DE19636492A1 - Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen Abscheidung dicker Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen Substraten - Google Patents
Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen Abscheidung dicker Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen SubstratenInfo
- Publication number
- DE19636492A1 DE19636492A1 DE1996136492 DE19636492A DE19636492A1 DE 19636492 A1 DE19636492 A1 DE 19636492A1 DE 1996136492 DE1996136492 DE 1996136492 DE 19636492 A DE19636492 A DE 19636492A DE 19636492 A1 DE19636492 A1 DE 19636492A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- rotor
- screen
- attached
- deformation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung
zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen
Abscheidung von Schichten auf elektrisch leitfähigen
Substraten
In der Mikrosystemtechnik werden für viele Anwendungen, zum
Beispiel für die Herstellung von optischen Komponenten durch
Spritzgußabformung, hochplanare Druckplatten benötigt. Diese
können zum Beispiel durch galvanische Abformung von in
Silicium eingeätzten Strukturen erzeugt werden. Bei der
galvanischen Abformung der geätzten Ausgangsstrukturen, die
meistens mit Kupfer, Nickel oder einer Nickellegierung
erfolgt, wird oft eine mehr oder weniger starke Verbiegung
der Galvanikschichten beobachtet. Die Verbiegung ist
besonders groß, wenn dickere Schichten von 0,5 bis ungefähr
5 mm auf dünnen flexiblen Substraten, wie zum Beispiel auf
0,5 mm dicken Siliciumwafern mit Durchmessern von ungefähr
100 mm und mehr abgeschieden werden. Diese können auch schon
vor dem Galvanisierprozeß mit Metallen, wie zum Beispiel
Cu, Ag und Au beschichtet sein. Die Ursache für die
Verbiegung der Schichten sind innere Spannungen, die sich
als Druck- und/oder Zugspannungen bemerkbar machen können.
Diese inneren Spannungen der Galvanikschichten werden von
folgenden Faktoren beeinflußt: Badzusammensetzung und
Konzentration der Zusätze, Stromdichte, Temperatur,
Stofftransport und Keimbildung auf der "plating-base" sowie
durch das Kristallwachstum der abgeschiedenen Stoffe. Für
die meisten dieser Faktoren ist die Ermittlung und die
kontrollierte Einstellung der optimalen Werte bezüglich
einer spanungsarmen Abscheidung sehr aufwendig und nicht
immer zuverlässig möglich. Die bestehenden Methoden, wie sie
beispielsweise in der Veröffentlichung von N. Kanani, W.
Riedel und R. Rolff in: Metalloberfläche, 1987, 41, 255-257
dargestellt sind, können entsprechend ihrem Meßprinzip,
der Meßempfindlichkeit, der Kalibrierungsmethode, der
Handhabung usw. eingeteilt werden und sind nach dem Prinzip
der Verformung durch einseitige Überzüge an dünnen Streifen
aufgebaut. Die Betriebsüberwachung der Abscheidung in der
Produktion ist bis dato nur unter erschwerten Umständen
möglich. Die bislang einzige Methode, das sogenannte
IS-Meter, wie es in dem Artikel von W. Siegert in
Metalloberfläche 1985, 39, 27 dargestellt wird, ist mit
relativ großen Ungenauigkeiten behaftet, insbesondere ist
die Übertragbarkeit der Ergebnisse auf großflächige
Substrate, beispielsweise Vier-Zoll-Siliciumwafer) sehr
unsicher. Ein weiterer großer Nachteil der bekannten
Verfahren zur Messung der inneren Spannungen besteht darin,
daß die Messung im allgemeinen nicht direkt an dem zu
beschichtenden Substrat durchgeführt wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren und die zugehörige
Vorrichtung zur flächigen galvanischen Abscheidung dicker
Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen Substraten
bieten den wesentlichen Vorteil, daß eine in-situ-Erfassung
und -Kontrolle der bei galvanischen Abscheidungsverfahren an
flexiblen Substraten auftretenden Schichtspannungen möglich
ist. Unter den vorher erwähnten Faktoren, die die inneren
Spannungen von Galvanikschichten beeinflussen, sind die
Stromdichte und die Konzentration der
spannungsbeeinflussenden Badzusätze besonders wichtig, da es
damit in vielen Fällen möglich ist, die Spannungen aus dem
Zug- in den Druckbereich zu verschieben.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es in neuartiger
Weise möglich, dicke, nahezu spannungsfreie
Galvanikschichten mit sehr gleichmäßiger
Schichtdickenverteilung aufflexiblen, elektrisch
leitfähigen Substraten abzuscheiden.
In besonders vorteilhafter Weise können dabei auch Substrate
aus verschiedenen Werkstoffen, wie zum Beispiel Metalle,
Metallegierungen oder elektrisch leitende Polymere, wie
z. B. Polyphenylacetylen ohne vorherige aufwendige
Präparation verwendet werden. Außerdem können nicht leitende
Substrate verwendet werden, die auf einer Seite mit
elektrisch leitfähigem Material, das zum Beispiel durch
Bedampfen, Besputtern etc. aufgebracht wird, beschichtet
sind.
Die Durchbiegung des Substrats wird direkt während des
Abscheidungsvorganges in vorteilhafter Weise an dem zu
beschichtenden Substrat gemessen. Dadurch werden Fehler
vermieden, die bei den anderen Verfahren durch
unterschiedliche Bedingungen am Meßaufnehmer einerseits und
an dem Schicht andererseits entstehen können. Dazu zählen
zum Beispiel die Strömungsverhältnisse, die Verteilung der
Stromdichte, der Grad der Durchbiegung etc. Die Aufzeichnung
der Durchbiegung von Substrat und Galvanikschicht während
des Materialauftrags kann bei der Aufbringung sehr dicker
Schichten zur Einstellung eines bestimmten
Verbiegungszustandes des Substrats in sehr vorteilhafter
Weise benutzt werden und zwar in der Gestalt, daß die
Abscheidungsbedingungen während des Aufbringens kontrolliert
verändert werden können.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind
vorteilhafte Weiterbildungen und Ausgestaltungen des
erfindungsgemäßen Verfahrens und der Vorrichtung möglich.
Durch die Verwendung eines taktilen Meßfühlers in der
Meßvorrichtung werden aufwendigere Vorrichtungen, wie z. B.
Infrarot- oder Lasermeßfühler vermieden, obgleich
selbstverständlich auch diese oder andere zur Längenmessung
geeigneten Meßfühler eingesetzt werden können, so daß die
Vorrichtung mit relativ einfachen und kostengünstigen
Mitteln betrieben werden kann.
In vorteilhafter Ausgestaltung ist die Meßvorrichtung an der
Mitte des Substrates angebracht, um die zentralsymmetrische
Auslenkung, die der Indikator für auftretende Druck- und
Zugspannungen in der abgeschiedenen Schicht ist, zu
verfolgen.
Die Halterung des Substrats besteht aus PMMA
(Polymethylmethacrylat), welches kostengünstig ist und
besonders leicht in - der jeweiligen Anwendung angepaßte -
Formen gebracht werden kann. Darüberhinaus ist es gegenüber
galvanischen Bädern chemisch resistent.
Eine andere vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung besteht
in der Verwendung von Blenden vor der Substrathalterung, die
beispielsweise die Form einer Rohrblende haben können, womit
der Stofftransport und die Stromdichte optimiert werden
können.
Eine überraschend effektive Weiterbildung der Vorrichtung
besteht im Anbringen eines Netzes aus Polypropylen an der
Öffnung der Rohrblende, wodurch nicht zentralsymmetrische
Verbiegungen des Substrats durch ungleichmäßige Abscheidung
vollständig vermieden werden können, da die Strömung in der
Rohrblende dadurch beruhigt werden kann. Selbstverständlich
kann das Netz aus jedem anderen Material, bevorzugterweise
Kunststoff hergestellt werden, welches gegenüber
galvanischen Bädern chemisch resistent ist. Ebenso ist es
natürlich möglich, das Netz innerhalb der Rohrblende
anzubringen.
Besonders vorteilhafte Weiterbildungen der Vorrichtung
insbesondere bei Galvanikverfahren, bei denen eine schnelle
Abscheidung im Vordergrund steht und somit der gleichmäßige
Stofftransport die dominierende Rolle spielt, können durch
überraschend einfache und effektive Vorrichtungen, wie z. B.
Installation eines zweiachsig gelagerten, pumpenbetriebenen
Rotors im Rohrblendenbecher, Umlaufabsaugung des
Elektrolyten in der Rohrblende oder ein innerhalb der
Rohrblende parallel zur Substratoberfläche bewegliches Netz
aus beispielsweise Polypropylen erreicht werden.
Damit ist ein homogener und zeitlich konstanter
Stofftransport ermöglicht, der wesentlich zum Erfolg des
erfindungsgemäßen Verfahrens beiträgt. Die Halterung des
Substrats kann senkrecht oder in jeder anderen Lage im
Galvanisierbad angeordnet sein.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Vorrichtung und des
Verfahrens ergeben sich aus den übrigen in den
Unteransprüchen genannten Merkmalen.
Die Erfindung wird nachfolgend in Ausführungsbeispielen
anhand der zugehörigen Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Galvanisierbad mit einer
Abscheidungsvorrichtung mit Strömungsberuhigung,
Fig. 2 ein erstes Profil einer abgeschiedenen
Nickelschicht,
Fig. 3 ein zweites Profil einer abgeschiedenen
Nickelschicht,
Fig. 4 ein Galvanisierbad mit einer Abscheidungsvorrichtung
mit einem beweglichem Netz innerhalb der Rohrblende,
Fig. 5 ein Galvanisierbad mit einer Abscheidungsvorrichtung
mit einer Abpumpvorrichtung für die Elektrolytlösung und
Fig. 6 ein Galvanisierbad mit einer Abscheidungsvorrichtung
mit einem in der Rohrblende angebrachten Rotor.
Fig. 1 zeigt ein Galvanisierbad 11 mit einer Vorrichtung
zur spannungsarmen oder spannungsfreien galvanischen
Abscheidung dicker Schichten. In einer Wanne 10,
beispielsweise aus Polypropylen, befindet sich eine
Elektrolytlösung 12. Die Elektrolytlösung 12 besteht aus
einer dem galvanischen Prozeß angepaßten Salzlösung,
beispielsweise aus der wäßrigen Lösung eines Nickelsalzes,
eines Kupfersalzes oder eines Goldsalzes oder eines
Salzgemisches. Selbstverständlich kann jede
Metallsalzlösung, die in galvanischen Prozessen verwendet
wird, eingesetzt werden. In diese Elektrolytlösung 12 taucht
eine Anode 13 aus einem üblichen Anodenmaterial ein, welches
dem betreffenden galvanischen Prozeß angepaßt ist.
Beispielsweise kann die Anode 13 aus einer
Nickel-Schwefelverbindung, aus Kupfer, oder einem anderen, in
galvanischen Prozessen verwendeten Material bestehen. Die
Kathode besteht aus dem mit der nicht dargestellten
elektrischen Spannungsquelle verbundenen, zu beschichtenden
Substrat 14. Dieses kann beispielsweise ein
Siliciumeinkristallwafer, eine Platte bestehend aus
elektrisch leitfähigen Polymeren, eine Kupfer-Beryllium-Folie
oder sonstige Materialien sein, die wenigstens auf
einer Seite leitfähig sind. Das Substrat 14 ist in einer
Halterung 15, die beispielsweise aus Polymethylmethacrylat
(PMMA) bestehen kann, mittels Dichtringen 16, die
beispielsweise aus Viton oder einem anderen chemisch
resistenten Material bestehen, so eingebaut, daß alle nicht
zu beschichtenden Bereiche flüssigkeitsdicht abgedeckt sind.
Die elektrische Kontaktierung des Substrats 14 erfolgt im
abgedeckten Randbereich. Um eine gleichmäßige
Schichtdickenverteilung zu erhalten, ist an der Halterung 15
des Substrats 14 eine Rohrblende 17 angebracht. Diese
Rohrblende 17 besteht aus Polymethylmethacrylat (PMMA). Die
Länge der Rohrblende 17 ist dem Durchmesser des Substrats 14
angepaßt und beträgt in etwa das 0.8 bis 1.6 fache,
vorzugsweise das 1 bis 1.2 fache des Durchmessers des
Substrats 14. Die Blenden können unterschiedliche Formen
haben und im Ausführungsbeispiel wird eine Rohrblende 17
verwendet. Ebenso können diese Blenden in, dem
Galvanisierprozeß entsprechend angepaßten, geeigneten
Positionen angeordnet sein. Zur Verhinderung einer nicht
zentralsymmetrischen Durchbiegung des Substrats 14 wird an
der Öffnung der Rohrblende 17 ein Netz 22, beispielsweise
aus Polypropylen, mit einer Maschenöffnung von
beispielsweise 250 µm angebracht. An der Rückseite der
Halterung 15 des Substrats 14 ist ein taktiler Meßfühler 18
so angebracht, daß er mit einem Anzeigegerät 19 verbunden
ist, welches den Spannungszustand der abgeschiedenen Schicht
51 frühzeitig erkennt. Durch diesen taktilen Meßfühler 18
wird die zentrale Auslenkung des Substrats 14 gemessen. Das
Ausgangssignal des taktilen Meßfühlers 18 wird aufgezeichnet
und der Galvanisierprozeß wird laufend überwacht und
kontrolliert verändert. Dies kann dann beispielsweise durch
Änderung der Stromdichte oder durch die Zugabe
spannungsbeeinflussender Zusätze erfolgen. Anstelle des in
Fig. 1 dargestellten taktilen Meßfühlers 18 kann auch eine
andere beliebige Längenmeßeinrichtung, z. B. mittels Infrarot
oder Laser eingesetzt werden.
Fig. 2 zeigt ein Abscheidungsprofil einer abgeschiedenen
Schicht 51 aus Nickel auf einem 100 mm Siliciumwafer mit
Hilfe einer Vorrichtung ohne ein vor die Rohrblende 17
gespanntes Netz 22 aus Polypropylen. Die Unregelmäßigkeit
der abgeschiedenen Schicht ist klar erkennbar.
Die Ordinaten M des Diagramms geben den Mittenabstand in mm
an. Auf der Abszisse D ist die Durchbiegung des Substrats
14, 51 in µm aufgetragen.
Fig. 3 zeigt ein Abscheidungsprofil einer abgeschiedenen
Schicht 51 aus Nickel auf einem 100 mm Siliciumwafer mit
Hilfe einer Vorrichtung mit einem vor die Rohrblende 17
gespannten Netz 22 aus Polypropylen. Die Regelmäßigkeit der
Bedeckung verglichen mit dem in Fig. 2 gezeigten ist sehr
gut ersichtlich. Die Bezeichnungen der Ordinaten und der
Abszisse sind dieselben wie in Fig. 2.
In Fig. 4 ist eine Weiterbildung der erfindungsgemäßen
Vorrichtung gezeigt, bei der innerhalb der Rohrblende 17 ein
bewegliches Netz 22 aus Polypropylen mit einer abgewinkelten
Schiebestange 23 installiert ist. Diese Vorrichtung,
bestehend aus dem Netz 22 und der Schiebestange 23 läßt sich
innerhalb der Rohrblende 17 in Pfeilrichtung P verschieben.
Dieses Verschieben, das heißt die Hin- und Herbewegung des
gespannten Netzes 22 innerhalb der Rohrblende 17 erfolgt mit
einem dem Verfahren und der Abscheidung angepaßten
optimierten Hub und entsprechender Geschwindigkeit, je nach
Substratverbiegung, welche über den taktilen Meßfühler 18 im
Anzeigegerät 19 ermittelt wird. Dabei wird das Netz 22 in
einem Bereich von 20 bis 5 mm vor dem Substrat mit 1-100
Hüben/min. hin- und hergeführt. Der weitere Aufbau des
Galvanisierbades 11 in Fig. 4 ist der gleiche wie in Fig.
1.
In der Fig. 5 ist die Rohrblende 17 dahingehend verändert,
daß in der Nähe des Substrats 14 Öffnungen 26 angebracht
sind. Diese befinden sich ca. 1-20 mm, vorzugsweise jedoch
3-10 mm vom Substrat entfernt. Dadurch kann über eine
Abpumpvorrichtung 29 mittels einer Pumpe 27 die
Elektrolytlösung 12 innerhalb der Rohrblende 17 vor dem
Substrat 14 entsprechend dem mit Hilfe des Anzeigegeräts 19
kontinuierlich überwachten Durchbiegeverhalten des Substrats
14 und der abgeschiedenen Schicht 51 während des
galvanischen Abscheidungsvorgangs, kontinuierlich abgesaugt
werden. Anschließend wird die Elektrolytlösung 12 über das
Einlaßrohr 28 wieder oberhalb der Blende 17 in das
Galvanisierbad 11 zurückgepumpt. Die Flußrichtung der
Elektrolytlösung 12 ist dabei durch den Pfeil F dargestellt.
Der weitere Aufbau des Galvanisierbades 11 in Fig. 5 ist
der gleiche wie in Fig. 1.
Fig. 6 zeigt eine Weiterbildung der Erfindung. Im Inneren
der Rohrblende 17, im Abstand von 1-10 mm, vorzugsweise 2-5 mm
von der Innenseite der Rohrblende 17 entfernt, ist
nunmehr ein Rotor 35 angebracht, der über eine Pumpe 27
betrieben wird. Dabei wird der Elektrolyt 12 über den
Ansaugstutzen 33 in Richtung der Pfeile, die mit F
bezeichnet sind, angesaugt und mittels des Einpumpstutzens
34 in den Rotor 35 eingepumpt. Auch hier zeigen die Pfeile F
die Flußrichtung des Elektrolyten an. Der Rotor 35 rotiert
dabei um seine Achse in Richtung des Pfeiles, der mit dem
Buchstaben T gekennzeichnet ist. An dem Rotor 35 sind zwei
Rotorblätter 38 und 39 mit einer Länge von 2 bis 20 cm
angebracht. Diese haben einen Abstand von 5 bis 30 mm zum
Substrat 14. Der Abstand der beiden Rotorblätter 38 und 39
voneinander beträgt 1-10 mm. Das Rotorblatt 38 ist
unbeweglich. Das Rotorblatt 39 ist beweglich und dreht sich
um seine Achse, deren Drehrichtung T durch einen Pfeil
gekennzeichnet ist. Die in das Rotorblatt 39 hineingepumpte
Elektrolytlösung 12, deren Flußrichtung durch die mit F
bezeichneten Pfeile dargestellt ist, tritt durch die
Austrittsöffnungen 32 wieder aus. Die derart wieder in das
Innere der Rohrblende 17 zurückgeführte Elektrolytlösung 12
tritt über die Öffnungen 40 an der Rohrblende 17 wieder in
das Galvanisierbad 11 aus. Durch diese Anordnung kommt es zu
einer Verwirbelung der Elektrolytlösung 12, die zu einem
homogenen Stoffaustausch über der Oberfläche des Substrats
14, 51 führt. Der Rotor 35 besitzt zwei Drehachsen, wodurch
eine zweifache Wirkung erzielt wird: einerseits bewirkt die
ausströmende Elektrolytlösung 12 die Zufuhr und Umwälzung
des Galvanisierbades 11 und andererseits wird durch die
Rührfunktion die Elektrolytlösung 12 bewegt. Hierbei müssen
folgende Parameter an die experimentellen jeweiligen
Bedingungen angepaßt werden, um zu einer optimalen
Abscheidung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren zu kommen:
Der Abstand des Rotors 35 zur Substratoberfläche 14 bestimmt
die Geschwindigkeit des Stoffaustausches. Vorteilhafterweise
beträgt dieser Abstand 5 bis 30 mm. Darüberhinaus ist auch
die durch die Pumpleistung bestimmbare Geschwindigkeit, mit
der Rotoren 35, 38 und 39 bewegt werden, für das
erfindungsgemäße Verfahren wichtig. Die Rotorgeschwindigkeit
liegt vorteilhafterweise zwischen 10 und 100 U/min,
bevorzugterweise zwischen 10 und 20 U/min. Weiterhin kann
die relative Drehgeschwindigkeit der zwei gekoppelten
Drehbewegungen durch die Wahl der Größe der Öffnungen 32
entsprechend variiert werden. Der Durchmesser der Öffnungen
32 beträgt zwischen 1 bis 10 mm, ganz besonders bevorzugt
zwischen 2 und 5 mm. Die Form der Rotorblätter 38 und 39 ist
in bevorzugter Ausführung schraubenförmig, kann jedoch
selbstverständlich alle möglichen Ausführungen umfassen.
Claims (22)
1. Verfahren zur Überwachung und Steuerung der flächigen
galvanischen Abscheidung von Schichten auf elektrisch
leitfähigen flexiblen Substraten, dadurch gekennzeichnet, daß
eine Verformung des Substrats (14, 51) während des
Galvanisiervorgangs direkt am Substrat gemessen und die
gemessene Verformung durch Variation der Verfahrensparameter
parallel zum Meßvorgang ausgeglichen wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
zentralsymmetrische Verformung des beschichteten Substrats (14,
51) gemessen wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Verfahrensparameter als Stromdichte und/oder Temperatur
und/oder Zugabe spannungsbeeinflussender Zusätze definiert sind.
4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß mit Cu, Ag, Au, CrCu beschichtete
Siliciumwafer als Substrate (14) verwendet werden.
5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Substrate (14) einseitig beschichtet
werden.
6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Verformung des beschichteten Substrats
(14, 51), auf der unbeschichteten Oberfläche mittig durch eine
mechanische Abtastung ermittelt wird.
7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Schichtdickenverteilung mit Hilfe von in
Form und Positionierung unterschiedlichen Blenden (17) gesteuert
wird.
8. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß durch eine gezielte Elektrolytbewegung eine
vorgegebene Schichtdickenverteilung erzielt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß
ein in oder an einer Rohrblende (17) angebrachtes vertikal
bewegliches Netz (22) aus Polypropylen, mit definiertem Hub und
definierter Geschwindigkeit vertikal hin- und herbewegt wird.
10. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der Elektrolyt (12) über Öffnungen (26) in
der Rohrblende (17) abgesaugt und mit kontrollierter Dosierung
in das Bad (11) zurückgepumpt wird.
11. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Elektrolytlösung (12) insbesondere im
Innern der Rohrblende (17) durch einen in der Rohrblende
angebrachten, zwei Drehachsen aufweisenden, pumpenbetriebenen
Rotor (35) verwirbelt wird.
12. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach einem der
vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß an der
Rückseite des Substrats (14) eine Meßvorrichtung (18, 19) zum
Messen der Substratauslenkung angebracht ist.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
die Meßvorrichtung einen taktilen Meßfühler (18) besitzt.
14. Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch
gekennzeichnet, daß die Meßvorrichtung die Mitte der Rückseite
des Substrates (14) erfaßt.
15. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 14, dadurch
gekennzeichnet, daß die zentralsymmetrische Auslenkung des
Substrates (14) gemessen wird.
16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 15, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Rohrblende (17) vor dem Substrat (14)
angebracht ist.
17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß
vor oder in der Rohrblende (17) ein festes oder senkrecht zur
Substratoberfläche bewegliches Netz (22) gespannt ist.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß
das Netz (22) aus einem gegenüber galvanischen Bädern
resistenten Kunststoff, insbesondere Polypropylen besteht.
19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 16, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Rotor (35) in der Rohrblende (17)
angebracht ist.
20. Vorrichtung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß
der Rotor (35) pumpenbetrieben ist.
21. Vorrichtung nach Anspruch 19 oder 20, dadurch
gekennzeichnet, daß der Rotor (35) zwei Drehachsen besitzt.
22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 12 bis 16,
gekennzeichnet durch eine vorzugsweise nahe dem Substrat (14)
angebrachte Absaugvorrichtung (29) am Blendenrohr.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996136492 DE19636492C2 (de) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen Abscheidung dicker Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen Substraten |
EP97110612A EP0828016A1 (de) | 1996-09-09 | 1997-06-28 | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen Abscheidung dicker Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen Substraten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1996136492 DE19636492C2 (de) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen Abscheidung dicker Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen Substraten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19636492A1 true DE19636492A1 (de) | 1998-03-12 |
DE19636492C2 DE19636492C2 (de) | 1999-01-21 |
Family
ID=7804998
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1996136492 Expired - Fee Related DE19636492C2 (de) | 1996-09-09 | 1996-09-09 | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen Abscheidung dicker Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen Substraten |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0828016A1 (de) |
DE (1) | DE19636492C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19736340C2 (de) * | 1997-08-21 | 1999-09-02 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Galvanikschichten auf elektrisch leitfähigen Substraten |
US6658818B2 (en) * | 2001-02-03 | 2003-12-09 | Hassia Verpackungsmaschinen Gmbh | Process and machine for dividing a multi-layered web utilized in aseptic packaging into a plurality of individual webs of equal width |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4012556C1 (de) * | 1990-04-17 | 1991-12-05 | Schering Ag Berlin-Bergkamen, 1000 Berlin, De |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3356605A (en) * | 1967-03-02 | 1967-12-05 | Gen Electric | Electrodeposition monitor |
US4786376A (en) * | 1988-01-05 | 1988-11-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Electrodeposition without internal deposit stress |
JP3124618B2 (ja) * | 1992-04-06 | 2001-01-15 | 株式会社リコー | 電鋳による薄板状複製型製造方法及び同装置 |
-
1996
- 1996-09-09 DE DE1996136492 patent/DE19636492C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-28 EP EP97110612A patent/EP0828016A1/de not_active Ceased
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4012556C1 (de) * | 1990-04-17 | 1991-12-05 | Schering Ag Berlin-Bergkamen, 1000 Berlin, De |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
Metalloberfläche 1985, (39), S.57-30 * |
Metalloberfläche 1987, (41), S.255-258 * |
Patents Abstracts of Japan, C-1129, Nov.15, 1993, Vol.17/No.617, Abstract zu JP 5-186898 (A) * |
Patents Abstracts of Japan, C-609, June 22, 1989, Vol.13/No.273, Abstract zu JP 1-68500 (A) * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19736340C2 (de) * | 1997-08-21 | 1999-09-02 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Galvanikschichten auf elektrisch leitfähigen Substraten |
US6658818B2 (en) * | 2001-02-03 | 2003-12-09 | Hassia Verpackungsmaschinen Gmbh | Process and machine for dividing a multi-layered web utilized in aseptic packaging into a plurality of individual webs of equal width |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE19636492C2 (de) | 1999-01-21 |
EP0828016A1 (de) | 1998-03-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69701561T2 (de) | Computergesteuerte elektrochemische bearbeitungsvorrichtung | |
DE3586435T2 (de) | Verfahren zur ueberwachung der konzentrationen von metallischen ionen in metallisierbaedern. | |
DE2757458C2 (de) | ||
EP0446742B1 (de) | Verfahren und Einrichtung zum Herstellen von Mikro-Schmelzstrukturen aus elektrisch leitendem Material auf Sondenspitzen sowie deren Verwendung | |
DE602005002054T2 (de) | Verfahren zum Nachweis von Testkörpern | |
EP0426980B1 (de) | Verfahren und Anordnung zum Betrieb einer Streicheinrichtung | |
DE19548115A1 (de) | Elektrochemisches Ätzverfahren für ein Halbleitersubstrat | |
DE2251344B2 (de) | Vorrichtung zur optischen untersuchung von fluessigkeiten | |
EP2652478B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bildung eines elektrolytfilmes auf einer elektrodenoberfläche | |
DE19636492C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen Abscheidung dicker Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen Substraten | |
DE69114388T2 (de) | Elektroplattierungszelle. | |
EP3593102A1 (de) | Messanordnung und verfahren zum messen von eigenschaften eines strömenden mediums | |
WO2003036269A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur bestimmung der benetzbarkeit einer oberfläche sowie deren verwendung | |
EP2495357B1 (de) | Einrichtung und Verfahren zur Messung der Geschwindigkeit oder der Stromausbeute bei der Abscheidung oder beim Abtrag von Oberflächen und zur darauf basierenden Prozesssteuerung | |
DE69313216T2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Messen des Streuvermögens eines Abscheidungselektrolyten mittels einer Drehelektrode | |
DE102013009203A1 (de) | Verfahren zur Beschichtung mit einem Verdampfungsmaterial | |
EP0022503B1 (de) | Vorrichtung zur Anzeige der metallspezifischen Beladung von Ionenaustauschern | |
DE102018004841B9 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur automatisierten Regelung der Ströme in einem Galvanikbad | |
DE102008061877B3 (de) | Vorrichtung zur Bestimmung von Prozessbedingungen bei der elektrochemischen Beschichtung eines Profilkörpers und Verfahren | |
DE102007015641A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Galvanisieren von Gegenständen | |
DE2222617A1 (de) | Nachweisvorrichtung fuer Gase und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Nachweisvorrichtung | |
DE2450134A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum testen von anoden | |
WO2018158200A1 (de) | Verfahren zur aerosoldeposition und vorrichtung | |
DE19755183A1 (de) | Mikro-Spaltzelle | |
DE102021113985A1 (de) | Verfahren zur herstellung hochgenau lokalisierter breitbandabsorber für 2d- und 3d-oberflächen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |