DE19639881C2 - Verfahren zum Herstellen eines induktiven Bauelements - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines induktiven Bauelements

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Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines in­ duktiven Bauelements in Chip-Multilayer-Technologie.
Aus der EP-0 701 262 A1 ist eine keramische Chipinduktivität bekannt, bei der auf keramischen Grünfolien mittels Transfer­ technik elektrolytisch vorgefertigte Leiterbahnstrukturen aufgebracht werden und mit weiteren Grünfolien zu einem Sta­ pel verpresst und anschließend gesintert werden.
Aus der DE-41 17 878 C2 ist ein planares magnetisches Element bekannt, dessen magnetische Schichten mittels Dünnschicht­ technik auf einem Glas- oder Halbleitersubstrat gefertigt werden.
Aus der DE-PS 9 75 729 ist es bekannt, gesintertes Ferrit- Granulat mit Hilfe von Fließmitteln in eine gewünschte Form zu bringen und zu einem Ferritkern zu sintern.
Aus der DE-37 29 700 A ist die Verwendung von vorgesintertem Ferrit-Granulat zur Herstellung von Ferritkernen bekannt.
Aus der nicht vorveröffentlichten DE-195 16 448 A ist die Verwendung einer flexiblen Kunststoffolie mit weichmagneti­ schen Partikeln als Kern für Flachspulen bekannt.
Bei den Stromversorgungen gibt es einen Leistungsbereich von 1 bis 10 W, in dem in der moderne HF-Leitungstechnik (Schaltfrequenz < 500 kHz) die üblichen Standard-Wickelindukti­ vitäten aber auch Planarinduktivitäten aufgrund der erforder­ lichen kleinen Bauformen nur mit Schwierigkeiten einsetzbar sind.
Unterhalb des genannten Bereichs, das heißt < 1 W, gibt es be­ reits sogenannte Chip-Multilayer-Induktivitäten auf der Basis von Naßstapeltechnik, während im Bereich < 10 W Standard- Wickel- und Planar-Induktivitäten zum Einsatz kommen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines induktiven Bauelements anzugeben, das auch im Bereich 1 bis 10 W wirtschaftlich einsetzbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.
Durch diese Verschachtelung von Wicklung und magnetischem Kernmaterial wird das mechanische Design nicht mehr von den Kerntoleranzen beeinflußt.
Vorteilhafte Ausgestaltungen des Gegenstandes der Erfindung sind in den Unteransprüchen angeführt.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbei­ spielen erläutert.
In der dazugehörenden Zeichnung mit einer einzigen Figur ist ein Transformator 1 in Chip-Multilayer-Technologie darge­ stellt, der aus übereinandergestapelten Ferritfolien 2 (zum Beispiel mit einer Dicke von 300 µm) auf der Basis von gesin­ tertem Ferritgranulat besteht.
Zwischen den Folien 2 sind Leiterbahnstrukturen 3 angeordnet, die direkt auf die Folien 2 aufgedruckt sind.
Anstelle der direkten Anbringung können die Leiterbahnen aber auch auf andere flexible Kunststoffträger aufgebracht werden, die dann zwischen den Folien 2 im Stapel plaziert werden.
Die einzelnen Leiterbahnstrukturen 3 sind, soweit erforder­ lich, mittels Durchkontaktierungen 4 miteinander verbunden.
Die einzelnen Folien 2 werden vorzugsweise durch eine verkle­ bende Verpressung zusammengefügt und in ein in der Figur nicht dargestelltes Gehäuse eingebaut, so daß ein für alle Lötverfahren geeignetes Chip-Bauelement entsteht.
Im Gegensatz zum Gegenstand der Erfindung werden bei den be­ kannten Chip-Multilayer-Herstelltechnologien entweder Ferrit- oder Leiterbahnpasten ineinandergedruckt oder es werden "grüne", das heißt nicht gesinterte, Ferritplatten bedruckt.
Alle diese Stapel müssen jedoch noch gesintert werden, wäh­ rend beim Gegenstand gemäß der Erfindung nur ein verklebende Verpressung des Stapels erforderlich ist, da bereits gesin­ terte Ferritfolien verarbeitet werden.
Induktive Bauelemente nach der oben geschilderten Technologie sind neben dem im Ausführungsbeispiel geschilderten Transfor­ mator beispielsweise auch Drosseln und Übertrager.

Claims (5)

1. Verfahren zum Herstellen eines induktiven Bauelements mit den Schritten:
  • 1. Ferritfolien (2) auf der Basis von gesintertem Ferritgranulat werden übereinandergestapelt
  • 2. Zwischen den Folien (2) werden Leiterbahnstrukturen (3) angeordnet
  • 3. Die einzelnen Leiterbahnstrukturen (3) werden mittels Durchkontaktierungen (4) miteinander verbunden.
  • 4. Die Folien (2) werden zusammengefügt und ohne weitere Sinterung in ein Gehäuse eingebaut, wobei ein Chip- Bauelement entsteht.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das Zusammenfügen der Folien (2) durch eine verkle­ bende Verpressung erfolgt.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, bei dem die Leiterbahnen (3) auf flexible Kunststoffträger aufgebracht werden, die dann zwischen den Folien (2) plaziert und mit verpreßt werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem Folien (2) mit einer Dicke von 300 µm mit einander verpreßt werden.
5. Verwendung eines nach einem der vorangehenden Ansprüchen hergestellten Bauelements als Transformator, Drossel oder Übertrager.
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