DE19646198A1 - Ladungspumpschaltung zum Ansteuern einer integrierten Halbleiterschaltung - Google Patents

Ladungspumpschaltung zum Ansteuern einer integrierten Halbleiterschaltung

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Description

Die Erfindung betrifft eine Ladungspumpschaltung für eine integrierte Halbleiterschaltung, insbesondere eine Ladungspumpschaltung zum Pumpen von elektrischer Ladung aus einem Kondensator heraus in eine integrierte Halbleiterschaltung mit mindestens zwei Metall-Oxid- Halbleiter-Transistoren (MOS-Transistoren), die wahlweise als Ladetreiberschaltung betrieben werden.
Im allgemeinen ist die nach dem Stand der Technik bekannteste Ladungspumpschaltung auf einem Halbleiterchip vorgesehen, um unter Verwendung einer chipeigenen Spannung, die zur Ermöglichung des Betriebs des Halbleiterchips erforderlich ist, eine höhere Spannung zu erzeugen. Die meisten solcher herkömmlichen Ladungspumpschaltungen verwenden ein Hochfrequenzschwingungs-Schaltverfahren. Diese Ladungspumpschaltung ist in Fig. 1 dargestellt.
Wie dies in Fig. 1 dargestellt ist, weist die obige Ladungspumpschaltung einen Ladungspumpkondensator CP, ein Schwingungsteil 10, der zwischen einer chipeigenen Spannungsquelle Vcc und Masse verbunden ist, um in Abhängigkeit einer Schwingungsfrequenz elektrische Ladung aus dem Kondensator herauszupumpen, ein
Stromversorgungsteil 20, um als Reaktion auf Spannungspegel eines Eingangssignals Vin eine weitere Spannung zu erzeugen, damit an einem Verbindungspunkt P1 zwischen dem Kondensator CP und dem Ausgang des Stromversorgungsteils 20 immer eine konstante Spannung aufrecht erhalten bleibt, einen MOS-Feldeffekttransistor 40 (MOS-FET) zum Ansteuern einer Lastschaltung 50, und ein Konstantstromquellenteil auf, um an einen Steueranschlußpunkt (d. h. Gate- Anschlußpunkt) des MOS-FETs eine konstante Spannung zu liefern.
Das Schwingungsteil 10 weist zwei wahlweise betriebene Schaltelemente 12 und 13 auf. Falls das Schaltelement 12 angeschaltet ist, wird die chipeigene Spannung über das Schaltelement 12 an den Kondensator CP angelegt und der Kondensator CP wird dann aufgeladen. Falls nicht, d. h., wenn das Schaltelement 13 angeschaltet ist, wird der Kondensator CP über das Schaltelement 13 gegen Nasse entladen. Am Punkt P1 wird dann die Spannung von ungefähr Vcc = +15V ständig aufrecht erhalten. Dies liegt daran, daß eine Spannung von 12V über den MOS-FET 21 (Feldeffekttransistor) mittels des MOS-FET 21, der als Reaktion auf das Eingangssignal Vin aktiviert wird, an den Punkt P1 angelegt wird.
Wie unmittelbar vorstehend beschrieben wurde, erfordert die herkömmliche Ladungspumpschaltung unvermeidlicherweise eine zusätzliche Hochfrequenzschwingungsschaltung, um den Kondensator CP laden oder entladen zu können.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung eine Ladungspumpschaltung vorzusehen, um ohne die Verwendung einer Hochfrequenzschwingungsschaltung elektrische Ladung aus einem Ladungspumpkondensator heraus an eine integrierte Halbleiterschaltung zu pumpen.
Ferner soll eine Ladungspumpschaltung für eine integrierte Halbleiterschaltung mit mindestens zwei MOS-Transistoren vorgesehen werden, wobei die beiden MOS-Transistoren durch eine vorgegebene Totzeit zwischen ihrem Betrieb nicht gleichzeitig aktiviert werden.
Außerdem soll eine Ladungspumpschaltung vorgesehen werden, die eine extern angelegte Überschußspannung beseitigen kann, um die darin befindlichen Schaltungselemente zu schützen und die in eine integrierte Schaltung eingebaut werden kann.
Die vorstehende Aufgabe wird durch die im Anspruch 1, 7 bzw. 13 angegebenen Merkmale gelöst.
Dabei weist eine Ladungspumpschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit einem ersten und einem zweiten MOS-Transistor, die wahlweise aktiviert werden, einen Ladungspumpkondensator; Mittel, die auf ein Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagieren, um wahlweise den Lade- und Pumpbetrieb des Ladungspumpkondensators zu steuern; Mittel, um dem Ladungspumpkondensator während des Ladebetriebs elektrische Ladung zuzuführen und um während des Pumpbetriebs die elektrische Ladung aus dem Kondensator heraus an ein Gate des ersten MOS-Transistors zu pumpen; und Mittel auf, um während des Ladebetriebs eine Gate- Spannung des ersten MOS-Transistors abzuleiten und um während des Pumpbetriebs eine Gate-Spannung des zweiten MOS-Transistors abzuleiten.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist eine Ladungspumpschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit einem ersten und zweiten MOS-Transistor, die wahlweise aktiviert werden, einen Ladungspumpkondensator; Mittel, die auf ein Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagieren, um wahlweise den Lade- und Pumpbetrieb des Ladungspumpkondensators zu steuern und um während des Pumpbetriebs eine Gate-Spannung des zweiten MOS-Transistors abzuleiten; Mittel, um während des Ladebetriebs dem Ladungspumpköndensators elektrische Ladung zuzuführen und um während des Pumpbetriebs die elektrische Ladung aus dem Kondensator heraus an ein Gate des ersten MOS-Transistors zu pumpen; und Mittel auf, um während des Ladebetriebs eine Gate-Spannung des ersten MOS-Transistors abzuleiten.
Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung weist eine Ladungspumpschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit einen ersten und zweiten MOS-Transistor, die wahlweise aktiviert werden, einen Ladungspumpkondensator; Mittel, die auf ein Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagieren, um wahlweise den Lade- und Pumpbetrieb des Ladungspumpkondensators zu steuern und um während des Pumpbetriebs eine Ladung, die aus dem Ladungspumpkondensator herausgepumpt wird, an ein Gate des ersten MOS-Transistors anzulegen; und Mittel auf, um während des Ladebetriebs eine Gate-Spannung des ersten MOS- Transistors abzuleiten und um während des Pumpbetriebs eine Gate-Spannung des zweiten MOS-Transistors abzuleiten.
Vorteilhafte Ausgestaltungen sind in den Unteransprüchen angegeben.
Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm einer herkömmlichen Ladungspumpschaltung;
Fig. 2 ein Blockschaltbild einer neuen Ladungspumpschaltung zum Ansteuern von MOS-Transistoren gemäß der Erfindung;
Fig. 3 ein detailliertes Schaltungsdiagramm, das ein Beispiel der in Fig. 2 gezeigten, neuen Ladungspumpschaltung erläutert; und
Fig. 4 eine detaillierte Schaltung, die ein weiteres Beispiel der in Fig. 2 gezeigten, neuen Ladungspumpschaltung erläutert.
Wie dies in Fig. 2 dargestellt ist, wird eine neue Ladungspumpschaltung zum Ansteuern von MOS-Transistoren gemäß der Erfindung vorgesehen, um eine aus einem Ladungspumpkondensator C herausgepumpte Ladung an einen Ausgangstreiber 200 anzulegen, der mindestens zwei MOS- Transistoren aufweist, die wahlweise aktiviert werden. Die Ladungspumpschaltung 100 ist ebenfalls für eine erste und eine zweite Steuerung des Ausgangtreibers 200 zum Ansteuern einer Last M vorgesehen. Der Ausgangstreiber 200 ist zwischen einer Stromversorgungsquelle Vcc (z. B. eine chipeigene Spannungsquelle) und Masse angeschlossen und weist mindestens vier MOS-Transistoren MOS1 bis MOS4 auf. Von den Transistoren MOS1 bis MOS4 sind zwei MOS- Transistoren, MOS1 und MOS2, vorgesehen, um die erste Steuerung des Ausgangstreibers 200 auszuführen, und die anderen, MOS3 und MOS4, um dessen zweite Steuerung zu realisieren. Falls die Last M ein Motor ist, bedeutet hier die erste Steuerung des Ausgangstreibers 200 entweder die Vorwärts- oder die Rückwärtsdrehung des Motors und dessen zweite Steuerung bedeutet das Umgekehrte. Die Ladungspumpschaltung 100 wird vorgesehen, um die MOS- Transistoren MOS1 und MOS2 des Ausgangstreibers 200 zu steuern, und die Ladungspumpschaltung 100′, um dessen MOS- Transistoren MOS3 und MOS4 zu steuern. Da die linke und rechte Ladungspumpschaltung 100 und 100′ den gleichen Aufbau aufweisen, ist der Betrieb der Schaltung 100′ der Kürze der Beschreibung wegen ausgelassen.
Nimmt man wiederum auf Fig. 2 Bezug, so weist die Ladungspumpschaltung 100 einen Steuerabschnitt 101 auf, der als Reaktion auf ein Eingangssignal Iin der Schaltung eine elektrische Verbindung von einer Spannungsquelle Vcc nach Masse steuert. Mittels des Steuerabschnitts 101 wird dann dem Ladungspumpkondensator C elektrische Ladung zugeführt oder aus ihm herausgepumpt. Die Schaltung 100 schließt weiterhin einen Ladungspumpabschnitt 102, der zum Pumpen von elektrischer Ladung aus dem Ladungspumpkondensator C heraus an das Gate des MOS-Transistors MOS1 vorgesehen ist, und einen Entladeabschnitt 103 ein, der vorgesehen ist, um während des Betriebs des MOS-Transistors MOS1 eine Gate- Spannung des MOS2 gegen Masse abzuleiten, d. h., während des Pumpbetriebs des Kondensators C.
Fig. 3 erläutert ein Beispiel der in Fig. 2 gezeigten, neuen Ladungspumpschaltung. Falls ein Eingangssignal Iin der Schaltung 100 auf einem niedrigen Pegel ist, ermöglicht es der Steuerabschnitt 101, daß elektrische Ladung im Ladungspumpkondensator C gespeichert wird.
Wenn das Eingangssignal Iin mit niedrigem Pegel über einen Vorspannungswiderstand R21 an die Basis eines Transistors Q21 angelegt wird, wird der Transistor Q21 dann ausgeschaltet, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist. Während des Ausschaltens des Transistors Q21 wird eine interne Spannung Vcc (chipeigene Spannung) über Vorspannungswiderstände R22 und R23 an ein Gate des MOS- Transistors MOS2 und ebenfalls über den Vorspannungswiderstand R22 und eine Diode D21 an den Kondensator C angelegt. Folglich beginnt das Beladen des Kondensators C und der MOS-Transistor MOS2 wird angeschaltet. Die Zenerdiode ZD21 ist zwischen dem Vorspannungswiderstand R22 und dem Kollektor des Transistors Q21 vorgesehen, um eine extern angelegte Überschußspannung zu beseitigen und um dadurch die Komponenten der Ladungspumpschaltung 100 gegen die Zerstörung durch die Überschußspannung zu schützen.
Falls sich das Eingangssignal der Schaltung auf einem hohen Pegel befindet, ermöglicht der Steuerabschnitt 101, daß mittels des Ladungspumpabschnitts 102 elektrische Ladung aus dem Ladungspumpkondensator C herausgepumpt wird. Wenn das Eingangssignal auf hohem Pegel ist, wird der Transistor Q21 angeschaltet und dadurch fließt ein Strom am Punkt P2 durch den Transistor Q21 gegen Masse. Folglich hält der Ladebetrieb des Kondensators C an und dann wird dessen gespeicherte Ladung durch einen Widerstand R24 an das Gate des MOS-Transistors MOS1 gepumpt. Deshalb wird der MOS- Transistor MOS1 durch die gepumpte Ladung angeschaltet und gleichzeitig wird der MOS-Transistor MOS2 aufgrund eines Signals mit niedrigem Pegel am Punkt P2 ausgeschaltet. Die Gate-Spannung des MOS-Transistors MOS1 wird dann auf ungefähr 2Vcc erhöht und folglich wird der MOS-Transistor MOS1 sehr aktiv betrieben.
Wie gerade vorstehend beschrieben wurde, werden die MOS- Transistoren MOS1 und MOS2 wahlweise betrieben. Falls nämlich einer der MOS-Transistoren angeschaltet wird, wird der andere ausgeschaltet. Dies liegt daran, daß die MOS- Transistoren MOS1 und MOS2 aufgrund des Vorhandenseins einer Totzeit zwischen deren zeitlichen Abstimmung des Betriebs nicht gleichzeitig angeschaltet werden. Daher können die Schaltungselemente der Schaltung 100 geschützt werden.
Andererseits ist der Entladeabschnitt 103 vorgesehen, um eine Gate-Spannung des MOS-Transistors MOS2 während des Anschaltens des MOS-Transistors MOS1 abzuleiten. Wenn sich das Eingangssignal der Ladungspumpschaltung 100 auf einem hohen Pegel befindet, wird der MOS-Transistor MOS1 angeschaltet, wie zuvor beschrieben. In diesem Fall wird das Signal mit hohem Pegel durch einen Invertierer IN21 in ein Signal mit niedrigem Pegel invertiert. Das Signal mit niedrigem Pegel vom Invertierer IN21 wird über einen Widerstand R26 an eine Basis eines Transistors Q22 angelegt. Dieser Transistor Q22 wird dann ausgeschaltet und ein Transistor Q23 wird ebenfalls ausgeschaltet, weil sich der Punkt P2 auf einem niedrigen Pegel befindet, während der Transistor Q21 als Reaktion auf das Eingangssignal mit hohem Pegel angeschaltet wird.
Während sich das Eingangssignal Iin auf einem hohen Pegel befindet, d. h. während des Ladebetriebs des Kondensators C, kann die Gate-Spannung des MOS-Transistors MOS2 über den Widerstand R23 und den Transistor Q21 gegen Masse abgeleitet werden, wie dies unmittelbar obenstehend beschrieben wurde.
Falls sich das Eingangssignal Iin auf einem niedrigen Pegel befindet, wird der Transistor Q22 als Reaktion auf das Signal mit hohem Pegel vom Invertierer IN21 angeschaltet und der Transistor Q23 wird ebenfalls angeschaltet, weil sich der Punkt P2 auf einem hohen Pegel befindet, während der Transistor Q21 als Reaktion auf das Eingangssignal mit niedrigem Pegel ausgeschaltet wird. Folglich kann die Gate- Spannung des MOS-Transistors MOS1 schnell sowohl über den Transistor Q22 als auch den Transistor Q23, die so aktiviert sind, gegen Masse abgeleitet werden.
Wie dies ebenfalls in Fig. 3 dargestellt ist, wird die Zenerdiode ZD22 vorgesehen, um zu verhindern, daß während eines Pumpbetriebs des Kondensators C eine Überschußspannung an das Gate des MOS-Transistors MOS1 angelegt wird. Die Ladungspumpschaltung des ersten Beispiels kann in eine integrierte Halbleiterschaltung (Halbleiter-IC) integriert werden, mit Ausnahme des Ladungspumpkondensators C und des Ausgangstreibers 200.
Da die Ladungspumpschaltung eine Zenerdiode zum Auffangen einer extern angelegten Überschußspannung aufweist, kann sie ebenfalls gegen das Auftreten der Überschußspannung geschützt werden.
Fig. 4 erläutert ein weiteres Beispiel der in Fig. 2 gezeigten, neuen Ladungspumpschaltung. Die neue Ladungspumpschaltung von Fig. 4 weist den gleichen Aufbau wie die von Fig. 3 auf, mit der Ausnahme, daß die zusätzliche Zenerdiode ZD22 im Ladungspumpabschnitt 102 weggelassen und die Diode D21 zwischen dem Punkt P2 und dem Ladungspumpkondensator C durch eine Zenerdiode ZD23 ersetzt ist.
Ähnlich wie die Zenerdiode ZD22 des ersten Beispiels (gezeigt in Fig. 3), ist die Zenerdiode ZD23 des zweiten Beispiels vorgesehen, um zu verhindern, daß während eines Pumpbetriebs des Kondensators C eine Überschußspannung an das Gate des MOS-Transistors MOS1 angelegt wird.
Die Ladungspumpschaltung des zweiten Beispiels kann ebenfalls in einem Halbleiter-IC integriert werden, mit Ausnahme des Ladungspumpkondensators C und des Ausgangstreibers 200. Wenn zwei MOS-Transistoren des Ausgangstreibers 200 durch die Ladungspumpschaltung 100a angesteuert werden, werden sie aufgrund der dazwischenliegenden Totzeit nicht gleichzeitig eingeschaltet. Folglich können die Schaltungselemente des Ausgangstreibers geschützt werden.
Da die Ladungspumpschaltung eine Zenerdiode zum Abschneiden einer extern angelegten Überschußspannung aufweist, kann sie zusätzlich gegen das Auftreten der Überschußspannung geschützt werden.

Claims (15)

1. Ladungspumpschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit einem ersten und einem zweiten MOS-Transistor (MOS1, MOS2; MOS3, MOS4), die wahlweise aktiviert werden, wobei die Schaltung aufweist:
einen Ladungspumpkondensator (C);
Mittel (101; 101′), die auf ein Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagieren, um wahlweise einen Lade- und einen Pumpbetrieb des Ladungspumpkondensators (C) zu steuern;
Mittel (102; 102′; 102a), um während des Ladebetriebs dem Ladungspumpkondensator (C) elektrische Ladung zuzuführen und um während des Pumpbetriebs die elektrische Ladung aus dem Kondensator heraus an ein Gate des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) zu pumpen; und
Mittel (103; 103′), um während des Ladebetriebs eine Gate-Spannung des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) abzuleiten und um während des Pumpbetriebs eine Gate- Spannung des zweiten MOS-Transistors (MOS2; MOS4) abzuleiten.
2. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 1, bei der die Steuermittel (101; 101′) ein Schaltelement (Q21) aufweisen, das auf das Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagiert, um eine elektrische Verbindung von einer ersten Spannungsquelle zu einer zweiten Spannungsquelle zu steuern.
3. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 2, die weiterhin eine erste Zenerdiode (ZD21) aufweist, um eine über eine erste Spannungsquelle anliegende Überschußspannung zu beseitigen.
4. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 1, bei der die Lade- und Pumpmittel (102; 102′) eine Diode (D21), um während des Ladebetriebs die elektrische Ladung an den Ladungspumpkondensator (C) zu leiten, und einen Widerstand aufweisen, der in einer Verbindungsbahn liegt, über die eine gepumpte Ladung aus dem Kondensator herausfließt.
5. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 4, die weiterhin eine zweite Zenerdiode (ZD22) aufweist, um zu verhindern, daß während des Pumpbetriebs eine Überspannung an das Gate des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) angelegt wird.
6. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 1, bei der die Lade- und Pumpmittel (102′; 102a) eine dritte Zenerdiode (ZD23), um während des Ladebetriebs die elektrische Ladung zu dem Ladungspumpkondensator (C) fließen zu lassen und um zu verhindern, daß während des Pumpbetriebs eine Überspannung an das Gate des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) angelegt wird, und einen Widerstand aufweisen, der in einer Verbindungsbahn liegt, über die eine gepumpte Ladung aus dem Kondensator herausfließt.
7. Ladungspumpschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit einem ersten und einem zweiten MOS-Transistor (MOS1, MOS2; MOS3, MOS4) (Metall-Oxid-Halbleiter-Transistor), die wahlweise aktiviert werden, wobei die Schaltung aufweist:
einen Ladungspumpkondensator (C);
Mittel (101; 101′), die auf ein Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagieren, um wahlweise einen Lade- und einen Pumpbetrieb des Ladungspumpkondensators (C) zu steuern und um während des Pumpbetriebs eine Gate-Spannung des zweiten MOS-Transistors (MOS2; MOS4) abzuleiten;
Mittel (102; 102′; 102a), um während des Ladebetriebs dem Ladungspumpkondensator elektrische Ladung zuzuführen und um während des Pumpbetriebs die elektrische Ladung aus dem Kondensator heraus an ein Gate des ersten MOS- Transistors (MOS1; MOS3) zu pumpen; und
Mittel (103; 103′), um während des Ladebetriebs eine Gate-Spannung des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) abzuleiten.
8. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 7, bei der die Einschalt- und Entlademittel (101, 101′) ein Schaltelement (Q21) aufweisen, das auf das Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagiert, um eine elektrische Verbindung von einer ersten Spannungsquelle zu einer zweiten Spannungsquelle zu steuern.
9. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 8, die weiterhin eine erste Zenerdiode (ZD21) aufweist, um eine über die erste Spannungsquelle anliegende Überschußspannung zu beseitigen.
10. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 7, bei der die Lade- und Pumpmittel (102; 102′) eine Diode (D21), um während des Ladebetriebs die elektrische Ladung an den Ladungspumpkondensator (C) fließen zu lassen, und einen Widerstand aufweisen, der in einer Verbindungsbahn liegt, über die eine gepumpte Ladung aus dem Kondensator herausfließt.
11. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 10, die weiterhin eine zweite Zenerdiode (,ZD22) aufweist, um zu verhindern, daß während des Pumpbetriebs eine Überspannung an das Gate des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) angelegt wird.
12. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 7, bei der die Lade- und Pumpmittel (102′; 102a) eine dritte Zenerdiode (ZD23), um während des Ladebetriebs die elektrische Ladung zu dem Ladungspumpkondensator (C) fließen zu lassen und um während des Pumpbetriebs zu verhindern, daß eine Überspannung an das Gate des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) angelegt wird, und einen Widerstand aufweisen, der in einer Verbindungsbahn liegt, über die eine gepumpte Ladung aus dem Kondensator herausfließt.
13. Ladungspumpschaltung für eine Halbleitervorrichtung mit einem ersten und einem zweiten MOS-Transistor (MOS1, MOS2; MOS3, MOS4) (Metall-Oxid-Halbleiter-Transistor), die wahlweise aktiviert werden, wobei die Schaltung aufweist:
einen Ladungspumpkondensator (C);
Mittel (101; 101′), die auf ein Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagieren, um wahlweise einen Lade- und einen Pumpbetrieb des Ladungspumpkondensators (C) zu steuern und um während des Pumpbetriebs eine aus dem Ladungspumpkondensator herausgepumpte Ladung an ein Gate des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) anzulegen; und
Mittel (103; 103′), um während des Ladebetriebs eine Gate-Spannung des ersten MOS-Transistors (MOS1; MOS3) abzuleiten und um während des Pumpbetriebs eine Gate- Spannung des zweiten MOS-Transistors (MOS2; MOS4) abzuleiten.
14. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 13, bei der die Einschaltmittel (101, 101′) ein Schaltelement (Q21) aufweisen, das auf ein Eingangssignal der Ladungspumpschaltung reagiert, um eine elektrische Verbindung von einer ersten Spannungsquelle zu einer zweiten Spannungsquelle zu steuern.
15. Ladungspumpschaltung nach Anspruch 14, die weiterhin eine Zenerdiode (ZD21) aufweist, um eine durch die erste Spannungsquelle angelegte (Überschußspannung zu beseitigen.
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DE (1) DE19646198A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10015275A1 (de) * 2000-03-28 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Halbbrückenschaltung

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100264959B1 (ko) * 1997-04-30 2000-10-02 윤종용 반도체 장치의 고전압발생회로
JP3540652B2 (ja) * 1998-04-10 2004-07-07 三洋電機株式会社 チャージポンプ式昇圧回路
KR100347140B1 (ko) * 1999-12-31 2002-08-03 주식회사 하이닉스반도체 전압 변환 회로
JP2002223589A (ja) * 2001-01-25 2002-08-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd バッテリフォークリフト用モータコントローラ
KR100419236B1 (ko) * 2001-06-29 2004-02-19 주식회사 하이닉스반도체 전압 상승 컨버터용 차지 펌프
GB0202065D0 (en) * 2002-01-30 2002-03-13 Watson Brown Hsm Ltd Mixing
GB2404507B (en) * 2003-07-31 2006-06-21 Zetex Plc A high side switching circuit
ATE420486T1 (de) * 2004-09-14 2009-01-15 Dialog Semiconductor Gmbh Abschaltvorrichtung für ladungspumpeschaltung
US7358696B2 (en) * 2005-09-02 2008-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method and apparatus for PWM drive
US7301380B2 (en) * 2006-04-12 2007-11-27 International Business Machines Corporation Delay locked loop having charge pump gain independent of operating frequency
US9252674B2 (en) * 2012-11-26 2016-02-02 System General Corp. Transistor gate driver with charge pump circuit for offline power converters
US9479882B2 (en) 2013-03-06 2016-10-25 Texas Instruments Incorporated Initial command to switch transistors disconnecting keys from microphone line

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3625091A1 (de) * 1986-07-24 1988-01-28 Bosch Gmbh Robert Endstufe in brueckenschaltung

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57106228A (en) * 1980-12-24 1982-07-02 Fujitsu Ltd Semiconductor circuit
US4636657A (en) * 1984-08-29 1987-01-13 Texas Instruments Incorporated High speed CMOS clock generator
US4705997A (en) * 1986-02-21 1987-11-10 United Technologies Automotive, Inc. Bidirectional motor drive circuit
KR940005509B1 (ko) * 1992-02-14 1994-06-20 삼성전자 주식회사 승압단속회로및이를구비하는출력버퍼회로
DE4223208A1 (de) * 1992-07-15 1994-01-20 Papst Motoren Gmbh & Co Kg Brückenschaltung zum Betrieb eines bürstenlosen Gleichstrommotors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3625091A1 (de) * 1986-07-24 1988-01-28 Bosch Gmbh Robert Endstufe in brueckenschaltung

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10015275A1 (de) * 2000-03-28 2001-10-18 Infineon Technologies Ag Halbbrückenschaltung

Also Published As

Publication number Publication date
JP3619318B2 (ja) 2005-02-09
JPH09153775A (ja) 1997-06-10
KR970029747A (ko) 1997-06-26
KR0170511B1 (ko) 1999-03-30
US5874847A (en) 1999-02-23

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