DE19731181C2 - Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von polymeren Grundwerkstoffen mit dünnen SiC-Schichten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von polymeren Grundwerkstoffen mit dünnen SiC-SchichtenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft Verfahren zur Herstellung von dünnen SiC-Schichten auf polymeren
Grundwerkstoffen durch chemische Plasma-Bedampfung und eine Vorrichtung hierzu.
In einer Zeit, in der man bestrebt ist, Motorfahrzeuge mit einer hohen Leistung insgesamt
umweltfreundlich zu gestalten, sind der Einsatz oder die Verwendung von Plastteilen in
Motorfahrzeugen vorangetrieben worden. Dabei hatte man die so erreichbare verstärkte
Gewichtsverminderung und die damit verbundene Treibstoffeinsparung bei Motorfahrzeugen im
Auge. Besondere Aufmerksamkeit fänden Thermoplastharze als leicht wiederverwendbarer
Werkstoff. Dementsprechend ist versucht worden, Thermoplastharzwerkstoffe tatsächlich in
Motorfahrzeugen einzusetzen. Plastwerkstoffe weisen jedoch, verglichen mit metallischen
Werkstoffen, eine geringe mechanische Festigkeit und Oberflächenhärte auf und sind auch im
Hinblick auf die Abriebfestigkeit metallischen Werkstoffen unterlegen. Darüber hinaus führen
ultraviolette Strahlung und Sonnenwärme zur Verfärbung und zu einer Verminderung der
Oberflächenhärte von Plastwerkstoffen. Somit kann die Witterungsbeständigkeit von
Plastwerkstoffen als nicht hoch eingeschätzt werden. Unter Berücksichtigung der Funktionen
und Qualitätsansprüche, die Motorfahrzeuge erfüllen müssen, sind die Einsatzmöglichkeiten für
Plastwerkstoffe begrenzt.
Demzufolge sind ein weiteres Vordringen des Einsatzes und die Verwendung von Plastteilen in
Motorfahrzeugen nur dann zu erwarten, wenn die Leistungsfähigkeit der Plastwerkstoffe durch
eine Oberflächenbehandlung verbessert werden kann.
In der Vergangenheit kamen Oberflächenbehandlungsmethoden zum Einsatz, die in einer
Dünnbeschichtung eines Plastwerkstoffs durch chemische Plasmabedampfung (CVD)
bestanden. Bei der Plasmabedampfung kann der Plastwerkstoff mit einer qualitativ
hochwertigen dünnen Beschichtung versehen werden, wobei Verunreinigungen aus dem
dünnen Film entfernt werden, das geschieht durch Erwärmen des Untergrunds auf
Temperaturen von 400°C oder mehr. Die Beschichtung eines Plastwerkstoffs, der eine
geringe Wärmebeständigkeit aufweist, war jedoch nicht möglich (vgl. S. Wiskuramanayaka, Y.
Hatanaka u. a., 1993, Technischer Bericht, Band 93, S. 86-91, Institute of Electronics and
Communication Engineers of Japan). Demzufolge wurde ein Verfahren entwickelt, bei dem ein
polymerer Grundwerkstoff zunächst einer Plasmabehandlung in dem gleichen Plasmasystem
unter Verwendung eines nicht-polymeren Gases, wie CO, H2 oder O2, unterzogen wird, so daß
die Haftfestigkeit der Beschichtung verstärkt wird. Anschließend wird ein plasmapolymerisierter
Überzug mit einer hohen Haltbarkeit dadurch erzeugt, daß organische Silizide
plasmapolymerisiert werden. Eine solche Schicht weist zwar eine bessere Haftfestigkeit
hinsichtlich ihrer Verbindung mit dem Grundwerkstoff auf, sie enthält jedoch einen hohen Anteil
Verunreinigungen, wie Kohlenstoff und Wasser. Dementsprechend liegen die Probleme einer
derartigen Beschichtung darin, daß ihr eine hohe Härte fehlt und sie eine schlechtere
Abriebfestigkeit aufweist (vgl. japanisches Patent, Offenlegungs-Nr. Sho 62-132940/1987,
Amtsblatt).
Andererseits werden, wenn man in einer Vakuumreaktionskammer eine Reaktion oder ein Gas
mit dem Beschichtungswerkstoff vorsieht, ein Magnetfeld (mit einer Flußdichte) von 875 Gauß
(G) anlegt und Mikrowellen einwirken läßt, die im Plasma enthaltenen Elektronen durch ein
elektrisches Feld beschleunigt, was auf den Elektronenzyklotronresonanzeffekt (ECR-Effekt)
zurückzuführen ist, und erzeugen dadurch ein Plasma mit einer hohen Dichte. Darüber hinaus
wurde eine ECR-Plasmaerzeugungsanlage entwickelt, die diese Erscheinung nutzt (vgl.
japanisches Patent, Offenlegungs-Nr. Sho 56-155535/1981, Amtsblatt).
Bei dem vorgenannten herkömmlichen Verfahren wird jedoch eine große Menge Gas
zugeführt. Demzufolge ergeben sich bei dem herkömmlichen Verfahren die folgenden
Probleme: Es ist grundsätzlich durch hohe Betriebskosten gekennzeichnet. Weiterhin ist das
Ausmaß der Verunreinigung in dem System sehr hoch, was hohe Kostenaufwendungen und
einen umfangreichen Arbeitskräfteeinsatz zur Wartung der Anlage erforderlich macht. Darüber
hinaus erfordert die Ausbildung einer Schicht eine längere Zeit. Demzufolge wird dem
Plastuntergrund eine große Wärmemenge zugeführt, wodurch der Untergrund schwerwiegend
geschädigt wird und in der Folge Restspannungen und Risse in der Beschichtung auftreten.
Aufgrund dieser Gegebenheiten wurden ein Plasmabedampfungsverfahren und eine Apparatur
zur Dünnbeschichtung von polymeren Grundwerkstoffen mit SiC durch Auftrag eines
transparenten dünnen SiC-Films auf die Oberfläche eines Plastwerkstoffs entwickelt, bei der
ECR-Plasma (verstärkte) chemische Bedampfungsverfahren (CVD) zum Einsatz kommen (d. h.
eine Beschichtung durch eine chemische Bedampfung, die durch
Elektronenzyklotronresonanzplasma unterstützt wird). Dadurch kann eine qualitativ
hochwertige Beschichtung bei niedrigen Temperaturen erreicht und gleichzeitig die
Oberflächenbärte des Films erhöht werden, ohne daß die Gestaltungsmöglichkeiten
beeinträchtigt werden (vgl. japanische Patentanmeldung Nr. Hei 8-52850/1996). Bei dieser
Apparatur ist zwischen einer Plasmaerzeugungskammer und einer Zuführungsöffnung für die
Gaseinleitung ein Gitter vorgesehen, wodurch im Plasma enthaltene Elektronen in diesem
Gitter abgefangen werden. Die abgefangenen Elektronen werden dann durch eine elektrische
Erdung abgeleitet. Somit können nur Radikale (das heißt Neutronen) das Gitter passieren,
wodurch sich die Beschichtungsgeschwindigkeit erhöht.
Selbst bei Einsatz des vorgenannten Verfahrens ist jedoch die Härte eines dünnen SiO2-Films,
der als eine Beschichtung gebildet werden soll, begrenzt. Demzufolge bestand die Forderung
nach einer dünnen Beschichtung, die eine größere Härte aufweist. Zusätzlich sind SiO2-
Schichten oder -Filme durchlässig für ultraviolettes Licht. Demnach steht zu befürchten, daß es
auch bei Ausbildung eines derartigen dünnen Films auf einem Plastwerkstoff zu einer
Zustandsverschlechterung des Plastmaterials durch ultraviolettes Licht kommt.
Spezifisch weisen SiC-Schichten, die eine Bandbreite von ca. 4,5 bis 5 eV haben, im Vergleich
zu anderen SiC-Filmen, die Bandbreiten von etwa 8 eV haben, kleinere Bandbreiten und in
Verbindung damit Eigenschaften der Ausschaltung des ultravioletten Lichts auf.
Erwähnt sei noch, dass aus der US 4 927 704 ein Verfahren zur Plasmabehandlung von
Polycabonaten bekannt ist, um eine verschleißfeste Schicht auf dieses aufzubringen. Dabei
wird zwischen dem Grundwerkstoff und der Schicht eine "interfacial-Schicht" vorgesehen. Die
verschleißfeste Schicht besteht aus SiO2.
Schließlich ist aus der DE 40 23 511 A1 ein Verfahren zur Bildung von amorphen Silicium-
Schichten auf einem Grundwerkstoff bekannt, wobei ein Siliciumwafer verwendet wird, mittels
eines Hoch-Temperatur-Plasmas.
Dementsprechend besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, ein Verfahren und
eine Vorrichtung für die Ausbildung einer dünnen SiC-Beschichtung auf einem polymeren
Grundwerkstoff durch chemische Bedampfung mit Plasmabildung zu schaffen, durch die eine
Dünnbeschichtung mit SiC, die bei einer niedrigen Temperatur auf einem Plastgrundwerkstoff
vorgenommen wird, eine ausreichende Härte und Witterungsbeständigkeit sowie eine
ausreichende Beständigkeit gegen ultraviolettes Licht erreicht.
Die Lösung der vorgenannten Aufgabe erfolgt durch ein Verfahren zur Herstellung von dünnen
SiC-Beschichtungen auf polymeren Grundwerkstoffen durch chemische Plasma-Bedampfung
vorgesehen, das die folgenden Stufen umfaßt: Erzeugen eines Magnetfelds in einer
Plasmaerzeugungskammer durch eine um die Kammer herum angeordnete Magnetspule;
Einleiten einer Mikrowelle in diese Plasmaerzeugungskammer; um auf diese Weise ECR-
Plasma zu erzeugen; Einleitung eines Reaktionsgases durch eine Zuführungsöffnung und
Anordnung einer Netzgitterelektrode zwischen dieser Zuführungsöffnung und einem polymeren
Grundwerkstoff oder zwischen der Plasmaerzeugungskammer und dieser Zuführungsöffnung
für das Reaktionsgas, wobei das ECR-Plasma diese Netzgitterelektrode passieren muss, um
auf diese Weise eine dünne SiC-Schicht auf eine Oberfläche des polymeren Grundwerkstoffs
aufzutragen.
Entsprechend umfasst die Vorrichtung eine Plasmaerzeugungskammer, in der durch eine um
die Kammer herum angeordneten Magnetspule ein Magnetfeld erzeugt wird und Einleitung von
Mikrowellen und einem Plasmagas zur Erzeugung von ECR-Plasmas; eine Zuführungsöffnung
für die Einleitung eines Reaktionsgases in diese Plasmaerzeugungskammer; sowie eine
Netzgitterelektrode, die zwischen dieser Zuführungsöffnung und einem polymeren
Grundwerkstoff oder zwischen dieser Plasmaerzeugungskammer und dieser
Zuführungsöffnung angeordnet ist.
Abb. 1. ist eine schematische Darstellung, die den Aufbau einer erfindungsgemäßen
Apparatur zur chemischen Bedampfung mit ECR-Plasmaerzeugung zeigt, d. h. eine Aus
führung der vorliegenden Erfindung.
Abb. 2 ist eine vergrößerte perspektivische Ansicht der ringförmigen Zuführungsöff
nung der erfindungsgemäßen Apparatur für die chemische Bedampfung durch ECR-
Plasmaerzeugung, d. h. die Ausführung der vorliegenden Erfindung.
Abb. 3 stellt die Beziehung zwischen der Temperatur des Untergrunds und der Auf
tragsgeschwindigkeit dar.
Abb. 4 ist ein Emissionsspektrum des Plasmas für den Fall des Auftrags eines SiC-
Films bei Verwendung eines Gitters.
Abb. 5 ist ein FTIR-Spektrum einer unter Verwendung des Gitters aufgedampften
Schicht.
Abb. 6 zeigt auf der Arrhenius-Gleichung beruhende Darstellungen der Temperatur
des Si-Untergrunds und der Auftragsgeschwindigkeit bei Verwendung des Gitters.
Abb. 7 zeigt die Veränderung der chemischen Zusammensetzung einer aufgetragenen
Schicht in Abhängigkeit von der Temperatur des Untergrunds.
Abb. 8 zeigt die Veränderung der Auftragsgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der
Menge des zugeführten Heliumgases, das ein Trägergas für HMDS darstellt.
Abb. 9 zeigt die Veränderung der Auftragsgeschwindigkeit in Abhängigkeit vom In
nendruck einer Reaktorkammer.
Abb. 10 zeigt die Veränderung der Auftragsgeschwindigkeit in Abhängigkeit von der
Mikrowellenleistung.
Abb. 11 zeigt zum Vergleich den Ultraviolettspektraldurchlässigkeitsfaktor oder die
Durchlässigkeit eines SiC-Films und eines SiO2-Films, die bei Zimmertemperatur aufge
tragen wurden.
Abb. 1 zeigt einen Aufbau einer Apparatur für das chemische Aufdampfen mit ECR-
Plasmaerzeugung, die eine Ausführung der vorliegenden Erfindung darstellt.
Es handelt sich bei dieser Apparatur um ein Gerät zum chemischen Aufdampfen mit
ECR-Plasmaerzeugung in Querausführung. Weiterhin sind Magnetspulen (2) am Umfang
der Plasmaerzeugungskammer (1) angeordnet. Es wird dann ein Magnetfeld, dessen
Vorhandensein eine der Betriebsbedingungen für die Elektronenzyklotronresonanz ist, in
der Plasmaerzeugungskammer (1) erzeugt. Weiterhin werden Mikrowellen in die Erzeu
gungskammer (1) eingeleitet. Auf diese Weise wird Plasma erzeugt. Im übrigen bedeutet
die Kennzeichnungsbezeichnung 3a Quarz oder Kieselglas. Die Verteilung des Magnet
felds ist die eines divergenten Magnetfelds, bei dem die Stärke des Magnetfelds in der
Richtung von einer Plasmaerzeugungskammer (1) zu einer Probenkammer (4) abnimmt.
Dann wird durch die Leitung (5) ein "Obergas" in die Plasmaerzeugungskammer eingelei
tet, wobei eine Regelung der Strömungsmenge mit Hilfe eines Mengenreglers erfolgt.
Auf diese Art und Weise wird in der Kammer ein ECR-Plasma erzeugt. Bei dem eingelei
teten "Obergas" kann es sich beispielsweise um H2, He oder Ar handeln. Im übrigen wird
Hexamethyldisilan (HMDS) am wirkungsvollsten durch H2-Gas zersetzt, das daher am
besten geeignet ist.
Darüber hinaus wird ein weiteres Gas, dessen Menge ebenfalls geregelt wird, durch eine
ringförmige Zuführungsöffnung (6) weiter hinten in die Kammer (1) eingeleitet. Damit
kann ein SiC-Film auf die Oberfläche eines polymeren Grundwerkstoffs, z. B. auf einen
Plastuntergrund, wie PC (Polycarbonatharz) oder PP (Polypropylen) aufgetragen werden.
Darüber hinaus können neben Polycarbonat (PC) und Polypropylen (PP) auch Hochpoly
mere, wie Polyethylen (PE) und Polystyren (PS), als Werkstoffe, die den Plastuntergrund
(7) bilden, Verwendung finden.
Nach der vorliegenden Erfindung wird ein Gas, das man erhält, indem HMDS mit gas
förmigem He versprudelt wird, als "Untergas" eingesetzt, d. h. als Gas, das durch die
ringförmige Zuführungsöffnung (6) eingeleitet wird. Im übrigen sind auch andere Silizide,
die vom Stand der Technik her bekannt sind, für das Verfahren und die Apparatur der
vorliegenden Erfindung geeignet.
Bei einer chemischen Bedampfung mit Plasma unter Verwendung dieses HMDS und ei
nes Wasserstoffgases erfolgt zunächst die Spaltung der Si-Si-Bindung des HMDS durch
die Wasserstoffradikale, die aus dem Plasma im vorderen Teil stammen, so daß Vorstu
fen erzeugt werden. Weiterhin wird davon ausgegangen, daß die Reaktion zwischen sol
chen Vorstufenformen dazu führt, daß eine SiC-Schicht niedergeschlagen wird.
Ein Zuführungssystem für die Einleitung eines Gases mit dem Ausgangsstoff für die Be
schichtung, die erfindungsgemäß durch die ringförmige Zuführungsöffnung (6) erfolgt,
umfaßt folgende Bestandteile: 1) eine temperierte Kammer (8); 2) Mengenregler (9) und
(10); 3) eine He-Gasflasche für das Perlgas (11); 4) ein Behälter mit dem flüssigen
HMDS; und 5) eine Zuführungsleitung (1). Innerhalb dieses Zuführungssystems wird He
liumgas durch den Mengenregler (9) in das verflüssigte HMDS, das sich in dem Behälter
(12) befindet und innerhalb des temperierten Raums (8) eine konstante Temperatur von
28 Grad Celsius aufweist, eingeperlt. Das HMDS wird nach dem Versprudeln über den
Mengenregler (10) und die Zuführungsleitung (13) als "Untergas" durch die Zuführungs
öffnung (6) eingeleitet. Desweiteren weist die Zuführungsöffnung (6) eine Vielzahl klei
ner Bohrungen (6a) auf, die, wie in Abb. 2 dargestellt, auf der Innenfläche des ringförmi
gen Rohrs angeordnet sind. Das Gas wird so eingeregelt, daß es gleichmäßig aus den
kleinen Bohrungen ausströmt.
Desweiteren ist in dieser Apparatur ein geerdetes kreisförmiges Gitter (14) zwischen der
ringförmigen Zuführungsöffnung (6) für das Gas und dem zu beschichtenden Untergrund
(7) angeordnet. Das Gitter (14) besteht im allgemeinen aus einem metallischen Werk
stoff, vorzugsweise Edelstahl. Dieses Gitter (14) ist geerdet. Alternativ kann eine positi
ve oder negative Gleichspannung an das Gitter (14) angelegt werden. Die Kennzeich
nungsziffer (15) stellt eine Gleichstromquelle dar. Das Gitter (14) dient dazu, im Plasma
enthaltene Elektronen abzufangen und sie dann über die Erdung abzuführen und somit
nur in dem Plasma enthaltene Radikale (Neutronen) passieren zu lassen. Dementspre
chend sind der Durchmesser des Gitters, die Dicke der Drähte und die Abmessungen des
Gitter- oder Netzwerks von Bedeutung.
Die Abmessungen des Gitters (14) sollten so gewählt werden, daß es größer ist als der
Durchmesser der ringförmigen Zuführungsöffnung für die Gaseinleitung (6) und auch
größer als der Durchmesser des Plasmastroms (16) an dieser Stelle.
Wenn das Gitter (14) beispielsweise aus Edelstahldrähten besteht, die zu dick sind, wer
den die Schatten der Drähte auf die Oberfläche einer ausgebildeten Beschichtung über
tragen, und die Beschichtungsoberfläche wird dadurch uneben. Deshalb sollten die Dräh
te bis zu einem gewissen Grad dünn sein. Vorzugsweise sind Drahtdurchmesser gleich
oder größer 0,1 mm einzusetzen, der Durchmesser darf jedoch nicht mehr als 1 mm be
tragen.
Wenn die Maschenweite des Gitter- oder Netzwerks des Gitters (14) zu groß ist, kann
das Gitter (14) die im Plasma enthaltenen Elektronen nicht abfangen, so daß die Elektro
nen das Gitter zusammen mit den Radikalen passieren. Demzufolge sollte die Maschen
weite des Gitter- oder Netzwerks entsprechend klein gewählt werden. Vorzugsweise
sollte die Maschenweite des Gitter- oder Netzwerks nicht mehr als 5 mm × 5 mm betra
gen. Im übrigen ist die Form des Gitter- oder Netzwerks nicht auf eine bestimmte Form
begrenzt. Die Form kann beispielsweise achteckig sein. Darüber hinaus sollte die Ober
fläche eines Gitters oder Netzwerks nicht mehr als 25 mm2 betragen.
Weiterhin ist die Abstimmung zwischen der Anordnung des Gitters (14), das in der Ap
paratur zur chemischen Bedampfung mit ECR-Plasmaerzeugung vorgesehen ist, und der
Positionierung der ringförmigen Zuführungsöffnung für das Gas (6) sowie des zu be
schichtenden Untergrunds (7) nicht auf einen spezifischen Werkstoff begrenzt, z. B.
Plast-, Metall- oder Keramikwerkstoff, da sie für die Erreichung der Ausbildung einer SiC-
Beschichtung bei niedrigen Temperaturen und hohen Geschwindigkeiten von Bedeutung
ist.
Darüber hinaus können die Elektronenmengen, negative und positive Ionen, die in dem
Plasma enthalten sind, durch die Erdung des Gitters (14) oder das Anlegen negativer bis
positiver Spannungen an das Gitter (14) gesteuert werden. Wenn Gleichspannungen im
Bereich von -50 V bis +50 V an das Gitter (14) angelegt werden, erhöht sich die Film
bildungsgeschwindigkeit. Insbesondere bei 0 V, d. h. wenn das Gitter (14) geerdet ist,
aber keine Spannung anliegt, kann die höchste Wirksamkeit im Hinblick auf das Abfangen
von Elektronen erreicht werden. Gleichzeitig wird die Filmbildungsgeschwindigkeit
extrem hoch.
Zur Erhöhung der Filmbildungsgeschwindigkeit ist es wünschenswert, daß das Gitter
(14) geerdet ist.
Im übrigen muß das Gitter (14), wenn eine Gleichspannung direkt an das Gitter (14) an
gelegt wird, gegenüber der Reaktorkammer vollständig isoliert sein.
Zusätzlich dient ein Edelstahlgitter (14) dazu, die im Plasma enthaltenen Elektronen ab
zufangen und sie dann zur Erde abzuleiten und somit nur im Plasma enthaltene Radikale
(Neutronen) passieren zu lassen.
Um den Untergrund (7) ohne Erwärmung mit einem qualitativ hochwertigen SiC-Film zu
beschichten, der keine Verunreinigungen enthält, ist es erforderlich, die Bedingungen für
die Plasmaerzeugung genau zu kontrollieren. Ebenso ist es wichtig, die Menge des zuge
führten Gases mit dem Beschichtungsmaterial genau zu regeln. Wenn HMDS, das unter
Verwendung von Heliumgas versprudelt wurde, als Gas, das den Beschichtungswerk
stoff liefert, eingesetzt wird, beläuft sich die Menge der Gaszuführung vorzugsweise auf
0,8 bis 1 Normkubikzentimeter pro Minute (Ncm3) [(bei 25 Grad Celsius)]. Wenn die
Menge größer als 1 Ncm3 ist, beginnt sich ein Überschußfilm auf der Innenseite der Re
aktorkammer niederzuschlagen. Im Ergebis kommt es zu einer Verunreinigung der Reak
torkammer. Das behindert die Beschichtung des Untergrunds (7) mit einem qualitativ
hochwertigen SiC-Film. Im Gegensatz dazu beträgt die Zuführungsmenge bei Verwen
dung von H2-Gas vorzugsweise zwischen 5 und 50 Ncm3. Desweiteren liegt der Innen
druck in der Probenkammer vorzugsweise im Bereich von 0,05 bis 2 Pa. Darüber hinaus
nimmt die Filmbildungsgeschwindigkeit erheblich zu, wenn das Gitter (14) unter derarti
gen Bedingungen für die Plasmabildung so angeordnet wird, daß der Abstand von der
ringförmigen Zuführungsöffnung für das Gas (6) 0 bis 50 mm beträgt. Dadurch kommt
es zu einer effektiven Filmbildung. Somit verbessert die Verwendung des Gitters die
Qualität des Films.
Die Mikrowellenleistung liegt vorzugsweise zwischen 100 W und 200 W. Desweiteren
ist einer Mikrowellenleistung in der Größenordnung von 150 W Vorzug zu geben. Aus
dem nachfolgend dargestellten Beispiel geht hervor, daß die Geschwindigkeit, mit der die
Beschichtung niedergeschlagen wird, abnimmt, wenn die Leistung mehr als 150 W be
trägt.
Die Temperatur des Untergrunds, der beschichtet werden soll, entspricht vorzugsweise
der Raumtemperatur. Wenn jedoch erwärmbare Plastwerkstoffe zum Einsatz kommen,
wird der Untergrund vorzugsweise auf 200 Grad Celsius oder mehr erwärmt, insbeson
dere auf einen Bereich von 200 bis 250 Grad Celsius. Der Grund dafür ist eine Reduzie
rung des verfügbaren Sauerstoffanteils (O).
Die folgenden Werkstoffe sind Beispiele für Plastwerkstoffe, die gegen Temperaturen
von 200 Grad Celsius oder weniger hitzebeständig sind. Polyacetalharz, Epoxidharz, Po
lybutylenterephthalat, Polypropylen, Methacrylharz, Polycarbonatharz, Polystyren, Ethy
len, ethylensäureartiges Bispolymer, Ethylenvinylalkohol, Polyphenylether, Polybutadien,
ABS-Harz, Vinylchlorid, Polyarylate, Polyurethanharz, Melaminharz, ungesättigtes Poly
esterharz, Harnstoffharz, Niederdruckpolyethylen, Polyethylen hoher Dichte sowie Nor
malkettenniederdruckpolyethylen sind Beispiele für derartige Plastwerkstoffe.
Darüber hinaus können die folgenden Materialien als Plastwerkstoffe angeführt werden,
die bei Temperaturen von 200 Grad Celsius oder mehr hitzebeständig sind und im be
sonderen vorzugsweise in einem Temperaturbereich von 200 bis 250 Grad Celsius zum
Einsatz kommen. Polyimidharz, Polyethylenterephthalatharz, Polyamidphenolharz, Fluor
harz, Siliconharz, Polyphenylensulfid, Polyetherketonharz, Polyethersulfonharz und aro
matische Polyester sind Beispiele für derartige Plastwerkstoffe.
Darüber hinaus wird der in Abb. 1 dargestellten Apparatur durch eine Kühlwasseröffnung
(17) Kühlwasser zugeführt, das durch eine Kühlwasseraustrittsöffnung wieder abgeführt
wird. Zusätzlich stellt die Kennzeichnungsmarkierung (7a) eine Heizvorrichtung für die
Erwärmung des zu beschichtenden Untergrunds (7) dar.
Es wurden Untersuchungen über die Dünnbeschichtung unter Verwendung der in Abb. 1
dargestellten Apparatur für die chemische Bedampfung durch ECR-Plasma durchgeführt.
Als Probekörper wurden ein transparentes PC-Material und ein schlagfestes PP-Material
ausgewählt, die häufig in Motorfahrzeugen zum Einsatz kommen. Darüber hinaus wurde
ein durch Spritzgießen erzeugtes Flachblech (60 × 60 × 3 mm) als Probekörper verwendet.
Mit Heliumgas versprudeltes HMDS wurde als "Untergas" verwendet.
Bei dieser Untersuchung wurden die Magnetspulen in der Apparatur zur chemischen Be
dampung mit ECR-Plasma, die als querliegende Einheit aufgebaut war, am Umfang der
Plasmaerzeugungskammer angebracht. Desweiteren wurde ein Magnetfeld mit einer
Flußdichte von 875 G in der Plasmaerzeugungskammer erzeugt. Dabei handelt es sich
um eine der ECR-Betriebsbedingungen. Desweiteren wurden Mikrowellen in die Erzeu
gungskammer eingetragen, um so Plasma zu erzeugen. Die Verteilung des von der Ma
gnetspule erzeugten Magnetfelds war die eines divergenten Magnetfelds, bei dem die
Stärke des Magnetfelds in Richtung von der Plasmaerzeugungskammer (1) zur Proben
kammer (4) abnahm. Als "Obergas" wurde hochreines H2-Gas eingesetzt, dessen Strö
mungsmenge geregelt wurde. Unter diesen Bedingungen wurde das H2-Gas in die Kam
mer (1) eingeleitet und so ECR-Plasma erzeugt. Das "Untergas", das unter Verwendung
von gasförmigem Helium versprudeltes HMDS enthielt, wurde so geregelt, daß es eine
konstante Temperatur von 28 Grad Celsius aufwies. Dieses "Untergas" wurde in einem
geregelten Mengenstrom durch die ringförmige Zuführungsöffnung (6) mit einem Durch
messer von 150 mm in den hinteren Teil der Apparatur eingeleitet. Auf diese Art wurden
SiC-Filme mit einer Dicke von 1,0 µm auf die Oberfläche von PC- und PP-Werkstoffen
aufgedampft. Darüber hinaus wurde eine Untersuchung zum Aufdampfen eines Films mit
Anordnung des geerdeten kreisförmigen Gitters (14) zwischen der Zuführungsöffnung für
HMDS (6) und dem zu beschichtenden Untergrund (7) durchgeführt (das im übrigen fol
gende Kennwerte aufwies: Durchmesser des Gitters 160 mm, Gitteraufbau aus Edel
stahldraht 0,2 mm im Durchmesser, Maschenweite 1,5 × 1,75 mm). Das Gitter (14) wur
de im hinteren Teil der Kammer so angeordnet, daß der Abstand von der HMDS-
Zuführungsöffnung 5 mm betrug. Desweiteren sind die vorzugsweisen Bedingungen für
die chemische Plasmabedampfung nachstehend in TABELLE 1 aufgeführt:
He (Trägergas für HMDS) | 1.0 Ncm3 |
H2 ("Obergas") | 10.0 Ncm3 |
Druck | 0,7 Pa |
Mikrowellenleistung | 150 W |
Temperatur des Untergrunds | Zimmertemperatur |
Die chemische Zusammensetzung des aufgedampften SiC-Films wurde mit Hilfe der
XPS-Methode (Röntgenstrahl-Elektronenspektroskopie - ESCA) und der FTIR-Methode
(Fourier-transformierte Infrarotspektroskopie) gemessen. Die Dicke des auf den Si(100)-
Untergrund aufgedampften SiC-Films wurde unter Verwendung des Ellipsometrie gemes
sen. Weiterhin wurde der Durchlässigkeitsfaktor für UV-Spektrallicht oder die Durchläs
sigkeitskurve (210 bis 400 nm) des SiC-Films unter Verwendung eines Spektrofotome
ters mit Aufzeichnungsfunktion (U-3000, Hersteller Hitachi Limited) gemessen. Darüber
hinaus wurde der auf dem Plastwerkstoff aufgedampfte SiC-Film mit Hilfe eines Rastere
lektronenmikroskops beobachtet. Weiterhin war es sehr schwierig, die Härte einer sehr
flachen Oberflächenschicht des Plastwerkstoffs, auf den der SiC-Film aufgetragen wur
de, als Rockwell- oder Vickers-Härte zu ermitteln. Deshalb erfolgte die Härtemessung mit
einem dynamischen Härtemeßgerät (DUH-50, Hersteller Shimadzu Corporation). Bei die
sem Meßverfahren wurde ein Diamanteindringkörper, der die Form einer dreieckigen Py
ramide und einen Kantenwinkel von 115° aufwies, bei einer konstanten Belastungsge
schwindigkeit (= 0,048 p/s) senkrecht in die Oberfläche hineingedrückt. Während der
Krafteinwirkung wurde der Wert der in Richtung Tiefe einwirkenden Last direkt aufgezeichnet
und die Härte dann berechnet. Die dynamische Härte zu diesem Zeitpunkt wur
de nach folgender Formel errechnet:
DH = α × P/D2
wobei α eine Konstante (= 37,838) bedeutet, die von der Form des Eindringkörpers ab
hängt; P bedeutet einen Prüflastwert; und D eine Eindringtiefe (µm), auf die der Eindring
körper in die Obefläche hinein gedrückt wurde (zu diesem Zeitpunkt wurde die Eindring
tiefe auf einen Wert von 0,8 µm von der Oberfläche des Films eingestellt, was dem auf
gedampften Film entsprach, der eine Dicke von 1 µm aufwies).
Die Werte der Geschwindigkeit mit dem der Filmauftrag erfolgte, wenn kein Gitter in der
Plasmareaktorkammer vorgesehen war im Vergleich zu den Werten mit einem Gitter in
der Apparatur sind in TABELLE 2 dargestellt. Dabei entsprach die Temperatur des zu
beschichtenden Untergrunds der Raumtemperatur. Die Verwendung des Gitters führte zu
einer bedeutenden Erhöhung der Filmauftragsgeschwindigkeit. Es wird angenommen,
daß geladene Teilchen von dem in der Reaktorkammer verwendeten Metallgitter einge
fangen wurden. Demzufolge nahmen Schäden im Film ab, da Ionen, die vom Untergrund
aufgenommen worden wären, nun von dem Gitter abgefangen wurden. Somit war eine
Abnahme des Vorliegens von geladenen Teilchen, einschließlich Ionen, auf dem SiC-Film
zu verzeichnen.
Ohne Gitter | Mit Gitter |
35,0 | 257 |
In Abb. 3 wird darüber hinaus gezeigt, wie sich die Oberflächentemperatur des zu be
schichtenden Untergrunds in Abhängigkeit von der Zeit änderte, wenn kein Gitter in der
Plasmareaktorkammer vorgesehen war bzw. wenn die Apparatur mit einem Gitter verse
hen war. Die Temperatur wurde mit einem auf der Oberfläche des zu beschichtenden
Untergrunds vorgesehenen Thermoelement gemessen, wobei dieser geerdet war. In je
dem Fall wurde mit fortschreitender Zeit bei dem Plastwerkstoff und dem Si-Untergrund
ein Temperaturanstieg aufgrund der Plasmastrahlung beobachtet. Bei Verwendung des
Gitters wurde der Anstieg der Temperatur des Untergrundmaterials insbesondere deutlich
verringert. Somit wurde festgestellt, daß die Verwendung des Gitters besser dafür ge
eignet ist, einen Film auf einen Plastwerkstoff mit einer geringen Wärmebeständigkeit
aufzutragen. Es wird davon ausgegangen, daß eine Ursache dieser Erscheinung auch
darin lag, daß aufgrund der durch das Gitter verringerten Zahl geladener Teilchen und
Ionen im Plasma die Schädigung abnimmt. Der Temperaturanstieg des Untergrundmate
rials war bei Verwendung von PC-Werkstoff kleiner als bei PP-Material. Weiterhin sank
der Temperaturanstieg auf ein Minimum, wenn das Si-Untergrundmaterial verwendet
wurde. Es wird davon ausgegangen, daß diese Erscheinung auf die unterschiedlichen
Wärmeleitkoeffizienten der Untergrundwerkstoffe zurückzuführen ist, d. h. bei einem
niedrigen Wärmeleitkoeffizienten war es schwierig, die durch den sogenannten Plama
schauer erzeugte Wärme abzuführen, und sie wurde dementsprechend in dem Unter
grundmaterial gespeichert, was dazu führte, daß ein größerer Anstieg der Temperatur zu
verzeichnen war.
Die Abb. 4 zeigt das Emissionsspektrum des Plasmas, wenn der Auftrag eines SiC-Films
unter Verwendung des Gitters erfolgte. Emissionsspitzenwerte für Wasserstoffatome,
die Hγ und Hβ entsprechen, wurden bei Wellenlängen von 434 nm bzw. 486 nm beob
achtet. Weiterhin wurden einige wenige Emissionsspitzenwerte für Si-Atome, die man
durch die Zersetzung von HMDS erhält, im Wellenlängenbereich zwischen 230 und 290 nm
beobachtet. Die Emissionsspitzenwerte für CH-Atome wurden bei Wellenlängen von
315 nm bzw. 431 nm beobachtet. Aus diesen Emissionsspektren ist ersichtlich, daß
HMDS-Moleküle im hinteren Teil der Apparatur durch den sogenannten Wasserstoffradi
kalschauer zersetzt wurden, der auf das Plasma im vorderen Teil der Apparatur zurück
zuführen ist, während Vorstufen von SiC in einer Dampfphase gebildet wurden. Darüber
hinaus wurden Emissionsspitzenwerte des Trägergases, d. h. für He-Gas, in einem großen
Wellenlängenbereich beobachtet. Im übrigen zeigte das Spektrum bei Verwendung des
Gitters eine Abnahme der Intensität der Emission von CH-Atomen, demnach war die
Häufigkeit oder der Grad der Aufspaltung von SiCH3-Bindungen in der Dampfphase ge
ringer als bei einer Apparatur ohne Gitter.
Die chemische Zusammensetzung des auf den Plastwerkstoff aufgedampften Films bei
Verwendung des Gitters ist in TABELLE 3 dargestellt. Dieses Zusammensetzungsver
hältnis wurde aus einem Ergebnis der Messung errechnet, die mit der Röntgenstrahlelek
tronenspektroskopie durchgeführt wurde. Das Zusammensetzungsverhältnis (Si/C), also
Si zu C, betrug 0,58. Darüber hinaus wurde festgestellt, daß Sauerstoffatome vorhanden
waren. Es wurde angenommen, daß das Vorhandensein von Sauerstoff auf eine Desorp
tion von Sauerstoffatomen, die im Oberflächenanteil des Plastwerkstoffs und in der
Kammer adsorbiert waren, zurückzuführen ist, diese Sauerstoffatome wurden dann in
den Film aufgenommen. Somit war das Vorliegen von Sauerstoff nicht das direkte Er
gebnis der Zersetzung des Films bei Raumtemperatur.
Weiterhin ist in Abb. 5 das FTIR-Spektrum des Films dargestellt, der bei Verwendung des
Gitters aufgetragen wurde. Es lag eine erhebliche Absorption von SiC bei 806 cm-1 vor.
Darüber hinaus wurde eine schwache Absorption von Si-CH2-Si bei 1004 cm-1 beobach
tet; Absorptionen von SiCH3 bei 1263 cm-1, sowie Kohlenwasserstoffen CHn (Streckung)
im Bereich von 2860 bis 3000 cm-1 und von SiHn (Streckung) im Bereich von 2000 bis
2160 cm-1 Karbonylgruppe bei 1720 cm-1. Im übrigen wurden, ausgehend von Messun
gen, die unter Einsatz der Röntgenstrahl-Elektronenspektroskopie und der Fourier-
transformierten Infrarotspektroskopie durchgeführt wurden, keine Unterschiede zwischen
Spektren beobachtet, die in den Fällen gemessen wurden, bei denen kein Gitter in der
Plasmareaktorkammer vorgesehen war, und den Fällen, bei denen ein Gitter in der Appa
ratur vorgesehen war.
Abb. 6 zeigt auf der Arrhenius-Gleichung beruhende Diagramme, die den Zusammenhang
zwischen der Temperatur des Untergrunds und der Auftragsgeschwindigkeit für das Si-
Untergrundmaterial bei Verwendung des Gitters darstellen. Die Aktivierungsenergie hatte
einen Wert von (-0,1 eV). Weiterhin war eine tendenzielle Abnahme der Auftragsge
schwindigkeit in Abhängigkeit vom Anstieg der Temperatur des Si-Untergrunds zu ver
zeichnen. Das deutet darauf hin, daß bei der Niederschlagsreaktion des SiC-Films unter
Verwendung von ECR-Plasma die Dampfphasenreaktion gleichzeitig mit der auf der
Oberfläche des Untergrundmaterials hervorgerufenen Adsorptions-/Desorptionsreaktion
abläuft.
Abb. 7 zeigt eine Veränderung in der chemischen Zusammensetzung des niedergeschla
genen Films in Abhängigkeit von der Temperatur des Untergrundmaterials. Es wurde kei
ne ausgeprägte Änderung der Zusammensetzung hinsichtlich des Verhältnisses zwischen
Si und C beobachtet. Wenn das Untergrundmaterial auf 200 Grad Celsius erwärmt wur
de, nahm der Sauerstoffprozentsatz ab. Es wurde eine Verbesserung der Filmqualität
beobachtet. Weiterhin wurde aus dem FTIR-Spektrum abgelesen, daß sich der Wert des
Absorptionspeaks für die Karbonylgruppe bei 1700 cm-1 aufgrund des Anstiegs der
Temperatur des Untergrunds verringert hatte. Aus diesen Ergebnissen wird abgeleitet,
daß der Anstieg der Temperatur des Untergrunds die Desorptionsreaktion des im Film
enthaltenen Sauerstoffs begünstigt.
Darüber hinaus wurde die Wasserstoffkonzentration in dem Film aus dem Bereich des
Absorptionspeaks der CH-Bindung, der im FTIR-Spektrum bei 2900 cm-1 beobachtet
wurde, errechnet. Es wurde jedoch keine Veränderung der Wasserstoffkonzentration in
Abhängigkeit vom Anstieg der Temperatur des Untergrunds beobachtet. Weiterhin lag
die Wasserstoffkonzentration bei einem konstanten Wert von 1,3 × 1023 (H/cm3).
Abb. 8 zeigt eine Veränderung der pro Zeiteinheit aufgetragenen Beschichtung in Ab
hängigkeit von der Menge des zugeführten He-Gases, das als Trägergas für das HMDS
eingesetzt wurde. Es wurde beobachtet, daß ein Anstieg der Menge HMDS zu einer er
heblichen Erhöhung der pro Zeiteinheit aufgetragenen Beschichtung führte. Das deutet
darauf hin, daß, bezogen auf die Menge des zugeführten HMDS, Wasserstoffradikale in
ausreichender Menge vorhanden sind.
Die Abb. 9 zeigt eine Veränderung der pro Zeiteinheit aufgetragenen Beschichtung in
Abhängigkeit vom Innendruck in der Raktionskammer. Bei einer Erhöhung des Drucks
von 0,1 Pa auf 0,7 Pa wurde ein erheblicher Anstieg der pro Zeiteinheit aufgetragenen
Beschichtungsmenge beobachtet. Wenn der Druck jedoch weiter erhöht wurde, kam es
zu einem Abfall der Beschichtungsrate. Als Ursache für diese Erscheinung wurde folgen
des angenommen:
Zunächst steigt mit zunehmendem Druck die Gesamtmenge der Radikale, so daß die Re aktion begünstigt wird und die pro Zeiteinheit aufgetragene Menge zunimmt. Wenn der Druck jedoch nicht mehr unter 0,7 Pa liegt, nimmt die Menge der Radikale, die sich wie der vereinigen, zu. Dadurch verringert sich die Menge der Radikale, die effektiv einen Reaktionsabschnitt erreichen. Als Folge davon nimmt die Auftragsrate ab.
Zunächst steigt mit zunehmendem Druck die Gesamtmenge der Radikale, so daß die Re aktion begünstigt wird und die pro Zeiteinheit aufgetragene Menge zunimmt. Wenn der Druck jedoch nicht mehr unter 0,7 Pa liegt, nimmt die Menge der Radikale, die sich wie der vereinigen, zu. Dadurch verringert sich die Menge der Radikale, die effektiv einen Reaktionsabschnitt erreichen. Als Folge davon nimmt die Auftragsrate ab.
Abb. 10 zeigt eine Veränderung der pro Zeiteinheit aufgetragenen Beschichtung in Ab
hängigkeit von der Mikrowellenleistung. Wenn die Leistung von 100 W auf 150 W er
höht wird, nimmt die Auftragsrate erheblich zu. Wenn die Leistung jedoch weiter steigt,
nimmt die Auftragsrate entsprechend ab. Man nimmt folgende Ursache für diese Er
scheinung an: Da die Menge der im Plasma enthaltenen Wasserstoffradikale mit zuneh
mender Leistung größer wird, wird die Reaktion begünstigt und darüber hinaus steigt die
pro Zeiteinheit niedergeschlagene Beschichtungsmenge. Wenn die Leistung jedoch über
150 W hinaus ansteigt, überwiegt die Schädigung der Oberfläche des Untergrundmaterials,
was darauf zurückzuführen ist, daß die geladenen Teilchen und Ionen vorherrschen.
Demzufolge nimmt die Auftragsrate ab.
Darüber hinaus wurde nicht beobachtet, daß es zu Veränderungen des Zusammenset
zungsverhältnisses des aufgebrachten Films kommt, wenn sich die Menge des zugeführ
ten gasförmigen Beschichtungsmittels, der Druck oder die Mikrowellenleistung ändern.
Abb. 11 zeigt zum Vergleich den spektralen Durchlaßgrad oder die Durchlässigkeit für
ultraviolettes Licht bei einem SiC- und einem SiO2-Film, die bei Zimmertemperatur aufge
bracht wurden. Für diese Messung wurde ein Probekörper verwendet, der durch Auf
dampfen eines 1 µm dicken Films auf Quarzglas hergestellt worden war. Im übrigen
wurden die Kurven der Durchlässigkeit dieser aufgebrachten Filme dadurch ermittelt, daß
man die Absorptionskurve des Quarzglases von den Meßergebnissen abzog. Wie aus
dieser Abbildung ersichtlich ist, ist der SiO2-Fifm für fast alle UV-Strahlen, deren Wellen
länge nicht mehr als 400 nm beträgt, durchlässig. Im Gegensatz dazu wurde beobachtet,
daß der SiC-Film ausgezeichnete Ultraviolettsperreigenschaften aufwies, durch die 50%
der UV-Strahlen zurückgehalten werden. Die Sperrwirkung dieses Films für UV-Strahlen
beginnt bei Wellenlängen, die nicht größer als 400 nm sind. Darüber hinaus weist er eine
Sperrwirkung für fast alle UV-Strahlen auf, deren Wellenlängen nicht mehr als 300 nm
betragen. Dementsprechend wird erwartet, das der bei niedrigen Temperaturen mit Hilfe
von ECR-Plasma aufgetragene SiC-Film als eine Beschichtung dient, die eine Qualitäts
minderung eines Plastwerkstoffs durch UV-Licht verhindert.
Auf der Grundlage von Vergleichen von REM-Bildern der Oberflächen von PC- und PP-
Werkstoffen ohne Beschichtungsfilm wurde festgestellt, daß qualitativ hochwertige SiC-
Filme, die keine Risse aufweisen, sowohl auf PC- wie auch auf PP-Untergrundmaterial
aufgebracht wurden. Es wird angenommen, daß das darauf zurückzuführen ist, daß es
durch die Verwendung eines Gitters gelungen war, die Filme bei einer nur geringfügigen
Schädigung des Untergrunds durch Hitzeeinwirkung aufzutragen.
Für jeden der Fälle wurde die dynamische Härte der Oberfläche des Plastwerkstoffs so
wohl vor dem Auftrag des SiC-Films als auch danach gemessen. Als Folge der Beschich
tung mit dem SiC-Film steigt die Oberflächenhärte von PC- und PP-Untergrundmaterial im
Vergleich zu den vor dem Filmauftrag gemessenen Ausgangshärtewerten um etwa 80%.
Daraus folgt, daß dieser Film besser ist als eine harte Schutzschicht. Im übrigen wurde
ein Unterschied der Härte beobachtet, wenn gleichartige SiC-Filme gleicher Dicke auf PC-
und PP-Untergrundmaterial aufgetragen wurden. Es wird angenommen, daß das darauf
zurückzuführen ist, daß die Härte des Untergrunds von seinem Trägermaterial abhängig
ist.
- 1. Beim Auftrag des SiC-Films unter Verwendung des chemischen Bedampfungs verfahrens mit ECR-Plasma war die Aktivierungsenergie negativ. Weiterhin läuft die Dampfphasenreaktion gleichzeitig mit der auf der Oberfläche des Untergrundmaterials hervorgerufenen Adsorptions-/Desorptionsreaktion ab.
- 2. Bei ECR-Plasma-Verfahren, bei denen ein Metallgitter eingesetzt wird, kann der Auftrag eines Films, bei dem man nur eine geringfügige Schädigung des Untergrunds aufgrund von Wärmeeinwirkung beobachtet, bei hohen Geschwindigkeiten erreicht wer den.
- 3. Der unter Verwendung von ECR-Plasma aufgebrachte SiC-Film weist ausgezeichne te Ultraviolettsperreigenschaften auf, und es wird demzufolge erwartet, daß er als Schutzschicht zur Verhinderung der Qualitätsverschlechterung eines Plastwerkstoffs durch UV-Licht dient.
- 4. Die Aufbringung eines SiC-Films bei niedrigen Temperaturen und unter Verwen dung von ECR-Plasma bewirkt eine Erhöhung der Oberflächenhärte eines Plastwerkstoffs mit einer geringen Wärmebeständigkeit.
Wie vorstehend beschrieben, kann durch die praktische Anwendung der vorliegenden
Erfindung ein guter dünner SiC-Film erreicht werden, d. h. die erfindungsgemäße SiC-
Dünnbeschichtung weist eine ausreichende Härte und Vorteile hinsichtlich der Sperrung
von UV-Licht auf. Darüber hinaus erhält man einen derartigen dünnen SiC-Film bei niedri
gen Temperaturen.
Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, kann nach der vorliegenden Erfin
dung ein dünner SiC-Film, der eine ausreichende Härte und Witterungsbeständigkeit ge
gen UV-Licht aufweist, bei niedrigen Temperaturen unter Einsatz von Verfahren der
chemischen Bedampfung mittels ECR-Plasma (d. h. durch Elektronenzyklotronresonanz
plasma unterstützte chemische Bedampfung) ausgebildet werden, wodurch die Erzeu
gung eines qualitativ hochwertigen Films bei niedrigen Temperaturen erreicht werden
kann. In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung kann eine bedeutende Verbes
serung von Funktionen einer Plastwerkstoffoberfläche erreicht werden. Darüber hinaus
können in der Praxis Plastteile hergestellt werden, die noch nie aus Plastwerkstoff gefer
tigt werden konnten. Somit können die Wiederverwertung und die Gewichtsverminde
rung bei einer größeren Zahl von Motorfahrzeugteilen erreicht werden.
Die vorliegende Erfindung kann bei einem breiten Sortiment von Plastteilen oder Bautei
len, wie bei Automobilen oder Motorrädern, zum Einsatz kommen. Mögliche Einsatzge
biete sind zum Beispiel transparente Lampenabdeckungen aus Plastmaterial, Schalttafel
abdeckungen, Fensterbauteile, das Sonnendach eines Automobils, Instrumententafeln
von Motorrädern aus Plastwerkstoff, Stoßdämpfer, Türgriffe, Lenkrad, Zierleisten, Kon
solgehäuse, hochglanzbearbeitet Plasttüren, Spiegel und Embleme eines Motorfahrzeugs,
Windschutzscheiben aus Plastmaterial an Motorrädern, Windläufe aus Kunststoff, Hand
hebel und Kraftstofftanks bei einem Auto, Kunststoffmotorabdeckungen bei Außen
bordmotoren sowie Korrosionsschutzschichten von metallischen Teilen oder Bauteilen.
SUBSTRATE TEMPERATURE = Temperatur des Untergrunds
DEPOSITION RATE = Auftragsgeschwindigkeit
NO MESH = kein Gitter
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
sccm = Norm-cm3
DEPOSITION RATE = Auftragsgeschwindigkeit
NO MESH = kein Gitter
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
sccm = Norm-cm3
for HMDS carrier = als Trägergas für HDMS
RELATIVE INTENSITY = relative Intensität
WAVELENGTH = Wellenlänge
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
ROOM TEMPERATURE = Zimmertemperatur
sccm = Norm-cm3
WAVELENGTH = Wellenlänge
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
ROOM TEMPERATURE = Zimmertemperatur
sccm = Norm-cm3
for HDMS carrier = als Tägergas für HDMS
RELATIVE ABSORBANCE = relative optische Dichte
WAVE NUMBER = Anzahl Wellen
RELATIVE ABSORBANCE = relative optische Dichte
WAVE NUMBER = Anzahl Wellen
DEPOSITION RATE = Auftragsgeschwindigkeit
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
sccm = Norm-cm3
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
sccm = Norm-cm3
for HMDS carrier = als Trägergas für HMDS
ATOMIC RATIO = Atomverhältnis
SUBSTRATE TEMPERATURE = Temperatur des Untergrunds
SUBSTRATE TEMPERATURE = Temperatur des Untergrunds
DEPOSITION RATE = Auftragsgeschwindigkeit
CARRIER GAS FLOW VELOCITY = Strömunggeschwindigkeit des Trägergases
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
sccm = Norm-cm3
CARRIER GAS FLOW VELOCITY = Strömunggeschwindigkeit des Trägergases
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
sccm = Norm-cm3
ROOM TEMPERATURE = Zimmertemperatur
DEPOSITION RATE = Auftragsgeschwindigkeit
PRESSURE = Druck
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
ROOM TEMPERATURE = Zimmertemperatur
sccm - for HMDS carrier = Norm-cm3
PRESSURE = Druck
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
ROOM TEMPERATURE = Zimmertemperatur
sccm - for HMDS carrier = Norm-cm3
- als Trägergas für HMDS
DEPOSITION RATE = Auftragsgeschwindigkeit
MICROWAVE OUTPUT = Mikrowellenleistung
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
ROOM TEMPERATURE = Zimmertemperatur
sccm - for HMDS carrier = Norm-cm3
MICROWAVE OUTPUT = Mikrowellenleistung
MESH IS PROVIDED = mit Gitter
ROOM TEMPERATURE = Zimmertemperatur
sccm - for HMDS carrier = Norm-cm3
- als Trägergas für HMDS
TRANSMITTANCE = Durchlässigkeit
WAVELENGTH = Wellenlänge
TRANSMITTANCE = Durchlässigkeit
WAVELENGTH = Wellenlänge
Claims (2)
1. Verfahren zur Herstellung von dünnen SiC-Schichten auf polymeren Grundwerkstoffen
durch chemische Plasma-Bedampfung, die folgende Stufen umfaßt: Erzeugung eines
Magnetfelds in einer Plasmaerzeugungskammer durch eine um die Kammer herum
angeordnete Magnetspule; Einleitung einer Mikrowelle in diese Plasmaerzeugungskammer;
Einleitung eines Plasmagases in diese Plasmaerzeugungskammer, um auf diese Weise ECR-
Plasma zu erzeugen; Einleitung eines Reaktionsgases durch eine Zuführungsöffnung und
Anordnung einer Netzgitterelektrode zwischen dieser Zuführungsöffnung und einem polymeren
Grundwerkstoff oder zwischen der Plasmaerzeugungskammer und dieser Zuführungsöffnung
für das Reaktionsgas, wobei das ECR-Plasma diese Netzgitterelektrode passiern muß, um auf
diese Weise eine dünne SiC-Schicht auf eine Oberfläche des polymeren Grundwerkstoffs
aufzutragen.
2. Vorrichtung zur Beschichtung von polymeren Grundwerkstoffen mit dünnen SiC-Schichten
durch chemische Plasma-Bedampfung, die folgende Bestandteile umfaßt: eine
Plasmaerzeugungskammer, in der durch eine um die Kammer herum angeordnete
Magnetspule ein Magnetfeld erzeugt wird und Einleitung von Mikrowellen und einem Plasmagas
zur Erzeugung von ECR-Plasma; eine Zuführungsöffnung für die Einleitung eines
Reaktionsgases in diese Plasmaerzeugungskammer sowie eine Netzgitterelektrode, die
zwischen dieser Zuführungsöffnung und einem polymeren Grundwerkstoff oder zwischen dieser
Plasmaerzeugungskammer und dieser Zuführungsöffnung angeordnet ist.
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