DE19813741B4 - Halbleitervorrichtung mit einer oberen und einer unteren Leitungsschicht - Google Patents

Halbleitervorrichtung mit einer oberen und einer unteren Leitungsschicht Download PDF

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545359B1 (en) 1998-12-18 2003-04-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Wiring line and manufacture process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof
US6965165B2 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's
JP2003031657A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
CN100342526C (zh) * 2003-08-22 2007-10-10 全懋精密科技股份有限公司 有电性连接垫金属保护层的半导体封装基板结构及其制法
JP2005252027A (ja) * 2004-03-04 2005-09-15 Nec Electronics Corp 多層配線構造の半導体装置
JP2008060532A (ja) * 2006-08-04 2008-03-13 Seiko Epson Corp 半導体装置
US8264077B2 (en) * 2008-12-29 2012-09-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Backside metal of redistribution line with silicide layer on through-silicon via of semiconductor chips

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3890636A (en) * 1971-09-09 1975-06-17 Hitachi Ltd Multilayer wiring structure of integrated circuit and method of producing the same
US5459093A (en) * 1993-03-18 1995-10-17 Sony Corporation Method for forming dummy pattern in a semiconductor device

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4648937A (en) * 1985-10-30 1987-03-10 International Business Machines Corporation Method of preventing asymmetric etching of lines in sub-micrometer range sidewall images transfer
KR900003618B1 (ko) * 1986-05-30 1990-05-26 후지쓰가부시끼가이샤 반도체장치 및 그 제조방법
JP2546297B2 (ja) * 1987-11-02 1996-10-23 日本電気株式会社 半導体記憶装置
US5027185A (en) * 1988-06-06 1991-06-25 Industrial Technology Research Institute Polycide gate FET with salicide
JPH02222148A (ja) * 1989-02-22 1990-09-04 Yamaha Corp 半導体装置
DE69123175T2 (de) * 1990-05-31 1997-04-03 Canon Kk Verfahren zur Verdrahtung einer Halbleiterschaltung
JP2955459B2 (ja) * 1993-12-20 1999-10-04 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH08293523A (ja) * 1995-02-21 1996-11-05 Seiko Epson Corp 半導体装置およびその製造方法
US6015326A (en) * 1996-09-03 2000-01-18 Advanced Vision Technologies,Inc. Fabrication process for electron field-emission display

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3890636A (en) * 1971-09-09 1975-06-17 Hitachi Ltd Multilayer wiring structure of integrated circuit and method of producing the same
US5459093A (en) * 1993-03-18 1995-10-17 Sony Corporation Method for forming dummy pattern in a semiconductor device

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Publication number Publication date
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