | KR100310102B1 (de) |
DE (1) | DE19815899C2 (de) |
GB (1) | GB2335078A (de) |
TW (1) | TW393784B (de) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3620237B2 (ja) * | 1997-09-29 | 2005-02-16 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
TW400657B (en) * | 1998-06-09 | 2000-08-01 | United Microelectronics Corp | The manufacture method of CMOS sensor device |
JP2001033237A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-09 | Seiko Precision Inc | 光学検知装置 |
KR100648800B1 (ko) * | 2000-08-17 | 2006-11-23 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지 센서의 칼라필터 및 마이크로 렌즈 형성 방법 |
KR100533166B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2005-12-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈 보호용 저온산화막을 갖는 씨모스이미지센서및 그 제조방법 |
KR100790209B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2008-01-02 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 시모스 이미지센서 |
KR100399937B1 (ko) * | 2001-11-06 | 2003-09-29 | 주식회사 하이닉스반도체 | 광감도 개선을 위한 이미지 센서의 제조방법 |
KR100402936B1 (ko) * | 2001-11-22 | 2003-10-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비대칭 페브리페로 공동구조를 갖는 시모스 이미지센서 및그 제조방법 |
US7351977B2 (en) | 2002-11-08 | 2008-04-01 | L-3 Communications Cincinnati Electronics Corporation | Methods and systems for distinguishing multiple wavelengths of radiation and increasing detected signals in a detection system using micro-optic structures |
US7095026B2 (en) * | 2002-11-08 | 2006-08-22 | L-3 Communications Cincinnati Electronics Corporation | Methods and apparatuses for selectively limiting undesired radiation |
US6953925B2 (en) * | 2003-04-28 | 2005-10-11 | Stmicroelectronics, Inc. | Microlens integration |
US7507598B2 (en) | 2003-06-06 | 2009-03-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor fabrication method and structure |
DE102004018182B4 (de) * | 2003-09-20 | 2008-04-24 | Diehl Bgt Defence Gmbh & Co. Kg | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung einer Abbildung einer Objektszene |
US7115853B2 (en) * | 2003-09-23 | 2006-10-03 | Micron Technology, Inc. | Micro-lens configuration for small lens focusing in digital imaging devices |
US20050274871A1 (en) | 2004-06-10 | 2005-12-15 | Jin Li | Method and apparatus for collecting photons in a solid state imaging sensor |
US7068432B2 (en) * | 2004-07-27 | 2006-06-27 | Micron Technology, Inc. | Controlling lens shape in a microlens array |
KR100644521B1 (ko) | 2004-07-29 | 2006-11-10 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 마이크로렌즈의 겉보기 크기가 향상된 이미지센서 및 그제조 방법 |
TWI251931B (en) * | 2004-12-29 | 2006-03-21 | Advanced Chip Eng Tech Inc | Imagine sensor with a protection layer |
KR100720509B1 (ko) * | 2005-11-10 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 이의 제조 방법 |
US7583444B1 (en) * | 2005-12-21 | 2009-09-01 | 3M Innovative Properties Company | Process for making microlens arrays and masterforms |
KR100720461B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2007-05-22 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 이미지 센서 및 그의 제조방법 |
US20070152139A1 (en) * | 2005-12-30 | 2007-07-05 | Moores Mark D | Techniques to control illumination for image sensors |
JP4935118B2 (ja) * | 2006-03-07 | 2012-05-23 | 凸版印刷株式会社 | 撮像素子の製造方法及び撮像素子 |
CN101448632B (zh) * | 2006-05-18 | 2012-12-12 | 3M创新有限公司 | 用于制备具有提取结构的光导的方法以及由此方法生产的光导 |
KR101176545B1 (ko) * | 2006-07-26 | 2012-08-28 | 삼성전자주식회사 | 마이크로 렌즈의 형성방법과 마이크로 렌즈를 포함한이미지 센서 및 그의 제조방법 |
KR100796522B1 (ko) | 2006-09-05 | 2008-01-21 | 삼성전기주식회사 | 전자소자 내장형 인쇄회로기판의 제조방법 |
KR100929349B1 (ko) * | 2007-01-30 | 2009-12-03 | 삼성전자주식회사 | 유기물 컬러 필터를 포함하지 않는 컬러 픽셀, 이미지 센서, 및 컬러 보간방법 |
JP4344759B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2009-10-14 | シャープ株式会社 | 固体撮像素子およびその製造方法、固体撮像装置、電子情報機器 |
KR100967648B1 (ko) * | 2007-12-24 | 2010-07-07 | 주식회사 동부하이텍 | 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법 |
JP5422914B2 (ja) * | 2008-05-12 | 2014-02-19 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置の製造方法 |
DE102009038028A1 (de) | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Carl Zeiss Microlmaging Gmbh | Detektoranordnung mit erhöhter Empfindlichkeit |
JP2012124405A (ja) * | 2010-12-10 | 2012-06-28 | Toshiba Corp | 固体撮像装置の製造方法および固体撮像装置 |
US8952309B2 (en) | 2011-10-04 | 2015-02-10 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor with micro-lens coating |
JP6833597B2 (ja) * | 2017-04-11 | 2021-02-24 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0593197A1 (de) * | 1992-10-06 | 1994-04-20 | Matsushita Electronics Corporation | Festkörper-Farbbildaufnahmevorrichtung und Methode zu deren Herstellung |
US5479049A (en) * | 1993-02-01 | 1995-12-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state image sensor provided with a transparent resin layer having water repellency and oil repellency and flattening a surface thereof |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4689291A (en) * | 1985-08-30 | 1987-08-25 | Xerox Corporation | Pedestal-type microlens fabrication process |
JP2572626B2 (ja) * | 1988-04-28 | 1997-01-16 | 旭光学工業株式会社 | 焦点板及び微細構造配列体の形成方法 |
JPH0264501A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Sharp Corp | マイクロレンズアレイ及びその製造方法 |
US5166755A (en) * | 1990-05-23 | 1992-11-24 | Nahum Gat | Spectrometer apparatus |
US5543830A (en) * | 1990-10-12 | 1996-08-06 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Apparatus with light emitting element, microlens and gradient index lens characteristics for imaging continuous tone images |
JPH04229802A (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
JPH04304672A (ja) * | 1991-04-01 | 1992-10-28 | Olympus Optical Co Ltd | 固体撮像装置 |
JP2723686B2 (ja) * | 1991-04-01 | 1998-03-09 | 松下電子工業株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
JP2566087B2 (ja) * | 1992-01-27 | 1996-12-25 | 株式会社東芝 | 有色マイクロレンズアレイ及びその製造方法 |
JPH06102509A (ja) * | 1992-06-17 | 1994-04-15 | Xerox Corp | 光カップリング・レンズアレイ付きフルカラー表示装置 |
JPH0653458A (ja) * | 1992-08-03 | 1994-02-25 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置 |
JP3254759B2 (ja) * | 1992-09-25 | 2002-02-12 | ソニー株式会社 | 光学素子およびオンチップレンズの製造方法 |
JP3018782B2 (ja) * | 1992-10-08 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 固体撮像素子 |
JP2833941B2 (ja) * | 1992-10-09 | 1998-12-09 | 三菱電機株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
EP0603877A3 (en) * | 1992-12-23 | 1996-02-07 | Loral Fairchild Corp | Electronic color snapshot technique and structure using very high resolution monochrome full frame ccd imagers. |
US5581379A (en) * | 1993-02-15 | 1996-12-03 | Omron Corporation | Rectangular based convex microlenses surrounded within a frame and method of making |
WO1994022040A1 (en) * | 1993-03-25 | 1994-09-29 | De Montfort University | Lens system |
US5439621A (en) * | 1993-04-12 | 1995-08-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method of making an array of variable focal length microlenses |
JPH0774331A (ja) * | 1993-09-02 | 1995-03-17 | Nikon Corp | マイクロレンズ付き固体撮像素子及びその製造方法 |
JPH07225303A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-08-22 | Sharp Corp | マイクロレンズ基板及びそれを用いた液晶表示素子ならびに液晶プロジェクタ装置 |
KR0147401B1 (ko) * | 1994-02-23 | 1998-08-01 | 구본준 | 고체촬상소자 및 그 제조방법 |
US5717453A (en) * | 1995-06-07 | 1998-02-10 | Meso Scale Technology, Inc. | Three dimensional imaging system |
JP3399495B2 (ja) * | 1996-07-08 | 2003-04-21 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置とその製造方法 |
-
1998
- 1998-03-05 KR KR1019980007218A patent/KR100310102B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-17 TW TW087103900A patent/TW393784B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-08 DE DE19815899A patent/DE19815899C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-21 US US09/083,261 patent/US6157017A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-08-21 GB GB9818253A patent/GB2335078A/en not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-03-05 JP JP11058852A patent/JP2000031446A/ja active Pending
-
2006
- 2006-11-29 JP JP2006322232A patent/JP2007067444A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0593197A1 (de) * | 1992-10-06 | 1994-04-20 | Matsushita Electronics Corporation | Festkörper-Farbbildaufnahmevorrichtung und Methode zu deren Herstellung |
US5479049A (en) * | 1993-02-01 | 1995-12-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solid state image sensor provided with a transparent resin layer having water repellency and oil repellency and flattening a surface thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000031446A (ja) | 2000-01-28 |
GB2335078A (en) | 1999-09-08 |
DE19815899C2 (de) | 2002-06-27 |
US6157017A (en) | 2000-12-05 |
GB9818253D0 (en) | 1998-10-14 |
JP2007067444A (ja) | 2007-03-15 |
KR100310102B1 (ko) | 2001-12-17 |
KR19990073943A (ko) | 1999-10-05 |
TW393784B (en) | 2000-06-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19815899C2 (de) | Festkörper-Farb-Abbildungsvorrichtung | |
DE60318168T2 (de) | Bildsensor mit größeren Mikrolinsen in den Randbereichen | |
DE19614378C2 (de) | Farb-CCD und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102014113618B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer CMOS-Bildsensor-Struktur | |
DE10230134B4 (de) | Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE4415140C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Festkörper-Bildsensors | |
DE112008003468T5 (de) | Lichtleiteranordnung für einen Bildsensor | |
DE3503048C2 (de) | ||
DE3031759C2 (de) | ||
DE60223052T2 (de) | Farbbildsensor mit verbesserter kalorimetrie und verfahren zu seiner herstellung | |
DE3006919A1 (de) | Festkoerper-farbbildwandler und verfahren zu seiner herstellung | |
DE102007063227A1 (de) | Abbildungssensorvorrichtungen mit Lichtsperrschichten und Verfahren zum Herstellen von Abbildungssensorvorrichtungen mit Lichtsperrschichten | |
DE102004062973A1 (de) | Komplementärer Metalloxid-Halbleiter-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3303100A1 (de) | Fernsehkamera | |
DE3534186C2 (de) | Festkörper-Bildwandleranordnung | |
DE102008023459A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Bildsensors | |
DE102004062972A1 (de) | CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
EP1683203A1 (de) | Strahlungsdetektierendes optoelektronisches bauelement | |
EP1013076A1 (de) | Bildsensorelement und anordnung von bildsensorelementen | |
DE102007060709A1 (de) | Herstellungsverfahren eines Bildsensors | |
DE102005063111B4 (de) | CMOS-Bildsensor und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2528582C3 (de) | Signalspeicherplatte für eine Einröhren-Farbfernsehkameraröhre | |
DE60223053T2 (de) | Verfahren zur herstellung eines farbbildsensors mit auf dem substrat gehaltener, verschweisster verbindung-auf-verbindung | |
DE102012216695A1 (de) | Mikrolinsenarray und verfahren zum herstellen eines mikrolinsenarrays | |
DE10328327A1 (de) | Bildgebungsarray und Verfahren zur Herstellung desselben |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |