DE19742702A1 - Adressübergangs-Detektionsschaltung - Google Patents
Adressübergangs-DetektionsschaltungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Adreßübergangs-
Detektionsschaltung und besonders eine verbesserte Adreß
übergangs-Detektionsschaltung, die in der Lage ist, ein
Adreßübergangssignal, das in einem Speicher verwendet wird,
auch dann zu erzeugen, wenn in einem Adreßeingangssignal
eine Störung auftritt.
Wie in Fig. 1 gezeigt, enthält die herkömmliche Adreß
detektionsschaltung ein NICHT-ODER-Gatter (10) zum NICHT-ODER-Verknüpfen
einer eingegeben Adresse und eines Chipaus
wahlsignals CSb, eine Latcheinheit (20) zum Latchen der
Ausgabe des NICHT-ODER-Gatters (10), Verzögerungseinheiten
(30) und (40) zum Verzögern der Ausgabe der Latcheinheit
(20), und ein CMOS-Flipflop (50), das durch die Ausgabe der
Latcheinheit (20) betrieben wird, zum Ausgeben eines Adreß
übergangs-Detektionssignals ATD gemäß den Ausgaben der Ver
zögerungseinheiten (30) und (40).
Die Latcheinheit (20) enthält zwei Eingangs-NICHT-UND-Gatter
ND1 und ND2 zum Aufnehmen der invertierten Ausgabe
des NICHT-ODER-Gatters (10) und der Ausgabe des NICHT-ODER-Gatters
(10).
Die Verzögerungseinheit (30) enthält zwei CMOS-Inverter
I2 und I3 zum Verzögern der Ausgabe des NICHT-UND-Gatters
ND1, die Verzögerungseinheit (40) enthält zwei CMOS-Inverter
I4 und I5 zum Verzögern der Ausgabe des NICHT-UND-Gatters
ND2.
Das CMOS-Flipflop (50) enthält PMOS-Transistoren PM1
und PM2 sowie NMOS-Transistoren NM1 und NM2, die zwischen
eine Versorgungsspannung Vcc und eine Massespannung Vss in
Reihe geschaltet sind, und PMOS-Transistoren PM3 und PM4
sowie NMOS-Transistoren NM3 und NM4, die zwischen die Ver
sorgungsspannung Vcc und die Massespannung Vss in Reihe
geschaltet sind, und deren Ausgangsanschlüsse miteinander
verbunden sind.
Die Gates des PMOS-Transistors PM1 und des NNOS-Tran
sistors NM4 sind mit dem Ausgangsanschluß des CMOS-Inverters
I3 verbunden, die Gates des NMOS-Transistors NM2 und des
PMOS-Transistors PM3 sind mit dem Ausgangsanschluß des CMOS-
Inverters I5 verbunden, die Gates des PMOS-Transistors PM2
und des NMOS-Transistors NM1 sind mit dem Ausgangsanschluß
des NICHT-UND-Gatters ND1 verbunden, und die Gates des PMOS-
Transistors PM4 und des NNOS-Transistors NN3 sind mit dem
Ausgangsanschluß des NICHT-UND-Gatters ND2 verbunden.
Die Arbeitsweise der so aufgebauten herkömmlichen
Adreßübergangs-Detektionsschaltung wird nun mit Bezug auf
die beigefügten Zeichnungen erläutert.
In einem Zustand, in dem das Chipauswahlsignal CSb auf
Low-Pegel ist, wird, wenn ein stabiles Adreßsignal AD, wie
in Fig. 2 gezeigt, eingegeben wird, vom CMOS-Flipflop (50)
ein Adreßübergangs-Detektionssignal ATD mit einer der Verzö
gerungszeit durch die Verzögerungseinheiten (30) und (40)
entsprechenden Impulsbreite ausgegeben.
Zu diesem Zeitpunkt ist das stabile Adreßsignal AD als
ein Adreßsignal AD mit einer Impulsbreite, die größer als
die des Adreßübergangs-Detektionssignal ist, bekannt.
In einem Zustand, in dem das Chipauswahlsignal CSb auf
Low-Pegel ist, haben nämlich die Eingänge der zwei NICHT-
UND-Gatter ND1 und ND2 der Latcheinheit (20), wenn ein nor
males Adreßsignal übergeht, entgegengesetzte Phasen.
Das NICHT-UND-Gatter, das ein Signal mit Low-Pegel
aufnimmt, gibt ein Signal mit High-Pegel aus, und ein ande
res NICHT-UND-Gatter, das ein Signal mit High-Pegel auf
nimmt, gibt ein Signal mit Low-Pegel aus.
Geht zum Beispiel ein normales Adreßsignal AD auf High-
Pegel über, wird die Eingabe in das NICHT-UND-Gatter ND1 zu
einem High-Pegel und die Eingabe in das NICHT-UND-Gatter ND2
zu einem Low-Pegel. Wie in Fig. 2B gezeigt, geben die NICHT-
UND-Gatter ND1 und ND2 jeweils ein Signal mit Low-Pegel und
ein Signal mit High-Pegel aus.
Zu diesem Zeitpunkt wird der PMOS-Transistor PM2 des
CMOS-Flipflop (50) durch ein Signal mit Low-Pegel vom NICHT-
UND-Gatter ND1 angeschaltet, und der NMOS-Transistor NM1
wird angeschaltet, und der PMOS-Transistor PM4 wird durch
ein Signal mit High-Pegel vom NICHT-UND-Gatter ND2 abge
schaltet, und der NMOS-Transistor NM1 wird angeschaltet.
Zusätzlich werden die Signale mit High- und Low-Pegel
aus den NICHT-UND-Gattern ND1 und ND2 durch die Verzöge
rungseinheiten (30) und (40) um eine vorbestimmte Zeitspanne
verzögert und in das CMOS-Flipflop (50) eingegeben.
Durch ein Signal mit Low-Pegel und ein Signal mit High-
Pegel, wie in Fig. 2C gezeigt, das durch die NICHT-UND-Gatter
ND1 und ND2 verzögert und von diesen ausgegeben wird,
wird deshalb der PMOS-Transistor PM1 angeschaltet, der NMOS-
Transistor NM4 abgeschaltet, der NMOS-Transistor NM2 ange
schaltet, und der PMOS-Transistor PM1 abgeschaltet, so daß
vom Ausgangsanschluß des CMOS-Flipflop (50) ein Adreßüber
gangs-Detektionssignal ATD mit High-Pegel, wie in Fig. 2D
gezeigt, ausgegeben wird.
Zu diesem Zeitpunkt entspricht die Impulsbreite des
Adreßübergangs-Detektionssignals ATD, das direkt an das
CMOS-Flipflop (50) angelegt wird, einem Unterschied der
Ausgabezeit zwischen dem Ausgangssignal der Latcheinheit
(20) und den durch die Verzögerungseinheiten (30) und (40)
verzögerten und ausgegebenen Signalen, dessen Impulsbreite
entspricht nämlich der Zeitverzögerung durch die Verzöge
rungseinheiten (30) und (40).
Wird, verursacht durch eine Störung, im Adreßeingangs
signal ein kurzer Impuls, wie in Fig. 2A gezeigt, geformt,
treten in den Ausgangssignalen der NICHT-UND-Gatter ND1 und
ND2 der Latcheinheit (20) und der Verzögerungseinheiten (30)
und (40) kurze Impulse, wie in Fig. 2B und 2C gezeigt, auf.
Deshalb gibt das CMOS-Flipflop (50), das durch die
Ausgangssignale der Latcheinheit (20) und der Verzögerungs
einheiten (30) und (40) gesteuert wird, wie in Fig. 2D ge
zeigt, ein Adreßübergangs-Detektionssignal ATD mit der Form
eines kurzen Impulses aus.
Da das so erzeugte kurze Adreßübergangs-Detektions
signal ATD in Form eines kurzen Impulses kürzer als die
minimale Impulsbreite wird, die für die Speicherschaltung
erforderlich ist, ist es als Ergebnis davon unmöglich, einen
stabilen Betrieb der Speichervorrichtung, die durch das
Adreßübergangs-Detektionssignal ATD betrieben wird, zu er
halten.
Obwohl es möglich ist, ein gewünschtes Adreßübergangs-
Detektionssignal zu erhalten, wenn ein Adreßsignal mit einer
Breite, die größer als die Impulsbreite des Adreßübergangs-
Detektionssignals ist, eingegeben wird, ist es nämlich im
Stand der Technik unmöglich, ein gewünschtes Adreßübergangs-
Detektionssignal zu erhalten, wenn ein kurzes Impulssignal
mit einer Breite eingegeben wird, die, verursacht durch eine
Störung, kleiner als die Breite des Adreßübergangs-Detek
tionssignals ist, so daß es unmöglich ist, einen stabilen
Betrieb einer Speichervorrichtung zu erhalten.
Es ist folglich ein Ziel der vorliegenden Erfindung,
eine Adreßübergangs-Detektionsschaltung bereitzustellen, die
die vorher erwähnten, im Stand der Technik auftretenden
Probleme löst.
Es ist ein weiteres Ziel der vorliegenden Erfindung,
eine verbesserte Adreßübergangs-Detektionsschaltung bereit
zustellen, die in der Lage ist, durch Erzeugen eines Adreß-
übergangs-Detektionssignals, das zum stabilen Betreiben der
Speicherschaltung erforderlich ist, einen stabilen Betrieb
einer Speicherschaltung zu ermöglichen, auch wenn in einem
Adreßeingangssignal ein kurzer Störimpuls auftritt.
Um die obigen Ziele zu erreichen, wird eine Adreßüber
gangs-Detektionsschaltung bereitgestellt, die enthält: eine
Adreßeingabeeinheit, eine erste Latcheinheit zum Latchen
eines eingegebenen Adreßsignals AD und Aktivieren eines
Adreßübergangs-Detektionssignals ATD, eine zweite Latchein
heit zum Latchen eines Eingangspegels der ersten Latchein
heit als einen ersten übergegangenen Wert gemäß einer Ausga
be der ersten Latcheinheit, während das Adreßübergangs-
Detektionssignal ATD aktiv ist, erste und zweite Verzöge
rungseinheiten zum Verzögern einer Ausgabe der ersten Latch
einheit, und ein CMOS-Flipflop zum Ausgeben eines Adreßüber
gangs-Detektionssignals ATD mit einer vorbestimmten Breite
gemäß Ausgaben der ersten Latcheinheit und der Verzögerungs
einheiten.
Zusätzliche Vorteile, Ziele und Merkmale der Erfindung
werden aus der folgenden Beschreibung besser ersichtlich.
Die vorliegende Erfindung wird aus der nun folgenden
Beschreibung und den beigefügten Zeichnungen, die nur der
Darstellung dienen, und die vorliegende Erfindung somit
nicht beschränken, besser verständlich.
Fig. 1 ist ein Schaltplan, der eine herkömmliche
Adreßübergangs-Detektionsschaltung zeigt;
Fig. 2A bis 2D sind Diagramme der Wellenformen von
Signalen aus jeder Einheit in der Schaltung von Fig. 1;
Fig. 3 ist ein Schaltplan, der eine Adreßübergangs-
Detektionsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
und
Fig. 4A bis 4F sind Diagramme der Wellenformen von
Signalen aus jeder Einheit in der Schaltung von Fig. 3.
Wie in Fig. 3 gezeigt, enthält die Adreßübergangs-
Detektionsschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung: eine
Adreßeingabeeinheit (100), eine erste Latcheinheit (101) zum
Latchen eines eingegebenen Adreßsignals AD und Aktivieren
eines Adreßübergangs-Detektionssignals ATD, eine zweite
Latcheinheit (102) zum Aufrechterhalten eines eingegebenen
Logikpegels der ersten Latcheinheit, auch wenn ein Adreßsi
gnal AD geändert wird, während das Adreßübergangs-Detek
tionssignal ATD aktiv ist, Verzögerungseinheiten (103) und
(104) zum Verzögern der Ausgabe der zweiten Latcheinheit,
und ein CMOS-Flipflop (105) zum Ausgeben eines Adreßüber
gangs-Detektionssignals ATD gemäß den Ausgaben der zweiten
Latcheinheit (102) und der Verzögerungseinheiten (103) und
(104).
Die Adreßeingabeeinheit (100) enthält ein NICHT-ODER-
Gatter (11) zum NICHT-ODER-Verknüpfen eines Adreßsignals AD
und eines Chipauswahlsignals CSb, und einen Inverter (12)
zum Invertieren der Ausgabe des NICHT-ODER-Gatters (11). Die
erste Latcheinheit (101) enthält zwei NICHT-ODER-Gatter (25)
und (26), von denen je ein Eingangsanschluß jeweils mit den
Ausgangsanschlüssen der Inverter (13) und (14) verbunden
ist.
Die zweite Latcheinheit (102) enthält Inverter (13) und
(14) zum Invertieren der Ausgabe der Adreßeingabeeinheit
(100), PMOS-Transistoren (15) und (16) und NMOS-Transistoren
(17) und (18), die zwischen einen Versorgungsspannungsan
schluß Vcc und einen Massespannungsanschluß Vss in Reihe
geschaltet sind, zum Latchen eines Eingangspegels des NICHT-
UND-Gatters (25) gemäß einer Ausgabe des NICHT-UND-Gatters
(25), PMOS-Transistoren (19) und (20) und NMOS-Transistoren
(21) und (22), die zwischen den Versorgungsspannungsanschluß
Vcc und den Massespannungsanschluß Vss in Reihe geschaltet
sind, zum Latchen eines Eingangspegels des NICHT-UND-Gatters
(26) gemäß einer Ausgabe des NICHT-UND-Gatters (26), einen
Inverter (23) zum Invertieren einer verzögerten Ausgabe des
NICHT-UND-Gatters (25) und Ausgeben der invertierten Ausgabe
jeweils an die Gates des PMOS-Transistors (15) und des NMOS-
Transistors (18), und einen Inverter (24) zum Invertieren
einer verzögerten Ausgabe des NICHT-UND-Gatters (26) und zum
Ausgeben der invertierten Ausgabe jeweils an die Gates des
PMOS-Transistors (19) und des NMOS-Transistors (22)
Zu diesem Zeitpunkt ist der Eingangsanschluß des NICHT-
UND-Gatters (25) gemeinsam mit dem Ausgangsanschluß des
Inverters (13) und dem Source-Drain-Kontakt zwischen dem
PMOS-Transistor (16) und dem NMOS-Transistor (17) verbunden,
und der Ausgangsanschluß des NICHT-UND-Gatters (25) ist
jeweils mit den Gates des PMOS-Transistors (16) und des
NMOS-Transistors (17) verbunden.
Zusätzlich ist der Eingangsanschluß des NICHT-UND-Gatters
(26) gemeinsam mit dem Ausgangsanschluß des Inver
ters (14) und dem Source-Drain-Kontakt zwischen dem PMOS-
Transistor (20) und dem NMOS-Transistor (21) verbunden, und
der Ausgangsanschluß des NICHT-UND-Gatters (26) ist jeweils
mit den Gates des PMOS-Transistors (20) und des NMOS-
Transistors (21) verbunden.
Die Verzögerungseinheiten (103) und (104) enthalten
jeweils einen CMOS-Inverter zum Verzögern der Ausgaben der
NICHT-UND-Gatter (25) und (26) und zum Ausgeben der verzö
gerten Ausgaben an die Inverter (23) und (24).
Das CMOS-Flipflop (105) enthält PMOS-Transistoren (27)
und (28) und NMOS-Transistoren (29) und (30), die zwischen
die Versorgungsspannung Vcc und die Massespannung Vss in
Reihe geschaltet sind, sowie PMOS-Transistoren (31) und (32)
sowie NMOS-Transistoren (33) und (34), die zwischen die
Versorgungsspannung Vcc und die Massespannung Vss in Reihe
geschaltet sind.
Zu diesem Zeitpunkt sind die Gates des PMOS-Transistors
(27) und des NMOS-Transistors (29) mit dem Ausgangsanschluß
des NICHT-UND-Gatters (25) verbunden, und die Gates des
PMOS-Transistors (28) und des NMOS-Transistors (33) sind mit
dem Ausgangsanschluß der Verzögerungseinheit (103) verbun
den, und die Gates des NMOS-Transistors (30) und des PMOS-
Transistors (31) sind mit dem Ausgangsanschluß des NICHT-
UND-Gatters (26) verbunden, und die Gates des PMOS-Transi
stors (32) und des NMOS-Transistcrs (34) sind mit dem Aus
gangsanschluß der Verzögerungseinheit (104) verbunden.
Die Arbeitsweise der Adreßübergangs-Detektionsschaltung
gemäß der vorliegenden Erfindung wird nun mit Bezug auf die
beigefügten Zeichnungen erläutert.
Ist das Chipauswahlsignal CSb auf Low-Pegel, und geht
das Adreßsignal AD nicht über, weisen die Inverter (13) und
(14) entgegengesetzte Logikpegel auf.
Im Fall des Low-Pegels unter diesen Logikpegeln, werden
die Ausgangssignale von einem NICHT-UND-Gatter einer Seite
und der Verzögerungseinheit der zweiten Latcheinheit (102)
zu High-Pegeln, und diese Signale mit High-Pegel werden in
den Eingangsanschluß des NICHT-UND-Gatters der anderen Seite
zurückgeführt, so daß die Ausgänge aus einem anderen NICHT-
UND-Gatter und den Verzögerungseinheiten zu Low-Pegeln wer
den.
Deshalb werden die PMOS-Transistoren und der NMOS-
Transistor des CMOS-Flipflop durch die Ausgaben des NICHT-
UND-Gatters und der Verzögerungseinheit an/abgeschaltet, so
daß ein Adreßdetektionssignal ATD mit High-Pegel ausgegeben
wird.
In einem Anfangszustand und unter der Annahme, daß über
die Adreßeingabeeinheit (100) ein Adreßsignal AD mit High-
Pegel eingegeben wird, werden die Ausgaben N2 und N1 der
Inverter (13) und (14) jeweils, wie in Fig. 4B gezeigt, zu
High- und Low-Pegeln.
Zusätzlich werden die Ausgaben C und D des NICHT-UND-
Gatters (26) und der Verzögerungseinheit (104), die die
Ausgabe N1 des Inverters (14) aufnehmen, wie in Fig. 4D
gezeigt, zu High-Pegeln, und die Ausgänge A und B des NICHT-
UND-Gatters (25) und der Verzögerungseinheit (103), die die
Ausgabe N2 des Inverters (13) und die Ausgabe D der Verzöge
rungseinheit (104) aufnehmen, werden, wie in Fig. 4C ge
zeigt, zu Low-Pegeln.
Deshalb werden die PMOS-Transistoren (27) und (28) und
die NMOS-Transistoren (30) und (34) des CMOS-Flipflop (105)
angeschaltet, und die PMOS-Transistoren (31) und (32) und
die NMOS-Transistoren (29) und (33) abgeschaltet, so daß das
Adreßübergangs-Detektionssignal ATD, wie in Fig. 4F ge
zeigt, zu einem High-Pegel wird.
Durch die Ausgabe A des NICHT-UND-Gatters (25) und das
durch den Inverter (23) invertierte und von der Verzöge
rungseinheit (103) ausgegebene Signal E werden zusätzlich
der PMOS-Transistor (15) und der NMOS-Transistor (17) abge
schaltet, und der PMOS-Transistor (16) und der NMOS-Transi
stor (18) angeschaltet.
Durch die Ausgabe C des NICHT-UND-Gatters (26) und das
durch den Inverter (24) invertierte und von der Verzöge
rungseinheit (104) ausgegebene Signal F werden der PMOS-
Transistor (20) und der NMOS-Transistor (22) abgeschaltet,
und der PMOS-Transistor (19) und der NMOS-Transistor (21)
angeschaltet.
Die Transistoren der zweiten Latcheinheit (102), die
zur Beseitigung von Störungen verwendet werden, werden näm
lich der Reihe nach einer nach dem anderen an- und abge
schaltet, und verhindern so, daß die Spannungsversorgung in
die Ausgangsanschlüsse N1 und N2 eingespeist wird.
In einem Anfangszustand und unter der Annahme, daß das
Adreßsignal AD ein Low-Pegel ist, wird dasselbe Ergebnis
erhalten wie unter der Annahme, daß das Adreßsignal AD ein
High-Pegel ist.
Geht das Adreßsignal AD von High-Pegel auf Low-Pegel
über, gehen die Ausgaben der Inverter (13) und (14) von Low-
Pegel auf High-Pegel über.
Die Ausgabe A des NICHT-UNO-Gatters (25) aus der ersten
Latcheinheit (101) wird durch die Ausgabe des Inverters
(13), die auf Low-Pegel übergeht, zu einem High-Pegel, und
der PMOS-Transistor (27) des CMOS-Flipflop (105) wird durch
die Ausgabe A mit High-Pegel abgeschaltet, und der NMOS-
Transistor (29) angeschaltet. Deshalb nimmt das Adreßüber
gangs-Detektionssignal ATD einen aktiven Zustand ein (Low-
Pegel) . Zu diesem Zeitpunkt bleibt der NMOS-Transistor (30)
angeschaltet.
Der PMOS-Transistor (16) der zweiten Latcheinheit (102)
wird durch die Ausgabe A des NICHT-UND-Gatters (25) abge
schaltet, und der NMOS-Transistor (17) derselben wird da
durch angeschaltet, so daß die Ausgabe N2 auf Low-Pegel
gelatcht wird. Zu diesem Zeitpunkt bleibt der NMOS-Transi
stor (18) angeschaltet.
Danach wird, wenn die Ausgabe A des NICHT-UND-Gatters
(25) durch die Verzögerungseinheit (103) um eine vorbestimm
te Zeitspanne verzögert wird, der NMOS-Transistor (33) des
CMOS-Flipflop (105) durch die Ausgabe B der Verzögerungsein
heit (103) angeschaltet, der PMOS-Transistor (28) wird da
durch angeschaltet, der PMOS-Transistor (15) der zweiten
Latcheinheit (102) wird dadurch angeschaltet, und der NMOS-
Transistor (18) wird abgeschaltet, um so zu verhindern, daß
die Versorgungsspannung an den Ausgangsanschluß N2 angelegt
wird.
Zusätzlich wird die Ausgabe C des NICHT-UND-Gatters
(26) der zweiten Latcheinheit (102) durch die Ausgabe B der
Verzögerungseinheit (103) zu einem Low-Pegel, der NMOS-
Transistor (30) des CMOS-Flipflop (105) wird durch die Aus
gabe C mit Low-Pegel abgeschaltet, der PMOS-Transistor (31)
wird angeschaltet, der PMOS-Transistor (20) der zweiten
Latcheinheit (102) wird angeschaltet und der NMOS-Transistor
(21) wird angeschaltet, und somit die Ausgabe N1 auf High-
Pegel gelatcht.
Da der NMOS-Transistor (34) des CMOS-Flipflop (105)
angeschaltet ist, nimmt das Adreßübergangs-Detektionssignal
ATD einen aktiven Zustand ein (Low-Pegel).
Wird danach die Ausgabe C des NICHT-UND-Gatters (26)
durch die Verzögerungseinheit (104) um eine vorbestimmte
Zeitspanne verzögert, geht das Adreßübergangs-Detektions
signal ATD, da der PMOS-Transistor (32) des CMOS-Flipflop
(105) durch die Ausgabe D der Verzögerungseinheit (104)
angeschaltet wird, und der NMOS-Transistor (34) abgeschaltet
wird, auf High-Pegel über und nimmt einen inaktiven Zustand
ein.
Zusätzlich wird der NMOS-Transistor (22) der zweiten
Latcheinheit (102) durch die über den Inverter (24) einge
speiste Ausgabe D der Verzögerungseinheit (104) angeschal
tet, und der PMOS-Transistor (19) wird dadurch abgeschaltet,
wodurch verhindert wird, daß die Spannungsversorgung in den
Ausgabeanschluß N1 eingespeist wird.
Die oben beschriebene Arbeitsweise bezieht sich auf den
Fall, daß ein normales Adreßsignal AD eingegeben wird.
Bei der vorliegenden Erfindung wird jedoch das normale
Adreßübergangs-Detektionssignal ATD ausgegeben, auch wenn
das Adreßsignal AD in Form eines kurzen Impulses eingegeben
wird.
Geht das Adreßsignal AD von High-Pegel auf Low-Pegel
über, wird das Adreßübergangs-Detektionssignal ATD als Im
pulssignal mit einer Impulsbreite, die basierend auf einer
kombinierten Verzögerungszeit durch die Verzögerungseinhei
ten (103) und (104) erhalten wird, ausgegeben.
Da die Transistoren der zweiten Latcheinheit (102), die
mit den Ausgaben A und C der NICHT-UND-Gatter (25) und (26)
verbunden sind, zu diesem Zeitpunkt einen Latchvorgang aus
führen, so daß die Ausgaben der Inverter (13) und (14) die
Logikpegel nicht invertieren, während das Adreßübergangs-
Detektionssignal ATD auf aktivem Pegel (Low-Pegel) ist, wird
das Adreßübergangs-Detektionssignal ATD mit einer vorbe
stimmten Impulsbreite über das CMOS-Flipflop (105) ausgege
ben.
Da nämlich die Ausgaben A und C der NICHT-UND-Gatter
(25) und (26) der ersten Latcheinheit (101) und die durch
die Inverter (23) und (24) invertierten und von den Verzöge
rungseinheiten (103) und (104) ausgegebenen Ausgaben E und F
die Logikpegel bei N2 und N1 als ersten übergegangenen Wert
aufrechterhalten, ist es möglich zu verhindern, daß das
Adreßübergangs-Detektionssignal ATD verursacht durch Störun
gen auftritt.
Zusätzlich wird das Adreßübergangs-Detektionssignal
ATD, während das Adreßübergangs-Detektionssignal ATD aktiv
(logischer Low-Pegel) ist, nicht beeinflußt, auch wenn das
Adreßsignal AD wechselt, da dessen Übergang durch den Latch
vorgang der Logikpegel bei N2 und N1 vernachlässigt wird.
Deshalb besitzt das Adreßübergangs-Detektionssignal ATD
eine vorbestimmte konstante Impulsbreite, und die Breite des
Adreßübergangs-Detektionssignals ATD ist dieselbe wie die
einer Verzögerungszeit durch das NICHT-UND-Gatter (25) oder
das NICHT-UND-Gatter (26) und die Verzögerungseinheiten
(103) und (104) entsprechende Impulsbreite.
Wie oben beschrieben, wird in der vorliegenden Erfin
dung ein Adreßübergangs-Detektionssignal mit konstanter
Impulsbreite ausgegeben, auch wenn jegliche Art von Adreß
signalen über die Eingangsanschlüsse eingegeben wird, und
somit ein stabiler Betrieb der Speicherschaltung sicherge
stellt.
Obwohl die bevorzugten Ausführungsformen der vorliegen
den Erfindung zum Zweck der Darstellung beschrieben wurden,
werden Fachleute erkennen, daß verschiedene Modifikationen,
Zusätze und Ersetzungen möglich sind, ohne vom Bereich und
Geist der Erfindung, wie in den beigefügten Patentansprüchen
dargestellt, abzuweichen.
Claims (6)
1. Adreßübergangs-Detektionsschaltung, die umfaßt:
eine Adreßeingabeeinheit (100);
eine erste Latcheinheit (101) zum Latchen eines einge gebenen Adreßsignals AD und Aktivieren eines Adreßübergangs- Detektionssignals ATD;
eine zweite Latcheinheit (102) zum Latchen eines Ein gangspegels der ersten Latcheinheit (101) als einen ersten übergegangenen Wert gemäß einer Ausgabe der ersten Latchein heit (101), während das Adreßübergangs-Detektionssignal ATD aktiv ist;
erste und zweite Verzögerungseinheiten (103, 104) zum Verzögern einer Ausgabe der ersten Latcheinheit (101); und
ein CMOS-Flipflop (105) zum Ausgeben eines Adreßüber gangs-Detektionssignals ATD mit einer vorbestimmten Breite gemäß Ausgaben der ersten Latcheinheit (101) und der Verzö gerungseinheiten (103, 104).
eine Adreßeingabeeinheit (100);
eine erste Latcheinheit (101) zum Latchen eines einge gebenen Adreßsignals AD und Aktivieren eines Adreßübergangs- Detektionssignals ATD;
eine zweite Latcheinheit (102) zum Latchen eines Ein gangspegels der ersten Latcheinheit (101) als einen ersten übergegangenen Wert gemäß einer Ausgabe der ersten Latchein heit (101), während das Adreßübergangs-Detektionssignal ATD aktiv ist;
erste und zweite Verzögerungseinheiten (103, 104) zum Verzögern einer Ausgabe der ersten Latcheinheit (101); und
ein CMOS-Flipflop (105) zum Ausgeben eines Adreßüber gangs-Detektionssignals ATD mit einer vorbestimmten Breite gemäß Ausgaben der ersten Latcheinheit (101) und der Verzö gerungseinheiten (103, 104).
2. Schaltung nach Anspruch 1, worin die zweite Latch
einheit (102) umfaßt:
erste und zweite Inverter (13, 14) zum Invertieren einer Ausgabe der Adreßeingabeeinheit (100);
erste und zweite PMOS-Transistoren (15, 16) und erste und zweite NMOS-Transistoren (17, 18), die zwischen einen Versorgungsspannungsanschluß Vcc und einen Massespannungsan schluß Vss in Reihe geschaltet sind, zum Aufrechterhalten eines logischen Schwellenpegels des ersten Inverters (13) gemäß einer Ausgabe eines ersten NICHT-UND-Gatters (25);
dritte und vierte PMOS-Transistoren (19, 20) und dritte und vierte NMOS-Transistoren (21, 22), die zwischen den Versorgungsspannungsanschluß Vcc und den Massespannungsan schluß Vss in Reihe geschaltet sind, zum Aufrechterhalten eines logischen Schwellenpegels des zweiten Inverters (14) gemäß einer Ausgabe eines zweiten NICHT-UND-Gatters (26);
einen dritten Inverter (23) zum Steuern des ersten PMOS-Transistors (15) und des zweiten NMOS-Transistors (18), so daß ein logischer Schwellenpegel des ersten Inverters (13) nicht durch Invertieren einer Ausgabe der ersten Verzö gerungseinheit (103) invertiert wird; und
einen vierten Inverter (24) zum Steuern des dritten PMOS-Transistors (19) und des vierten NMOS-Transistors (22), so daß ein logischer Schwellenpegel des zweiten Inverters (14) nicht durch Invertieren einer Ausgabe der zweiten Ver zögerungseinheit (104) invertiert wird.
erste und zweite Inverter (13, 14) zum Invertieren einer Ausgabe der Adreßeingabeeinheit (100);
erste und zweite PMOS-Transistoren (15, 16) und erste und zweite NMOS-Transistoren (17, 18), die zwischen einen Versorgungsspannungsanschluß Vcc und einen Massespannungsan schluß Vss in Reihe geschaltet sind, zum Aufrechterhalten eines logischen Schwellenpegels des ersten Inverters (13) gemäß einer Ausgabe eines ersten NICHT-UND-Gatters (25);
dritte und vierte PMOS-Transistoren (19, 20) und dritte und vierte NMOS-Transistoren (21, 22), die zwischen den Versorgungsspannungsanschluß Vcc und den Massespannungsan schluß Vss in Reihe geschaltet sind, zum Aufrechterhalten eines logischen Schwellenpegels des zweiten Inverters (14) gemäß einer Ausgabe eines zweiten NICHT-UND-Gatters (26);
einen dritten Inverter (23) zum Steuern des ersten PMOS-Transistors (15) und des zweiten NMOS-Transistors (18), so daß ein logischer Schwellenpegel des ersten Inverters (13) nicht durch Invertieren einer Ausgabe der ersten Verzö gerungseinheit (103) invertiert wird; und
einen vierten Inverter (24) zum Steuern des dritten PMOS-Transistors (19) und des vierten NMOS-Transistors (22), so daß ein logischer Schwellenpegel des zweiten Inverters (14) nicht durch Invertieren einer Ausgabe der zweiten Ver zögerungseinheit (104) invertiert wird.
3. Schaltung nach Anspruch 2, worin ein Eingangsan
schluß des ersten NICHT-UND-Gatters (25) gemeinsam mit einem
Ausgangsanschluß des ersten Inverters (13) und einem Source-
Drain-Kontakt zwischen dem zweiten PMOS-Transistor (16) und
dem ersten NMOS-Transistor (17) verbunden ist, und ein Aus
gangsanschluß desselben mit Gates des zweiten PMOS-Transi
stors (16) und des ersten NMOS-Transistors (17) verbunden
ist, und ein Eingangsanschluß des zweiten NICHT-UND-Gatters
(26) gemeinsam mit einem Ausgangsanschluß des zweiten Inver
ters (14) und einem Source-Drain-Kontakt zwischen dem vier
ten PMOS-Transistor (20) und dem dritten NMOS-Transistor
(21) verbunden ist, und ein Ausgangsanschluß desselben mit
den Gates des vierten PMOS-Transistors (20) und des dritten
NMOS-Transistors (21) verbunden ist.
4. Schaltung nach Anspruch 1, worin eine Breite des
Adreßübergangs-Detektionssignals basierend auf einer Impuls
breite erhalten wird, die einer kombinierten Verzögerungs
zeit des ersten NICHT-UND-Gatters (25) oder des zweiten
NICHT-UND-Gatters (26) und der ersten oder zweiten Verzöge
rungseinheiten (103, 104) entspricht.
5. Schaltung nach Anspruch 2, worin der zweite PMOS-
Transistor (16) und der ersten NMOS-Transistor (17) und der
vierte PMOS-Transistor (20) und der dritte NMOS-Transistor
(21) Eingangspegel der ersten und zweiten NICHT-UND-Gatter
(25, 26) gemäß Ausgaben der ersten und zweiten NICHT-UND-
Gatter (25, 26) latchen.
6. Schaltung nach Anspruch 1, worin das CMOS-Flipflop
(105) fünfte und sechste PMOS-Transistoren (27, 28) und
fünfte und sechste NMOS-Transistoren (29, 30), die zwischen
die Versorgungsspannung Vcc und die Massespannung Vss in
Reihe geschaltet sind, und siebte und achte PMOS-Transisto
ren (31, 32) und siebte und achte NMOS-Transistoren (33,
34), die zwischen die Versorgungsspannung Vcc und die Masse
spannung Vss in Reihe geschaltet sind, enthält, worin Gates
des fünften PMOS-Transistors (27) und des fünften NMOS-
Transistors (29) mit einem Ausgangsanschluß des ersten
NICHT-UND-Gatters (25) verbunden sind, Gates des sechsten
PMOS-Transistors (28) und des siebten NMOS-Transistors (33)
mit einem Ausgangsanschluß der ersten Verzögerungseinheit
(103) verbunden sind, Gates des sechsten NMOS-Transistors
(30) und des siebten PMOS-Transistors (31) mit dem Ausgangs
anschluß des zweiten NICHT-UND-Gatters (26) verbunden sind,
und Gates des achten PMOS-Transistors (32) und des achten
NMOS-Transistors (34) mit einem Ausgangsanschluß der Verzö
gerungseinheit (104) verbunden sind.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970025677A KR100273218B1 (ko) | 1997-06-19 | 1997-06-19 | 어드레스천이검출회로 |
KR25677/1997 | 1997-06-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19742702A1 true DE19742702A1 (de) | 1998-12-24 |
DE19742702B4 DE19742702B4 (de) | 2013-01-03 |
Family
ID=19510183
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742702A Expired - Fee Related DE19742702B4 (de) | 1997-06-19 | 1997-09-26 | Adressübergangs-Detektionsschaltung |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5959486A (de) |
JP (1) | JP3016757B2 (de) |
KR (1) | KR100273218B1 (de) |
DE (1) | DE19742702B4 (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100361865B1 (ko) * | 1999-06-29 | 2002-11-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 어드레스 스트로브장치 |
JP3849485B2 (ja) * | 2001-10-18 | 2006-11-22 | セイコーエプソン株式会社 | パルス処理回路および周波数逓倍回路 |
KR100508722B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2005-08-17 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 펄스폭 고정 장치 |
US9490817B1 (en) * | 2009-02-25 | 2016-11-08 | Marvell Israel (M.I.S.L) Ltd. | Method and apparatus for gals system |
JP6756093B2 (ja) | 2015-09-01 | 2020-09-16 | 株式会社Gsユアサ | 鉛蓄電池 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5493538A (en) * | 1994-11-14 | 1996-02-20 | Texas Instruments Incorporated | Minimum pulse width address transition detection circuit |
US5625604A (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-29 | Lg Semicon Co., Ltd. | Address transition detection circuit for a memory device having signal delay circuitry |
DE19644443A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Lg Semicon Co Ltd | Adressübergangs-Detektorschaltung |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4592028A (en) * | 1982-06-09 | 1986-05-27 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Memory device |
GB9007786D0 (en) * | 1990-04-06 | 1990-06-06 | Gillingham Peter B | Transition detection circuit |
US5003513A (en) * | 1990-04-23 | 1991-03-26 | Motorola, Inc. | Latching input buffer for an ATD memory |
JP2991479B2 (ja) * | 1990-11-16 | 1999-12-20 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路及び半導体記憶装置 |
KR940005785B1 (ko) * | 1991-12-31 | 1994-06-23 | 현대전자산업 주식회사 | 어드레스 전이 검출회로 |
KR100189740B1 (ko) * | 1996-03-11 | 1999-06-01 | 구본준 | 어드레스 천이 검출 회로 |
-
1997
- 1997-06-19 KR KR1019970025677A patent/KR100273218B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-09-26 DE DE19742702A patent/DE19742702B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-08 JP JP9336805A patent/JP3016757B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-22 US US08/995,540 patent/US5959486A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5493538A (en) * | 1994-11-14 | 1996-02-20 | Texas Instruments Incorporated | Minimum pulse width address transition detection circuit |
US5625604A (en) * | 1995-10-12 | 1997-04-29 | Lg Semicon Co., Ltd. | Address transition detection circuit for a memory device having signal delay circuitry |
DE19644443A1 (de) * | 1995-12-21 | 1997-06-26 | Lg Semicon Co Ltd | Adressübergangs-Detektorschaltung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19742702B4 (de) | 2013-01-03 |
KR100273218B1 (ko) | 2000-12-15 |
KR19990002136A (ko) | 1999-01-15 |
JPH1116359A (ja) | 1999-01-22 |
US5959486A (en) | 1999-09-28 |
JP3016757B2 (ja) | 2000-03-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20130404 |
|
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