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Die
Erfindung betrifft ein Verfahren zum Planieren von Halbleiterwafern
nach Anspruch 1.
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Das Ätzen von
Gräben
in Siliciumwafern zum elektrischen Isolieren verschiedener aktiver
Bereiche eines elektronischen Schaltkreises ist bekannt. Um eine
Weiterverarbeitung zu erleichtern, wird jedoch angestrebt, eine
plane Oberseite auf dem Wafer beizubehalten, wozu chemiche Dampfabscheidungstechniken
(CVD) verwendet werden, um die Gräben mit einem elektrisch isolierenden
Material wie SiO2 zu füllen. Jedoch wird auf diese
Weise Oxid sowohl in den Gräben
als auch auf den Säulen
in den aktiven Bereichen abgelagert. Daher ist eine Planierung in
irgendeiner Weise notwendig, um eine im wesentlichen plane Oberseite
zu erhalten. Chemisch-mechanisches Polieren (CMP) des so aufgebrachten
Materials mag die einfachste Methode darstellen, jedoch treten hierbei
lokale Polierratenschwankungen als auch Bombierungen und Probleme
im Zusammenhang mit Oxidresten auf. Diese Schwankungen haben verschiedene
Ursachen, die in der endlichen Steifheit von Kontaktstellen, wie
sie beim CMP verwendet werden, Änderungen
der lokalen Musterdichte und unterschiedlichen Ätzraten unterschiedlicher Materialien
während
des CMP liegen können.
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Beispielsweise
hängt die
lokale Ätzrate
stark von dem Muster von nahe benachbarten Gräben und insbesondere der Dichte
dieses Musters ab. Ein Problem, das durch Ungleichmäßigkeiten
in lokalen Ätzraten
entsteht, ist ein "Bombieren" oder Ausbilden von
Einsenkungen in weit offenen Grabenbereichen, wo Grabenbereiche
und Nicht-Grabenbereiche mit unterschiedlicher Ätzgeschwindigkeit geätzt werden. Wegen
der Kontaktstellenflexibilität
können
Füllmaterialreste
auf aktiven Bereichen zwischen Gräben verbleiben, die die Planheit
beeinträchtigen.
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Ein
weiteres Problem ist die schnelle Erosion von schmalen isolierten
Nicht-Grabenteilen (Säulen) in
weiten offenen Grabenbereichen. Die Kontaktstellenflexibilität über derartig
isolierten Säulen
führt zu einer
lokalen Polierwirkung, so daß dort
eine beschleunigte Erosion speziell an den Oberkanten der Säulen auftritt.
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Zwar
könnte
man die Kontaktstellenflexibilität
beim CMP-Verfahren verringern, jedoch wird eine gewisse Flexibilität benötigt, um
sich einer Waferdurchbiegung anpassen zu können.
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Es
ist auch bekannt, einen zusätzlichen
lithographischen Schritt einzusetzen, der im wesentlichen das Material
in den Grabenbereichen schützt,
während
das Material in den Nicht-Grabenbereichen exponiert wird. Hierbei
wird ein Ätzen
durchgeführt,
das die Masse des Füllmaterialoxids
auf den Säulen
entfernt. Dieses als anisotropes Plasmaätzen durchgeführte Ätzen beläßt Ohren
von Füllmaterial,
die noch einen beträchtlichen
Anteil an verbliebenem Füllmaterial
darstellen. Wenn hierauf ein CMP-Schritt folgt, besteht immer noch
ein entsprechendes Potential für ein
musterabhängiges
Polieren, wie vorstehend beschrieben.
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Gemäß
US 54 98 565 wird gleichzeitig CVD-Oxid
abgelagert und geätzt
(d.h. es handelt sich um einen ECR-CVD-Prozeß). Die abgelagerte Schicht
wird dann mit Photoresist maskiert, isotrop geätzt und dann mit tels CMP-Technik
poliert. Hierdurch läßt sich
eine geringere Musterempfindlichkeit in bezug auf den schließlichen
Polierschritt durch die Verwendung eines isotropen Oxidätzens und
effizienteren Entfernens des Oxids über den Säulen erzielen. Jedoch tritt
bei dem hierbei verwendeten isotropen Ätzen ein Unterschneiden der
Photoresistmaske auf. Wenn dies auf beiden Seiten eines schmalen Resiststreifens
auftritt, ist es möglich,
diesen vollständig
zu unterschneiden und damit als einen Resiststrang freizulegen.
Dieser kann dann abheben, auf andere Teile des Substrats herunterfallen
und das isotrope Ätzen
stören.
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Aus
Maskless Method for Shallow Trench Planarization, IBM Technical
Disclosure Bulletin, Band 33, Nr. 4, September 1990, Seiten 433
und 434, ist ein Verfahren bekannt, bei dem die Photoresistschicht
weder mit einem Muster versehen noch gleichzeitig mit dem Füllmaterial
geätzt
wird. Die Photoresistschicht wird zunächst insgesamt belichtet und
geätzt,
so daß nur
noch Reste in Vertiefungen verbleiben. Diese Reste werden dann gehärtet, um als
Maske für
eine Siliciumnitridschicht zu dienen, die dann geätzt wird,
wonach die gehärteten
Reste entfernt werden. Danach erfolgt ein weiteres Planarisieren
ohne Maske.
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Aus
Method for Planarizing over Shallow Trenches filled with Silicon
Dioxide, IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 32, Nr. 9A, Feb.
1990, Seite 439 und 440, ist ein Verfahren bekannt, bei dem ein Muster
von Gräben
und Säulen
auf einem Halbleitersubstrat gebildet wird, ein Füllmaterial
zum Füllen
der Gräben
und Bedecken der gegebenenfalls mit Kappen versehenen Säulen, danach
eine dünne
Polysiliciumschicht und anschließend eine Siliciumdioxidschicht
aufgebracht werden. Danach werden großformatige Bereiche mit einer
Photoresistschicht abgedeckt, die Siliciumdioxidschicht in kleinformatigen Bereichen
entfernt, wonach die Photoresistschicht entfernt und Polysilicium,
das auch die kleinformatigen Bereiche füllt, aus denen das Siliciumdioxid
entfernt wurde, aufgebracht und anschließend bis auf die Höhe des Siliciumdioxids planarisiert
wird. Anschließend
wird weiter bis zur Siliciumnitridschicht durch reaktives Ionenätzen geätzt.
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Aus
US 5 494 857 ist ein Verfahren
zum Planarisieren von Halbleiterwafern bekannt, wobei Muster von
Gräben
und Säulen
auf einem Halbleitersubstrat gebildet, ein Füllmaterial zum Füllen der
Gräben und
Bedecken der gegebenenfalls mit Kappen versehenen Säulen und
anschließend
eine Photoresistschicht über
dem Füllmaterial
aufgebracht werden, wobei die exponierte Photoresistschicht und
das Füllmaterial
durch anisotropes Ätzen
behandelt werden, wobei die Photoresistschicht nach ihrem Aufbringen zunächst durch
Belichten und Ätzen
im wesentlichen aus den Bereichen über den Säulen entfernt werden, wonach
poliert wird.
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Aus
JP 07-016715 (A) ist ein Verfahren zum Planarisieren von Halbleiterwafern
bekannt, wobei Muster von Lücken
zwischen Leiterbahnen auf einem Halbleitersubstrat gebildet, ein
Füllmaterial
zum Füllen
der Lücken
und Bedecken der Leiterbahnen und anschließend eine Fotoresistschicht über dem
Füllmaterial
aufgebracht werden, wobei die exponierte Photoresistschicht und
das Füllmaterial
durch isotropes Ätzen
behandelt werden. Die Photoresistschicht wird nach dem Aufbringen
zunächst
durch Belichten und Ätzen
im wesentlichen aus den Bereichen zwischen den Leiterbahnen entfernt,
wonach poliert wird.
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Aufgabe
der Erfindung ist es, ein Verfahren zu schaffen, das es ermöglicht,
vor einem Polieren einen wesentlichen Teil an Füllmaterial über aktiven Bereichen in einfacher
und unempfindlicher Weise zu entfernen, wobei die Gefahr von baumelnden
Photoresiststreifen zumindest stark reduziert ist.
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Diese
Aufgabe wird entsprechend den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
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Hierdurch
ist es möglich,
bis zu etwa 90% des Füllmaterials
im aktiven Bereich durch gleichzeitiges isotropes Ätzen einer
strukturierten Photoresistschicht und des Füllmaterials zu entfernen. Irgendwelche
verbleibenden Kuppen sind sehr klein und können daher effektiv und schnell
in einem nachfolgenden CMP-Schritt entfernt werden. Wenn mit einem
Verhältnis
von Resistätzrate
zu Füllmaterialätzrate größer als
1,0 gearbeitet wird, ist die Wahrscheinlichkeit des Auftretens von
baumeln den Resiststreifen stark reduziert, Kuppen können in
einem größeren Ausmaß vor dem
chemisch-mechanischen Polieren geätzt werden, und der Gasphasentransport des Ätzmittels
zu den Kuppenbereichen ist verstärkt. Nach
einem derartigen Ätzen
kann durch einen CMP-Schritt die Oberfläche des Füllmaterials poliert werden,
ohne die Kappen von gekappten Säulen
zu exponieren. In einem schließlichen Ätzschritt
können die
Kappen der Säulen
exponiert werden. Dies vermeidet vollständig eine Schalenbildung, Oxidreste und
isolierte Säulenerosionsprobleme.
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Weitere
Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung
und den Unteransprüchen
zu entnehmen.
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Die
Erfindung wird nachstehend anhand der in den beigefügten Abbildungen
dargestellten Ausführungsbeispiele
näher erläutert.
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1 zeigt
im Schnitt ein Halbleitersubstrat mit Säulen und Gräben, Füllmaterial und einer strukturierten
Photoresistschicht.
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2 zeigt
das Halbleitersubstrat von 1 im Schnitt
nach einem isotropen Ätzen.
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3 zeigt
vergrößert im
Schnitt einen Ätzbereich,
wo eine Senkenbildung auftritt.
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4 zeigt
im Schnitt den Zustand nach isotropem Ätzen.
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5 zeigt
im Schnitt verschiedene Stufen der Verarbeitung.
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6 zeigt
im Schnitt eine Struktur mit zweischichtigem Füllmaterial.
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7 zeigt
im Schnitt die Maskierung der zweischichtigen Füllmaterialschicht von 6.
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8 zeigt
die Struktur von 7 nach isotropem Ätzen.
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9 zeigt
das Ergebnis des nachfolgenden Schritts des Resistablösens.
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10 zeigt
das Ergebnis eines nachfolgenden Schritts eines kurzen CMP-Polierens.
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11 zeigt
ein Flußdiagramm
bezüglich der
verschiedenen durchzuführenden
Schritte zur Steuerung eines Verarbeitungsprozesses.
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Gemäß 1 ist
auf einem Halbleitersubstrat 15, etwa einem Siliciumsubstrat,
ein Muster aus Säulen 14 und
gefüllten
Gräben 10 ausgebildet.
Bei dem hier verwendeten Füllmaterial 12 handelt
es sich üblicherweise
um ein Oxid, das in Form einer Schicht auf dem Muster etwa durch
ein CVD-Verfahren aufgebracht ist und in bekannter Weise verdichtet
werden kann. Die Säulen 14 können Kappen 17 aus
Nitrid oder einem anderen Material aufweisen, das dazu dient, die
Säulen 14 während der
nachfolgenden Bearbeitung zu schützen.
Ein Auskleidungsoxid kann aufgewachsen werden, um das Halbleitersubstrat 15 vorzubereiten,
bevor das Füllmaterial 12 aufgebracht wird.
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Eine
Photoresistschicht 19 wird aufgebracht und entsprechend
dem Muster der darunterliegenden Gräben 10 und Säulen 14 bemustert.
Das heißt, beim
Bemustern der Photoresistschicht 19 ist es allgemein wünschenswert,
daß Öffnungen
oder "Spalten" 21 in der
Photoresistschicht 19 direkt wenigstens über einigen
Säulen 14 liegen.
Vorzugsweise ist die bemusterte Photoresistschicht 19 das "perfekte Umgekehrte" des darunterliegenden
Musters von Gräben 10 und
Säulen 14,
so daß die
Photoresistschicht 19 nur von Bereichen entfernt ist, die
direkt über
den Säulen 14 liegen,
wie in 1 dargestellt ist. Insbesondere ist die Breite
der Öffnungen 21 in
der Photoresistschicht 19 innerhalb einer Abweichung von etwa
5% der Breite der Säulen 14.
Die Dicke der Photoresistschicht 19 sollte ausreichend
sein, um ein vollständiges
Entfernen der Photoresistschicht während eines nachfolgenden isotropen
Resist/Oxidätzens
zu entfernen.
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Als
nächstens
werden Füllmaterial 12 und Photoresistschicht 19 gleichzeitig
geätzt.
Bevorzugt wird das Ätzen
isotrop durchgeführt,
und zwar beispielsweise mit einem oder mehreren Naßätzmitteln, wie
etwa HF, H2O2, H2SO4 oder HNO3. (Alternativ kann das Ätzen trocken, etwa durch Plasmaätzen beispielsweise
unter Verwendung von CH3F oder CF4 mit relativ erhöhtem Sauerstoffgehalt erfolgen.)
Die sich so ergebende Halbleitertopographie ist in 2 dargestellt.
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Wesentliche
Teile der Photoresistschicht 19 und des Füllmaterials 12 wurden
entfernt, wobei nur kleine Vogelschnäbel 20 nicht nur in
den relativ weiten offenen Bereichen, sondern auch über den
Gräben
verbleiben. Der hauptsächliche
Teil des Planierens wird auf diese Weise im Gegensatz zu einem Planieren
erreicht, bei dem anisotropes Ätzen,
gefolgt von Resistablösen
durchgeführt
wird. Resist 24, der zwischen Vogelschnäbeln 20 in weiten
offenen Bereichen verbleibt, kann ohne weiteres konventionell entfernt
werden. Pfeile "x" und "y" zeigen an, wie sich das Problem bei
der nachfolgenden Verarbeitung ändert.
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Gleichzeitiges
isotropes Ätzen
der Photoresistschicht 19 und des Füllmaterials 12 vermeidet
das Problem von baumelnden engen Resiststrängen, die bei einem Ätzen erzeugt
werden, das hinsichtlich des Resists stark selektiv ist, wobei diese
Resiststränge, wenn
sie relativ kurz sind, über
dem Füllmaterial 12 hängen oder,
was schlimmer ist, als Resiststrang herunterfallen können, um
so ein Ätzen
des Füllmaterials 12 in
einem Bereich zu behindern, in dem dies nicht passieren sollte.
Wenn Resist frei von dem darunter befindlichen Füllmaterial geätzt wird,
kann dies eine Kontaminierung bewirken.
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In
diesem Zusammenhang ist es zweckmäßig, die Ätzraten des Füllmaterials
und des Resists während
des isotropen Ätzens
praktisch gleich zu wählen.
Gleiche Ätzraten
dieser Materialien stellen sicher, daß keine Resistteile freigeätzt werden.
Dementsprechend sollte folgende Gleichung gelten: Füllmaterialätzrate/Resistätzrate < 1,0 (1)
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Wenn
jedoch diese Gleichung erfüllt
ist, besteht die Möglichkeit
einer vorzeitigen Grabenoxidexponierung, was zu "Senken" unter die nominale Füllmaterialhöhe nach
dem Ätzen
führen
kann, wie in 3 dargestellt ist. (3 basiert
auf der Annahme, daß die
Resistdicke etwa 33% größer als
die Füllmaterialstufe
ist, und berücksichtigt
den schlimmsten Fall, bei dem die Oberseite des Resists über der
Stufe flach bleibt.) Eine Senkenausbildung wird durch höhere Resistätzraten,
steilere Füllmaterialseitenwandprofile
und dünnere
Resistschichten verschlimmert. Selbst wenn der Resist unendlich
dick wäre,
kann eine Senkenausbildung aufgrund von seitlichem Ätzen des
Resists noch auftreten, wenn das Verhältnis von Resistätzrate zu
Füllmaterialätzrate genügend groß ist und
die Füllmaterialseitenwand
genügend
steil ist. Geht man von einer kreisförmigen Füllmaterialseitenwand und davon
aus, daß das
isotrope Resistätzen
mit gleichförmiger
Rate längs
dieser Seitenwandung erfolgt, kann die Resistätzrate die Füllmaterialätzrate um
einen Faktor von π/2 übersteigen,
bevor eine Senkenausbildung auftritt. 3 zeigt
die Grenzbedingung für
einen unendlich dicken Resist, wobei Resistätzrate/Füllmaterialätzrate = π/2 = 1,57 (2)ist.
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Für endliche
Resiststärken
unterstützt
das oberseitige Resistätzen
das seitliche Resistätzen,
so daß die
vorstehende Gleichung eine Obergrenze für das Verhältnis von Resistätzrate zu
Füllmaterialätzrate ist, über der
eine Senkenausbildung definitiv auftritt und unter der eine Senkenausbildung
abhängig von
der Resistdicke auftreten kann.
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Verhältnisse
von Resistätzrate
zu Füllmaterialätzrate größer als
1,0 sind besonders bevorzugt, da 1) hierdurch eine Trennung der
dünnen
Resiststränge
von dem darunter liegenden Füllmaterial
aufgrund von Resisthinterschneidung verhindert wird, 2) der Gasphasentransport
von Ätzmittel
zu den Füllmaterialvogelschnäbeln 20 (4)
unterstützt
und 3) die Vogelschnäbel
in größerem Maße geätzt werden
als bei einem Ätzratenverhältnis von
1,0 beim isotropen Ätzen.
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Nach
dem gleichzeitigen Ätzen
von Füllmaterial
und Resist wird das verbleibende Füllmaterial beispielsweise mittels
CMP-Technik "touch"-poliert, um irgendwelche
verbleibenden Vogelschnäbel 20 zu
entfernen, wie durch die Linie "B" von 5 dargestellt
ist. Dieser CMP-Schritt
braucht nur kurz zu sein, da Vogelschnäbel, die nach isotropem Ätzen verbleiben,
wie oben aufgeführt,
sehr viel kleiner als Ohren sind, die nach alleinigem Ätzen des
Füllmaterials
beispielsweise durch konventionelles anisotropes Ätzen erhalten
würden.
Das Polieren sollte gestoppt werden, bevor die darunter befindlichen
aktiven Bereiche erreicht werden, wie durch die Linie "B" in 5 und den
Pfeil "x" von 2 angedeutet
ist, um unterschiedliche Polierraten und das folgliche Aushöhlen, Oxidrest-
und isolierte Säulenerosionseffekte
zu vermeiden.
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Ein
letztliches Ätzen
kann durchgeführt
werden, um Füllmaterial
in nicht aktiven Bereichen zu entfernen. Hierbei ist es wichtig,
die endgültige
Stufenhöhe
d zwischen der Oberseite des Füllmaterials zur
Oberseite der Kappe des aktiven Bereichs (in 5 dargestellt)
zu kontrollieren. Eine Ätztechnik mit
Endpunktdetektion von (oder zeitbegrenzes Ätzen bis zur) Exponierung der
Kappen des aktiven Bereichs ermöglicht
eine aktive Rückkopplung
(für ein individuelles
Substrat) und Steuerung der endgültigen
Stufenhöhe
d, die besonders zweckmäßig ist.
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Beispielsweise
kann ein HF-Tauchen verwendet werden, um Nitridkappen zu exponieren.
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Bei
der in 6 dargestellten Ausführungsform ist das Füllmaterial
in einer zweischichtigen Struktur aufgebracht. Beispielsweise wird
zunächst eine
Oxidschicht 30 im CVD-Verfahren und dann eine Nitridschicht 32 beispielsweise
aus Si3N4 über dem Muster
aus Säulen 14 (mit
Nitridkappen 17), Gräben 10 und
Feldoxidbereichen 33 aufgebracht. Außerdem kann eine dünne Schicht
aus "Liner"- oder Einlageoxid 34,
die sich auch unter den Nitridkappen 17 sowie unter der
Oxidschicht 30 befindet, die Kanten der Säulen 14 und
Gräben 10 runden.
Die Dicke der Oxidschicht 30 und der Nitridschicht 33 sollten
gleich der Grabentiefe sein, so daß die Oberfläche der
Nitridkappen 17 und der Nitridschicht 32 koplanar
sind und daher gleichzeitig als ein "Polierstopp" während der
nachfolgenden Verarbeitung wirken.
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Eine
Maske 35 wird auf der Oberseite der Oxid-/Nitriddoppelschicht
aus Füllmaterial
bemustert, um ein "perfektes
Umgekehrtes" des
darunter liegenden Musters von Säulen 14 und
Gräben 10 zu
erhalten, wie in 7 dargestellt ist. Das bedeutet,
daß der
Resist so bemustert wird, daß er
direkt oberhalb der Säulen 14 entfernt
wird und über
den Gräben 10 verbleibt.
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Als
nächstes
wird ein isotropes Ätzen
vorgenommen, um Resist, Nitrid und Oxid gleichzeitig zu entfernen. 8 zeigt
das Profil nach dem isotropen Ätzen.
Die Menge an Material, die während
des Ätzens
entfernt wird, ist geringer als die Summe der Dicken der Nitridschicht 32 und
der Oxidschicht 30, so daß eine dünne Oxidschicht über den
Nitridkappen 17 verbleibt. Resistteilbereiche 36 verbleiben über Nitridschichtabschnitten 38 in
den Bereichen der Gräben 30.
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Wie
in 9 dargestellt ist, werden Nitridkappen 17 des
Aktivbereichs, Hörner 40 und
Nitridschichtabschnitte 38 freigelegt, nachdem die Resistteilabschnitte 36 abgelöst wurden,
und nach einem kurzen HF-Tauchen.
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Ein
Entfernen der Nitridkappen 17 und der Nitridschichtabschnitte 38,
das ausreichend ist, um die Oberfläche im wesentlichen zu planieren,
wird durch ein kurzes "Touch"-Polieren nach dem CMP-Verfahren (chemisch-mechanisches
Polieren) erzielt, wie es in 10 dargestellt
ist. Effekte hinsichtlich Vertiefen, Verbleiben von Oxidrückständen in
aktiven Bereichen und Erodieren von isolierten Säulen werden aufgrund der im
wesentlichen planen Oberfläche
und der nahezu vollständigen
Nitridabdeckung der Oberfläche
vermieden.
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Heiße Phosphorsäure (155°C) kann verwendet
werden, um Kappen 17 vor dem nachfolgenden Verarbeiten,
beispielsweise Bondinseloxidentfernung, Gateoxidwachstum, Gateaufbringung
und -bemusterung usw. zu entfernen.
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Im
Rahmen des Verfahrens ist es möglich,
in erster Ordnung Änderungen
in bezug auf Grabentiefe, Füllmaterialstärke und
CMP-Polieren auf einer Basis von Wafer zu Wafer zu korrigieren. 11 erläutert schematisch
die Korrektur von Fehlern von vorherigen Verarbeitungsstufen. Außerdem können Korrekturen
in bezug auf Fehler in folgenden Verarbeitungsstufen korrigiert
werden, etwa durch Aktivbereichskappendicke, Siliciumgrabentiefe,
Füllmaterialdicke,
CMP-Polieren, isotropes Füllmaterial-/Resistätzerate
und endgültige
Füllmaterialätzrate.
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Beispielsweise
können
Schwankungen in der Aktivbereichskappendicke für das schließliche Füllmaterialätzen durch
Steuern des Ausmaßes
des Füllmaterialüberätzens nach
Freilegen der Säulenkappen
korrigiert werden, wobei konstante Stufenhöhe von der Oberseite des Füllmaterials
zur Unterseite der Kappe aufrechterhalten werden. Kappendicken können nach
Kappenablagerung (Punkt 1 in 11) gemessen
und verwendet werden, um das Ausmaß des schließlichen
Füllmaterialätzens einzustellen, oder
die Menge an Kappenmaterialablagerung auf nachfolgenden zu bearbeitenden
Wafern einzustellen.
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Um
die Schwankungen der Stufenhöhe
d auf einem Wafer und zwischen Wafern stärker zu kontrollieren, kann
die schließliche
Grabentiefe auf einem Wafer (unter der Annahme, daß die Grabentiefe über einem
Wafer konstant ist) verwendet werden, um die Tiefe zu kontrollieren,
die während
eines nachfolgenden isotropen Füllmaterial-/Resistätzens erreicht wird.
Die Grabentiefe kann nach dem Grabenätzen gemessen werden (Punkt
3 in 11). Diese Information im Zusammenhang mit der
Endpunkterkennung des schließlichen
Füllmaterialätzens kann
dabei beitragen, Stufenhöhenschwankungen
aufgrund von Grabentiefenschwankungen von Wafer zu Wafer zu eliminieren.
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Rückkopplungen
können
verwendet werden, um den Prozeßfluß zu regeln.
Beispielsweise können die
Kappendickendaten (gemessen nach dem schließlichen Füllmaterialüberätzen) als Rückkopplung für die Stufe
verwendet werden, die der Stufe des Kappenmessens und -ablagerns
vorangeht, um die nachfolgende Verarbeitung zu korrigieren.