DE19633078C2 - Dielektrischer Wellenleiter - Google Patents
Dielektrischer WellenleiterInfo
- Publication number
- DE19633078C2 DE19633078C2 DE19633078A DE19633078A DE19633078C2 DE 19633078 C2 DE19633078 C2 DE 19633078C2 DE 19633078 A DE19633078 A DE 19633078A DE 19633078 A DE19633078 A DE 19633078A DE 19633078 C2 DE19633078 C2 DE 19633078C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- dielectric
- waveguide according
- conductors
- area
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 53
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 13
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 13
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 241001432959 Chernes Species 0.000 description 1
- 101100400378 Mus musculus Marveld2 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/16—Dielectric waveguides, i.e. without a longitudinal conductor
- H01P3/165—Non-radiating dielectric waveguides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P11/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing waveguides or resonators, lines, or other devices of the waveguide type
- H01P11/001—Manufacturing waveguides or transmission lines of the waveguide type
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Waveguides (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen dielektri
schen Wellenleiter, der zur Verwendung bei einer Übertra
gungsleitung bei einer integrierten Schaltung geeignet ist,
die in einer Millimeterwellenband-Ausrüstung implementiert
ist.
Fig. 19A, 19B, 19C und 19D zeigen Schnittansichten, die den
Aufbau von vier Typen von herkömmlichen dielektrischen Wel
lenleitern (NRD-Leitern; NRD = Nonradiative Dielectric) dar
stellen. Fig. 19A zeigt eine normale dielektrische Leitung,
bei der ein dielektrischer Streifen 100 zwischen leitfähigen
Platten 101 und 102 vorgesehen ist, welche parallel zueinan
der plaziert sind. Fig. 19B zeigt eine rillenartige dielek
trische Leitung, bei der eine Rille in jeder der leitfähigen
Platten 101 und 102 gebildet sind, wobei der dielektrische
Streifen 100 in die Rille eingepaßt ist. Eine solche Leitung
in Form einer dielektrischen Nutleitung ist beispielsweise
bei Erich Pehl: Mikrowellentechnik, 2. Auflage, Dr. A. Hü
thig Verlag, 1988, S. 122, 123, und in der DE 44 07 251 A1
offenbart.
Fig. 19C zeigt eine dielektrische Leitung, bei der der di
elektrische Streifen 100 zwischen leitfähigen Platten 105
und 106 und insbesondere zwischen dielektrischen Schichten
103 und 104 vorgesehen ist, die eine niedrige Dielektrizi
tätskonstante aufweisen. Derartige dielektrische Leitungen
sind aus der DE 44 07 251 A1 und der US 4 463 330 bekannt.
Fig. 19D zeigt eine dielektrische, Leitung, bei der Dielek
trika 107 und 108 entlang des ebenen Abschnitts von leit
fähigen Platten 109 und 110 gebildet sind, wobei jedes Di
elektrikum 109, 110 einen vorstehenden Abschnitt aufweist,
wobei die vorstehenden Abschnitte einander berühren. Solche
Leitungen sind in der DE 44 07 251 A1 und der JP 3-270 401 A
beschrieben.
Bei den Wellenleitern weisen dielektrische Wellenleiter ge
genüberliegende leitfähige Platten auf, wobei ein dielektri
scher Streifen zwischen den Platten eingefügt ist. Dielek
trische Schichten können ferner auf den Oberflächen der
leitfähigen Platten, die zu einem weg hin gerichtet sind,
der durch die Platten gebildet ist, vorgesehen sein.
Eine elektromagnetische Welle mit einer Polarisationsebene
parallel zu der Oberfläche der leitfähigen Platten breitet
sich in einer "Ausbreitungsregion" in dem dielektrischen
Streifen aus, wobei die Ausbreitung einer solchen Welle in
der anderen Region, d. h. "der Grenzregion" zwischen den
Platten abgeschnitten wird.
Bei einem solchen dielektrischen Wellenleiter wird ein Über
tragungsverlust reduziert, indem die Beabstandung zwischen
den Leitern kleiner als die Hälfte der Wellenlänge einer
sich ausbreitenden elektromagnetischen Welle gemacht wird,
wodurch die Strahlungswelle in einen gebogenen Abschnitt
oder in einem nicht-kontinuierlichen Abschnitt unterdrückt
wird.
Bei der normalen dielektrischen Leitung, die in Fig. 19A
gezeigt ist, ist eine sehr genaue Positionierung von dielek
trischen Streifen, um einen Weg für eine elektromagnetische
Welle zu bilden, relativ schwierig, wobei eine solche Struk
tur für Schwingungen und Stöße anfällig ist, da keine Vor
richtung zum Positionieren des Dielektrikums in den Leiter
ebenen vorgesehen ist.
Die dielektrische Leitung, die in Fig. 19B gezeigt ist,
zeichnet sich durch ein Positionieren und die mechanische
Stärke des Wellenleiters aus. Es existieren jedoch bei
spielsweise Probleme, derart, daß ein Stromfluß, der in den
Eckenabschnitten der Rille konzentriert ist, einen großen
Übertragungsverlust bewirkt, und daß eine leitfähige Platte
mit Rillen im Hinblick auf Massenproduktionskosten nachteil
haft ist. Wenn ferner ein dielektrischer Streifen mit einer
hohen dielektrischen Konstante εr von mehr als etwa 5 ver
wendet wird, kann ein kleiner Zwischenraum zwischen dem
Streifen und der leitfähigen Platte unvorhersagbare Änderun
gen der Charakteristika des Wellenleiters bewirken.
Bei der dielektrischen Leitung von Fig. 19C ist, da eine di
elektrische Schicht mit einer niedrigen Dielektrizitätskon
stante zwischen einem dielektrischen Streifen einer hohen
Dielektrizitätskonstante und einer leitfähigen Platte vorge
sehen ist, selbst wenn der dielektrische Wellenleiter durch
Verwendung eines dielektrischen Materials mit einer hohen
Dielektrizitätskonstante sehr klein gemacht wird, das Pro
blem des Verschmälerns der Signalbetriebsregion aufgrund des
Auftretens eines höheren Modus nicht vorhanden. Ferner wer
den weitere Variationen von Charakteristika aufgrund des
Zwischenraums zwischen dem Streifen und der leitfähigen
Platte beseitigt. Die dielektrische Leitung, die in Fig. 19C
gezeigt ist, weist jedoch die gleichen Nachteile auf, die
auch die normale dielektrische Leitung bezüglich der Posi
tionierung und der mechanischen Stärke des dielektrischen
Streifens aufweist.
Bei der dielektrischen Leitung, die in Fig. 19D gezeigt ist,
sind die oben beschriebenen Probleme beseitigt. Je höher je
doch die Dielektrizitätskonstante des verwendeten Materials
ist, oder je höher die verwendete Frequenz ist, um so dünner
muß die Dicke des vorstehenden Abschnitts gewählt werden.
Somit wird es schwierig, eine dielektrische Schicht mit ei
nem kleinen vorstehenden Abschnitt zu erzeugen, selbst wenn
eine Spritzgußtechnologie verwendet wird.
Eine weitere dielektrische Leitung ist aus den Patent Ab
stracts of Japan, E-152, 1983, Band 7, Nr. 8 JP 57-166 701 bekannt. Bei
dieser bekannten Leitung ist zusätzlich zu dem in Fig. 19A
dargestellten Dielektrikum im Übertragungsbereich ferner ein
Dielektrikum mit einer kleinen Dielektrizitätskonstante
außerhalb des Übertragungsbereichs angeordnet.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen
neuartigen dielektrischen Wellenleiter mit niedrigem Über
tragungsverlust und mit stabilen elektrischen Charakteristi
ka zu schaffen, wobei eine Veränderung der elektrischen Cha
rakteristika auch an Biegungen des Wellenleiters vermieden
werden soll.
Diese Aufgabe wird durch dielektrische Wellenleiter gemäß
den Ansprüchen 1 und 2, sowie durch Verfahren zum Herstellen
eines dielektrischen Wellenleiters gemäß den Ansprüchen 20
und 22 gelöst.
Das Ziel dieser Erfindung besteht also darin, einen dielek
trischen Wellenleiter zu schaffen, welcher die Probleme löst
und die Positionierung der dielektrischen Streifen während
des Produktionsprozesses verbessert, bei dem der Übertra
gungsverlusts reduziert ist, und bei dem Charakteristikaver
änderungen an einer Biegung des Wellenleiters vermieden wer
den.
Da bei einem solchen Wellenleiter der Abstand zwischen den
Leitern in dem Nicht-Ausbreitungsbereich kleiner als der Ab
stand zwischen den Leitern in dem Ausbreitungsbereich ist,
und da eine dielektrische Schicht mit einer niedrigen Di
elektrizitätskonstante in dem Nicht-Ausbreitungsbereich vor
gesehen ist, ist es möglich, die Dicke der dielektrischen
Schicht in dem Nicht-Ausbreitungsbereich zu erhöhen, damit
sie größer als die der bekannten dielektrischen Leitung, die
vorstehende Abschnitte aufweist. Selbst wenn der dielektri
sche Wellenleiter unter Verwendung eines dielektrischen Ma
terials mit einer relativ hohen Dielektrizitätskonstante
größenmäßig reduziert wird, können daher eine dielektrische
Schicht und ein Dielektrikum im Ausbreitungsbereich mittels
Formen, wie z. B. des Spritzgußverfahrens, einstückig gebil
det werden. Da der Ausbreitungsbereich und der Nicht-Aus
breitungsbereich gleichzeitig gebildet werden, treten ferner
verschiedene Probleme bezüglich der Positionsbestimmung, der
Massenproduktion und von Charakteristikavariationen des di
elektrischen Streifens wie bei herkömmlichen Wellenleitern
nicht auf.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung kann
der dielektrische Wellenleiter ein Fülldielektrikum aufwei
sen, das in einen Raum, der durch die erste und die zweite
dielektrische Schicht gebildet wird, gefüllt ist. Die Di
elektrizitätskonstante des Fülldielektrikums kann kleiner
als die des Dielektrikums im Ausbreitungsbereich sein.
Die vorliegende Erfindung schafft ferner einen dielektri
schen Wellenleiter, bei dem der Abstand zwischen dem ersten
und dem zweiten Leiter in dem Bereich um das Dielektrikum in
dem Ausbreitungsbereich weich verändert wird, um scharfe
Ecken bei dem Leiter und bei den Dielektrika zu vermeiden.
Ferner schafft die vorliegende Erfindung einen dielektri
schen Wellenleiter, bei dem das Dielektrikum im Ausbrei
tungsbereich in zumindest einen oberen und einen unteren Ab
schnitt aufteilbar ist.
Bei einem solchen Wellenleiter kann ein Leiterfilm ohne wei
teres auf nur eine der Oberflächen jedes Dielektrikums ge
bildet werden, da sowohl das obere als auch das untere Bau
glied kombiniert werden, nachdem sie separat gebildet worden
sind, wodurch das Formen des dielektrischen Materials ein
fach wird.
Die vorliegende Erfindung schafft ferner einen dielektri
schen Wellenleiter mit einer Schaltungsplatine mit einer
Streifenleitung, welche wirksam mit dem Dielektrikum im Aus
breitungsbereich verbunden ist, wobei die Schaltungsplatine
zwischen dem oberen und dem unteren Abschnitt des Dielektri
kums im Ausbreitungsbereich positioniert ist.
Eine integrierte Schaltung oder eine aktive Komponente kann
ohne weiteres gebildet werden, bei der die Leiterschaltung
auf der Schaltungsplatine mit dem dielektrischen Wellenlei
ter gekoppelt ist.
Ferner schafft die vorliegende Erfindung einen dielektri
schen Wellenleiter, bei dem entweder die erste
oder die zweite dielektrische Schicht eine Struktur mit Lö
chern aufweist, um die Dielektrizitätskonstante derselben zu
reduzieren.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend anhand der beiliegenden Zeich
nungen unter Bezugnahme auf den Stand der Technik detaillierter erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine Schnittansicht, die einen dielektrischen Wel
lenleiter gemäß einem ersten Aspekt der vorliegen
den Erfindung darstellt;
Fig. 2 eine Schnittansicht eines dielektrischen Wellenlei
ters gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 3 eine Schnittansicht eines dielektrischen Wellenlei
ters gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 4 eine Schnittansicht eines dielektrischen Wellenlei
ters gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 5 eine Schnittansicht eines dielektrischen Wellenlei
ters gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 6 eine Schnittansicht eines dielektrischen Wellenlei
ters gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden
Erfindung;
Fig. 7A und 7B Schnittansichten eines dielektrischen Wel
lenleiters gemäß einer Modifikation des dritten As
pekts der vorliegenden Erfindung;
Fig. 8 eine perspektivische Teilansicht eines Wellenlei
ters gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Er
findung;
Fig. 9 eine Schnittansicht des dielektrischen Wellenlei
ters gemäß dem ersten Aspekt der vorliegenden Er
findung;
Fig. 10 die Beziehung zwischen der Höhe h2 und der Grenz
frequenz fc in dem Nicht-Ausbreitungsbereich mit
der Dicke t des Dielektrikums in dem Nicht-Ausbrei
tungsbereich als Parameter;
Fig. 11A und 11B Schnittansichten des Aufbaus des dielektri
schen Wellenleiters gemäß einer Modifikation des
ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung;
Fig. 12 eine perspektivische Teilansicht eines dielektri
schen Wellenleiters gemäß einer Modifikation des
ersten Aspekts der vorliegenden Erfindung;
Fig. 13 eine perspektivische Teilansicht eines dielektri
schen Wellenleiters gemäß dem dritten Aspekt der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 14A und 14B perspektivische Teilansichten, die ein Bei
spiel von Schritten beim Herstellen eines dielek
trischen Wellenleiters gemäß dem dritten Aspekt der
vorliegenden Erfindung darstellen;
Fig. 15 eine perspektivische Teilansicht eines dielektri
schen Wellenleiters gemäß einer Modifikation des
vierten Aspekts der vorliegenden Erfindung;
Fig. 16 eine perspektivische Teilansicht eines dielektri
schen Wellenleiters gemäß dem fünften Aspekt der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 17A und 17B perspektivische Teilansichten, die die
Beziehung zwischen einer Streifenleitung auf einer
Schaltungsplatine und dem Ausbreitungsbereich des
dielektrischen Wellenleiters darstellen;
Fig. 18 eine perspektivische Teilansicht eines dielektri
schen Wellenleiters gemäß dem sechsten Aspekt der
vorliegenden Erfindung; und
Fig. 19A, 19B, 19C und 19D Schnittansichten, die den Aufbau
von verschiedenen herkömmlichen dielektrischen Wel
lenleitern darstellen.
Bezugnehmend auf Fig. 1 ist der Abstand h1 zwischen dem obe
ren und dem unteren Leiter 1 und 2 in einem Ausbreitungsbe
reich größer als der Abstand h2 zwischen dem oberen und dem
unteren Leiter 1 und 2 in dem Nicht-Ausbreitungsbereich.
Ferner sind die Leiterabschnitte in dem Nicht-Ausbreitungs
bereich von einer dielektrischen Schicht 3' bedeckt, welche
sich von einem Dielektrikum 3, das als "Dielektrikum im Aus
breitungsbereich" oder als "dielektrischer Streifen" bezeich
net wird, des Ausbreitungsbereichs mit einer Dielektrizi
tätskonstante 61 erstreckt, wobei eine dielektrische Schicht
5 eine Dielektrizitätskonstante ε2 aufweist, die kleiner als
die Dielektrizitätskonstante ε1 des dielektrischen Streifens
ist.
Die Dicke t der dielektrischen Schicht 3' ist dicker als die
von anderen Abschnitten. Die Beziehung zwischen h2, t und
der Grenzfrequenz wird nachfolgend beschrieben.
Bezugnehmend auf Fig. 8 sind das Dielektrikum 3, d. h. das
Dielektrikum im Ausbreitungsbereich", und die dielektri
schen Schichten 3' einstückig gebildete Komponenten aus
einer dielektrischen Keramik oder aus einem dielektrischen
Harz mit der Dielektrizitätskonstante ε1 = 7,3. Elektrisch
leitfähige Filme 11 und 12 werden durch Beschichten und
Brennen einer Silberpaste oder durch Kupferplattieren je
weils auf der oberen und der unteren Oberfläche derselben
gebildet. Eine dielektrische Schicht 5 mit einer niedrigen
Dielektrizitätskonstante in dem Nicht-Ausbreitungsbereich
ist eine Luftschicht mit einer Dielektrizitätskonstante ε0.
Fig. 9 zeigt die Abmessungen der in Fig. 8 gezeigten Teile.
Wenn diese dielektrische Leitung als eine Übertragungslei
tung im 60-GHz-Band verwendet wird, werden die Abmessungen
beispielsweise folgendermaßen eingestellt: h1 = 2,0 mm, h2 =
1,2 mm, t = 0,4 mm und w = 1,0 mm, wobei die Abmessungen h2
und t derart eingestellt sind, um die elektromagnetische
Welle bei einer Frequenz abzuschneiden, die sich in dem Aus
breitungsbereich ausbreiten soll. Wie es in Fig. 9 gezeigt
ist, wird bei diesem Beispiel ein Teil (Breite: 1,0 mm) des
Nicht-Ausbreitungsbereichs als ein Berechnungsmodell verwen
det, wobei die Beziehung zwischen der Grenzfrequenz und h2
mit t als Parameter bestimmt wird, wobei die Resultate in
Fig. 10 gezeigt sind. Wenn t eine Konstante ist, bedeutet
dies, daß mit kleiner werdendem h2 die Grenzfrequenz höher
wird. Wenn h2 konstant ist, wird mit größer werdendem t die
Grenzfrequenz kleiner. Wenn t beispielsweise auf 0,4 mm ein
gestellt ist, um die Grenzfrequenz über 60 GHz zu bringen,
sollte h2 kleiner als etwa 1,65 mm sein. Wenn beispielsweise
für h2 = 1,65 mm gilt, sollte t = 0,4 mm betragen, um die
Grenzfrequenz auf 60 GHz einzustellen.
Fig. 11A und 11B zeigen die Beziehung zwischen der Breite w1
eines Teils, welcher vertikal in den Ausbreitungsbereich des
Dielektrikums 3 vorsteht, und der Breite w2 des Zwischenab
schnitts. Obwohl bei dem in den Fig. 8 und 9 gezeigten Bei
spiel w1 gleich w2 ist, ist es auch möglich, daß w1 < w2
ist, wie es in Fig. 11A gezeigt ist, oder daß w1 < w2 ist,
wie es in Fig. 11B gezeigt ist.
Wenn daher ein Versuch unternommen wird, um den dielektri
schen Wellenleiter insgesamt kleiner zu machen, indem ein
dielektrisches Material mit einer relativ hohen dielektri
schen Konstante verwendet wird, wird t nicht sehr klein wer
den, wodurch durch Spritzgießen oder dergleichen ein ein
stückiges Formen möglich wird. Da der Ausbreitungsbereich
und der Nicht-Ausbreitungsbereich gleichzeitig gebildet wer
den, werden ferner verschiedene Probleme im Stand der Tech
nik bezüglich der Positionierung, der Massenproduktion und
von Charakteristikavariationen des dielektrischen Streifens
gleichzeitig gelöst.
Bezugnehmend auf Fig. 2 ist der Abstand h1 zwischen dem obe
ren und dem unteren Leiter 1 und 2 in dem Ausbreitungsbe
reich größer als der Abstand h2 zwischen dem oberen und dem
unteren Leiter 1 und 2 in dem Nicht-Ausbreitungsbereich, wo
bei das Dielektrikum 3 und die dielektrischen Schichten 3'
in dem im wesentlichen gesamten Raum zwischen den beiden
Leitern 1 und 2 vorgesehen sind. Da der Abstand h2 zwischen
den Leitern in dem Nicht-Ausbreitungsbereich auf diese Art
und Weise kleiner als der Abstand h1 zwischen den Leitern in
dem Ausbreitungsbereich ist, kann sich aufgrund der Einstel
lung von e1, h1 und h2 eine elektromagnetische Welle aus ei
nem vorbestimmten Frequenzband in dem Ausbreitungsbereich
ausbreiten, während die elektromagnetische Welle dieses Fre
quenzbandes in dem Nicht-Ausbreitungsbereich abgeschnitten
wird. Die Dicke h2 der dielektrischen Schichten 3' in dem
Nicht-Ausbreitungsbereich kann daher größer als die Summe
der Dicken des oberen und des unteren dielektrischen Ab
schnitts 107 und 108 in dem Nicht-Ausbreitungsbereich der
dielektrischen Leitung, die in Fig. 19D gezeigt ist, da der
Abstand zwischen dem oberen und dem unteren Leiter verklei
nert ist. Im Vergleich zu Fig. 1 wird h2 von Fig. 2 ferner
größer als t von Fig. 1, wodurch ein einstückiges Formen
durch Spritzgießen einfacher wird. Da der Ausbreitungsbe
reich und der Nicht-Ausbreitungsbereich ferner gleichzeitig
gebildet werden, werden verschiedene Probleme bezüglich der
Positionsbestimmung, der Massenproduktion und bezüglich von
Charakteristikavariationen des dielektrischen Streifens,
welche beim Stand der Technik auftreten, gleichzeitig ge
löst.
Bezugnehmend auf Fig. 12 bezeichnet das Bezugszeichen 3 eine
einstückig geformte Komponente, die aus einer dielektrischen
Keramik oder einem dielektrischen Harz gebildet ist, wobei
leitfähige Filme 11 und 12 jeweils auf der gesamten oberen
und unteren Oberfläche des Harzes oder der Keramik gebildet
sind. Die Höhenabmessung h1 des Dielektrikums 3, welches
vertikal in den Ausbreitungsbereich vorsteht, ist derart
eingestellt, daß sich eine elektromagnetische Welle eines
vorbestimmten Frequenzbandes in dem Ausbreitungsbereich aus
breiten kann, während die Höhe h2 in dem Nicht-Ausbreitungs
bereich auf eine Höhe eingestellt ist, bei der sich eine
elektromagnetische Welle des Frequenzbandes in diesem
Nicht-Ausbreitungsbereich nicht ausbreiten kann. Wenn bei
spielsweise eine dielektrische Keramik mit einer relativen
Dielektrizitätskonstante von 7,3 verwendet wird, und wenn
eine Übertragungsleitung in dem 60-GHz-Band hergestellt wer
den soll, lauten n1 = 2,0 mm, h2 = 1,2 mm und w = 1,0 mm.
Das Dielektrikum 3 kann ohne Spritzgießen durch mechanisches
Bearbeiten hergestellt werden. Ferner können die leitfähigen
Filme 11 und 12 derart gebildet werden, daß das Dielektrikum
3 ohne die Verwendung des Plattierens oder Brennens zwischen
geformte metallische Platten gelegt wird.
Fig. 3 und 4 zeigen Aspekte des dielektrischen Wellenlei
ters, welche Modifikationen des ersten bzw. zweiten Aspekts
sind, und welche das Formen einfacher machen, und welche es
einfach machen, eine integrierte Schaltung zusammen mit ei
ner Schaltungsplatine zu bilden. Gemäß diesen Aspekten wer
den zwei Bauglieder kombiniert, von denen jedes aus einem
Leiter und einem Dielektrikum gebildet ist und eine Form
aufweist, derart, daß der dielektrische Abschnitt in zwei
Abschnitte in der Ebene parallel zu den Leitern aufgeteilt
ist. Beispiele des Aufbaus dieser Anordnung sind in den Fig.
3 und 4 gezeigt. In den Fig. 3 und 4 bezeichnen die Bezugs
zeichen 3 und 4 jeweils Dielektrika mit einer relativen Di
elektrizitätskonstante von ε1. Das Bezugszeichen 5 bezeich
net beispielsweise Luft, welche eine relative Dielektrizi
tätskonstante von ε2 aufweist. Der Leiter 1 ist beispiels
weise durch Beschichten oder Brennen einer Silberpaste oder
durch Plattieren mit Kupfer auf der oberen Oberfläche des
Dielektrikums 3 gebildet, während der Leiter 2 auf der unte
ren Oberfläche des Dielektrikums 4 auf ähnliche Art und Wei
se gebildet werden kann. Da bei dieser dielektrischen Lei
tung das obere und das untere Bauglied kombiniert werden,
nachdem sie jeweils separat gebildet worden sind, kann der
Leiterfilm ohne weiteres auf nur einer Oberfläche des Di
elektrikums gebildet werden. Insbesondere wird das ein
stückige Bilden des dielektrischen Materials bei dem in Fig.
3 gezeigten Aufbau ebenfalls einfach.
Das dritte Ausführungsbeispiel ist ferner in den Fig. 13,
14A und 14B dargestellt. Fig. 13 ist eine perspektivische
Gesamtansicht. Die Bezugszeichen 3 und 4 bezeichnen jeweils
aus einer dielektrischen Keramik oder aus einem dielektri
schen Harz gebildete Komponenten, wobei ein Leiterfilm 11
auf der oberen Oberfläche des Dielektrikums 3 gebildet ist,
während ein Leiterfilm 12 auf der unteren Oberfläche des Di
elektrikums 4 gebildet ist. Die Fig. 14A und 14B zeigen Ver
fahren zum Herstellen des dielektrischen Wellenleiters, der
in Fig. 13 gezeigt ist. Zuerst wird ein Dielektrikum mit ei
ner Form, wie sie in Fig. 14a gezeigt ist, welche als ein
"Wellenleiterkörper" bezeichnet wird, gebildet, wonach ein
Leiterfilm durch Brennen einer Silberpaste oder durch Plat
tieren mit Kupfer auf einer Oberfläche des Dielektrikums,
wie es in Fig. 14B gezeigt ist, gebildet wird. Ein Paar die
ser Leiterfilme wird in spiegelsymmetrischen Mustern ange
ordnet, wonach sie aufeinander plaziert werden, wie es in
Fig. 13 gezeigt ist. Ein Paar aus oberem und unterem Bau
glied wird beispielsweise in einem Gehäuse eingeschlossen,
wodurch dieselben in dem Gehäuse aufeinander plaziert gehal
ten werden.
Der obere und untere Abschnitt des Wellenleiters, der in
Fig. 13 gezeigt ist, kann Honigwabenstrukturen aufweisen,
wie es in Fig. 15 gezeigt ist. Die obere Oberfläche der di
elektrischen Schicht 4' in dem Nicht-Ausbreitungsbereich ist
in einer Honigwabenstruktur 4h gebildet. Natürlich kann die
dielektrische Schicht 4' einen anderen Strukturtyp aufwei
sen, der ebenfalls Löcher erzeugt, um ihre wirksame Dielek
trizitätskonstante zu reduzieren. Das Dielektrikum 4 und die
dielektrische Schicht 4f werden durch Formen einer dielek
trischen Keramik oder eines dielektrischen Harzes einstückig
gebildet. Ein Leiterfilm 12 wird auf der Gesamtoberfläche
sowohl des Ausbreitungsbereichs als auch des Nicht-Ausbrei
tungsbereichs auf der hinteren Oberfläche des Dielektrikums
4 gebildet. Ein weiteres Bauglied, wie z. B. das, das in Fig.
15 gezeigt ist, wird gebildet, wonach beide Oberflächen, auf
denen kein Leiterfilm gebildet ist, aufeinandergelegt wer
den, wodurch ein dielektrischer Wellenleiter, wie er in Fig.
13 gezeigt ist, gebildet ist. Da in diesem Fall die wirksame
Dielektrizitätskonstante des Honigwabenstruktur-Abschnitts
niedrig ist, ist es möglich, die Dicke t der dielektrischen
Schicht 4' in dem Nicht-Ausbreitungsbereich zu erhöhen, wo
durch ein einstückiges Herstellen durch Spritzgießen einfach
wird, und wodurch die Stärke der dielektrischen Schicht er
höht wird.
Bezugnehmend auf die Fig. 5, 6 und 16 bezeichnet ein Bezugs
zeichen 7 eine Schaltungsplatine mit einer Streifenleitung
8, die in einem Teil derselben gebildet ist. In Fig. 5 und
16 ist eine Schaltungsplatine 7 zwischen das obere und das
untere Bauglied des dielektrischen Wellenleiters, der in
Fig. 3 gezeigt ist, positioniert. In Fig. 6 ist eine Schal
tungsplatine 7 zwischen das obere und das untere Bauglied
des dielektrischen Wellenleiters, der in Fig. 4 gezeigt ist,
positioniert. Bei einem solchen Wellenleiter wird die elek
tromagnetische Welle, die sich in dem Ausbreitungsbereich
ausbreitet, zu der Streifenleitung 8 gekoppelt, wodurch eine
integrierte Schaltung oder eine aktive Komponente gebildet
ist, bei der die Leiterschaltung auf der Schaltungsplatine 7
und der dielektrische Wellenleiter miteinander gekoppelt
sind.
Fig. 17A und 17B zeigen die Kopplungsbeziehung zwischen dem
Dielektrikum in dem Ausbreitungsbereich und dem Leiter auf
der Schaltungsplatine. Fig. 17A zeigt die elektromagnetische
Feldverteilung des LSM01-Modus. Fig. 17B zeigt die elektro
magnetische Feldverteilung des LSE01-Modus. Bei diesen
Zeichnungen sind die dielektrische Schicht und der Leiter
film in dem Nicht-Ausbreitungsbereich der Dielektrika 3 und
4 weggelassen. In den Fig. 17A und 17B zeigen die durchgezo
genen Linien das elektrische Feld an, während die gestri
chelten Linien das magnetische Feld anzeigen. Wenn der LSM-
Modus verwendet wird, wird eine Streifenleitung 8 auf der
Schaltungsplatine 7 in einer zu der Ausbreitungsrichtung der
elektromagnetischen Welle des dielektrischen Wellenleiters
rechtwinkligen Richtung plaziert, um die Streifenleitung 8
und den dielektrischen Wellenleiter miteinander elektromag
netisch zu koppeln. Wie es in Fig. 17B gezeigt ist, ist die
Streifenleitung 8, wenn der LSE-Modus verwendet wird, auf
der Schaltungsplatine 7 entlang der Ausbreitungsrichtung der
elektromagnetischen Welle des dielektrischen Wellenleiters
plaziert, um diese Streifenleitung 8 mit der elektromagneti
schen Welle des dielektrischen Wellenleiters zu koppeln. Auf
diese Art und Weise ist eine integrierte Schaltung oder eine
aktive Komponente für das Millimeterwellenband gebildet.
Bezugnehmend auf Fig. 18 ist bei den Dielektrika 3 und 4 des
sechsten Ausführungsbeispiels die Höhe des Nicht-Ausbrei
tungsbereichs kleiner als die Höhe des Ausbreitungsbereichs
gemacht, wobei ein Leiterfilm 11 auf der bezüglich Fig. 18
oberen Oberfläche des Dielektrikums 3 gebildet ist, während
ein Leiterfilm 12 auf der bezüglich Fig. 18 unteren Oberflä
che des Dielektrikums 4 gebildet ist. Die Schaltungsplatine
7 liegt zwischen diesen beiden Dielektrika. Eine Streifen
leitung, wie z. B. die, die in Fig. 17A und 17B gezeigt ist,
ist auf der Schaltungsplatine 7 vorgesehen, wobei diese
Streifenleitung mit der elektromagnetischen Welle gekoppelt
ist, die sich durch den dielektrischen Wellenleiter
ausbreitet.
In den Fig. 7A und 7B wurde das dritte Ausführungsbeispiel
derart modifiziert, daß alle Ecken des Dielektrikums oder
des Leiters in dem Ausbreitungsbereich modifiziert wurden,
um eine gekrümmte Gestalt aufzuweisen. In Fig. 7B wurden die
scharfen Ecken des Leiters und des Dielektrikums in dem Aus
breitungsbereich modifiziert, um eine abgeschrägte Gestalt
aufzuweisen. Da der Abschnitt des Dielektrikums, der den
Grat des Dielektrikums bildet, der in den Leiter in dem Aus
breitungsbereich vorsteht, mit abgeschrägten Ecken oder mit
gekrümmten Ecken gebildet ist, kann die Konzentration eines
elektrischen Stroms in diesem Abschnitt unterdrückt werden,
wodurch der Übertragungsverlust reduziert werden kann.
Claims (23)
1. Dielektrischer Wellenleiter
- 1. - mit einem ersten und einem zweiten Leiter (1, 2), die einander gegenüberliegend und beabstandet voneinander angeordnet sind,
- 2. - wobei die Leiter (1, 2) in einem Ausbreitungsbereich der Wellen so ausgebildet sind, daß ihr Abstand (h1) dort größer ist als der Abstand (h2) in einem Nicht- Ausbreitungsbereich und
- 3. - wobei im Ausbreitungsbereich Dielektrikum (3, ε1) vorgesehen ist,
2. Dielektrischer Wellenleiter
- 1. - mit einem ersten und einem zweiten Leiter (1, 2), die einander gegenüberliegend und beabstandet voneinander angeordnet sind,
- 2. - wobei die Leiter (1, 2) in einem Ausbreitungsbereich der Wellen so ausgebildet sind, daß ihr Abstand (h1) dort größer ist als der Abstand (h2) in einem Nicht- Ausbreitungsbereich und
- 3. - wobei im Ausbreitungsbereich Dielektrikum (3, ε1) vorgesehen ist,
3. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 1, bei dem
das Dielektrikum im Ausbreitungsbereich (ε1) durch
einander zugewandte Erhebungen der auf den ersten und
den zweiten Leiter (1, 2) aufgebrachten dielektrischen
Schichten gebildet ist.
4. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 3, bei dem
die Breite der Erhebungen kleiner ist als die Breite
des Bereichs, in dem die Leiter (1, 2) einen vergrößer
ten Abstand aufweisen.
5. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 3, bei dem
die Breite der Erhebungen größer ist als die Breite des
Bereichs, in dem die Leiter (1, 2) einen vergrößerten
Abstand aufweisen.
6. Dielektrischer Wellenleiter gemäß einem der Ansprüche 3-5,
bei dem das Dielektrikum (ε1) im Ausbreitungsbe
reich und die dielektrischen Schichten (3') als eine
einstückige Einheit ausgebildet sind.
7. Dielektrischer Wellenleiter gemäß einem der Ansprüche 3-5,
bei dem die erste dielektrische Schicht mit der
Erhebung derselben und die zweite dielektrische Schicht
mit der Erhebung derselben jeweils als getrennte ein
stückige Einheiten gebildet sind.
8. Dielektrischer Wellenleiter gemäß einem der Ansprüche 3-7,
bei dem in dem Zwischenraum (5) ein Fülldielektri
kum (ε2) vorgesehen ist.
9. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 8, bei dem
das Fülldielektrikum (5) im wesentlichen aus Luft be
steht.
10. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 8 oder 9,
bei dem die Dielektrizitätskonstante (ε2) des Füll
dielektrikums (5) niedriger ist als die des Dielek
trikums (ε1) im Übertragungsbereich.
11. Dielektrischer Wellenleiter gemäß einem der Ansprüche 3-10,
bei dem sich der Abstand zwischen dem ersten und
dem zweiten Leiter benachbart zu den Erhebungen der di
elektrischen Schichten weich verändert.
12. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 11, bei den
zumindest eine der einander zugewandten Erhebungen der
dielektrischen Schichten benachbart zu entweder dem
entsprechenden ersten oder zweiten Leiter oder benach
bart zu beiden Leitern (1, 2) gekrümmte Oberflächen
aufweist.
13. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 11, bei dem
zumindest eine der Erhebungen der dielektrischen
Schichten benachbart zu entweder dem entsprechenden er
sten oder dem zweiten Leiter oder benachbart zu beiden
Leitern (1, 2) abgeschrägte Oberflächen aufweist.
14. Dielektrischer Wellenleiter gemäß einem der
Ansprüche 3-13, der ferner folgendes Merkmal
aufweist:
eine Schaltungsplatine (7) mit einer Streifenleitung (8), die wirksam mit den Erhebungen gekoppelt ist, wo bei die Schaltungsplatine (7) zwischen den Erhebungen positioniert ist.
eine Schaltungsplatine (7) mit einer Streifenleitung (8), die wirksam mit den Erhebungen gekoppelt ist, wo bei die Schaltungsplatine (7) zwischen den Erhebungen positioniert ist.
15. Dielektrischer Wellenleiter gemäß einem beliebigen der
vorhergehenden Ansprüche, bei dem entweder die erste
oder die zweite dielektrische Schicht oder beide (3, 4)
zumindest ein Loch aufweisen.
16. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 15, bei dem
das zumindest eine Loch in einer Honigwabenstruktur
(4h) enthalten ist.
17. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 2, bei dem
das Dielektrikum (3, ε1) im Ausbreitungsbereich und
das Dielektrikum (ε2) im Nicht-Ausbreitungsbereich als
einstückige Einheit ausgebildet sind.
18. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 2, bei dem
das Dielektrikum (3, ε1) im Ausbreitungsbereich und das
Dielektrikum (ε2) im Nicht-Ausbreitungsbereich durch
zwei Einheiten gebildet sind, derart, daß eine Einheit
dem ersten Leiter und die zweite Einheit dem zweiten
Leiter zugeordnet ist, wobei die Grenzfläche im wesent
lichen mittig zwischen den zwei Leitern (1, 2) ver
läuft.
19. Dielektrischer Wellenleiter gemäß Anspruch 18, der fer
ner folgendes Merkmal aufweist:
eine Schaltungsplatine (7) mit einer Streifenleitung (8), die wirksam mit dem Dielektrikum (3, ε1) im Aus breitungsbereich verbunden ist, wobei die Schaltungs platine (7) zwischen den beiden Einheiten angeordnet ist.
eine Schaltungsplatine (7) mit einer Streifenleitung (8), die wirksam mit dem Dielektrikum (3, ε1) im Aus breitungsbereich verbunden ist, wobei die Schaltungs platine (7) zwischen den beiden Einheiten angeordnet ist.
20. Verfahren zum Herstellen eines dielektrischen Wellen
leiters mit folgenden Schritten:
Bilden eines Wellenleiterkörpers mit gegenüberliegenden dielektrischen Platten (3') und mit einem dielektri schen Streifen (3) zwischen denselben, wobei auf äuße ren Oberflächen der Platten (3') gegenüber dem dielek trischen Streifen Erhebungen vorhanden sind; und Aufbringen eines leitfähigen Materials (11, 12) auf die äußeren Oberflächen der Platten (3).
Bilden eines Wellenleiterkörpers mit gegenüberliegenden dielektrischen Platten (3') und mit einem dielektri schen Streifen (3) zwischen denselben, wobei auf äuße ren Oberflächen der Platten (3') gegenüber dem dielek trischen Streifen Erhebungen vorhanden sind; und Aufbringen eines leitfähigen Materials (11, 12) auf die äußeren Oberflächen der Platten (3).
21. Verfahren gemäß Anspruch 20, bei dem der Wellenleiter
körper durch Gießen hergestellt wird.
22. Verfahren zum Herstellen eines dielektrischen Wellen
leiters, mit folgenden Schritten:
Bilden eines ersten Wellenleiterkörpers mit einer er sten dielektrischen Platte (3'), die eine erste Erhe bung auf einer ersten Oberfläche derselben und eine zweite Erhebung auf einer zweiten Oberfläche derselben im wesentlichen gegenüber der ersten Erhebung aufweist;
Bilden eines zweiten Wellenleiterkörpers mit einer zweiten dielektrischen Platte (3'), die eine erste Er hebung auf einer ersten Oberfläche derselben und eine zweite Erhebung auf einer zweiten Oberfläche derselben im wesentlichen gegenüber der ersten Erhebung aufweist;
Gegenüberstellen des ersten und des zweiten Wellenleit körpers, derart, daß die zweiten Erhebungen nach außen gerichtet sind und die ersten Erhebungen ausgerichtet sind, um einen dielektrischen Streifen zwischen der er sten und der zweiten Platte zu bilden; und
Aufbringen eines elektrisch leitfähigen Materials (11, 12) auf die äußeren Oberflächen der Platten.
Bilden eines ersten Wellenleiterkörpers mit einer er sten dielektrischen Platte (3'), die eine erste Erhe bung auf einer ersten Oberfläche derselben und eine zweite Erhebung auf einer zweiten Oberfläche derselben im wesentlichen gegenüber der ersten Erhebung aufweist;
Bilden eines zweiten Wellenleiterkörpers mit einer zweiten dielektrischen Platte (3'), die eine erste Er hebung auf einer ersten Oberfläche derselben und eine zweite Erhebung auf einer zweiten Oberfläche derselben im wesentlichen gegenüber der ersten Erhebung aufweist;
Gegenüberstellen des ersten und des zweiten Wellenleit körpers, derart, daß die zweiten Erhebungen nach außen gerichtet sind und die ersten Erhebungen ausgerichtet sind, um einen dielektrischen Streifen zwischen der er sten und der zweiten Platte zu bilden; und
Aufbringen eines elektrisch leitfähigen Materials (11, 12) auf die äußeren Oberflächen der Platten.
23. Verfahren gemäß Anspruch 22, das ferner folgenden
Schritt aufweist:
Plazieren einer Schaltungsplatine (7) zwischen dem er sten und dem zweiten dielektrischen Wellenleiterkörper, wobei die Schaltungsplatine (7) ein Schaltungsmuster (8) aufweist, das wirksam mit dem dielektrischen Strei fen gekoppelt werden soll.
Plazieren einer Schaltungsplatine (7) zwischen dem er sten und dem zweiten dielektrischen Wellenleiterkörper, wobei die Schaltungsplatine (7) ein Schaltungsmuster (8) aufweist, das wirksam mit dem dielektrischen Strei fen gekoppelt werden soll.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21056695A JP3166897B2 (ja) | 1995-08-18 | 1995-08-18 | 非放射性誘電体線路およびその集積回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE19633078A1 DE19633078A1 (de) | 1997-02-20 |
| DE19633078C2 true DE19633078C2 (de) | 1998-06-18 |
Family
ID=16591450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19633078A Expired - Fee Related DE19633078C2 (de) | 1995-08-18 | 1996-08-16 | Dielektrischer Wellenleiter |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5861782A (de) |
| JP (1) | JP3166897B2 (de) |
| DE (1) | DE19633078C2 (de) |
Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9603582D0 (en) * | 1996-02-20 | 1996-04-17 | Hewlett Packard Co | Method of accessing service resource items that are for use in a telecommunications system |
| JP3013798B2 (ja) * | 1997-01-23 | 2000-02-28 | 株式会社村田製作所 | 交差線路 |
| US6166614A (en) * | 1997-04-03 | 2000-12-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Nonradiative planar dielectric line and integrated circuit |
| JP3120757B2 (ja) * | 1997-06-17 | 2000-12-25 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路装置 |
| US6094106A (en) * | 1997-06-25 | 2000-07-25 | Kyocera Corporation | Non-radiative dielectric waveguide module |
| JP3221382B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2001-10-22 | 株式会社村田製作所 | 非放射性誘電体線路およびその集積回路 |
| JP3405198B2 (ja) * | 1998-06-10 | 2003-05-12 | 株式会社村田製作所 | 非放射性誘電体線路共振器、非放射性誘電体線路フィルタおよびそれを用いたデュプレクサ、通信機装置 |
| JP3356120B2 (ja) * | 1999-06-24 | 2002-12-09 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路の製造方法 |
| DE10050544B4 (de) * | 1999-10-13 | 2006-03-23 | Kyocera Corp. | Nicht strahlender dielektrischer Wellenleiter |
| US6590477B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-07-08 | Fci Americas Technology, Inc. | Waveguides and backplane systems with at least one mode suppression gap |
| JP3610863B2 (ja) * | 2000-02-10 | 2005-01-19 | 株式会社村田製作所 | 誘電体線路の製造方法および誘電体線路 |
| AU2000258549A1 (en) * | 2000-07-13 | 2002-01-30 | Nrdtech Co | A non-radiative dielectric waveguide circuit positioned between two metal plateswhich are multi-layered for different sizes of spacers |
| DE10157961B4 (de) * | 2000-11-27 | 2011-11-17 | Kyocera Corp. | Nicht strahlender dielektrischer Wellenleiter und Millimeterwellen-Sende-/Empfangs-Vorrichtung |
| DE60208244T2 (de) * | 2001-01-12 | 2006-06-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Übertragungsleitunganordnung, integrierte Schaltung und Sender-Empfängergerät |
| US6947651B2 (en) * | 2001-05-10 | 2005-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Optical waveguides formed from nano air-gap inter-layer dielectric materials and methods of fabrication thereof |
| JP3531624B2 (ja) * | 2001-05-28 | 2004-05-31 | 株式会社村田製作所 | 伝送線路、集積回路および送受信装置 |
| JP2003218612A (ja) * | 2001-11-16 | 2003-07-31 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体線路、高周波回路、および高周波回路装置 |
| US7613429B2 (en) * | 2003-10-15 | 2009-11-03 | Intelligent Cosmos Research Institute | NRD guide transceiver, download system using the same, and download memory used for the same |
| CN1309118C (zh) * | 2004-05-28 | 2007-04-04 | 武汉大学 | 用于纳米聚焦的金属异质光波导器件 |
| FR2900770B1 (fr) * | 2006-05-05 | 2008-07-04 | Thales Sa | Dispositifs de guidage pour ondes electromagnetiques et procede de fabrication de ces dispositifs de guidage |
| JP4628991B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-02-09 | 富士通コンポーネント株式会社 | 分布定数型フィルタ装置 |
| US9444146B2 (en) | 2011-03-24 | 2016-09-13 | Keyssa, Inc. | Integrated circuit with electromagnetic communication |
| US8554136B2 (en) | 2008-12-23 | 2013-10-08 | Waveconnex, Inc. | Tightly-coupled near-field communication-link connector-replacement chips |
| US9407311B2 (en) | 2011-10-21 | 2016-08-02 | Keyssa, Inc. | Contactless signal splicing using an extremely high frequency (EHF) communication link |
| US9322904B2 (en) | 2011-06-15 | 2016-04-26 | Keyssa, Inc. | Proximity sensing using EHF signals |
| US8811526B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-08-19 | Keyssa, Inc. | Delta modulated low power EHF communication link |
| CN107257051B (zh) | 2011-12-14 | 2020-01-24 | 基萨公司 | 提供触觉反馈的连接器 |
| US9203597B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | Keyssa, Inc. | Systems and methods for duplex communication |
| US9553353B2 (en) | 2012-03-28 | 2017-01-24 | Keyssa, Inc. | Redirection of electromagnetic signals using substrate structures |
| US10305196B2 (en) | 2012-04-17 | 2019-05-28 | Keyssa, Inc. | Dielectric lens structures for EHF radiation |
| TW201407876A (zh) * | 2012-06-19 | 2014-02-16 | 維福寇內克斯公司 | 用於ehf通訊之介電導管 |
| TWI595715B (zh) | 2012-08-10 | 2017-08-11 | 奇沙公司 | 用於極高頻通訊之介電耦接系統 |
| US9478840B2 (en) * | 2012-08-24 | 2016-10-25 | City University Of Hong Kong | Transmission line and methods for fabricating thereof |
| KR20150055030A (ko) | 2012-09-14 | 2015-05-20 | 키사, 아이엔씨. | 가상 히스테리시스를 이용한 무선 연결 |
| EP2932556B1 (de) | 2012-12-17 | 2017-06-07 | Keyssa, Inc. | Modulare elektronik |
| CN105379409B (zh) | 2013-03-15 | 2019-09-27 | 凯萨股份有限公司 | Ehf安全通信设备 |
| US9553616B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-01-24 | Keyssa, Inc. | Extremely high frequency communication chip |
| US10240947B2 (en) * | 2015-08-24 | 2019-03-26 | Apple Inc. | Conductive cladding for waveguides |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4463330A (en) * | 1982-06-09 | 1984-07-31 | Seki & Company, Ltd. | Dielectric waveguide |
| JPH03270401A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Murata Mfg Co Ltd | Nrdガイド |
| DE4407251A1 (de) * | 1993-03-05 | 1994-09-15 | Murata Manufacturing Co | Nicht strahlender dielektrischer Hohlleiter und Herstellungsverfahren für diesen |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6235281B2 (ja) | 2013-09-20 | 2017-11-22 | ローム株式会社 | 発光素子の駆動回路、その制御回路、制御方法、およびそれを用いた発光装置および電子機器 |
-
1995
- 1995-08-18 JP JP21056695A patent/JP3166897B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-16 US US08/699,158 patent/US5861782A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-08-16 DE DE19633078A patent/DE19633078C2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4463330A (en) * | 1982-06-09 | 1984-07-31 | Seki & Company, Ltd. | Dielectric waveguide |
| JPH03270401A (ja) * | 1990-03-20 | 1991-12-02 | Murata Mfg Co Ltd | Nrdガイド |
| DE4407251A1 (de) * | 1993-03-05 | 1994-09-15 | Murata Manufacturing Co | Nicht strahlender dielektrischer Hohlleiter und Herstellungsverfahren für diesen |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Patent Abstracts of Japan, E-152, 1983, Vol. 7, No. 8, JP 57-166701A * |
| PEHL, E.: Mikrowellentechnik, 2. Aufl., Dr. A. Hüthig Verlag, 1988, S. 122, 123 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19633078A1 (de) | 1997-02-20 |
| US5861782A (en) | 1999-01-19 |
| JPH0964608A (ja) | 1997-03-07 |
| JP3166897B2 (ja) | 2001-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE19633078C2 (de) | Dielektrischer Wellenleiter | |
| DE69838961T2 (de) | Dielektrischer Wellenleiter | |
| DE69122748T2 (de) | Hochfrequenzvorrichtung | |
| DE69623220T2 (de) | Dielektrischer Wellenleiter | |
| DE69032749T2 (de) | Verfahren zum Einstellen des Frequenzganges einer Filtereinrichtung vom Dreileiter-Typ | |
| DE4241148C2 (de) | Richtkoppler | |
| DE60009962T2 (de) | Hohlleiter-streifenleiter-übergang | |
| DE69419088T2 (de) | Hochfrequenzelement in Streifenleitungsbauart | |
| DE69826223T2 (de) | In Mikrostreifenleitungstechnik ausgeführte Antenne und diese enthaltende Vorrichtung | |
| DE69802467T2 (de) | Leiterplatte mit einer Übertragungsleitung für hohe Frequenzen | |
| DE3486443T2 (de) | Rechteckig-elliptischer Übergangshohlleiter | |
| DE19918567C2 (de) | Verbindungsanordnung für dielektrische Wellenleiter | |
| DE3529810A1 (de) | Dielektrisches filter | |
| DE69716359T2 (de) | Mehrschichtige dielektrische Leitungsschaltung | |
| DE4407251A1 (de) | Nicht strahlender dielektrischer Hohlleiter und Herstellungsverfahren für diesen | |
| DE102007028799A1 (de) | Impedanzkontrolliertes koplanares Wellenleitersystem zur dreidimensionalen Verteilung von Signalen hoher Bandbreite | |
| DE69325525T2 (de) | Dielektrisches Filter und Herstellungsverfahren dafür | |
| DE69932899T2 (de) | Übertragungsleitung und Übertragungsleitungsresonator | |
| DE69728104T2 (de) | Gegentakt-Mikrostreifenleitungsfilter | |
| DE69515263T2 (de) | Hohlleiterkoaxialübergang | |
| DE4239990C2 (de) | Chipförmiger Richtungskoppler und Verfahren zu dessen Herstellung | |
| DE69523699T2 (de) | Einrichtung die einen nicht strahlenden dielektrischen Mikrowellenleiter enthält | |
| DE69620526T2 (de) | In Resonanzfrequenz variierbarer dielektrischer Resonator | |
| DE19580382C1 (de) | Übertragungsleitung und Verfahren zur Dimensionierung und Herstellung derselben | |
| DE69026889T2 (de) | Bandpassfilter und Verfahren zum Abgleichen von dessen Charakteristika |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
| D2 | Grant after examination | ||
| 8364 | No opposition during term of opposition | ||
| R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |