DE19634845C1 - Verfahren zur Optimierung der Adhäsion zwischen Preßmasse und Passivierungsschicht in einem Kunststoffchipgehäuse - Google Patents

Verfahren zur Optimierung der Adhäsion zwischen Preßmasse und Passivierungsschicht in einem Kunststoffchipgehäuse

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10338078A1 (de) * 2003-08-19 2005-03-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterelement mit verbesserten Haftungseigenschaften der nichtmetallischen Oberflächen
DE10355586A1 (de) * 2003-11-28 2005-07-07 Infineon Technologies Ag Chip-on-Chip-Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
WO2011097464A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Qualcomm Incorporated Surface preparation of die for improved bonding strength

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999049512A1 (fr) * 1998-03-20 1999-09-30 Hitachi, Ltd. Dispositif a semi-conducteur et procede de fabrication associe
TWI693749B (zh) 2018-08-10 2020-05-11 技嘉科技股份有限公司 風扇擴充卡及主機板模組

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4715941A (en) * 1986-04-14 1987-12-29 International Business Machines Corporation Surface modification of organic materials to improve adhesion
US5219787A (en) * 1990-07-23 1993-06-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Trenching techniques for forming channels, vias and components in substrates

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0407585A4 (en) * 1988-07-15 1992-06-10 Toray Silicone Co. Ltd. Semiconductor device sealed with resin and a method of producing the same
JP2912712B2 (ja) * 1991-01-30 1999-06-28 松下電子工業株式会社 半導体装置の製造方法
US5290399A (en) * 1991-02-05 1994-03-01 Advanced Micro Devices, Inc. Surface planarizing methods for integrated circuit devices
JP2817664B2 (ja) * 1995-04-24 1998-10-30 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4715941A (en) * 1986-04-14 1987-12-29 International Business Machines Corporation Surface modification of organic materials to improve adhesion
US5219787A (en) * 1990-07-23 1993-06-15 Microelectronics And Computer Technology Corporation Trenching techniques for forming channels, vias and components in substrates

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
INAGAKI, N. et.al.: Improved adhesion between plasma-treated polyimide film and evaporated copper. In: Journal of Adhesion Science and Technol., 1994, Vol. 8, No. 4, pp. 395-410. In: Datenbank STN, file inspec, AN 94:4775522 *
JP 7-094540 A. In: Patent Abstracts of Japan *

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10338078A1 (de) * 2003-08-19 2005-03-24 Infineon Technologies Ag Halbleiterelement mit verbesserten Haftungseigenschaften der nichtmetallischen Oberflächen
US7224043B2 (en) 2003-08-19 2007-05-29 Infineon Technologies Ag Semiconductor element with improved adhesion characteristics of the non-metallic surfaces
DE10338078B4 (de) * 2003-08-19 2008-10-16 Infineon Technologies Ag Halbleiterelement mit verbesserten Haftungseigenschaften der nichtmetallischen Oberflächen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10355586A1 (de) * 2003-11-28 2005-07-07 Infineon Technologies Ag Chip-on-Chip-Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
DE10355586B4 (de) * 2003-11-28 2007-09-27 Infineon Technologies Ag Chip-on-Chip-Struktur und Verfahren zu deren Herstellung
WO2011097464A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Qualcomm Incorporated Surface preparation of die for improved bonding strength
CN102812542A (zh) * 2010-02-05 2012-12-05 高通股份有限公司 用于改进结合强度的裸片的表面制备
CN102812542B (zh) * 2010-02-05 2016-04-27 高通股份有限公司 用于改进结合强度的裸片的表面制备

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TW330314B (en) 1998-04-21
WO1998009330A1 (de) 1998-03-05

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