DE3915982A1 - Pulslaser - Google Patents
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Description
Die Erfindung betrifft einen Pulslaser, bestehend aus einer Laserdiode und
einem die Laserdiode speisenden Stromimpulsgenerator.
Laserdioden benötigen zur Erzeugung von Laserlichtimpulsen hoher Leistung
hohe Ströme, die für sehr schmale Impulse - im Nanosekundenbereich - bis
her aufwendige Steuerschaltungen erforderlich machten. Dabei verbindet ein
schneller Leistungsschalter die Laserdiode mit einer Kondensatorbatterie.
Diese Batterie wird in den Impulspausen von einer Stromversorgungseinheit
wieder aufgeladen. Als Schalter dienen bipolare Transistoren bzw.
Thyristoren, die entsprechend den steilen Impulsflanken innerhalb weniger
Nanosekunden in den leitenden Zustand übergehen müssen. Die hierfür
notwendigen Steuerströme wurden bisher nur mit Hilfe umfangreicher
Steuereinheiten erreicht.
Ausgehend von diesem Stand der Technik war die Aufgabe zu lösen, einen
Pulslaser hoher Leistung zu entwickeln, der sich gegenüber den bekannten
Lösungen durch wesentlich geringeren Schaltungsaufwand und kleinere Bau
größe auszeichnet, wobei möglichst einwandfreie Rechteckimpulse erhalten
werden sollen.
Die Aufgabe wurde dadurch gelöst, daß der die Laserdiode speisende Strom
impulsgenerator aus einem Taktimpulsgenerator und einer von diesem ange
steuerten Leistungsstufe besteht, auf die eine unipolare Treiberstufe
hoher Stromstärke einer Anstiegszeit von wenigen Nanosekunden für die im
Stromkreis einer Kondensatorbatterie befindliche Laserdiode folgt.
Weitere Einzelheiten und Vorteile des erfindungsgemäßen Pulslasers sind
anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels nach
folgend beschrieben.
Der Pulslaser besteht im wesentlichen aus einer Laserdiode LD und einem
diese speisenden Stromimpulsgenerator SI. Letzterer umfaßt einen Takt
impulsgenerator TI, eine von diesem angesteuerte Leistungsstufe PS und
eine darauf folgende unipolare Treiberstufe TS für die Laserdiode. Der
Taktimpulsgenerator ist aus einem Oszillator OS, beispielsweise einem
Schmitt-Trigger, und einer von diesem gesteuerten monostabilen Kipp
stufe MK aufgebaut. Die Frequenz des Oszillators ist mittels eines Wider
standes R f einstellbar. Die Kippstufe liefert die Steuerimpulse für die
Laserdiode LD, deren Impulsbreite durch ein außenbeschaltendes RC-Glied
ebenfalls einstellbar ist. Ein weiterer Ausgang der Kippstufe kann für ein
Referenzsignal RS, beispielsweise für den synchronen Betrieb eines Laser
impulsempfängers, vorgesehen werden. Auf die monostabile Kippstufe MK
folgt die Leistungsstufe PS, die aus einem Leistungsgatter LG und einem
MOS-Clock-Treiber MCT besteht, dessen Ausgangsstrom bei Schaltzeiten im
Nanosekundenbereich ausreichend hoch ist, um den eigentlichen Leistungs
treiber TS für die Laserdiode LD zu schalten. Ein Blockkondensator C B
unterstützt das schnelle Durchschalten des MOS-Clock-Treibers. Leistungs
gatter und MOS-Clock-Treiber sind über ein Koppel-RC-Glied verbunden.
Es hat sich als vorteilhaft erwiesen, als Leistungstreiber TS einen V-MOS-
Feldeffekttransistor einzusetzen, dessen Drain-Source-Kanal die Laserdiode
mit einer Kondensatorbatterie C verbindet. Für die Stromversorgung des
Stromimpulsgenerators SI und zum Aufladen des Kondensators C ist eine
Batterie ausreichend. Bei positivem Steuersignal am Gate des Feldeffekt
transistors geht dessen Drain-Source-Kanal innerhalb weniger Nanosekunden
in den leitenden Zustand über und schaltet dabei die Laserdiode LD an die
Kondensatorbatterie C, die zum schnellen Durchschalten durch einen
parallel geschalteten, kleineren Kondensator C z ergänzt ist.
Um das Überschwingen der Impulsflanken zu dämpfen, sind der Laserdiode für
die positive Flanke Widerstände R d und für negative Flanke eine Diode D
parallel geschaltet.
Mit der vorstehend beschriebenen Ansteuerschaltung können exakte Rechteck
impulse mit hohen Strömen (bis zu 70 A) erzeugt werden. Ihr einfacher und
raumsparender Aufbau ermöglicht den Einsatz eines solchen leistungsstarken
Pulslasers in kleinen Bauräumen, selbst bei mehrkanaliger Ausführung, ohne
Netzanschluß. Dies bedeutet eine erhebliche Erweiterung der Einsatzmög
lichkeiten des Pulslasers.
Claims (5)
1. Pulslaser, bestehend aus einer Laserdiode (LD) und einem die Laser
diode speisenden Stromimpulsgenerator (SI), gekennzeichnet durch einen
Taktimpulsgenerator (TI) und eine von diesem angesteuerte Leistungs
stufe (PS), auf die eine unipolare Treiberstufe (TS) hoher Stromstärke
einer Anstiegszeit von wenigen Nanosekunden für die im Stromkreis
einer Kondensatorbatterie (C) befindliche Laserdiode (LD) folgt.
2. Pulslaser nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Taktimpuls
generator (TI) aus einem Oszillator (OS) und einer von diesem ange
steuerten, monostabilen Kippstufe (MK) besteht.
3. Pulslaser nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die
Leistungsstufe (PS) einen MOS-Clock-Treiber (MCT) enthält.
4. Pulslaser nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
unipolare Treiberstufe (TS) durch einen V-MOS-Feldeffekttransistor
gebildet ist.
5. Pulslaser nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die
Laserdiode (LD) durch ein parallel geschaltetes, passives Netzwerk aus
einer Diode (D) und Widerständen (R d ) gegen Überschwingen der Impuls
flanken geschützt ist.
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3915982A DE3915982A1 (de) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Pulslaser |
US07/520,812 US5068862A (en) | 1989-05-17 | 1990-05-09 | Pulsed laser |
JP2124324A JPH034578A (ja) | 1989-05-17 | 1990-05-16 | パルスレーザー |
GB9010982A GB2231714A (en) | 1989-05-17 | 1990-05-16 | Pulsed laser |
CA002016883A CA2016883A1 (en) | 1989-05-17 | 1990-05-16 | Pulsed laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3915982A DE3915982A1 (de) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Pulslaser |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3915982A1 true DE3915982A1 (de) | 1990-11-22 |
Family
ID=6380781
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3915982A Withdrawn DE3915982A1 (de) | 1989-05-17 | 1989-05-17 | Pulslaser |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5068862A (de) |
JP (1) | JPH034578A (de) |
CA (1) | CA2016883A1 (de) |
DE (1) | DE3915982A1 (de) |
GB (1) | GB2231714A (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19504712C2 (de) * | 1995-02-14 | 1998-02-05 | Linotype Hell Ag Werk Kiel | Verfahren zur Regelung der Lichtleistung einer Laserdiode |
JP3456120B2 (ja) * | 1997-09-09 | 2003-10-14 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオード用電源制御装置 |
JP3456121B2 (ja) * | 1997-09-09 | 2003-10-14 | 三菱電機株式会社 | レーザダイオード用電源制御装置 |
DE69920399D1 (de) | 1999-02-18 | 2004-10-28 | St Microelectronics Srl | Ladezustandsüberwachungsgerät für ein elektronisches Gerät |
US7545839B2 (en) * | 2003-01-02 | 2009-06-09 | Optiswitch Technology Corporation | Apparatus and method for driving a pulsed laser diode |
DE10340864A1 (de) * | 2003-06-30 | 2005-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenbauelement |
JP4635104B1 (ja) * | 2010-03-03 | 2011-02-23 | 日本興業株式会社 | 舗装用ブロック連結部材 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4243951A (en) * | 1978-06-12 | 1981-01-06 | Rca Corporation | High repetition rate driver circuit for modulation of injection lasers |
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JPS60247982A (ja) * | 1984-05-23 | 1985-12-07 | Nec Corp | 半導体レ−ザ駆動回路 |
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-
1989
- 1989-05-17 DE DE3915982A patent/DE3915982A1/de not_active Withdrawn
-
1990
- 1990-05-09 US US07/520,812 patent/US5068862A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-05-16 GB GB9010982A patent/GB2231714A/en not_active Withdrawn
- 1990-05-16 JP JP2124324A patent/JPH034578A/ja active Pending
- 1990-05-16 CA CA002016883A patent/CA2016883A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2016883A1 (en) | 1990-11-17 |
GB9010982D0 (en) | 1990-07-04 |
GB2231714A (en) | 1990-11-21 |
JPH034578A (ja) | 1991-01-10 |
US5068862A (en) | 1991-11-26 |
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8130 | Withdrawal |