DE19638371A1 - Verfahren zur Erzeugung einer einseitigen galvanischen Metallschicht auf Chipmodulen - Google Patents
Verfahren zur Erzeugung einer einseitigen galvanischen Metallschicht auf ChipmodulenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung einer gal
vanischen Metallschicht auf einem Chip-Modul bzw. auf Chip-Modulbändern,
auf denen eine Vielzahl von Chip-Modulen nicht
vereinzelt zusammengefaßt ist. Die galvanische Metallschicht
bildet die oberste Schicht von Außenkontakten für das Chip-Modul.
Im Stand der Technik ist die Herstellung einer Hartvergoldung
auf der Kontaktseite von Chipkarten-Epoxidbändern derzeit re
lativ kostenintensiv und aufwendig. Der prinzipielle Aufbau
von Chip-Modulen, die aus einem Band (Tap) mit aufgebrachtem
Chip, dessen elektrische Kontaktierung nach außen hin über
galvanische Kontakte geschieht, die auf der dem Chip gegen
überliegenden Bandseite liegen, ist allgemein standardisiert.
So wird als Ausgangsmaterial ein Band bestehend aus einer in
neren Kupferschicht mit beidseitiger Nickelschicht verwendet.
Auf der einen Seite wird ein Chip (elektronisches Bauelement)
aufgebracht, wobei der Chip über Bonddrähte durch das eben
falls auf dieser Seite befindliche Epoxidband hindurch kon
taktiert wird, so daß eine elektrische Verbindung zu den auf
der gegenüberliegenden Seite des Ausgangsmaterials befindli
chen elektrischen Kontakten hergestellt wird. Diese elektri
schen Kontakte sind lateral derart strukturiert, daß eine An
zahl von 6 bzw. 8 Kontakten differenziert wird.
Um ausgehend von der elektrischen Kontaktierung des Chips die
entsprechende Anzahl von Kontakten zu bedienen bzw. elek
trisch anzubinden ist das Epoxidband entsprechend struktu
riert. Somit werden die Bonddrähte einerseits mit Anschlüssen
am Chip verbunden und andererseits mit Aussparungen im Band.
Innerhalb dieser Aussparungen wird auf die vorhandene Nickel
schicht eine Weichgoldschicht chipseitig aufgebracht. Hierzu
muß die gegenüberliegende Seite beispielsweise mit einem Gum
midichtband abgedeckt werden. Diese Weichgoldschicht ist für
die Kontaktierung bzw. für das Bondverfahren unbedingt not
wendig.
Für die Erzeugung einer kontaktseitigen Hardgoldschicht ist
eine entsprechende Abdeckung der Chipseite notwendig. Die
Probleme bei der Herstellung der Hartgoldschicht liegen im
Bereich einer auch hier nötigen Abdichtung der gegenüberlie
genden Seite. Die Herstellung der Abdichtung bedeutet jedoch
einen zusätzlichen Verfahrensschritt, der unter Umständen mit
einer erhöhten Ausschußrate verbunden ist.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren für
die Herstellung einer galvanischen Metallschicht auf einem
Chip-Modul bereit zustellen, mittels dem das Gesamtverfahren
zur Herstellung eines Chip-Moduls verkürzt und vereinfacht
wird.
Diese Lösung dieser Aufgabe geschieht durch die Merkmale des
Anspruchs 1.
Das Prinzip der Erfindung liegt in einer wesentlichen Um
schichtung von Verfahrensschritten des Verfahrens nach dem
Stand der Technik. Dadurch wird letztendlich das Abdecken der
den zu beschichtenden Kontakten eines Chip-Moduls gegenüber
liegenden Seite für einen galvanischen Fertigungsschritt eli
miniert, so daß das Verfahren des aufwendigen Abdichtens von
Flächen, die nicht mit einem Metall belegt werden sollen,
entfällt. Im wesentlichen wird dabei die galvanische Schicht
für die Außenkontakte eines Chip-Moduls zu einem späteren
Zeitpunkt aufgebracht. Der Ausgangswerkstoff, das Trägerband
mit dem Schichtaufbau Epoxyband-Nickel-Kupfer-Nickelschicht
enthält im Anlieferungszustand bereits beiderseits die
Weichgoldschicht, so daß chipseitig die Bondbarkeit, d. h. die
elektrische Verbindung des Chips, gewährleistet ist und kon
taktseitig die Grundlage für die Herstellung einer galvani
schen Metallschicht bzw. einer Hartmetallschicht vorliegt.
Die Chipmodulbänder werden anschließend vollständig montiert,
d. h. der Chip wird mechanisch befestigt und elektrisch über
Bonddrähte angeschlossen und als Abdeckung wird eine Kunst
stoffmasse (Globe-Top; Mold) über dem Chip mit dessen elek
trischen Anbindungen aufgebracht. Nachdem diese Struktur der
Chipseite nach außen hin vollständig aus Epoxid- bzw. Kunst
stoff besteht, setzen sich hier im folgenden galvanischen
Fertigungsschritt keine oder nur wenige Metallpartikel ab.
Durch die Galvanisierung der Chip-Modulbänder nach der voll
ständigen Montage ist somit die Chipseite bereits abgedeckt
und ein zusätzlicher Verfahrensschritt zum Abdichten erübrigt
sich.
Innerhalb der Galvanikanlage werden die von der bisherigen
Bandherstellung auf dem Epoxid vorhandenen elektrischen Lei
tungen (Leiterbahnen) genutzt, um Klemmelemente einer För
dereinheit der Galvanikeinrichtung zu kontaktieren. Somit
wird der elektrische Kreislauf zum Galvanisieren geschlossen.
Wird in einer vorteilhaften Ausgestaltung eine Hartgold
schicht galvanisch aufgebracht, so liegen deren Schichtdicken
bei 0,2 bis 0,5 µm. Da chipseitig der Modulaufbau elektrisch
isoliert ist, finden auf dieser Seite keine ungewollten Be
schichtungen mit Hartgold statt. Nach der galvanischen Bear
beitung werden die Chipmodul-Bänder in die Fertigung zurück
geführt. Hier findet das elektrische Freistanzen mit einer
anschließenden Vermessung der Chipmodule statt.
Im folgenden wird anhand von schematischen Figuren ein Aus
führungsbeispiel beschrieben.
Fig. 1 zeigt ein fertigmontiertes Chipmodul mit einseitiger
Kunststoffabdeckung.
Fig. 2 zeigt ein fertigmontiertes Chipmodul mit einer kon
taktseitig aufgebrachten Hartgoldschicht.
Fig. 3 zeigt eine partielle Ansicht eines Chipmodulsbandes
in einer Bandgalvanik.
In der Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines Chipmoduls
dargestellt. Dabei ist der Chip 5 über einen Chipkleber 4 auf
der Weichgoldschicht 2 montiert und über Bonddrähte 3 elek
trisch zur Gegenseite,d. h. durch das Epoxidband 7 hindurch,
kontaktiert. Unterhalb der Weichgoldschicht 2 befindet sich
eine Nickelschicht 1 und im Anschluß daran eine Kupferschicht
8. Auf der dem Chip abgewandten Seite der Kupferschicht 8
folgen wiederum eine Nickelschicht 1 und eine Weichgold
schicht 2. Die Anordnung wird mit einer Abdeckmasse 6 ge
schützt. Dies stellt somit den Zustand vor dem galvanischen
Verfahrensschritt dar.
Fig. 2 zeigt dieselbe Anordnung wie in Fig. 1, wobei eine
galvanische Metallschicht 9 dem Chip gegenüberliegend aufge
bracht wurde, also an der Unterseite 13 des Chipmoduls. Die
Oberseite 14 weist keinerlei metallische Abscheidungen auf.
Die erzeugte galvanische Metallschicht 9 kann beispielsweise
eine Hartgoldschicht sein. Dies ist aus technischen Gründen
bisher weitestgehend der Fall gewesen. Aus gestalterischen
Gründen kann jedoch auch gefordert werden, daß beispielsweise
eine Silberschicht aufgebracht wird. Darüber hinaus kann die
galvanische Schicht eine vorgegebene Farbe erhalten. Dies
kann durch die gezielte Auswahl von galvanisch abzuscheiden
den Substanzen geschehen.
Die Fig. 3 zeigt die Draufsicht auf eine Förderrolle 10 ei
ner Galvanikeinrichtung, insbesondere einer Bandgalvanik.
Diese Einrichtung ist im Prinzip aus zwei oder mehreren För
derrollen aufgebaut, wobei das Band im Galvanikbad über Klem
melemente 12 abschnittsweise kontaktiert ist. In diesem Fall
greifen die Klemmelemente 12 auf das Chipmodulband und kon
taktieren im wesentlichen die auf dem Epoxidband 7 vorhande
nen Leiterbahnen, die in vorhergehenden Fertigungsschritten
aufgebracht worden sind. Diese Leiterbahnen sind mit den Mo
dulen 11 verbunden, so daß sämtliche Unterseiten 13 der in
der Galvanik befindlichen Chip-Module 11 entsprechend ein
heitlich gepolt sind und somit die Elektrode darstellen, an
der sich die galvanische Metallschicht bildet. Die Oberseite
14 ist jeweils durch den sog. Globe-Top inertisiert. Die
Klemmelemente 12 werden auf einer dem Galvanikbad vorgeschal
teten Förderrolle 10 an das Chipmodul-Band herangeführt und
kontaktiert, laufen mit diesen durch das Galvanikbad hindurch
und werden auf der gegenüberliegenden Seite wiederum von dem
Chip-Modulband getrennt. Der Nachweis, daß das erfindungsge
mäße Verfahren eingesetzt wurde, läßt sich am fertigen Pro
dukt bzw. am Chipmodul über eine Schliffprobe in einfacher
Weise führen.
Bezugszeichenliste
1 Nickelschicht
2 Weichgoldschicht
3 Bonddraht
4 Schichtkleber
5 Chip
6 Abdeckmasse
7 Band/Tape
8 Kupferschicht
9 Galvanische Metallschicht
10 Förderrolle
11 Chipmodul
12 Klemmelement
13 Unterseite
14 Oberseite
2 Weichgoldschicht
3 Bonddraht
4 Schichtkleber
5 Chip
6 Abdeckmasse
7 Band/Tape
8 Kupferschicht
9 Galvanische Metallschicht
10 Förderrolle
11 Chipmodul
12 Klemmelement
13 Unterseite
14 Oberseite
Claims (3)
1. Verfahren zur Erzeugung einer einseitigen galvanischen Me
tallschicht zur Darstellung von galvanischen Außenkontakten
auf Chip-Modulbändern mit einem anfänglichen Standard-Schichtaufbau
aus Epoxid-Weichgold-Nickel-Kupfer-Nickel-Weichgold, einseitiger Bestückung mit einem Chip (5), der
elektrisch über Bonddrähte (3) kontaktiert ist, sowie chip
seitiger Abdeckmasse (6), wobei eine Vielzahl von auf dem
Epoxidband (7) gegenüberliegend angeordnet, nicht vereinzel
ten und durch elektrische Leiter untereinander verbundenen
Chipmodulen (11) über elektrische Klemmelemente (12) der Gal
vanikeinrichtung angeschlossen ist, die an beiden Seiten des
Bandes (7) angeordnet sind und die elektrischen Leiter des
jeweiligen Chipmoduls (11) kontaktieren, so daß die Untersei
te (13) des Chipmoduls (13) mit einer galvanischen Metall
schicht (9) belegt wird und die aus Kunststoff bestehende
Oberseite (14) frei bleibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, worin die galvanische Metall
schicht (9) eine Hartgoldschicht ist.
3. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, worin
die galvanische Metallschicht (9) eine vorgegebene Farbe er
hält.
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP1249787A1 (de) * | 2001-04-11 | 2002-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | IC Module für eine tragbare elektronische Vorrichtung |
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DE4232625A1 (de) * | 1992-09-29 | 1994-03-31 | Siemens Ag | Verfahren zur Montage von integrierten Halbleiterschaltkreisen |
DE4326816A1 (de) * | 1993-08-10 | 1995-02-16 | Giesecke & Devrient Gmbh | Elektronisches Modul für Karten und Herstellung eines solchen Moduls |
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1996
- 1996-09-19 DE DE19638371A patent/DE19638371C2/de not_active Expired - Fee Related
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EP1249787A1 (de) * | 2001-04-11 | 2002-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | IC Module für eine tragbare elektronische Vorrichtung |
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