DE19736340C2 - Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Galvanikschichten auf elektrisch leitfähigen Substraten - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Galvanikschichten auf elektrisch leitfähigen SubstratenInfo
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- C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Herstellen einer
Galvanikschicht auf einer elektrisch leitfähigen Substrat
fläche, wobei die Vorrichtung eine Wanne für den Elektrolyten,
eine Anode, eine Gleichspannungsquelle und eine Halterung
aufweist, welche das Substrat so hält, daß höchstens die
genannte Fläche freiliegt, und ein Verfahren zum Herstellen
einer Galvanikschicht auf einer ebenen elektrisch leitenden
Substratfläche insbesondere unter Verwendung einer solchen
Vorrichtung. Im folgenden wird, was von der genannten Fläche
freiliegt, als freiliegende Fläche bezeichnet.
Die Nachfrage nach einheitlich dicken Galvanikschichten steigt
mit dem zunehmenden Trend zu engen Fertigungstoleranzen stän
dig. Gefragt sind auch immer mehr Galvanikschichten, die struk
turiert sind, d. h. ein Muster von galvanisierten Bereichen bil
den, das hergestellt wird, indem zunächst, beispielsweise
photolithographisch, die leitfähige Substratfläche mit einer
Maske aus einem nichtleitenden Material abgedeckt wird, wobei
die Maske das Negativ des Musters darstellt, das galvanisch
hergestellt werden soll. Einheitlich dicke Galvanikschichten
innerhalb enger Toleranzen herzustellen, ist bereits dann nicht
einfach, wenn die Schichten unstrukturiert sind. Dies gilt
insbesondere dann, wenn auch die physikalischen Eigenschaften
und die Zusammensetzung homogen sein sollen. Um solche
Schichten herzustellen, die auch noch strukturiert sind, war
bisher der apparative und verfahrensmäßige Aufwand erheblich.
Bekannt ist u. a. die Herstellung strukturierter Galvanikschich
ten mittels der Paddle-Zelle (US 5312532). Sie wurde für die Abscheidung
strukturierter Nickel/Eisen-Schichten entwickelt. In ihr sind
die runden oder rechteckigen Substrate horizontal eingebaut.
Dicht oberhalb der Kathodenoberfläche wird ein Paddel hin- und
herbewegt. Bei optimiertem Abstand des Paddels von der
Kathodenoberfläche und einer ausreichenden Geschwindigkeit der
Bewegung kann eine im Mittel gleichmäßige Bewegung des Elektro
lyten vor der Kathodenfläche erreicht werden. Um möglichst
gleichmäßig dicke Schichten abzuscheiden, muß eine Hilfselek
trode um das Substrat herum angeordnet werden. Erwünscht ist,
daß ein Teil der Abscheidung an der Hilfselektrode erfolgt,
weil sich dadurch die Schichthomogenität verbessern läßt. Da
aber oft auf der Hilfselektrode mehr Metall als auf dem Sub
strat abgeschieden wird, geht beim Abscheiden dicker Schichten
viel Metall verloren, und seine Entfernung von der Hilfselek
trode ist aufwendig. Die Substrathalterung für das Galvanisie
ren eignet sich nicht als Halterung für das Vor- und
Nachbehandeln.
Eine andere bekannte Vorrichtung ist der Fountain-Plater. Bei
ihm wird - wie bei einem Springbrunnen - der Elektrolyt von
unten durch ein senkrecht stehendes Rohr gepumpt und fließt
oben mit einem Schwall über den Rohrrand. Die Anode ist im
unteren Teil des Rohrs als inertes Netz angeordnet. Das Rohr
dient gleichzeitig als Stromblende. Das als Kathode geschaltete
Substrat wird so auf den Elektrolytschwall aufgesetzt, daß nur
die Substratunterseite, die galvanisiert werden soll, benetzt
wird. Dabei wird das Substrat langsam gedreht. Da die zu
beschichtende Fläche nach unten hängt, besteht die Gefahr, daß
Gasblasen, die sich während des Galvanisierens bilden, insbe
sondere wenn zwischen dicken Lackstrukturen galvanisiert werden
soll, nicht bzw. nicht ohne Spuren zu hinterlassen, entweichen
können. Da die Kontaktstellen nicht zuverlässig abgedeckt wer
den können, treten auch bei Verwendung des Fountain-Platers
Fehlabscheidungen mit den oben beschriebenen Folgen auf. Wenn
die Substratränder unvollständig lackiert sind, kann es durch
die Fehlabscheidungen bei dicken Galvanikschichten zum festen
Anwachsen der Schicht an den Kontaktstellen kommen. Auch beim
Fountain-Plater eignet sich die Substrathalterung für das Gal
vanisieren nicht als Halterung für das Vor- und Nachbehandeln.
Eine bekannte Vorrichtung für die Herstellung von CDs arbeitet
auch mit rotierender Kathode, die nur auf ihrer Unterseite be
schichtet wird. Die Unterseite ist um 45° geneigt. Der Elektro
lyt strömt durch einen relativ schmalen Zwischenraum zwischen
der Kathode und der ebenfalls um 45° geneigten Anode. Sollen
dicke Galvanikschichten erzeugt werden, d. h. ist die Lackstruk
tur zwischen etwa 0,05 und 1 mm dick, ist mit Wirbelbildung an
den Lackkanten zu rechnen. Wegen den unterschiedlichen Winkel
geschwindigkeiten kann das zu erheblichen Inhomogenitäten in
der Schicht führen.
Es ist die Aufgabe der Erfindung, eine einfache Vorrichtung und
ein einfaches Verfahren zum Herstellen von relativ dicken
strukturierten Galvanikschichten auf einem Substrat anzugeben,
wobei Metall nur auf der zu beschichtenden Fläche abgeschieden
wird, und ein beachtlicher Schichtdickenunterschied zwischen
Schichtmitte und Schichtrand vermieden wird.
Diese Aufgabe wird mit einer Vorrichtung der eingangs genannten
Art gelöst, bei der zu der Halterung eine weitere Wanne gehört,
deren Boden mindestens teilweise die freiliegende Fläche bildet
und deren seitlicher Begrenzung eine Blende anliegt, welche die
Peripherie der freiliegenden Fläche einrahmt und über den
Randbereich der freiliegenden Fläche überhängt (im folgenden
als überhängende Blende bezeichnet), und bei der gegebenenfalls
Mittel zum Bewegen des Elektrolyten in der weiteren Wanne
vorgesehen sind, und mit einem Verfahren der eingangs genannten
Art gelöst, bei dem auf die zu beschichtende Substratfläche
eine Abdeckmaske aufgebracht wird, welche das Negativ einer
herzustellenden galvanisierten Struktur darstellt, und in
welcher die den herzustellenden Strukturelementen
entsprechenden Öffnungen möglichst gleichmäßig verteilt sind.
Die Verteilung ist dann gleichmäßig, wenn auf allen
Flächenbereichen das Verhältnis von bedeckter zu freier
Oberfläche gleich ist.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung läßt sich vorteilhaft bei der
Herstellung einheitlich dicker Galvanikschichten und zwar
sowohl unstrukturierter als auch - insbesondere in Verbindung
mit dem erfindungsgemäßen Verfahren - strukturierter einsetzen.
Erste Voraussetzung für eine gleichmäßige Schichtdicke ist eine
möglichst homogene Stromdichtenverteilung über der zu beschich
tenden Fläche. Die weitere Wanne, insbesondere, wenn sie Zylin
derform hat, hilft die Stromdichteverteilung zu optimieren.
Überraschenderweise wird mit dem erfindungsgemäßen Verfahren
offenbar wegen der speziellen Ausgestaltung der Abdeckmaske die
Schichtdickenhomogenität von strukturierten Galvanikschichten
besonders gefördert. Allerdings sind im Randbereich der frei
liegenden Fläche Ungleichmäßigkeiten in der Abdeckmaske schwer
zu vermeiden, was unerwünschte Überwachsungen verursacht. Die
überhängende Blende dient der Abblendung der Randbereiche und
vermindert dadurch überraschenderweise solche unerwünschten
Überwachsungen. Bei vielen Anwendungen sind nicht nur eine
gleichmäßige Schichtdicke, sondern auch einheitliche physikali
sche Eigenschaften und bei Legierungen außerdem eine einheit
liche Zusammensetzung erwünscht. Dazu ist eine gleichmäßig
dicke Diffusionsschicht erforderlich. Sie läßt sich mit einer
gleichmäßigen Elektrolytbewegung vor der Kathode erreichen,
wobei die Bewegung so stark sein muß, daß keine Begrenzung des
Stofftransports auftritt. Mit zunehmender Stärke der Bewegung
erhöht sich aber auch die Gefahr, daß die Bewegung ungleich
mäßig wird und sich beim Herstellen von relativ dicken struk
turierten Schichten Wirbel an den Kanten der dabei relativ
dicken Abdeckmaske bilden, was eine ungleichmäßige Randüber
höhung zur Folge hat. Die erfindungsgemäße Vorrichtung ist
außerdem dadurch vorteilhaft, daß als Wanne für den Elektro
lyten jedes übliche Galvanikbecken eingesetzt werden kann. Alle
wesentlichen Zusatzeinrichtungen, wie die Anode oder die Mittel
zum Bewegen, sind entweder in die Substrathalterung integriert
oder können leicht von oben eingebracht werden. Bei Reparaturen
oder Änderungen ist der Aufwand gering.
Zur Abdichtung der Flächen des Substrats, die nicht galvani
siert werden sollen, ist es günstig, wenn die freiliegende
Fläche eine kreisrunde Umfangslinie hat. Diese Form erleichtert
auch das Erzielen einer gleichmäßigen Schichtdicke, insbesonde
re dann, wenn die seitliche Begrenzung der weiteren Wanne eine
Rohrblende, deren Querschnitt sich mit der freiliegenden Fläche
deckt, und die überhängende Blende eine Ringblende ist.
Wird der Elektrolyt bewegt, ist es vorteilhaft, wenn über die
freiliegende Fläche in geringem Abstand (beispielsweise 5 bis
10 mm), von ihr ein Wabennetz oder eine ähnliche dreidimen
sionale Struktur gespannt ist, welches zur Elektrolytberuhigung
beiträgt. Das Aspektverhältnis des Wabennetzes muß dabei so
gewählt werden, daß großflächige Strömungsinhomogenitäten nicht
bis zur Substratoberfläche durchdringen können.
Um beim Herstellen strukturierter Galvanikschichten beachtliche
Inhomogenitäten der Schichtdicke auch auf den einzelnen Struk
turelementen zu vermeiden, ist es mit und ohne Elektrolytbewe
gung vorteilhaft, wenn über der freiliegenden Fläche eine mit
einem Muster durchgehender Öffnungen versehene Blende
angeordnet ist, wobei das Muster dieselbe Ausbildung wie eine
vorgesehene Struktur aus dem Galvanikmaterial auf dem Substrat
hat, die Öffnungen in der Blende aber kleiner als die
entsprechenden Strukturelemente sind, und das Muster und die
Struktur so zueinander justiert sind, daß die Öffnungen den
entsprechenden Strukturelementen gegenüberliegen.
In vorteilhafter Weise sind die Blenden und das Netz aus Poly
methylmethacrylat (PMMA), Polypropylen (PP), photostrukturier
barem Glas, wie Futuran®, oder ähnlichen Materialien
hergestellt, dabei ist insbesondere PMMA kostengünstig, leicht
formbar und chemisch resistent.
Um den optimalen Abstand zwischen der Oberfläche der herzustel
lenden Galvanikschicht und der überhängenden und der mit einem
Muster durchgehender Öffnungen versehenen Blende einzuhalten,
ist es vorteilhaft, wenn die beiden Blenden fest miteinander
verbunden sind.
Zur Bewegung des Elektrolyten sind ein in die Rohrblende
hineinreichender Rührer, oder alternativ eine Absaugung über
einen Ringkanal am substratseitigen Ende der seitlichen
Begrenzung oder als weitere Alternative ein Vibrator oder ein
Ultraschallschwinger günstig, der den Elektrolyten in der
weiteren Wanne oder die Halterung in Schwingungen versetzt.
Um Gradienten in der Schichtdicke und/oder der Legierungszusam
mensetzung zu vermeiden, und damit Gasblasen, ohne Spuren zu
hinterlassen, nach oben entweichen können, ist es vorteilhaft,
wenn die Halterung im Elektrolyten so angeordnet ist, daß die
Normale der freiliegenden Fläche etwa senkrecht nach oben weist
oder wenn die Halterung im Elektrolyten so angeordnet ist, daß
die freiliegende Fläche im Elektrolyt etwa senkrecht steht und
dabei die Halterung um eine etwa senkrecht zur freiliegenden
Fläche verlaufende Achse rotieren kann. Im letzteren Fall
können auch Verunreinigungen von der Substratoberfläche
abgelöst werden.
Das Substrat kann nicht nur während des Galvanisierens sondern
auch während der Vor- und Nachbehandlungen in die erfindungsge
mäße Halterung eingebaut sein, d. h. ein Halterwechsel ist
während des ganzen Prozesses nicht nötig. Da die freiliegende
Fläche je nach der Behandlung entweder senkrecht oder waagerecht
ausgerichtet ist, ist es vorteilhaft, wenn eine mit der
Halterung verbundene Kippanordnung vorhanden ist, mittels der
die Halterung um 90° geschwenkt werden kann.
Macht der Zweck, für den die strukturierte Schicht bzw. die
Strukturelemente benötigt wird (werden), eine gleichmäßige Ver
teilung der Strukturelemente schwierig, können zur Verbesserung
der Gleichmäßigkeit der Verteilung in die Abdeckmaske Öffnungen
zur Erzeugung von Hilfsstrukturen eingebracht werden.
Zum Erzielen einer homogenen Schichtdicke ist es darüber hinaus
günstig, wenn etwa 5 bis etwa 50% der freiliegenden Fläche mit
der Abdeckmaske bedeckt werden und wenn bevorzugt Strukturele
mente mit Durchmessern zwischen etwa 0,1 und etwa 20 mmm vorge
sehen werden.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich vorteilhaft
strukturierte Galvanikschichten herstellen, die zwischen etwa 5
und etwa 1000 µm dick sind, d. h. innerhalb des für technische
Anwendungen besonders interessanten Dickenbereichs liegen.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren werden bevorzugt insbeson
dere reine Metalle, wie Kupfer, Nickel, Gold und Zinn, oder
Legierungen, wie Nickel-Cobalt mit einem Cobaltgehalt zwischen
etwa 5 und etwa 50 Gew.-% und Nickel-Eisen mit einem Eisen
gehalt zwischen etwa 5 und etwa 50 Gew.-%, abgeschieden.
Es ist vorteilhaft, wenn bei einer Stromdichte im Bereich
zwischen etwa 5 und etwa 50 mA/cm2 galvanisiert wird. In diesem
Bereich werden die gewünschten Schichtdicken innerhalb vertret
barer Zeiten erreicht, wobei mit zunehmender Stromdichte
allerdings eine Verschlechterung der Schichtdickenhomogenität
in Kauf genommen werden muß.
Das erfindungsgemäße Verfahren eignet sich in vorteilhafter
Weise dazu, dreidimensionale Teile mit speziellen Formen
herzustellen, indem die Prozeßfolge: Bereitstellung einer
Abdeckmaske und Galvanisieren ein- oder mehrfach wiederholt
wird und dabei die Abdeckmasken und die Schichtdicken
entsprechend den herzustellenden Strukturen variiert werden.
Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen
Vorrichtung und des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in den
Unteransprüchen aufgeführt.
Die Erfindung wird nachfolgend anhand von durch die Zeichnung
erläuterten Ausführungsbeispielen beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 in schematischer Querschnittsdarstellung eine Ausfüh
rungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung, bei der die Hal
terung mit einer Rohr- und einer Ringblende ausgestattet ist,
Fig. 2 in schematischer Querschnittsdarstellung eine andere
Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung, bei der die
Halterung mit einer Rohr- und einer Ringblende ausgestattet
ist, in welche eine mit einem Muster durchgehender Öffnungen
versehene Blende integriert ist, und
die Fig. 3-5 in schematischen Querschnittsdarstellungen
strukturierte Galvanikschichten, die mit der in der Fig. 1
gezeigten Vorrichtung, mit der in der Fig. 2 gezeigten
Vorrichtung bzw. mit einer Vorrichtung hergestellt worden sind,
die weder eine Rohr- noch eine Ringblende aufweist.
Die Erfindung wird anhand der Behandlung eines einseitig
metallisierten dielektrischen Substrats beschrieben, welches
die Form einer dünnen runden Platte hat, wobei auf der Metall
schicht ein bevorzugt photolithographisch oder mittels Excimer
laserablation aufgebrachtes Maskenmuster aus einem polymeren
Lack aufgebracht ist, das mit dem Negativ der herzustellenden
strukturierten Galvanikschicht identisch ist. Die Lackdicke ist
einheitlich und liegt bevorzugt im Bereich zwischen etwa 5 und
500 µm und ist nicht oder nicht wesentlich dünner als die Soll
dicke der Galvanikschicht. Die herzustellenden Strukturelemen
te haben bevorzugt eine Abmessung im Bereich zwischen etwa 0,1
und etwa 20 mm und bedecken bevorzugt zwischen etwa 50 und etwa
95% der Metallschicht, wobei die Strukturelemente möglichst
gleichmäßig über die Metallschicht verteilt sind. Ein schmaler
Rand der Metallschicht ist entlang deren Umfangslinie lackfrei.
Es sei klargestellt, daß die beschriebene Vorrichtung und das
beschriebene Verfahren zwar besonders vorteilhaft sind. Jedoch
sind Abwandlungen im Rahmen des fachmännischen Handelns ohne
weiteres möglich. Auch andere Substrate, wie beispielsweise
eckige, sind erfindungsgemäß galvanisierbar.
Die in der Fig. 1 beschriebene Vorrichtung 1 weist eine Wanne 2
für den Elektrolyten 3 auf, in welchen die Halterung 4 für das
Substrat 5 und die an die Spannungsquelle angeschlossene Anode
6 eintauchen. Die Position der Anode 6 ist nicht kritisch. Die
bevorzugt aus einem Kunststoff, wie PMMA oder PP, oder einem
ähnlichen nicht leitenden Material bestehende Halterung 4 ist -
aus einem zylindrischen Gehäuse 8 mit zwei offenen Enden und
einem Verschluß 9 zusammengesetzt, welcher auf das eine
Gehäuseende aufgeschraubt werden kann, das dabei verschlossen
wird. Das Innere des Gehäuses besteht aus drei konzentrisch mit
dem Gehäuse angeordneten zylindrichen Abschnitten. Der
verschlußseitige Abschnitt 10 hat einen Durchmesser, der etwas
größer als der des Substrats ist. Der Durchmesser des sich
anschließenden mittleren Abschnitts 11 ist etwas kleiner als
der des Substrats, d. h. er bildet einen Überhang über den
Abschnitt 10. An der Unterseite des Überhangs ist konzentrisch
mit den zylindrischen Bereichen ein Edelstahlring 12
angebracht, der mit dem Minuspol der Spannungsquelle verbunden
ist und dessen Innenwand einen Durchmesser hat, der etwas
größer ist als der Durchmesser des Abschnitts 11, wobei der
untere Bereich der Innenwand soweit aufgeweitet ist, daß ihr
Durchmesser dort etwas größer als der des Substrats ist. In die
Aufweitung ist eine Spiralfeder 18, beispielsweise aus einer
Kupferlegierung, eingelegt. Der Durchmesser des Abschnitts 13
am anderen Ende des Gehäuses ist so groß, daß in ihn eine
Rohrblende 14 gesteckt werden kann, deren Innendurchmesser etwa
gleich dem des mittleren Abschnitts ist. Das aufgesteckte Ende
der Rohrblende ist durch eine auf das Rohrende aufgesetzte mit
ihr konzentrische Ringblende 15 verengt und ein Netz 16 ist
über das aufgesteckte Ende gespannt.
Zum Einlegen des Substrats in die Halterung wird das Gehäuse
bei abgeschraubtem Verschluß auf das vom Gehäuse abgewandte En
de der Rohrblende gestellt. In den verschlußseitigen Abschnitt
10 wird mit ihm etwa konzentrisch eine Ringdichtung 17 mit
rechteckigem oder rundem Querschnitt und einem Innendurchmes
ser, der gleich dem des Abschnitts 11 ist, und einer Höhe
gelegt, die diejenige des Edelstahlrings 12 übersteigt. Auf die
Ringdichtung und konzentrisch mit ihr wird das Substrat mit der
Metallschicht nach unten gelegt. Die Metallschicht wird wird
über ihren lackfreien Randbereich mittels der Spiralfeder 18
elektrisch kontaktiert. Ein zweiter Edelstahlring 19, der etwa
denselben Außendurchmesser hat wie der Edelstahlring 12 wird
konzentrisch mit diesem auf den Randbereich der von der Metall
schicht abgewandten Substratfläche aufgelegt und am Edelstahl
ring 12 festgeschraubt. Dadurch wird das Substrat gegen die
Ringdichtung 17 und die Spiralfeder 18 gedrückt. Dann wird der
Verschluß auf das Gehäuse aufgeschraubt. Die zusammengepreßte
Dichtung und eine zwischen dem Gehäuse und dem Verschluß ein
gelegte Dichtung 20 verhindern, daß der Elektrolyt mit der Spi
ralfeder, den Edelstahlringen, der Seitenfläche des Substrats
und seiner von der Metallschicht abgewandten Fläche in
Berührung kommt.
Die Halterung wird mit der waagrecht liegenden Metallschicht
nach oben in der Wanne 2 gehalten, wobei der obere Rand der
Rohrblende unterhalb der Elektrolytoberfläche liegt.
Der Abstand der Ringblende von der Oberfläche der herzustel
lenden Galvanikschicht liegt zwischen etwa 1 und etwa 10 mm.
Ein Rührer 21, dessen Antrieb nicht gezeigt ist, ragt von oben
in die Rohrblende hinein. Der Rührer ist nur ein Beispiel, um
eine ausreichende Bewegung des Elektrolyten über der Metall
schicht zu gewährleisten. Eine andere Möglichkeit ist das seit
liche Absaugen des Elektrolyten über einen Ringkanal am sub
stratseitigen Ende der Rohrblende, wobei die Absaugung auf der
vom Substrat abgewandten Seite der Ringblende oder bevorzugt
zwischen Substrat und Ringblende erfolgen kann. Beim Durchsau
gen des Elektrolyten durch die Rohrblende liegt die Geschwin
digkeit bevorzugt zwischen etwa 20 und etwa 50 cm/min. Es ist
auch möglich, einen Vibromax-Rotationsschwinger
oder einen Ultraschallschwinger
einzusetzen, wobei entweder die Halterung oder der Elektrolyt
innerhalb der Rohrblende in Schwingungen versetzt wird.
Die in der Fig. 2 gezeigte Vorrichtung unterscheidet sich von
der in der Fig. 1 gezeigten nur dadurch, daß statt des Netzes
eine Blende 22 vorgesehen ist, die - bevorzugt - fest mit der
Ringblende verbunden ist und die ein Muster aus durchgehenden
Öffnungen 24 aufweist. Das Muster hat dieselbe Ausbildung wie
die in der Galvanikschicht vorgesehene Struktur 25, die Öffnun
gen 24 sind aber kleiner als die entsprechenden Strukturelemen
te 26, die durch ein Lackmuster 27 begrenzt sind. Das Muster
und die Struktur sind so zueinander justiert, daß die Öffnungen
den entsprechenden Strukturelementen gegenüberliegen.
Alternativ zu der in den Fig. 1 und 2 gezeigten horizontalen
Lage der Halterung kann diese auch um 90° gekippt sein. Die
Halterung ist bei dieser Anordnung mit einem Antrieb versehen,
mit dem die Halterung während des Galvanisierens um die
Zylinderachse des Gehäuses gedreht wird.
Bei der Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird
zunächst auf die zu beschichtende Substratfläche die oben
genannte Lackmaske aufgebracht. Lassen sich die benötigten
Strukturelemente nicht gleichmäßig über die freiliegende Fläche
verteilen, kann durch eine entsprechende Modifikation der
Lackmaske das Einfügen von Hilfsstrukturen vorgesehen werden.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können reine Metalle, wie
Kupfer, Nickel, Gold und Zinn, und Legierungen, wie Nickel-
Cobalt, Nickel-Eisen mit etwa 5 bis etwa 50 Gew.-% Cobalt bzw.
Eisen abgeschieden werden.
Oft verwendete Elektrolyten zum Abscheiden von Nickel- oder
Nickellegierungsschichten enthalten 50 bis 120 g Nickel/l in
Form des Sulfamats und Zusätze, wie Borsäure, Netzmittel und
ggf. Glanzbildner, sowie ggf. Salze von Legierungskomponenten,
wie Cobalt oder Eisen.
Die angewandte Stromdichte liegt bevorzugt zwischen etwa 5 und
etwa 50 mA/cm2.
Sollen die physikalischen Eigenschaften der Galvanikschicht und
bei einer Legierungsschicht außerdem die Schichtzusammensetzung
einheitlich sein, muß aus den oben angegebenen Gründen der
Elektrolyt vor der Kathode gleichmäßig bewegt werden. Falls die
Bewegung stark sein muß, besteht die Gefahr, daß bei den ange
wandten Lackdicken an den Lackkanten Wirbelbildung auftritt,
die Randüberhöhungen zur Folge hat, und daß allgemein die
Elektrolytbewegung ungleichmäßig wird. Parameter, welche zur
Elektrolytberuhigung vor der Kathode beitragen, sind die
Maschenweite des Netzes, sein Abstand von der Kathode und sein
Zusammenwirken mit der Rohrblende. Die durch Wirbelbildung
verursachte Randüberhöhung liegt, wenn keine Vorkehrungen dage
gen getroffen werden, beim Galvanisieren von ungefähr 100 µm
dicken, strukturierten Schichten ungefähr bei 30%. Überraschen
derweise wurde gefunden, daß die an diesen Schichten gemessene
Randüberhöhung bei optimaler Ausgestaltung der Ringblende be
züglich ihres Abstands von der Lackschicht und ihres Überhangs
über den Randbereich der freiliegenden Fläche und des Netzes
und bei optimaler Einstellung von Elektrolytbewegung und Strom
dichte durch das Zusammenwirken dieser Parameter untereinander
und mit der gleichmäßigen Verteilung der Strukturelemente bis
auf 3% abgesenkt werden kann. Die Fig. 3 und 5 zeigen struktu
rierte Schichten, die mit Vorrichtungen, wie sie die Fig. 1
zeigt, erzeugt wurden, wobei jedoch bei der Herstellung der
Schicht gemäß Fig. 5 die Rohr- und die Ringblende fehlte.
Wie der Vergleich zwischen den Fig. 3 und 5 zeigt, ist die
Ringblende nur im Randbereich der Substratoberfläche wirksam.
Die Schichtbereiche auf den Strukturelementen zeigen trotz des
Netzes 12 Randaufwachsungen. Eine Einebnung auch bei den Struk
turelementen läßt sich mit der in der Fig. 2 gezeigten
Vorrichtung erreichen. Die Fig. 4 illustriert das Ergebnis.
Die Dicke der Galvanikschicht wird mit einem Profilometer
und bei Schichtdicken <20
µm mit einem Röntgenfluoreszenz-Schichtdickenmeßgerät
(Fischerscope X-Ray 1600)
gemessen. Mit diesem Gerät lassen sich bei Ver
wendung einer speziellen Anwendungssoftware auch die Zusammen
setzung von Nickel-Cobalt- und Nickel-Eisenlegierungen
bestimmen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand von zwei Beispielen und
einem Vergleichsbeispiel weiter veranschaulicht. Es wurden je
weils 5 Gew.-% Cobalt enthaltende Nickel-Cobaltlegierungs
schichten auf einer mit einer dünnen Nickelschicht versehenen
runden Substratscheibe mit einem Durchmesser von etwa 100 mm
aufgebracht. Die festgelegte Schichtdicke lag bei 100 µm. Die
erzeugte Struktur bestand aus gleichmäßig auf der Struktur
verteilten runden Strukturelementen mit einem Durchmesser von 9
mm. Mit den Strukturelementen waren 55% der freiliegenden
Nickelschicht bedeckt.
Außer daß kein Rührer verwendet wurde, sondern der Elektrolyt
über einen Ringkanal zwischen Ringblende und Substrat abgesaugt
wurde, wurde eine Vorrichtung verwendet, wie sie die Fig. 1
zeigt. Die in dem Ringkanal gemessene Absauggeschwindigkeit lag
bezogen auf den Querschnitt der Rohrblende bei 35 cm/min. Die
Rohrblende hatte einen inneren Durchmesser von 90 mm. Die Ring
blende hatte von der Oberfläche der Lackschicht 3 mm Abstand
und hing etwa 2,9 mm über die freiliegende Fläche.
Die Nickelschicht wurde photolithographisch mit einer etwa 100
µm dicken Lackstruktur versehen, die das Negativ der herzustel
lenden strukturierten Galvanikschicht darstellte.
Nach dem Einbau des Substrats in die Halterung wurde diese im
Elektrolyten so plaziert, daß die Nickelschicht nach oben
gerichtet war. Der Elektrolyt enthielt 80 g Nickel/l in Form
des Sulfamats und 1 g Cobalt/l ebenfalls in Form des Sulfamats.
Außerdem enthielt der Elektrolyt 30 g Borsäure/l und als Netz
mittel 0,1 g Kaliumsalz einer fluorierten Sulfonsäure/l. Es
wurde bei einer Stromdichte von 30 mA/cm2 galvanisiert. Nach
einer Galvanisierdauer von 240 min. war die festgelegte
Schichtdicke gemessen in der Mitte eines Strukturelements in
der Mitte des Substrats erreicht. An der hergestellten
strukturierten Galvanikschicht, wurden die Schichtdicken am
Rand und in der Mitte des Substrats (jeweils 5 Messungen) und
bei mehreren Strukturelementen sowohl am Rand als auch in der
Mitte des Elements ermittelt. Erhalten wurde eine Schicht
dickenverteilung, wie sie die Fig. 3 schematisch wiedergibt. In
der Tabelle sind die gemessenen Schichtdickenüberhöhungen
(gemittelt) aufgeführt. An einigen der genannten Stellen wurde
auch die Schichtzusammensetzung stichprobenartig gemessen. Sie
war zufriedenstellend einheitlich.
Beim Beispiel 2 waren alle Bedingungen gleich wie beim Beispiel
1, außer daß die in der Fig. 2 gezeigte Vorrichtung eingesetzt
wurde. Die strukturierte Blende hatte von der Oberfläche der
Lackschicht einen Abstand von 3 mm und die Musterelemente in
der Blende hatten einen Durchmesser von 15 mm und hingen
ungefähr 2,8 mm über die herzustellenden Strukturelemente über.
An der hergestellten Galvanikschicht wurden die im Beispiel 1
beschriebenen Messungen durchgeführt. Erhalten wurde eine
Schichtdickenverteilung, wie sie die Fig. 4 schematisch
wiedergibt. Die gemessenen Ergebnisse (gemittelt) sind in der
Tabelle aufgeführt. Die Einheitlichkeit der Schichtzusammen
setzung war noch besser als beim Beispiel 1.
Zum Vergleich wurde das bei den Beispielen 1 und 2 verwendete
Substrat - abgesehen davon, daß die Vorrichtung keine Rohr- und
keine Ringblende aufwies - unter denselben Bedingungen wie im
Beispiel 1 angegeben galvanisiert. Die erzeugte Galvanikschicht
zeigte eine Schichtdickenüberhöhung im Randbereich des Sub
strats und Schichtdickenüberhöhungen im Randbereich der
Strukturelemente wie sie schematisch die Fig. 5 wiedergibt. Die
gemessenen Ergebnisse sind in der Tabelle aufgeführt. Die
Messung der Schichtzusammensetzung ergab, daß der Cobaltgehalt
am Substratrand niedriger war, als in der Substratmitte.
Die gemessenen Ergebnisse bestätigen, was die Fig. 3 bis 5
schematisch zeigen, daß nämlich mit der erfindungsgemäßen Vor
richtung und dem erfindungsgemäßen Verfahren durch das Zusam
menwirken von Netz, Rohr- und Ringblende, der gleichförmigen
Verteilung der Strukturelemente auf der Metallschicht und der
Verfahrensparameter, wie Stromdichte und Elektrolytbewegung
Schichtdickenüberhöhungen am Substratrand praktisch eliminiert
werden können und daß, wenn statt des Netzes die strukturierte
Blende mit der Ringblende zusammenwirkt, zusätzlich eine weit
gehende Einebnung der Strukturoberfläche auch bezüglich der
Oberfläche der einzelnen Strukturelemente erreicht werden kann.
Darüber hinaus werden eine mindestens zufriedenstellend
einheitliche Zusammensetzung von Legierungsschichten und -
daraus geschlossen - einheitliche physikalische Eigenschaften
über die gesamte Galvanikschicht erreicht.
Claims (26)
1. Vorrichtung zum Herstellen einer Galvanikschicht auf einer
elektrisch leitfähigen Substratfläche, wobei die Vorrichtung
eine Wanne für den Elektrolyten, eine Anode, eine Gleichspan
nungsquelle und eine Halterung aufweist, welche das Substrat so
hält, daß höchstens die genannte Fläche freiliegt, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Halterung eine weitere Wanne gehört,
deren Boden mindestens teilweise die freiliegende Fläche bildet
und an deren seitlicher Begrenzung eine Blende anliegt, welche
die Peripherie der freiliegenden Fläche einrahmt und über den
Randbereich der freiliegenden Fläche überhängt (im folgenden
als überhängende Blende bezeichnet), und daß gegebenenfalls
Mittel zum Bewegen des Elektrolyten in der weiteren Wanne
vorgesehen sind.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
freiliegende Fläche den Boden der weiteren Wanne bildet.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die seitliche Begrenzung zylindrisch mit einer zu der frei
liegenden Fläche senkrechten Achse ist, und die überhängende
Blende parallel zur freiliegenden Fläche angeordnet ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß die freiliegende Fläche eine kreisrunde
Umfangslinie hat, und daß bevorzugt die seitliche Begrenzung
eine Rohrblende (14) mit kreisrundem Querschnitt und die
überhängende Blende eine Ringblende (15) ist.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß über die freiliegende Fläche in geringem
Abstand von ihr ein Netz gespannt ist.
6. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß über der freiliegenden Fläche eine mit
einem Muster durchgehender Öffnungen (24) versehene Blende (22)
angeordnet ist, wobei das Muster dieselbe Ausbildung wie eine
vorgesehene Struktur (25) aus Galvanikmaterial auf dem Substrat
hat, die Öffnungen (24) aber kleiner als die entsprechenden
Strukturelemente (26) sind, und wobei das Muster und die
Struktur so zueinander justiert sind, daß die Öffnungen den
entsprechenden Strukturelementen gegenüberliegen.
7. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Blenden und das Netz aus Polymethyl
methacrylat, Polypropylen, Glas oder ähnlichen Materialien
hergestellt sind.
8. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch ge
kennzeichnet, daß die überhängende Blende und die mit einem
Muster durchgehender Öffnungen versehene Blende etwa 1 bis etwa
10 mm dick sind und bevorzugt einen Abstand von der Oberfläche
der herzustellenden Galvanikschicht haben, der zwischen etwa 1
und etwa 10 mm liegt.
9. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch ge
kennzeichnet, daß die mit einem Muster durchgehender Öffnungen
versehene Blende und die überhängende Blende fest miteinander
verbunden sind.
10. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß zur Bewegung des Elektrolyten ein in die
Rohrblende hineinreichender Rührer (21), oder alternativ eine
Absaugung über einen Ringkanal am substratseitigen Ende der
seitlichen Begrenzung oder als weitere Alternative ein Vibrator
oder ein Ultraschallschwinger vorgesehen sind, der den Elektro
lyten in der weiteren Wanne oder die Halterung in Schwingungen
versetzt.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß
die Absaugung auf der vom Substrat abgewandten Seite der Ring
blende oder - bevorzugt - zwischen Substrat und Ringblende
erfolgt.
12. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Halterung (4) im Elektrolyten so angeord
net ist, daß die Normale der freiliegenden Fläche etwa senk
recht nach oben weist oder daß die Halterung im Elektrolyten so
angeordnet ist, daß die freiliegende Fläche etwa senkrecht
steht und dabei die Halterung um eine etwa senkrecht zur
freiliegenden Fläche verlaufende Achse rotieren kann.
13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch
gekennzeichnet, daß eine mit der Halterung verbundene
Kippanordnung vorhanden ist, mittels der die Halterung um 90°
geschwenkt werden kann.
14. Verfahren zum Herstellen einer Galvanikschicht auf einer
ebenen elektrisch leitfähigen Substratfläche insbesondere unter
Verwendung einer Vorrichtung nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß auf die zu
beschichtende Substratfläche eine Abdeckmaske mit einem Muster
durchgehender Öffnungen aufgebracht wird, welches das Negativ
einer herzustellenden galvanisierten Struktur darstellt, und in
welcher die den herzustellenden Strukturelementen
entsprechenden Öffnungen möglichst gleichmäßig verteilt sind.
15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß
zur Verbesserung der Gleichmäßigkeit der Verteilung in die
Abdeckmaske Öffnungen zur Erzeugung von Hilfsstrukturen einge
bracht werden.
16. Verfahren nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet,
daß etwa 5 bis etwa 50% der zu beschichtenden Fläche mit der
Abdeckmaske bedeckt werden.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, dadurch
gekennzeichnet, daß ein Durchmesser der Strukturelemente
zwischen etwa 0,1 und etwa 20 mmm vorgesehen wird.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 17, dadurch
gekennzeichnet, daß die Abdeckmaske aus einer Lackschicht
hergestellt wird, die bevorzugt zwischen etwa 5 und etwa 1000
µm, aber nicht wesentlich dünner als die Sollstärke der
Galvanikschicht gemacht wird.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, dadurch
gekennzeichnet, daß die Galvanikschicht zwischen etwa 5 und
etwa 1000 µm dick gemacht wird.
20. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 19, dadurch
gekennzeichnet, daß reine Metalle, wie Kupfer, Nickel, Gold,
Zinn, oder Legierungen, wie Nickel-Cobalt mit einem Cobalt
gehalt zwischen etwa 5 und etwa 50 Gew.-% und Nickel-Eisen mit
einem Eisengehalt zwischen etwa 5 und etwa 50 Gew.-%,
abgeschieden werden.
21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß
zum Aufbringen einer Nickel- bzw. einer Nickellegierungsschicht
ein Elektrolyt verwendet wird, der ein Nickelsalz, bevorzugt
ein Sulfamat, in einer Konzentration, die zwischen etwa 50 und
etwa 120 g Nickel/l liegt, und Zusätze, wie Borsäure und Netz
mittel und ggf. Glanzbildner, sowie ggf. Salze von Legierungs
komponenten, wie Cobalt oder Eisen, in auf die gewünschte
Legierungszusammensetzung abgestimmten Mengen enthält.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 21, dadurch
gekennzeichnet, daß bei einer Stromdichte im Bereich zwischen
etwa 5 und etwa 50 mA/cm2 galvanisiert wird.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 22, dadurch
gekennzeichnet, daß der Elektrolyt während der Galvanisierung
über die zu beschichtende Fläche bewegt wird.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 23, dadurch
gekennzeichnet, daß als Substrat ein Körper aus einem Metall,
einem leitfähigen Kunststoff oder einem dielektrischen Material
mit einer dünnen Metallauflage ausgewählt wird.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 24, dadurch
gekennzeichnet, daß die Normale der zu beschichtenden Fläche
beim Galvanisieren etwa senkrecht nach oben ausgerichtet oder -
die zu beschichtende Fläche bei gleichzeitigem Rotieren um eine
waagrecht liegende Achse - senkrecht gestellt wird.
26. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 25, dadurch
gekennzeichnet, daß die Prozeßfolge: Bereitstellung einer
Abdeckmaske und Galvanisieren, ein- oder mehrfach wiederholt
und dabei die Abdeckmaske und die Schichtdicken entsprechend
der herzustellenden Struktur variiert werden.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE1997136340 DE19736340C2 (de) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Galvanikschichten auf elektrisch leitfähigen Substraten |
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DE1997136340 DE19736340C2 (de) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Galvanikschichten auf elektrisch leitfähigen Substraten |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19736340A1 DE19736340A1 (de) | 1999-02-25 |
DE19736340C2 true DE19736340C2 (de) | 1999-09-02 |
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ID=7839688
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE1997136340 Expired - Fee Related DE19736340C2 (de) | 1997-08-21 | 1997-08-21 | Vorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Galvanikschichten auf elektrisch leitfähigen Substraten |
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US8172989B2 (en) | 2007-11-26 | 2012-05-08 | Sunpower Corporation | Prevention of substrate edge plating in a fountain plating process |
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DE2534268A1 (de) * | 1974-07-31 | 1976-02-12 | Bunker Ramo | Verfahren und vorrichtung fuer die elektrolytische behandlung von strangmaterial |
CH616178A5 (en) * | 1976-03-30 | 1980-03-14 | Electroplating Eng | Plating appliance for thin plates, foils or similar sheet-like material. |
US5312532A (en) * | 1993-01-15 | 1994-05-17 | International Business Machines Corporation | Multi-compartment eletroplating system |
DE19636492A1 (de) * | 1996-09-09 | 1998-03-12 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren und Vorrichtung zur Überwachung und Steuerung der flächigen galvanischen Abscheidung dicker Schichten auf elektrisch leitfähigen flexiblen Substraten |
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1997
- 1997-08-21 DE DE1997136340 patent/DE19736340C2/de not_active Expired - Fee Related
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---|---|
DE19736340A1 (de) | 1999-02-25 |
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