KR100415977B1 - Ｅｃｒ을 이용한 도전성 고분자수지의 제조방법 - Google Patents

Ｅｃｒ을 이용한 도전성 고분자수지의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 ECR(Electron Cyclotron Resonance)를 이용하여 도입된 반응성 가스 혹은 비활성가스로 고밀도, 고에너지의 플라즈마이온을 형성하여 0.05∼50kV정도의 음(-) 고 직류전압 또는 고주파 펄스전압을 인가하여 이온을 진공조 내의 시료표면으로 물리·화학증착시켜 단일 금속 및 복합 금속막을 형성하여, 결과적으로 대상 고분자수지의 표면특성을 100∼108Ω·cm 범위의 전자도전성으로 변화시켜 ESD방지 및 전자기파차폐용 고분자 수지 제품특성에 맞게 표면개질 하는 방법에 관한 것이다.

Description

ＥＣＲ을 이용한 도전성 고분자수지의 제조방법{Complex Metal Film Formation on Polymer Resin Surface by ＥＣＲ Coating Technology at Ambient Temperature}
본 발명은 도전성 고분자수지의 제조방법에 관한 것으로, 보다
구체적으로는 3차원적 증착이 가능할 뿐 아니라 증착조건에 따라 박막의 물성을 쉽게 조절하는 것이 가능하며, 다양하고 폭넓은 범위의 도전성을 갖는 ECR(ElectronCyclotron Resonance)을 이용한 도전성 고분자수지의 제조방법에 관한 것이다.
오늘날 우리는 전자파의 바다 속에 살고 있다고 해도 과언이 아니다. 방송, 통신을 위한 전자파뿐만 아니라 각종 전자 기기, 전송선, 자동차 등에서 발생하는 많은 전자파의 영향을 받고 있다. 따라서, 전자파장애(EMI: Electromagnetic Interference)는 "방사 또는 전도되는 전자파가 다른 기기의 기능에 장애를 주는 것" 이라 정의되는데 전기·전자분야의 성인병과 같으며, 제4의 공해라고 일컬어지고 있다. 이러한 전자파 장애로 인하여 시스템 기능의 저하, 전자기기의 고장, 또는 오작동으로 생산력 저하와 적지 않은 인명피해를 보고 있으며, 특히 OA등의 단말기에서 나오는 전자파를 날마다 쬐는 사람에게는 VDT(Video Display Terminal)증후군 이라는 신체적인 이상을 느끼게 되기도 하고 EMI는 군수 및 산업현장에서 각종 제어장치와 로봇의 오동작을 유발하며 종합병원에서는 첨단의료장비의 고장으로 인명에 피해를 줄 수도 있다.
그러나, 전자파는 그것을 발생시키는 매체에서 멀어질수록 약해져서 그 영향력을 잃게되며, 물체에 닿았을 경우 그 물체의 성질에 따라 반사, 흡수, 투과한다. 전자파에 대하여 반사, 흡수 기능이 우수한 물질에는 도전성이 우수한 순도 높은 금속들을 손꼽을 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 차폐 시트(shield sheet)를 제조하는데 효과적인 방법을 제공하는데 있다. 여기서 차폐 시트란 한 면은 금속막과 같은 도전성재료로 되어 있어 EMI를 방지하는 기능을 하고 다른 한 면은 고분자 원래의 성질인 절연체로 되어 있어 전기적 절연역할을 할 수 있는 제품으로써 EMI, 정전기 방지 효과 및절연효과를 동시에 얻을 수 있는 제품을 말한다.
전술한바와 같이, PCB 기판간의 차폐, 플라스틱 하우징(Plastic Housing) 차폐, 플라스틱 본체(Plastic Case)의 차폐, 노이즈(Noise) 발생원 차폐(Motor등), 기타 방사성 노이즈등의 EMI차폐 또는 휴대폰, 노트북, 위성수신기와 같은 통신장비 뿐만 아니라 고집적회로로 구성된 전자부품 및 완성된 반도체 제품 혹은 반제품을 포장 및 이송과정에서 인체접촉, 마찰전기가 발생하기 쉬운 물질(고분자제품 종류)에서의 대전, 정전유도의 급격한 변화 등에서 기인되는 미소한 정전기에너지에서도 실리콘산화막 단락회로(short circuit) 및 전자 부품의 낮은 저항 부분인 핀(pin)의 표면 등에 손상이 되므로 ESD(Electrostatic Discharge) 방지용 고분자수지를 사용해야만 한다.
EMI 및 ESD 방지용 고분자 수지를 제조하는 종래의 기술로는, 전자부품 및 반도체의 이송도구와 시트, 판재, 진공 성형물 및 플라스틱 사출물들은 이송의 편의성을 위하여 하중이 가볍고 성형이 간편한 범용 고분자수지(PS, PE, PP, ABS, PET, PETG, PVC, HIPS, PBT, PPS), 엔지니어링 고분자(N6, N66, PC, PPO, PSU, PES, PEEK, PEI)에 전도성을 가미하기 위하여 카본블랙, 탄소섬유, 스테인레스스틸 및 니켈 코트(nickel coated) 섬유 또는 기타첨가제로 컴파운딩(compounding)함으로써 표면저항을 100∼1012Ω·cm범위에 들게 하여 컴파운딩(compounding)된 고분자 수지에 ESD 방지용 및 EMI (전자기차폐) 기능을 부여한다(US 5,904,980, 한국특허공개번호 2000-017178, 일본 機能材料 1999, 19(5), pp 5-11).
그러나 전도성 카본블랙, 섬유, 금속이 코팅된 섬유 등의 첨가제로 컴파운딩(compounding)된 고분자수지는 다음과 같은 단점이 있다. 첫째, 첨가제와 고분자수지간의 균일한 혼합의 어려움, 둘째 전량 외국에서 수입되는 고가의 첨가제가격, 셋째, 컴파운딩(compounding)후 발생되는 불투명한 제품의 특성 때문에 포장지로 사용하는데 제품의 모델 혹은 시리얼(serial) 번호를 포장지를 뜯지 않고 직접 확인할 수 없는데서 오는 불편함, 넷째 첨가제가 혼합되는 중량 분만큼의 이송 물류비 증가에서 발생되는 문제점 때문에 사용에 있어서 많은 어려움이 있어 왔다.
이밖에 양이온 또는 음이온계면활성제 또는 유기계 불소화합물 코팅액, 도전성 유기-무기 하이브리드 코팅액을 사용하여 대전방지 필름을 형성시키는 기술이 있으나, 연질의 플라스틱표면은 금속표면과 달라서 산화층 및 물의 흡착층 형성이 거의 없고, 일반적으로 표면에너지는 금속에 비해서 상당히 낮어서 코팅액에 대한 흐름성 및 균일성의 효과가 충분히 발휘되지 않는다(한국특허공개번호 1999-018541).
한편 이온주입에 의한 종래의 기술에서도 이온빔에 의한 표면개질 기술은 효과가 강력하여 고분자수지 표면 깊숙이 개질 효과를 가져와 시간경과에 따라 표면친수성이 소실되는 소위, 소수성으로의 환원(hydrophobic recovery) 현상에 대해 상당부분 해결할 수 있으나 이온빔처리의 고유의 특성상 굴곡이 있는 3차원적 표면처리에 있어서는 제한이 있다. 또한, rf 플라즈마에 의한 고분자 표면개질 기술은 rf에 의해 생성되는 플라즈마 밀도와 에너지가 작기 때문에 인가되는 높은 고전압펄스 바이어즈(bias)가 필요할 뿐만 아니라 글로우 방전(glow discharge)을 발생시키는 음(-)전극이 프로세스 챔버(chamber)내에 존재할 수밖에 없기 때문에 대상 고분자수지형태가 공정 중 쉽게 변형되거나 연속공정화의 어려움 등이 있다 (한국특허 0217538).
따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 도전성 고분자 수지의 제조방법에 관한 기술의 문제점을 제거 내지는 개선하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 rf 플라즈마의 경우와 다르게 필요한 음전극을 반응챔버 내에 설치해야하는 제한성이 없고 훨씬 고밀도의 플라즈마를 외부에서 발생시켜 플라스틱수지의 표면개질이 이루어지는 쳄버내로 주입할 수 있기 때문에 전극의 형태에 따라 반대면까지 골고루 3차원적 화학증착이 가능할 뿐만 아니라 증착조건에 따라 이온을 주입시켜 개질된 박막, 화학증착에 의해 단일 및 복합 금속막의 물성을 쉽게 변화시킬 수 있고, 또한 쉽게 폭넓은 범위의 도전성을 갖도록 변화시키는 것이 가능한 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 고분자 수지로 구성된 LCD모듈운반상자, 칩트레이, 반도체케리어용 테이프, 반도체웨이퍼 이송용 테이프. 인쇄회로기판 운반상자, 전자 모듈제품 운반상자, LCD박막 필름, 시트 및 반도체 운반용 소켓, 반도체 케리어용 테이프롤, 그리고 자동차부품의 대전방지용 제품 등의 대상물에 전자도전성을 지니게할 뿐만 아니라 대상 고분자수지가 지니는 고유의 투명성을 유지하도록 하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 고분자 성형물을 단일 연속공정에 의해서 PCB 기판간의 차폐, 플라스틱 하우징차폐, 플라스틱 본체(Plastic Case)의 차폐, 노이즈발생원 차폐(Motor등), 기타 방사성 노이즈나 정전기가 문제되는 곳의 EMI차폐 및 ESD 방지용 고분자수지를 위한 전자도전성 기능을 부여하는 방법을 제공하는데 있다.
본 발명의 또 다른 목적은 고분자 시트 혹은 필름을 단일 연속공정에 의해서 3차원적 화학증착에 의해 EMI방지용 고분자수지를 위한 전자도전성 기능을 부여하는 표면증착을 수행하는 방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 따른 ECR 플라즈마를 형성하게 하여 전자기장 가속에 의해 상온하에서도 플라스틱 표면에 금속박막을 형성하게 하는 방법을 설명하기 위한 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명에 의해 100×100㎜ 크기의 고분자 수지에 화학증착법으로 형성된 금속막의 저항측정결과를 나타낸 그래프이다.
도 3은 본 발명에 의해 고분자 수지에 화학증착법과 전극의 스퍼터방식을 동시에 적용하여 형성된 복합금속막의 표면 조성을 Auger로 분석한 결과를 나타낸 그림이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면 ECR에 의해 불활성기체를 고밀도 플라즈마 이온으로 형성시키는 단계, 및 상기 플라즈마 이온을 가속하여 고분자 수지의 표면에 충돌시켜 주입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법이 제공된다.
상기 불활성기체는 아르곤 및/또는 질소가스이고, 상기 플라즈마 이온의 가속단계는 자석에 의한 가속단계이며, 바람직하게는 상기 플라즈마 이온의 가속단계는 자석에 의한 가속단계 및 직류고전압 또는 펄스전압에 의한 가속단계의 2단계 가속을 포함한다.
또한, 본 발명에 따르면, ECR에 의해 불활성기체를 고밀도 플라즈마이온으로 형성시키는 단계; 및 액체 또는 기체상태의 유기금속 전구체를 도입하여 상기 플라즈마 이온과 충돌에 의해 발생하는 상기 유기금속 이온을 상기 고분자 수지의 표면에 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법이 제공된다.
상기 유기금속 전구체는 Li(acetate), (CH3)3Al, (C2H5)3Al, (C4H9)3Al, (CH3)3Bi, (C2H5)3Sb, (C3H7)3Sb, Ag(트리플루로아세테이트(trifluoroacetate)), Ag(아세테이트(acetate)), (C2H5O)4Si, (C2H5)3SiH, (CH3)4Sn, (C2H5)4Sn, Cu(hfac)2, Cu(acac), Cu(DPM), (hfac)Cu(I)MP, (Hfac)Cu(I)(DMB), (COD)Pt(CH3)2, Pt(CH3)2(CH3NC)2, Pd(allyl)2, Ni(C5H5)2, Ni(CO)4, Pt(hfac)2중에서 선택된 어느 1종이다.
상기 고분자 수지는 PS, PE, PP, ABS, PET, PETG, PVC, HIPS, PBT, PPS에서 선택된 범용 고분자수지, N6, N66, PC, PPO, PSU, PES, PEEK, PEI에서 선택된 엔지니어링 고분자, 그리고 상기 엔지니어링 고분자에 유리섬유로 컴파운딩(compounding)된 고분자수지로 구성된 그룹에서 선택된 어느 1종이다.
또한, 상기 유기금속 이온의 플라즈마 증착시에는 전극스퍼터링에 의한 증착을 동시에 수행하는 것이 바람직하다.
본 발명은 ECR를 이용하여 도입된 기체를 고밀도 고에너지의 플라즈마(plasma) 이온을 형성하게 하여 0.05∼50keV정도의 음(-) 고 직류전압 또는 고주파 펄스전압이 인가하는 방법으로 첫째, 아르곤 혹은 질소기체를 도입시켜 ECR에 의해 형성된 고밀도, 고에너지의 플라즈마 이온이 진공조내의 시편표면으로주입되어 고분자수지의 표면 도전성을 106∼108Ω·cm로 변화시키는 방법에 관한 것이다.
둘째, 유기금속화합물을 도입시켜 고밀도 플라즈마(plasma) 이온을 형성해서 금속막을 화학증착시켜 결과적으로 대상 고분자수지의 표면특성을 100∼104Ω·cm범위의 전자도전성으로 변화시키는 방법에 관한 것이다.
또한 세번째, 액체 또는 기체상태의 유기금속화합물을 도입시키고 진공조내에 전극을 설치하여 플라즈마에 의해 이온화된 금속이온과 전극에서 스퍼터된 금속이온이 동시에 고분자수지의 표면에 화학증착되어 복합금속막을 형성시키는 방법으로 반응조건에 따라 고분자수지의 도전성과 막의 물성을 필요에 따라 자유롭게 제어할 수 있는 방법에 관한 것이다.
ECR은 전자자장에 의한 회전주파수와 전원으로 가해지는 마이크로웨이브(microwave) 의 주파수가 일치할 때 발생하는 공진(resonance)현상이다. 즉, 마이크로웨이브의 방전영역에 자기장을 걸어주면 전자들이 회전운동(cyclotron)을 하게 되는데 이 회전주파수가 전기장의 주파수와 일치할 때 공진이 일어나며 전자의 에너지가 극대화된다. ECR이 발생되기 위해서는 전자의 회전운동 주파수(ωc: cyclotron frequency)가 전기장의 주파수와 일치하여야한다. 따라서 ωc는 (1)식으로 표현될 수 있으며 이것을 만족하기 위한 값은 2.45 GHz가 되어야하는데 이때 자속의 밀도(B)는 875 가우스(Gauss)로 유지되어야 한다.
ωc=……………………………… (1)
여기서, e(전하량)=1.6x10-19columb, me(전자질량)=9.11x10-31kg, B는 자속밀도이다.
좁은 영역에서 형성된 ECR층을 통과하는 전자들은 높은 에너지를 갖게되어 자기장과 전자기장에 의해 발생하는 전기장(self-electric field)를 따라 대상시료로 흘러가게 된다. 플라즈마의 이온화 정도는 방전압력, 유량 그리고 전압을 조절하여 변화시킬 수 있다.
또한, 본 발명에서 사용된 플라즈마 양이온 가속을 위한 고전압 직류는 승압트랜스에서 발생한 15,000Volt (20mA 의 전류)를 승압회로로 구성된 정류다이오드 4단에 의해 정류가 되어 4개의 471 pF/30kV용량의 콘덴서에 충전이 되며 전체적으로 각 콘덴서의 충전량을 모두 합한 입력 값의 4배인 약 60kV의 직류전압이 발생된다. 여기서 발생되는 전압의 예상 파형은 펄스 바이어즈(pulse bias)에서 생성되는 구형파가 아닌 60Hz의 음전압 곡선커브에 의해 형성된 수 퍼센트 리플 율(ripple ratio)을 함유한 직류 음전압이 형성될 것으로 생각된다. 음(-) 직류고전압 혹은 고전압펄스에서 발생되는 전극의 접점을 ECR 프로세스 챔버(chamber)내에 설치된 스텐레스 스틸(stainless steel)망으로 구성된 그리드(grid)와 연결시켜 ECR플라즈마가 유도되는 지점에 위치하게 함으로서 ECR에 의해 형성된 플라즈마 중 양이온을 그리드에서 형성된 음극(-)부 주위로 모여들게 함과 동시에 가속을 시켜 플라즈마의 양이온을 목표물에 주입또는 화학증착하는 기능을 한다.
따라서, 본 발명의 작용은 주입된 질소 혹은 아르곤기체가 ECR현상에 의해 고밀도의 플라즈마를 형성하게되고 자장에 의해 가속된 이온이 고전압의 음극 그리드의 유도로 가속되어 고분자수지 표면으로 이온주입과 화학증착에 의해 표면개질로 플라스틱이 100∼1010Ω·cm범위의 전자도전성을 지니게 하여 EMI차폐, ESD 방지기능을 부여한다.
이하 본 발명을 첨부한 도면과 실시예를 참조하여 보다 자세히 설명한다.
도 1은 도입가스를 ECR을 이용하여 플라즈마를 형성하게 하여 전자기장 가속에 의해 플라스틱 표면을 개질하는 방법을 설명하기 위한 장치의 개략도이다.
도 1에서 마이크로웨이브 제너레이터(microwave generator)(1)는 미국 Astex사 제품(모델 S-100)으로서 최대출력 1kw이며 안정도는 0.1%, 리플(ripple)은 최대 1%를 넘지 않는다. 입사파와 반사파의 출력을 측정하는 파워 디스플레이(power display)(18), 반사파가 발생장치로 돌아와서 손상을 입히는 것을 막아주는 써큘레이터(circulator) 및 더미 로드(dummy load) (2), 마이크로웨이브 튜닝(microwave tuning)을 위한 3-스터브 튜너(3-stub tuner)(4), 마이크로웨이브의 방향 및 모드(mode)를 바꾸어 최종적으로 ECR 챔버(chamber)로 유도하며 균일한 플라즈마를 생성시키는 디렉셔널 커플러(directional coupler)(3), 시메트릭 플라즈마 커플러(symmetric plasma coupler)(5)등이 위치한다.
마이크로웨이브(1)부터 시메트릭 플라즈마 커플러(symmetric plasmacoupler)(5)까지 길게 연결되어 있는 관을 통칭 웨이브 가이드(wave guide)라고 하는데, 재질은 구리이며 내부에 특수코팅 처리하여 마이크로웨이브파형을 효과적으로 전달한다. 주입가스(6)는 산화가스 혹은 불활성가스등을 사용할 수 있으며 질량유량계(7)를 통해 ECR 현상이 일어나는 ECR 챔버(9)에 도달되며, 여기는 각각 2.5, 5 kw 두 개의 전자석(8, 10)이 챔버상단과 하단에 위치하며 중앙에는 투시창이 있어 플라즈마 상태를 확인할 수 있도록 되어 있다.
두 개의 전자석(8, 10)의 전자석코일은 내부가 비어 있는 할로우(hollow)형의 구리선으로 제작되어 있어 내부공간에는 냉각수를 흘림으로서 가동시 발생하는 열을 제거한다. 또한, ECR 챔버(9) 내부에는 석영으로 제작된 원통모양의 구조물을 설치하여 플라즈마를 챔버벽에 흡착된 불순물 분자가 탈착되어 오염시키는 현상을 방지하도록 되어있다. 그 하단에는 대상 플라스틱의 표면개질이 일어나는 프로세스 챔버((11)가 부착되어 있다.
이온의 가속을 위해서 사용되는 음(-) 직류 고전압 그리드(12)는 저항(14), 정류기(15), 승압용 트렌스(16)와 연결되어 있으며 그리드(12)사이에는 대상 플라스틱시료(13)가 위치하여 있다. 프로세스 챔버(11)는 압력센서인 바라트론 게이지(Baratron gauge)(17), 파워 써플라이 디스플레이(power supply display)(18)에 의해서 트로틀 밸브(throttle valve)(19)의 열림 정도에 의해서 챔버의 압력이 제어된다. 여기에 연결되는 진공장비는 터보-모레큘러 펌프(turbo-molecular pump)(20), 루츠 블로우어(roots blower)(21) 그리고 케미칼 트랩(chemical trap)(22), 필터(filter)(23)를 거쳐 진공펌프(mechanical vacuum pump)(24)로 구성된 진공장비가 챔버의 압력을 10-5torr정도까지 제어한다.
<실시예 1>
ECR power 400W, 자석 1(상단) 140Ampere, 자석 2(하단) 120 Ampere, 반응기 압력 4.5mtorr, 그리드상의 직류전압 50kV로 유지하고 아르곤, 질소 유량범위를 20sccm으로 공급하는 조건에서 대상플라스틱 PC, PE, PVC 3종류를 시편 홀더상에 두고 상온에서 30분 이온주입시킨 후 100×100㎜ 크기의 시편 표면에 전기전도도를 측정한 결과, 표 1에서 보는 바와 같이, 표면전도도는 처리전 1012∼1014Ω·cm에서 처리 후 106∼108Ω/cm로 변화되었다.
고분자수지종류 마이크로웨이브전압(W) 작용압력(mTorr) DC '-' 바이어스(kV) 저항(Ω·cm)
PE 400 4.5 50 1.0x 10-6
PC 400 4.5 50 1.0x 10-6
PVC 400 4.5 50 1.0x 10-6
※ N2분위기
<실시예 2>
ECR power 700W, 자석 1 (상단) 170Ampere, 자석 2(하단) 120 Ampere, 반응기 압력 45mtorr, 그리드상의 직류전압 50kV로 유지하고 유기금속기체와 아르곤, 수소 유량범위를 300∼200sccm으로 공급하는 조건에서 대상플라스틱 PC, PE, PTFE 3종류를 시편 홀더상에 두고 유기금속 전구체로 상온에서 30분 화학증착시킨 후 100×100㎜ 크기의 시편 표면에 전기전도도를 측정한 결과, 표 2에서 보는 바와 같이, 화학증착된 막의 표면전기전도도는 100∼104Ω/cm2범위로 제어할 수 있었다.
고분자수지종류 마이크로웨이브전압(W) 작용압력(m Torr) DC '-' 바이어스(kV) H2/Ar 비 (hfac)Cu(DMB) 저항(Ω·cm)
PE 700 45 50 2 69.6
PET 700 45 50 2 71.1
PP 700 45 50 2 68.02
PTFE 700 45 50 2 66.35
PVC 700 45 50 2 72.82
PE 300 45 50 2 69.55
PE 700 45 50 1 69.55
도2 는 상기의 방법으로 제조된 복합금속막을 DC 전압-전류 스텐다드 미터(Voltage-Current standard Meter)로 저항을 측정하여 나타낸 그림으로 저항은 70 Ω·cm로 나타났다.
도3 은 상기의 방법으로 고분자 수지에 화학증착된 복합금속막의 조성을 Auger로 분석한 결과를 나타낸 것으로, 막의 조성은 전구체에서 함유된 Cu 3.5%, C 25%, F 3%, O 2.5%, 전극질에서 스퍼터된 Zn 2%, Ni 63%로 구성된 복합막이었으며 , 이 박막의 저항은 69.6 Ω·cm로 나타났다.
본 발명에 의하면 고분자수지로 제작된 성형물이나 시트 및 필름 표면에 ECR을 이용하여 생성된 고밀도 이온을 자석에 의해 1차 가속을 시키고 다시 직류고전압이나 펄스 전압를 이용하여 그리드를 통해 2차로 이온에 가속에너지를 주어 대상 고분자수지 표면에 3차원적으로 균일하게 표면개질을 행할 수 있다.
따라서, 기존 카본류 복합재(composite)보다 효과적이면서 저렴하게 EMI차폐, ESD방지효과를 나타낼 수 있는 도전특성을 지니게 할 수 있고, rf 혹은 이온빔에 의한 이온주입방식보다 저에너지에 의한 도전영역형성 그리고 3차원적 표면 화학증착 및 연속공정화에 유리한 장점이 있다.

Claims (8)

  1. 도전성 고분자 수지 제조 방법에 있어서,
    ECR에 의해 불활성기체를 고밀도 플라즈마 이온으로 형성시키는 단계;
    상기 플라즈마 이온을 자기장을 이용하여 1차 가속하는 단계;
    1차 가속된 플라즈마 이온을 직류고전압 또는 펄스전압을 이용하여 2차 가속하여 고분자 수지의 표면에 충돌시켜 이온 주입시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 불활성기체는 아르곤 및/또는 질소가스인 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 도전성 고분자 수지 제조 방법에 있어서,
    ECR에 의해 불활성기체를 고밀도 플라즈마 이온으로 형성시키는 단계;
    액체 또는 기체상태의 유기금속 전구체를 공급하여 상기 플라즈마 이온과 충돌시켜 유기 금속 이온을 형성하는 단계;
    상기 유기 금속 이온을 자기장을 이용하여 1차 가속하는 단계;
    1차 가속된 상기 유기 금속 이온을 직류고전압 또는 펄스전압을 이용하여 2차 가속하여 상기 고분자 수지의 표면에 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 유기금속 전구체는 Li(acetate), (CH3)3Al, (C2H5)3Al, (C4H9)3Al, (CH3)3Bi, (C2H5)3Sb, (C3H7)3Sb, Ag(trifluoroacetate), Ag(acetate), (C2H5O)4Si, (C2H5)3SiH, (CH3)4Sn, (C2H5)4Sn, Cu(hfac)2, Cu(acac), Cu(DPM), (hfac)Cu(I)MP, (Hfac)Cu(I)(DMB), (COD)Pt(CH3)2, Pt(CH3)2(CH3NC)2, Pd(allyl)2, Ni(C5H5)2, Ni(CO)4, Pt(hfac)2중에서 선택된 어느 1종인 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 고분자 수지는 PS, PE, PP, ABS, PET, PETG, PVC, HIPS, PBT, PPS에서 선택된 범용 고분자수지, N6, N66, PC, PPO, PSU, PES, PEEK, PEI에서 선택된 엔지니어링 고분자, 그리고 상기 엔지니어링 고분자에 유리섬유로 컴파운딩(compounding)된 고분자수지로 구성된 그룹에서 선택된 어느 1종인 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 유기금속 이온의 플라즈마 증착시에 전극스퍼터링에 의한 증착을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 ECR을 이용한 도전성 고분자 수지의 제조방법.
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