JPH034578A - パルスレーザー - Google Patents

パルスレーザー

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JPH034578A
JPH034578A JP2124324A JP12432490A JPH034578A JP H034578 A JPH034578 A JP H034578A JP 2124324 A JP2124324 A JP 2124324A JP 12432490 A JP12432490 A JP 12432490A JP H034578 A JPH034578 A JP H034578A
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JP
Japan
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pulse generator
laser diode
driver
stage
clock
Prior art date
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Pending
Application number
JP2124324A
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English (en)
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Clifton Zimmermann
クリフトン、ツィマーマン
Glen Mumford
グレン、マムフォード
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BASF SE
Original Assignee
BASF SE
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428—Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • H—ELECTRICITY
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06209—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in single-section lasers
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    • H01S5/06226—Modulation at ultra-high frequencies

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  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、レーザーダイオードとこのレーザーダイオー
ドに給電する電流パルス発生器から成るパルスレーザ−
に関する。
従来の技術 レーザーダイオードは、大出力のレーザ光パルスの発生
のために大電流を必要とし、これら大電流は、極めて狭
いパルス（ナノ秒範囲）のためにこれまで高価な制御回
路を必要としていた。その際高速出力スイッチによりレ
ーザーダイオードはコンデンサバッテリーに接続される
。このバッテリーは、パルス休止期間中に給電ユニット
により再び充電される。スイッチとしてバイポーラトラ
ンジスタ又はサイリスクが使われ、これらバイポーラト
ランジスタ又はサイリスタは、急なパルスエツジに相応
して数ナノ秒以内に導通状態へ以降しなければならない
。そのために必要な制御電流は、従来大規模な制御ユニ
ットによってしか得られなかった。
発明の目的 この従来技術を前提として解決すべき課題は、周知の解
決策よりも回路費用がずっと少なくかつ構成規模がずっ
と小さい点で優れている大出力パルスレーザ−を開発す
ることにあり、その際できるだけ支障ない方形波パルス
が得られるようにする。
発明の構成 この課題は次のようにして解決される。すなわちレーザ
ーダイオードに給電する電流パルス発生器に、クロック
パルス発生器とこのクロックパルス発生器により制御さ
れる出力段が設けられており、この出力段の後に、コン
デンサバッテリーの電流回路内にあるレーザーダイオー
ド用の数ナノ秒の立上り時間の大電流強度のユニポーラ
ドライバ段が続いている。
実施例 本発明によるパルスレーザ−のそれ以上の詳細な点及び
利点を、次に図示した実施例により説明する。
パルスレーザ−は、主としてレーザーダイオードＬＤ及
びこのレーザーダイオードに給電する電流パルス発生器
８１から成る。この電流パルス発生器は、クロックパル
ス発生器ＴＩ、このクロックパルス発生器により制御さ
れる出力段ＰＳ及びこれに続くレーザーダイオード用ユ
ニポーラドライバ段ＴＳを含んでいる。クロックパルス
発生器は、発信器Ｏ８１例えばシュミットトリガ及びこ
の発振器により制御される単安定マルチバイブレータＭ
Ｋから構成されている。発振器の周波数は抵抗Ｒ２によ
り調節できる。マルチバイブレータはレーザーダイオー
ドＬＤ用の制御パルスを供給し、これら制御パルスのパ
ルス幅は外部接続したＲＣ素子により同様に調節できる
。基準信号Ｒ８のため、例えばレーザーパルス受信機の
同期動作のため、マルチバイブレータの別の出力端子を
設けることができる。単安定マルチバイブレータＭＫの
後には出力段ＰＳが続き、この出力段は出力ゲートＬＧ
とＭＯＳクロックドライバＭＣＴから成り、このＭＯＳ
クロックドライバの出力電流は、ナノ秒範囲にあるスイ
ッチ時間の際にレーザーダイオードＬＤ用の本来の出力
ドライバＴＳを切換えるため十分に大きい。ブロックコ
ンデンサＣａは、ＭＯＳクロックドライバの急速な導通
に役立つ。出力ゲートとＭＯＳクロツクドライノイは連
結ＲＣ素子を介して接続されている。
出力ドライバＴＳとしてＶ−ＭＯ８電界効果トランジス
タを使用し、このＶ−ＭＯ８電界効果トランジスタのド
レーンソースチャンネルによりレーザーダイオードをコ
ンデンサバッテリーＣに接続すると仔利とわかった。電
流パルス発生器Ｓ■の給電のため及びコンデンサＣの充
電のためには電池で十分である。電界効果トランジスタ
のゲートに正の制御信号が加わると、この電界効果トラ
ンジスタのドレーンソースチャンネルは数ナノ秒以内に
導通状態に移行し、かつその際高速導通のために並列接
続した小さなコンデンサＣ２を補充したコンデンサバッ
テリーＣにレーザーダイオードＬＤを接続する。
パルスエツジのオーバーシュートを減衰させるため、正
エツジ用に抵抗Ｒｄが、かつ負エツジ用にダイオードＤ
が、レーザーダイオードに並列接続されている。
前記の制御回路によれば、大電流（７０Ａまで）を何す
る正確な方形波パルスが発生できる。構成は簡単かつ場
所をとらないので、多チヤンネル構成の場合でさえ、給
電網接続を行わずに小さな構造空間内でこのような大出
力パルスレーザ−を使用することができる。すなわちパ
ルスレーザ−の用途はかなり拡張される。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明によるパルスレーザ−の構成を示すブロッ
ク図である。 ＬＤ・・・レーザーダイオード、ＳＩ・・・電流パルス
発生器、ＴＩ・・・クロックパルス発生器、ＰＳ・・・
出力段、ＴＳ・・・ユニポーラドライバ段、Ｃ・・・コ
ンデンサバッチ’Ｊ−Ｏ８・・・発振器、ＭＫ−・・単
安定マルチバイブレータ、ＬＧ・・・出力ゲート、ＭＣ
Ｔ・・・ＭＯＳクロックドライバ、Ｄ・・・ダイオード
、Ｒｄ・・・抵抗。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）レーザーダイオード（ＬＤ）とこのレーザーダイ
    オードに給電する電流パルス発生器（ＳＩ）から成るパ
    ルスレーザーにおいて、 クロックパルス発生器（ＴＩ）とこのクロックパルス発
    生器により制御される出力段（ＰＳ）が設けられており
    、この出力段の後に、コンデンサバッテリー（Ｃ）の電
    流回路内にあるレーザーダイオード（ＬＤ）用の数ナノ
    秒の立上り時間の大電流強度のユニポーラドライバ段（
    ＴＳ）が続いていることを特徴とするパルスレーザー。
  2. （２）クロックパルス発生器（ＴＩ）が、発振器（ＯＳ
    ）とこの発振器により制御される単安定マルチバイブレ
    ータ（ＭＫ）から成る、請求項１記載のパルスレーザー
    。
  3. （３）出力段（ＰＳ）がＭＯＳクロックドライバ（ＭＣ
    Ｔ）を有する、請求項１又は２記載のパルスレーザー。
  4. （４）ユニポーラドライバ段（ＴＳ）がＶ−ＭＯＳ電界
    効果トランジスタにより形成されている、請求項１〜３
    の１つに記載のパルスレーザー。
  5. （５）レーザーダイオード（ＬＤ）が、ダイオード（Ｄ
    ）と抵抗（Ｒ＿４）から成る並列接続受動回路網により
    パルスエッジのオーバーシュートに対して保護されてい
    る、請求項１〜４の１つに記載のパルスレーザー。
JP2124324A 1989-05-17 1990-05-16 パルスレーザー Pending JPH034578A (ja)

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DE3915982A DE3915982A1 (de) 1989-05-17 1989-05-17 Pulslaser
DE3915982.5 1989-05-17

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JP2124324A Pending JPH034578A (ja) 1989-05-17 1990-05-16 パルスレーザー

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US (1) US5068862A (ja)
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CA2016883A1 (en) 1990-11-17
GB2231714A (en) 1990-11-21
DE3915982A1 (de) 1990-11-22
GB9010982D0 (en) 1990-07-04
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