DE19708207A1 - Monolithisches Stufendämpfungsglied mit interner Frequenzkompensation - Google Patents
Monolithisches Stufendämpfungsglied mit interner FrequenzkompensationInfo
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Description
Claims (14)
ein Paar von Widerständen (R4, R5), die seriell zwi schen dem Eingang (3) und dem Ausgang (4) gekoppelt sind;
einen ersten elektronischen Schalter (S3), der zwischen dem Eingang (3) und dem Ausgang (4) gekoppelt ist;
einen zweiten elektronischen Schalter (S4) mit einem ersten Anschluß und mit einem zweiten Anschluß, wobei der erste Anschluß mit dem Paar von Widerständen (R4, R5) gekoppelt ist;
einen dritten Widerstand (R6), der zwischen dem zweiten Anschluß des zweiten elektronischen Schalters (S4) und einem leitfähigen Weg zu der Masse (GND2) gekoppelt ist, wobei der leitfähige Weg eine parasitäre Indukti vität (L2) aufweist;
einen FET-Schalter (S5) mit einem leitenden Zustand und mit einem nicht-leitenden Zustand und mit einer Drain zu-Source-Kapazität (Ccomp), der parallel zu dem drit ten Widerstand (R6) gekoppelt ist; und
wobei der zweite Dämpfungszustand aktiviert ist, wenn der erste elektronische Schalter (S3) geschlossen ist und der zweite elektronische Schalter (S4) offen ist, und wobei der erste Dämpfungszustand aktiviert ist, wenn der erste elektronische Schalter (S3) offen ist und wenn der zweite elektronische Schalter (S4) ge schlossen ist, und wenn sich der FET-Schalter (S5) in dem nicht-leitenden Zustand befindet.
eine Serienimpedanz mit folgenden Merkmalen:
einem ersten Widerstand (R4) und einem zweiten Widerstand (R5), die seriell zwischen dem Eingang (3) und dem Ausgang (4) gekoppelt sind; und
einem ersten Schalter (S3), der zwischen dem Ein gang und dem Ausgang gekoppelt ist;
eine Parallelimpedanz, die einen zweiten Schalter (S4) und einen dritten Widerstand (R6), die seriell gekop pelt sind, aufweist, wobei die Parallelimpedanz zwi schen dem ersten Widerstand (R4) und dem zweiten Wider stand (R5) und zu einem leitfähigen Weg zu der Masse (GND2) gekoppelt ist, wobei der erste Dämpfungszustand durch Öffnen des ersten Schalters (S3) und durch Schließen des zweiten Schalters (S4) aktiviert ist; und
ein Frequenzkompensationselement (S5), das einen Strom durch den dritten Widerstand (R6) proportional zu der Frequenz des angelegten elektrischen Signals reduziert, wenn der erste Dämpfungszustand aktiviert ist.
einen Serienwiderstand (R7), der zwischen dem Eingang (5) und dem Ausgang (6) gekoppelt ist;
einen Serienschalter (S7), der zwischen dem Eingang (5) und dem Ausgang (6) gekoppelt ist;
einen ersten Parallelschalter (S10) mit einem ersten Anschluß und mit einem zweiten Anschluß, wobei der er ste Anschluß mit dem Eingang (5) gekoppelt ist;
einen ersten Parallelwiderstand (R8), der zwischen dem zweiten Anschluß des ersten Parallelschalters (S10) und einem ersten leitfähigen Weg zu der Masse (GND3) gekop pelt ist, wobei der erste leitfähige Weg eine erste pa rasitäre Induktivität (L3) hat;
einen zweiten Parallelschalter (S11) mit einem ersten Anschluß und mit einem zweiten Anschluß, wobei der er ste Anschluß mit dem Ausgang (6) gekoppelt ist;
einen zweiten Parallelwiderstand (R9), der zwischen dem zweiten Anschluß des zweiten Parallelschalters (S11) und einem zweiten leitfähigen Weg zu der Masse gekop pelt ist, wobei der zweite leitfähige Weg eine zweite parasitäre Induktivität (L4) aufweist;
einen ersten FET-Schalter (S8) mit einem leitenden Zu stand und mit einem nicht-leitenden Zustand und mit ei ner Drain-zu-Source-Kapazität, die parallel zu dem er sten Parallelwiderstand (R8) gekoppelt ist;
einen zweiten FET-Schalter (S9) mit einem leitenden Zu stand und mit einem nicht-leitenden Zustand und mit ei ner Drain-zu-Source-Kapazität, die zu dem zweiten Pa rallelwiderstand (R9) parallel gekoppelt ist; und
wobei der zweite Dämpfungszustand aktiviert ist, wenn der Serienschalter (S7) geschlossen ist und wenn der erste und der zweite Parallelschalter (S10, S11) offen sind, und wobei der erste Dämpfungszustand aktiviert ist, wenn der Serienschalter (S7) offen ist und wenn der erste und der zweite Parallelschalter (S10, S11) geschlossen sind, und wenn der erste und der zweite FET-Schalter (S8, S9) offen sind.
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