DE19749832A1

DE19749832A1 - Verfahren zum Entfernen und/oder Aufbringen von leitendem Material

Info

Publication number: DE19749832A1
Application number: DE1997149832
Authority: DE
Inventors: Hans Otto Dr Haller
Original assignee: Deutsche Thomson Brandt GmbH
Current assignee: Deutsche Thomson Brandt GmbH
Priority date: 1997-07-01
Filing date: 1997-11-11
Publication date: 1999-01-07

Description

Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zum Entfernen und/oder Aufbringen von leitendem Material gemäß dem Oberbegriff der unabhängigen Ansprüche.

Es ist bekannt, Leiterplatinen chemisch zu ätzen, indem deren Kupferschicht mit einer Ätzmaske versehen wird und Kupfer an den Stellen chemisch weggeätzt wird, wo die Ätzmaske nicht vorhanden ist. Dieses ist nachteilig z. B. unter Umweltaspekten, da die chemische Flüssigkeit weiterhin mit Kupfer angereichert wird und wenn die Flüssigkeit verbraucht ist, sie nicht oder nur mit großem Einsatz an Energie und Ressourcen wieder aufbereitet werden kann und auch schwer entsorgbar ist.

Es ist weiterhin bekannt, Metallschichten auf elektrischem Wege auf Metalloberflächen abzuscheiden, um deren Eigenschaften spezifischen Anforderungen anzupassen.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu schaffen, um auf elektrischem Wege entweder leitendes Material auf einen isolierenden Träger aufzubringen oder von diesem zu entfernen. Diese Aufgabe wird durch die in den unabhängigen Ansprüchen angegebene Erfindung gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Entfernen von elektrisch leitendem Material von einer Leiterplatte auf der eine Ätzmaske angeordnet ist, die die Leiterstruktur abdeckt und bei welcher sich aufgrund der gewünschten Leiterstruktur, nicht zusammenhängende Flächen ausbilden können, zeichnet sich dadurch aus, daß folgende Schritte durchgeführt werden:

a) die Leiterplatte wird zusammen mit einer Elektrode in eine Elektrolytflüssigkeit gegeben,
b) an die Leiterplatte und der Elektrode werden Spannungen mit geeignetem unterschiedlichen Potential angelegt und
c) von der Leiterplatte wird elektrisch leitendes Material entfernt.

Vorteilhaft ist hierbei, daß keine chemischen Mittel verwendet werden, sondern auf elektro-galvanischem Weg eine Ätzung vorgenommen wird. Das elektrisch leitenden Material ist vorzugsweise Kupfer und wird von der Platine entfernt durch den potentialunterschied zwischen Kathode und Anode und lagert sich an der Kathode ab. Das Elektrolyt wird verwendet, damit zwischen Platine die, die Anode bildet und Elektrode die, die Kathode bildet eine leitende Verbindung entsteht. Die leitende Verbindung ist derart zu verstehen, daß aufgrund der unterschiedlichen Potentiale die Ionen aus CU und SO₄ im Elektrolyt wandern, um zu der negativ geladenen Kathode zu kommen. Das Elektrolyt ist beispielsweise eine wässerige Kupfersulfat Lösung.

Weiterhin kann das Verfahren dadurch gekennzeichnet sein, daß die Leiterplatte eine erste Zone durchläuft in der sich nur die elektrolytische Flüssigkeit und die Elektrode befindet und daß die Leiterplatte eine zweite Zone durchläuft in der sich neben der elektrolytische Flüssigkeit und der Elektrode eine Bürste befindet an der dasselbe Potential anliegt wie an der Leiterplatte und daß beim Durchlaufen der zweiten Zone ein flächenhafter elektrischer Kontakt zu allen Bereichen der Leiterplatte geschaffen wird.

Das Durchlaufen der beiden Zonen hat den Vorteil, daß in der ersten Zone großflächig Kupfer entfernt wird und in der zweiten Zone die Reste entfernt werden, die sich als Inselform ausgebildet haben. Inselform ist derartig zu verstehen, daß nicht das gesamte Kupfer entfernt worden ist. Da dann auch kein direkter Kontakt zur positiven Spannung besteht, wird diese Insel als solche nicht entfernt. Durch Durchlaufen der zweiten Zone mit den Bürsten ist dieses wiederum aber möglich, da die Bürstenhaare die positive Spannung auf die Inselfläche bringen, so wieder ein potentialunterschied zwischen Anode und Kathode besteht und die Insel dann entfernt werden kann. Die Bürstenhaare sind aus chemisch sehr resistentem Material auszubilden, damit ein guter Kontakt und eine lange Lebensdauer gewährleistet ist.

Ferner kann das Verfahren dadurch gekennzeichnet sein, daß die Leiterplatte zunächst außerhalb des Elektrolyts angebracht wird und während des Prozesses entsprechend dem Ätzfortschritt in das Bad eingeführt wird und/oder daß zwischen der Elektrode und der Leiterplatte eine Isolationsschicht eingefügt wird, und daß so eine Grenzzone zwischen Elektrode und Leiterplatte gewonnen wird.

Ferner kann das Verfahren dadurch gekennzeichnet sein, daß eine linienförmige Elektrode in geringem Abstand an der Leiterplatte vorbei bewegt wird, wodurch eine bewegte Ätzzone auf der Leiterplatte gebildet wird.

Vorteilhaft beim Schaffen der Grenzzone ist, daß die Bürsten nicht verwendet werden müssen. Durch die Grenzzone wird großflächig an einem bestimmten Punkt ein Potentialunterschied geschaffen, so daß eine Inselbildung hier so gut wie ausgeschlossen ist. Gleiches wird erreicht wenn die Elektrode als Stab ausgebildet ist. Hier wird dann auch für einen bestimmte Bereich der Potentialunterschied erhöht, so daß das Kupfer sich löst.

Eine Leiterplatte hergestellt nach dem Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß das leitende Material auf der Leiterplatte verbleibt welches durch die Ätzmaske abgedeckt wurde.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Aufbringen von elektrisch leitendem Material auf eine Leiterplatte auf der die Leiterstruktur abgebildet ist, zeichnet sich dadurch aus, daß eine Bürste und eine Elektrode in eine Elektrolytflüssigkeit gegeben wird und an der Bürste und der Elektrode ein unterschiedliches Potential angelegt wird, die vorher bekeimte Leiterplatte unter den Bürsten entlang bewegt wird und direkten Kontakt zu den Bürsten besteht und auf die Leiterplatte elektrisch leitendes Material aufgetragen wird.

Die Elektrode ist vorzugsweise als Kupferelektrode ausgestaltet und bildet die Anode, da die positive Spannung angelegt ist. An den Bürsten wird eine negative Spannung ausgelegt und diese bilden die Kathode. Die Platinen sind Palladium bekeimt, d. h. die Leiterbahnen, welche bekupfert werden soll, werden auf diese Art aktiviert. Wenn nun über den Bürsten die Spannung auf die palladium-bekeimte Fläche gelangt, lösen sich von der Anode Ionen und setzen sich in den Palladium bekeimten Flächen fest. Auf diese Art und Weise wird die Kupferleiterbahnschicht gewonnen. Dadurch, daß die Platine mehrere Bürsten durchläuft und ständig ein Kontakt zwischen Bürste und Leiterbahn besteht, werden auch weiterhin Ionen von der positiven Anode in Richtung Kupferleiterbahn fließen und sich dort ablagern. Vorteilhaft ist hierbei, daß nur das Kupfer verwendet wird, welches auch wirklich benötigt wird.

Weiterhin kann das Verfahren dadurch gekennzeichnet sein, daß nach Entfernen der Leiterplatte aus der Elektrolytflüssigkeit das Potential der Elektrode und der Bürste gewechselt wird und das leitende Material von der Bürste zurück an die Elektrode abgegeben wird.

Da das Kupfer sich zum einen auf der Platine ablagert, zum anderen aber auch auf den Bürsten, wird durch eine Umpolarisation der Anode und Kathode gewährleistet, daß das Kupfer von den Bürsten in Richtung Elektrode wandert.

Eine Leiterplatte hergestellt nach dem Verfahren zeichnet sich dadurch aus, an den Stellen leitendes Material aufgetragen ist die der abgebildeten Leiterstruktur entsprechen.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Aufbringen und Entfernen von leitendem Material auf einer vorher aktivierten Leiterplatte, zeichnet sich dadurch aus, daß

a) eine Bürste und eine Elektrode in eine Elektrolytflüssigkeit gegeben werden, an der Bürste und der Elektrode Spannungen mit unterschiedlichem Potential angelegt werden, die Leiterplatte unter den Bürsten entlang bewegt wird und direkten Kontakt zu den Bürsten besteht und auf die Leiterplatte eine dünne Schicht elektrisch leitendes Material aufgetragen wird,
b) zwischen Elektrode und Leiterplatte in der elektrolytischen Flüssigkeit keine Bürste angeordnet wird und eine dicke leitende Schicht aufgetragen wird, an den Stellen, wo sich keine Ätzmaske befindet und
c) eine Bürste und eine Elektrode in eine Elektrolytflüssigkeit gegeben werden, an der Bürste und der Elektrode Spannungen mit unterschiedlichem Potential angelegt werden, die Leiterplatte unter den Bürsten entlang bewegt wird und direkten Kontakt zu den Bürsten besteht und von der Leiterplatte eine dünne Schicht elektrisch leitendes Material abgegeben wird.

Bei diesem erfindungsgemäßen Verfahren werden drei Schritte durchgeführt. Zum einen wird auf der Platine eine Gesamtkupferschicht von ca. 1-5 µm aufgetragen. Im nächsten Schritt wird an den Flächen, wo sich keine Ätzmaske befindet, die zu Beginn dieses Schrittes aufgetragen wurde, das Kupfer verstärkt um ca. 30-40 µm. Im letzten Schritt wird großflächig eine 1-5 µm dicke Schicht abgetragen, so daß die Leiter aus ca. 30-40 µm dicken Schichten bestehen und ansonsten sich kein leitendes Material zwischen den einzelnen Leitern mehr befindet. Bei diesem Verfahren wird relativ verlustfrei gearbeitet, da das Kupfer sich entweder auf der Platine oder auf der Elektrode befindet.

Eine Leiterplatte hergestellt nach dem Verfahren zeichnet sich dadurch aus, daß an den Stellen leitendes Material aufgetragen ist die der abgebildet Leiterstruktur entsprechen.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Entfernen von leitendem Material von einer Leiterplatte auf der eine Ätzmaske angeordnet ist, die die Leiterstruktur abdeckt zeichnet sich dadurch aus, daß in einer elektrolytischen Flüssigkeit eine Elektrode vorhanden ist, die an einen ersten Pol einer Spannungsquelle angeschlossen ist und die Kathode bildet, daß die Leiterplatte Kontakt zu einem zweiten Pol der Spannungsquelle hat und die Leiterplatte so die Anode bildet.

Ferner kann sich die Vorrichtung dadurch auszeichnen, daß zwei Zonen eingerichtet sind.

Auch kann sich die Vorrichtung dadurch auszeichnen, daß in der ersten Zone zwischen Elektrode und Leiterplatte nur die elektrolytische Flüssigkeit angeordnet ist, daß in der zweiten Zone zwischen Leiter und Leiterplatte in der elektrolytischen Flüssigkeit eine Bürste angeordnet ist.

Weiterhin kann sich die Vorrichtung dadurch auszeichnen, daß die Bürste an den zweiten Pol der Spannungsquelle angeschlossen ist und Mittel vorgesehen sind, die die Leiterplatte unter der Bürste derart entlangführt, daß ein direkter Kontakt zur Leiterplatte besteht.

Als nächstes kann sich die Vorrichtung dadurch auszeichnen, daß zwischen der Elektrode und der Leiterplatte eine Isolationsschicht angeordnet ist, derart, daß eine Grenzzone zwischen Elektrode und Leiterplatte entsteht.

Auch kann sich die Vorrichtung dadurch auszeichnen, daß die Elektrode als Flächenelektrode, Rundelektrode oder Eckelektrode ausgebildet ist.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Aufbringen von leitendem Material auf eine Leiterplatte auf der die Leiterstruktur abgebildet ist abdeckt zeichnet sich dadurch aus, daß eine Bürste und eine Elektrode in eine Elektrolytflüssigkeit angeordnet sind, an der Bürste und der Elektrode Spannungen mit unterschiedlichem Potential angelegt sind, und Mittel vorgesehen sind, die die Leiterplatte unter der Bürste derart entlangführt, daß ein direkter Kontakt zur Leiterplatte besteht.

Die erfindungsgemäße Vorrichtung zum Aufbringen und Entfernen von leitendem Material auf eine Leiterplatte auf der die Leiterstruktur abgebildet oder abdeckt ist, zeichnet sich dadurch aus, daß

a) in einer elektrolytischen Flüssigkeit eine Elektrode vorhanden ist, die an einen ersten Pol einer Spannungsquelle angeschossen ist und die Anode bildet, daß in der elektrolytischen Flüssigkeit eine Bürste angeordnet ist die an einen zweiten Pol der Spannungsquelle angeschlossen ist und so die Kathode bildet,
b) zwischen Elektrode und Leiterplatte in der elektrolytischen Flüssigkeit keine Bürste angeordnet sind und eine dicke leitende Schicht aufgetragen wird, an den Stellen, wo sich keine Ätzmaske befindet,
c) daß in einer elektrolytischen Flüssigkeit ein Elektrode vorhanden ist, die an den ersten Pol einer Spannungsquelle angeschossen ist und die Kathode bildet, daß in der elektrolytischen Flüssigkeit eine Bürste angeordnet die an den zweiten Pol der Spannungsquelle angeschlossen ist und so die Anode bildet.

Die Inselbildung im Ätzverfahren kann auch durch entsprechende Layoutgestaltung vermieden werden, z. B. dadurch, daß nur die Konturen der Insel weggeätzt werden und die Insel selbst, welche normalerweise keine Funktion hat, gezielt stehen bleibt. Die Breite der geätzte Zone kann so ca. 0.5 bis 1 mm betragen. Ein weiterer Vorteil dieser Methode ist, daß weniger Strom, dem zu folge auch Energie benötigt wird.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der Zeichnung an mehreren Ausführungsbeispielen erläutert. In der Zeichnung zeigen

Fig. 1 eine Zweizonentechnik mit Bürsten,

Fig. 2 eine Isolationsschicht zwischen Anode und Kathode,

Fig. 3 einen Rundelektrode,

Fig. 4 Bürstentechnik mit Aufbringen von leitendem Material,

Fig. 5 Bürstentechnik mit Auf- und Abbringen von leitendem Material.

Fig. 1a zeigt eine Elektrode ELC, die als Kathode K geschaltet ist d. h. mit der Spannung -U verbunden ist. Weiterhin sind Bürsten B und Platinen PL dargestellt. Die Platine PL stellt die Leiterplatte dar. Die Bürsten B und die Platinen PL sind an die Spannung +U angeschlossen und bilden die Anode A. Die Kathode K, die Anode A befinden sich in einer elektrolytischen Flüssigkeit E. Weiterhin sind zwei Zonenbereiche Z1 und Z2 dargestellt, die später erläutert werden. Ein Schleifer S dient dazu Kontakt von der Spannungsquelle +U zur Platine PL zu geben. Auch ist es möglich anstelle des Schleifers eine bewegliche Stromzuführung zu verwenden. Folgendermaßen arbeitet das Verfahren. Die Platine PL wird in Richtung R entlang der Kathode K geschoben. Die Platine PL hat einen gleichmäßigen Abstand zur Kathode K. Aufgrund des Potentialunterschiedes und der elektrolytischen Flüssigkeit E findet nun ein elektrolytisches Ätzverfahren statt. Das heißt, die Leiterbahnen, welche nicht von einer Ätzmaske abgedeckt sind, werden entfernt.

Durch die inhomogene Stromverteilung, aufgrund der großflächen Elektrode, kann es zu einer Inselbildung kommen, wie in Fig. 1b dargestellt. Das heißt, die Kupferschicht ist bis auf einen geringen Teil abgetragen worden. Da nun der Schleifer S keinen Kontakt mehr zu dem kleinen Reststück I hat, ist kein Stromfluß mehr vorhanden und ein vollständiges Entfernen des Kupferbelages wäre nicht gegeben. Aus diesem Grund wird nach Verlassen der Zone 1 in der Zone 2 eine oder mehrere Bürsten dafür sorgen, daß die Spannung +U auf die übriggebliebenen Inseln I gelangt, so daß ein Abtrennen erfolgen kann. Die Bürsten dienen zur flächigen Kontaktierung und durch den direkten Kontakt zur freien Metallfläche und die Bewegung in Richtung R der Leiterplatte wird zusätzlich ein Abtrag der Inseln unterstützt. Die Bürsten bestehen aus hochresistentem Edelmetall, z. B. Platin, Iridium o. ä. Das entfernte Kupfer Ku schlägt sich auf der Kathode K nieder und kann so später wiederverwendet werden oder in den Kupferkreislauf, im Recycling Verfahren, zurückgeführt werden. Es sei noch angemerkt, daß die Kathode K so groß ausgestaltet ist, daß sie flächendeckend über den allen Platinen liegt.

Fig. 2 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel ohne die in Fig. 1 dargestellten Bürsten. Der Leiter ist hier als Kathode K dargestellt und die Leiterplatte als Platine PL. Dieses ist auch schon in Fig. 1 der Fall gewesen. Die Isolationsschicht IS zwischen der Kathode K und der Platine PL ist derart angeordnet, daß eine Grenzzone GZ gewonnen wird. Es sind ferner die elektrischen Feldlinien EF, die zwischen der Kathode K und der Platine PL gebildet werden, dargestellt. Die Kathode K ist mit der negativen Spannung -U verbunden und die Platine PL mit der positiven Spannung +U. Die Platine PL bildet die Anode. Die Zone Z3 ist die nicht geätzte Zone. Die Zone Z4 ist die Zone, welche derzeit geätzt wird. Die Zone Z5 ist die bereits geätzte Zone. Mit HE wird der Flüssigkeitsstand des Elektrolytes angezeigt. Wird nun die Platine PL in Richtung R geführt, findet in der Grenzzone GZ die elektrolytisches Ätzung statt. Das heißt, die Teile der Platine PL, welche nicht von der Ätzmaske abgedeckt sind, werden entfernt. Das Kupfer schlägt sich auf der Kathode K nieder. Durch die Bildung der Grenzzone GZ und der dortigen Konzentration des elektrischen Feldes wird die Inselbildung vermieden.

Fig. 3 zeigt eine Weiterbildung des in Fig. 2 dargestellten Ausführungsbeispiels. Hier wird die Grenzschicht GZ gewonnen, indem eine Stabelektrode mit rundem Querschnitt verwendet wird. Die Abkürzungen in Fig. 3 weisen auf gleiche Bedeutung wie in Fig. 2 hin. Es ist auch möglich, an Stelle der Rundelektrode eine Dreieck- oder Vieleckelektrode zu verwenden, um entsprechende Feldlinien zu erwirken. Anstatt die Leiterplatte zu bewegen, kann hier auch die Kathode an der ruhenden Leiterplatte vorbei geführt werden. Es ist auch eine vertikale Anordnung der Kathode möglich.

Bei den Fig. 1-3 wurde das Kupfer jeweils von der Platine entfernt.

Fig. 4 zeigt ein Ausführungsbeispiel bei dem an bestimmten Stellen das Kupfer aufgebracht werden soll. Die Elektrode wird durch die Anode A dargestellt. Bei der Anode handelt es sich um eine Kupferanode. Die Anode ist an der Spannung +U angeschlossen. Die Platinen werden in Richtung R mit konstantem Abstand zur Anode A entlang geschoben. Die Bürsten B haben direkten Kontakt zu den Platinen PL und sind an die Spannung -U angeschlossen und bilden die Kathode K. Die Platine ist Palladium bekeimt. Dieses bewirkt, daß die Oberfläche leitfähig wird an den bekeimte Stellen. Die Platine ist derart Palladium bekeimt, daß die Leiterstruktur abgebildet ist. Wenn nun der Leiterstruktur mit den Bürsten die negative Spannung -U zugeführt wird, kommt es aufgrund des Elektrolytes E dazu, daß das Kupfer von der Anode A auf die bekeimte Fläche gelangt. Durch dieses Verfahren wird das Kupfer galvanisch niedergeschlagen und die Leiterbahnen werden geformt. Nachdem einige Platinen mit dem Verfahren gewonnen wurden, wird die Spannung an dem Leiter und an den Bürsten umgepolt, so daß das Kupfer von den Bürsten wieder zum Leiter gelangen kann welches sich zuvor an den Bürsten niedergeschlagen hat. Das heißt, wie in Fig. 4b gezeigt, gelangt das Kupfer von den Bürsten B, an welche nun die Spannung +U angelegt ist, die so und die Anode bilden, an die Elektrode, die nun Kathode K ist und an die eine Spannung -U angelegt wird.

Fig. 5 zeigt ein weiteres Ausführungsbeispiel. Gleiche Bezeichnung weist auf die Rückbeziehung zu Fig. 4 hin. In Fig. 5a wird eine Kupferlage vollflächig aufgebracht mit der Dicke von ca 3 µm. In Fig. 5b sind die Platinen mit einer Ätzmaske versehen, d. h. in diesem Fall aber, daß an den Stellen, wo die Ätzmaske nicht liegt, das Kupfer verstärkt wird um ca. 35 µm. Das heißt, die ganze Platine hat eine Kupferschicht von 3 µm und die Leiterbahnen haben eine zusätzliche Kupferschicht von 35 µm, so daß die Leiterbahnen insgesamt eine Dicke von 38 µm besitzen.

In Fig. 5c wird die Elektrode ELC und die Platine PL unterschiedlich mit Spannungen versorgt in Bezug auf Fig. 5a und b. Das heißt, die Elektrode wird nun zur Kathode K mit der Spannung -U. Die Bürsten B werden an die Spannung +U angeschlossen und bilden die Anode A. Die Ätzmaske wird zuvor entfernt. Durch die Spannungsumkehr wird nun das Kupfer abgetragen in der Stärke von 31 µ, so daß nur noch die Leiterbahnen, die eine dickere Stärke hatten von insgesamt 38 µm und die sich nun reduziert hat auf 35 µm, bestehen bleiben.

Zusammenfassend ist zu sagen, in Fig. 5a wird eine ganzflächige dünne Kupferschicht aufgebracht. Fig. 5b wird an den Stellen eine Kupferschicht aufgebracht, bzw. angereichert, an denen die Leiterbahnen verlaufen sollen. In Fig. 5c wird gleichmäßig eine dünne Schicht abgetragen, so daß nur noch das Leiterbahnenbild erhalten bleibt. Dieses Prozedur erscheint zunächst umständlich, ist aber verfahrenstechnisch von Vorteil da auch so eine Inselbildung nicht gegeben ist und so gut wie kein Materialverlust entsteht. Das heißt, es wird das Material, was benötigt wird in Leiterbahnen umgewandelt.

Die Elektrolyt E sollte umgewälzt werden, damit Konzentrationsunterschiede vermieden werden und der Ätzprozeß wird dadurch unterstützt.

Claims

1. Verfahren zum Entfernen von elektrisch leitendem Material (KU) von einer Leiterplatte (PL) auf der eine Ätzmaske angeordnet ist, die die Leiterstruktur abdeckt,
gekennzeichnet durch folgende Schritte,
die Leiterplatte (PL) wird zusammen mit einer Elektrode (ELC) in eine Elektrolytflüssigkeit (E) gegeben,
an die Leiterplatte (PL) und der Elektrode (E) werden Spannungen (+U; -U) mit unterschiedlichem Potential angelegt und
von der Leiterplatte (PL) wird elektrisch leitendes Material (KU) entfernt.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Leiterplatte (PL) eine erste Zone (Z1) durchläuft in der sich nur die elektrolytische Flüssigkeit (E) und die Elektrode (ELC) befindet
und daß die Leiterplatte (PL) eine zweite Zone (Z2) durchläuft in der sich neben der elektrolytische Flüssigkeit (E) und der Elektrode (ELC) eine Bürste (B) befindet an der dasselbe Potential anliegt (U+) wie an der Leiterplatte (PL) und
daß beim Durchlaufen der zweiten Zone (Z2) ein direkter Kontakt zur Leiterplatte (PL) geschaffen wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterplatte (PL) entsprechend dem Fortgang des Ätzvorgangs in den Elektrolyten (E) eingefahren wird und daß zwischen der Elektrode (ELC) und der Leiterplatte (PL) eine Isolationsschicht (IS) eingefügt wird, und daß so eine schmale Ätzzone (Z4) auf der Leiterplatte gewonnen wird.

4. Leiterplatte hergestellt nach dem Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das leitende Material (KU) auf der Leiterplatte (PL) verbleibt welches nicht durch die Ätzmaske abgedeckt wurde.

5. Verfahren zum Aufbringen von elektrisch leitendem Material (KU) auf eine Leiterplatte (PL) auf der die Leiterstruktur abgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Bürste (B) und eine Elektrode (E) in eine Elektrolytflüssigkeit (E) gegeben wird,
an der Bürste (B) und der Elektrode (ELC) Spannungen mit unterschiedliches Potential angelegt wird,
die Leiterplatte (PL) unter den Bürsten (B) entlang bewegt wird und direkter Kontakt zu den Bürsten (B) besteht und
auf die Leiterplatte (PL) elektrisch leitendes Material (KU) aufgetragen wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß nach Entfernen der Leiterplatte (PL) aus der Elektrolytflüssigkeit (E) das Potential der Elektrode (ELC) und der Bürste (B) gewechselt wird und das leitende Material von der Bürste (B) zurück an die Elektrode (ELC) abgegeben wird.

7. Leiterplatte hergestellt nach dem Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß an den Stellen leitendes Material (KU) aufgetragen ist, die der abgebildet Leiterstruktur entsprechen.

8. Verfahren zum Aufbringen und Entfernen von leitendem Material (KU) auf einer Leiterplatte (PL) auf der die Leiterstruktur abgebildet ist, dadurch gekennzeichnet, daß

a) eine Bürste (B) und eine Elektrode (ELC) in eine Elektrolytflüssigkeit (E) gegeben werden,
an der Bürste (B) und der Elektrode (ELC) Spannungen mit unterschiedlichem Potential angelegt werden,
die Leiterplatte (PL) unter den Bürsten (B) entlang bewegt wird und direkter Kontakt zu den Bürsten (B) besteht und
auf die Leiterplatte (PL) eine dünne Schicht elektrisch leitendes Material (KU) aufgetragen wird,
b) zwischen Elektrode (ELC) und Leiterplatte (PL) in der elektrolytischen Flüssigkeit keine Bürste (B) angeordnet wird
und eine dicke leitende Schicht aufgetragen wird, an den Stellen, wo sich keine Ätzmaske befindet,
c) eine Bürste (B) und eine Elektrode (ELC) in eine Elektrolytflüssigkeit (E) gegeben werden,
an der Bürste (B) und der Elektrode (E) Spannungen mit unterschiedlichem Potential angelegt werden,
die Leiterplatte (PL) unter den Bürsten (B) entlang bewegt wird und direkten Kontakt zu den Bürsten (B) besteht und
von der Leiterplatte (PL) eine dünne Schicht elektrisch leitendes Material (KU) abgegeben wird.

9. Leiterplatte hergestellt nach dem Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß an den Stellen leitendes Material (KU) aufgetragen ist, die der abgebildet Leiterstruktur entsprechen.

10. Vorrichtung zum Entfernen von leitendem Material von einer Leiterplatte auf der eine Ätzmaske angeordnet ist, die die Leiterstruktur abdeckt, dadurch gekennzeichnet, daß
in einer elektrolytischen Flüssigkeit (E) eine Elektrode (ELC) vorhanden ist, die an den ersten Pol einer Spannungsquelle (-U) angeschossen ist und die Kathode (K) bildet,
daß die Leiterplatte (PL) Kontakt zu dem zweiten Pol der Spannungsquelle (+U) hat und die Leiterplatte (PL) so die Anode (A) bildet.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwei Zonen (Z1, Z2) eingerichtet sind.

12. Vorrichtung nach Anspruch 10 und 11, dadurch gekennzeichnet,
daß in der ersten Zone (Z1) zwischen Elektrode (ELC) und Leiterplatte (PL) nur die elektrolytische Flüssigkeit (E) angeordnet ist,
daß in der zweiten Zone (2) zwischen Elektrode (ELC) Leiterplatte (PL) in der elektrolytischen Flüssigkeit (E) eine Bürste (B) angeordnet ist.

13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Bürste (B) an die zweite Spannungsquelle (+U) angeschlossen ist und Mittel vorgesehen sind, die die Leiterplatte (PL) unter der Bürste (B) derart entlangführt, daß ein direkter Kontakt zur Leiterplatte (PL) besteht.

14. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen der Elektrode (ELC) und der Leiterplatte (PL) eine Isolationsschicht (IS) angeordnet ist, derart, daß eine Grenzzone (GZ) zwischen Elektrode (E) und Leiterplatte (PL) entsteht.

15. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrode (ELC) als Flächenelektrode, Rundelektrode oder Eckelektrode ausgebildet ist.

16. Vorrichtung zum Aufbringen von leitendem Material auf eine Leiterplatte auf der die Leiterstruktur abgebildet ist abdeckt, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Bürste (B) und eine Elektrode (ELC) in eine Elektrolytflüssigkeit (E) angeordnet sind,
an der Bürste (B) und der Elektrode (E) Spannungen mit unterschiedlichem Potential angelegt sind
und Mittel vorgesehen sind, die die Leiterplatte (PL) unter der Bürste (B) derart entlangführt, daß ein direkter Kontakt zur Leiterplatte (PL) besteht.

17. Vorrichtung zum Aufbringen und Entfernen von leitendem Material auf eine Leiterplatte auf der die Leiterstruktur abgebildet abdeckt ist, dadurch gekennzeichnet, daß

a) in einer elektrolytischen Flüssigkeit (E) eine Elektrode (ELC) vorhanden ist, die an einen ersten Pol einer Spannungsquelle (+U) angeschlossen ist und die Anode (A) bildet,
daß in der elektrolytischen Flüssigkeit (E) eine Bürste (B) angeordnet die an einen zweiten Pol der Spannungsquelle (-U) angeschlossen ist und so die Kathode (K) bildet,
b) zwischen Elektrode (ELC) und Leiterplatte (PL) in der elektrolytischen Flüssigkeit (E) keine Bürste (B) angeordnet sind und eine dicke leitende Schicht aufgetragen wird, wo sich keine Ätzmaske befindet,
c) daß in einer elektrolytischen Flüssigkeit (E) ein Elektrode (ELC) vorhanden ist, die an den ersten Pol einer Spannungsquelle (-U) angeschossen ist und die Kathode (K) bildet,
daß in der elektrolytischen Flüssigkeit (ELC) eine Bürste (B) angeordnet die an den zweiten Pol der Spannungsquelle (+U) angeschlossen ist und so die Anode (A) bildet.