DE1961492B2 - Auf druck ansprechendes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen - Google Patents

Auf druck ansprechendes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen

Info

Publication number
DE1961492B2
DE1961492B2 DE19691961492 DE1961492A DE1961492B2 DE 1961492 B2 DE1961492 B2 DE 1961492B2 DE 19691961492 DE19691961492 DE 19691961492 DE 1961492 A DE1961492 A DE 1961492A DE 1961492 B2 DE1961492 B2 DE 1961492B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pressure
gold
alloy
area
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19691961492
Other languages
English (en)
Other versions
DE1961492A1 (de
Inventor
Gota Nagaoka; Yokozawa Masami Katanocho; Kawasaki Tatsuo Shiroyamacho; Fujiwara Shohei; Hasegawa Hiromasa; Takatsuki; Kano (Japan)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Publication of DE1961492A1 publication Critical patent/DE1961492A1/de
Publication of DE1961492B2 publication Critical patent/DE1961492B2/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L1/00—Measuring force or stress, in general
    • G01L1/18—Measuring force or stress, in general using properties of piezo-resistive materials, i.e. materials of which the ohmic resistance varies according to changes in magnitude or direction of force applied to the material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Thyristors (AREA)

Description

Die P.rfindung bezieht sich auf ein auf Druck ansprechendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, der vier übereinander angeordnete, schichtFormig ausgebildete Halbleiterbcreiche mit abwechselnd entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp enthält, bei dem auf einem Teil der Oberfläche eines nicht außenliegenden Bereiches eine Metallelektrode angebracht ist und bei dem eine Druckvorrichtung zum Ausüben eines Drucks auf diese Metallelektrode vorgesehen ist,
Ein solches Halbleiterbauelement stellt einen Wand' ler dar, dessen elektrische Eigenschaften sich ent' sprechend einem mechanischen Drucksignal ändern, und zwar einen Thyristor mit einem Vierschichterl· Aufbau, z. B. mit eitlem p-n-p-n-A\ufbau, der eine Steuerelektrode aufweist und dessen Schaltspannung durch den mechanischen Druck auf die Steuerelektrode gesteuert wird.
Es ist eine bekannte Tatsache, daß sich bei einem Halbleiterbauelement, das einen p-n*Übergang oder einen gleichrichtenden Übergang besitzt, der durch einen Kantakt zwischen einem Halbleiter und einem besonderen Metall, einer sogenannten Schottky-Sperr-
- schicht, gebildet wird, d>e Sperr-Kennlini'e ändert, wenn ein mechanischer Druck auf den Übergang ausgeübt wird.
Ein auf Druck ansprechendes Halbleiterbauelement, bei dem eine derartige Schottky-Sperrschicht zur Erzeugung eines druckabhängiger} elektrischen Signals verwendet wird, ist beispielsweise aus der belgischen
ίο Patentschrift 682 401 bekannt.
Durch die Anwendung einer Schottky-Sperrschicht allein kann jedoch keine Schalterfunktion ausgeübt werden, wie es bei dem Halbleiterbauelement der eingangs geschilderten Art erwünscht ist.
Bei den bekannten Thyristoren mit einem Vierschichtenaufbau, z. B. einem ρ,-η,-ρ,-η,-Übergangsaufbau, bei denen die Steuerelektrode zur Steuerung ihrer Schaltspannung einen ohmschen Kontakt bildet, der auf einer Fläche der η,-Schicht oder p,-Schichi ausgebildet ist, kann die Steuerung der Gleichrichtereigenschaft, insbesondere der Schaltspannung, nur dadurch erreicht werden, daß ein elektrisches Signal an die Steuerelektrode gelegt wird.
Ferner ist ein Vi'.rschicht-Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art bekannt (französische Patentschrift 1 498 000), bei dem eine Steuerung des Schaltzustandes -■· gesperrt oder durchgeschaltet — in Abhängigkeit vom Druck erfolgt. Dazu wird ein Übergang z\ ischen unterschiedlich dotierten Halbleiterbereichen verwendet, bei dem die durch die Anlegung eines Drucks bewirkte Erhöhung der Ladungsträgerkonzentration in der bei entsprechend angelegter Vorspannung vorhandenen Sperrschicht einen Lawineiidurchbruch bewirken kann. Der Lawinendurchbruch hat die Anreicherung mit Ladungsträgern zur Folge, wodurch die Durchschaltung des Elements in der Funktionsweise eines Thyristros erfolgt. Bei einem derartigen Bauelement sind die Größen, die die Abhängigkeit der Lauinendurchbruchspannung vom angelegten Druck bestimmen, nur schwer genau zu steuern. Dadurch ergeben sich nachteiligerweise entweder große Toleranzen oder zur Erzielung enger Toleranzen ein hoher fertigungstechnischer Aufwand.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein HaIblciterbauelement der eingangs genannten Art zu schaffen, das bei geringem fertigungstechnischem Aufwand genau definierte Schaltfunktionen innerhalb e'iger Tolerenzgrenzcn besitzt.
Diese Aufgabe ist dadurch gelöst, daß die Metallelektrode mit dem zugehörigen Halbleiterhercich eine Schottky-Sperrschicht bildet.
Durch das erlindungsgemäßc Halbleiterbauelement wird ein auf Druck ansprechender elektronischer Schalter geschaffen, der dadurch, dall er keine mechafrischen Kontakte aufweist, eine hohe Zuverlässigkeit und eine hohe Lebensdauer besitzt. Mit dem .. iidungsgemäßen Halbleiterbauelement kann ein in / bhängtgkeit von anderen Parametern steuerbarer Strom in Abhängigkeit vom Erreichen eines Schwellwerts durch den angelegten Druck ein* und ausgeschaltet werden, wobei die Größe des Stroms unabhängig von der Größe des angelegten Drucks ist. Die Größe des Drucks ist bei dem errinditngsgemäßen Halbleiterbauelement nämlich ohne Einfluß auf seine Stromes Verstärkungseigenschaften,
Das erfindungsgcmäße Halbleiterbauelement wird, Wenn es einen p-n-p-n*Aufbäu besitzt, dadurch gebildet, daß eine Schicht aus eiltet Golrl-Anlinion-Le-
gferung aur eine Oberfläche eines nicht außenliegenden das einen Viersphiehtaufban aufweisende p-leitenden Bereiches aufgebracht wird und daß der dieser Ausfiihrungsform über die .iei außenliegende η-leitende Bereich durch Verschmelzen schicht vorgespannt ist, erhöht sich die der mit der Gold-Antimon-Legierung bedeckten Ober- injizierten Löchern aus dem piemen fläche dieses p-leitenden Bereiches mit einer Metall- § ^-ßereich 2 durch die Ausübung eines μ unterlage gebildet wird. Vorteilhafterweise enthält die die Schottky-Sperrschicht, wodurch das Gold-Antimon-Legierung 1 bis 5 Gewichtsprozent leicht durch diese Wirkung zusammen nm <£·' ■■ Antimon. tion der Elektronen von dem η,-Bereich 4 in den
Besitzt das erfind ungsgemäße Halbleiterbauelement leitenden Zustand gelangt. Der bemerkenswerte uneinen n-p-n-p-Aufbau, wird es dadurch gebildet, daß ip terschied zwischen dem erRndungsgemawen n* u eine Schicht aus einer Gold-Gallium-Legierung auf leiterbauelement und einem herkomm licnen aus ViC1 eine Oberfläche eines nicht außenliegenden, η-leitenden Schichten aufgebauten Thyristor besteht darm, q*w Bereiches aufgebracht wird und daß der außen- Triggersignal aus einem mechanischen bigna liegende p-leitende Bereich durch Verschmelzen der das durch einen Druck auf das Bauelement mit der Gold-Gallium-Legierung bedeckten Oberfläche 15 wird. . , ...
dieses η-leitenden Bereiches mit einer Metallunterlage F i g. 2 stellt ein typisches Kennhnienteld dar _mii
gebildet wird. Vorteilhafterweise enthält die Gold- dem ausgeübten Druck als Parameter, das oei e nei Gallium-Legierung 4 bis 10 Gewichtsprozent Gallium. Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eri ai en Die Verwendung einer Gold-Antimon-Legierung wurde. Bei diesem Bauelement verringert mc π u.l Szw. Gold-Gallium-Legierung ist bei druckelek- 20 Schaltspannung mit einer Erho^.ng des urucKes r, .-,-,chen Wandlern zur Bildung von n- Hw. p-Be- der auf die Druckvorrichtung 6 ausjeubt wira;
-■ - -· · Ein konkretes Ausführungsbeispiel eines gemäß der
vorliesenden Erfindung ausgebildeten Halb'eiterbauelements soll an Hand der F i g. 1 beschrieben werden. 25 Ein p-leitendes Silicium-Plättchen 1 mit einem spezifischen Widerstand von ungefähr 1012 · cm und einer Dicke von 150 μπι wird hergestellt, und nach dem herkömmlichen Epitaxialverfahren wird eine gewachsene Schicht 2 mit η-Leitung hergestellt. D.ese gewachsene 30 Schicht 2 hat eine Dicke bis zu 5 μιτι und einem spezifischen Widerstand von 1,512 · cm. Der Dotierungsstoff ist Phosphor. Sodann wird ein Oxydfilm 8 auf die Oberfläche der epitaxial gewachsenen Schicht 2 bis zu
maücn venanren ausiunroar ,si. einer Dicke von ungefähr 5000 A, z. B. durch die Zer-
Fm eemäß der vorliegenden Erlindung aufgebautes 35 Setzung von Siloxan bei niedriger Temperatur^ au Halbleiterbauelement, dessen Aufbauprinzip in F i g. 1 gebracht, sodann wird ein vorbestimmtes Fenster ,ur
■ ■·■ ■" · die Diffusion in dem Film ausgespart, und e< wird Bor
bis zu einer Tiefe von ungefähr 3 am durch das Fenster
leiterunteriage . ausseoiiutri w.ru. »du c... r,CHC„Uu eindiffundiert, um den p-leitenden jPi'-^'f 3 /,U φ, ,-Bereich 3 in dem η-leitenden (n,)-Bereich 2 und 40 bilden. Der η-leitende (n.J-Bereich 4 ^ d« R^ cm n-leitcndcr (n2)-Bereich 4 auf der Ruckseite der seite der p-leitenden Unter agc 1 ist durch D ffus.on
von Phosphor mit einer Dicke von ungefähr 5 μηι ausgebildet. Sodann wird ein Fenster ;n dem Oxydfilm 8 auf der epitaxial gewachsenen, η-leitenden Schicht 2
1 eichen bekannt (USA.-Patentschrift 3 336 795).
Im folgenden wird die Erfindung an Hand schematicher Zeichnungen an Ausführungsbeispielen näher ..-Häuten. Es zeigt
F i g. 1 eine Schnittansicht, aus der der prinzipielle ■Vifhau des erfindungsgemäßen auf Druck ansprechenden Halbleiterbauelements hervorgeht,
F i g. 2 eine Kennliniencharakterislik eines erfinliangsgemäßen Halbleiterbauelements und
F i g. 3 einen Schnitt durch eine gemäß der vorlegenden Erfindung ausgebildete Ausführungsform, die einen Aufbau zeigt, der gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren ausführbar ist.
dargestellt ist. wird dadurch hergestellt, daß ein n-leitender ( λ,!-Bereich 2 in einer p-leitenden (p2)-Halbleiterunterlage 1 ausgebildet wird, daß ein p-leitender ih 3 i d lid ()Bih 2 nd
p-leitenden (p2|-Halbleilerunterlage 1 ausgebildet werden, daß ein Metallfilin 5 zur Ausbildung einer Schottky-Sperrschicht auf den Oberflächenteil dieses
η-leitenden Bereiches 2 aufgebracht und eine Druck- 45 geöffnet, und es wird im ,. vorrichtung 6 vorgesehen wird, um einen Druck auf einer Dicke von ungefähr die Schottky-Sperrschicht auszuüben. In dem in F i g. 1
gezeigten Halbleiterbauelement wird nunmehr der
ρ,-Bercich 3 durch die ohmsche Metallelektrode 7, .^,.,v... _ —
die auf diesem Bereich aufgebracht ist. auf F.rd- 50 Elektrode 7, die aus einem aufgedampften Alum:r potential gehalten, während die Schottky-Sperrschicht- fil-i besteht, wird auf der Oberfläche des p,-Bereiches
elektrode 5 durch eine Spannungsqudle 9 auf einem """'"
negativen Potential gehalten wird, und eine Vorspannung wird an den Hauplstromkreis. d. h. p,. n,,
, _ im durch
zerstäubung aufgebracht, um die Schottky-Sperrschicht zwischen der unteren, epitaxial gewachsenen Schicht 2 und dem Film auszubilden. Fine ohmsche
Π Π nfMCIIl. WIl U ClLiI VJi-I wi>v.i iiu~.-~ ,.,
aufgebracht: sodann wird ein GnIdIiIm (nicht dargestellt) auf die Oberfläche des Molyl.dänmetalHilins 5 und diese ohmschi? f lektrode 7 aufgebracht, um the
pannung wird an den naupisimmKms. u. 11. μ,. ■■,, u„u ,.,,«..,v . . .- ._
2. n2. vermittels einer Spanniingsquclle 10 über einen 55 Verbindung /u tier äußeren Drahtzuführung zu ver-
n-Ieitcnden (n2)-Bereich 4 angelegt, so daß ein Über- bessern, gang zwischen dem ρ,-Bereich 3 und dem 11,-Bereich 2 An das Halbleiterbauelement wird eine Vorspannung
in Vor«.ui^richtung gepolt und ein Übergang zwischen durch die Spannungsquelle 9 zwischen dem n,- und
1 eich 1 und dem ^-Bereich 2 in Rückwärts- ρ,-Bereich angelegt, so daß dieser ρ,-Ht-Übergam: "rgespannt ist. In diesem Zustand erhöht 6a über die Metallelektrode 5 der Schottky-Sperrschicln
ein Druck auf die Schottky-Sperrschicht, in Vorwärtsrichtung gcpolt ist (deshalb ist der Schoi
■m n,-Bereich 2 aufgebracht ist, von der ky-Spcrrschichf'ibcrgang in Rückwärtsrichtung g
des Metallfilms 5 aus durch die Druck- polt), und andererseits wird ein Druck P auf diesn'
ij 6 ausgeüb". wird, der Rückwäflsstrom, der Schottky-Sperrschichtteil durch eine Diuckvornc · -c Schotlky^Sperrschichl fließt, d. h. der 65 tung ausgeübt, z. B. durch ein Druckglied. das a
m des Thyrislorbctriebs, und die Vorrich- einer Saphirnadel hergestellt ist, deren Radius ;m
lsi in den reitenden Zustand. Dieses Phä- ihrem spitzen Ende 50 μιτι beträgt. Ferner wird dun ■<
I mehr im einzelnen beschrieben werden. Da die Spannungsquellc 10 eine vnrbestimmte SpanuuiM
dem p2-1
richtun ■
sich, w>
die aul
OberfUU
vorrichi
durch '
Steuerst
lung ginomen
zwischen, de'ri p(>- fin p2! n2-ßefeiGlien angelegt, Uni ddh Übergang zwischen dem pj-Befeich i lind dem ftj-Bereich 2 in Rückwäflsfichiiifig' vorzuspannen. Öie in" F i gi 2 gezeigten KenillinienkufVen stellen Kaftiodenstfömdruck-Anspreclikennlinieri dieser Ausfühfungsforrn dar, wobei der Druck P durch eine gewicihtsmäßig'e Belastung (in öfäfrifrii dargestellt ist. Aus F i g. 2 ist zu ersehen, daß die SchaitspaUniing abnimmt, wenn die auf die Schottky-Sperrschicht ausgeübte Belastung wächst. Wenn ein Bauelement, das eine solche Kennlinie aufweist, in eine Schaltung eingebaut wird, kann das Schaltsystem je nach dem Druck, der auf die Schottky-Sperrschicht ausgeübt wird, in einen »aus«- oder »eiiT-Zustand geschaltet werden. Dieses Bauelement arbeitet als sogenannter elektronischer Schalter. Obgleich diese Ausführungsform an Hand eines p-n-p-n-Aufbaus beschrieben wurde, kann die vorliegende Erfindung ebenso gut auf ein Bauelement mit einem n-p-n-p-Aufbau angewandt werden. Nachfolgend soll als weitere Ausführungsform zusammen mit deren Herstellungsverfahren ein in F i g. 3 dargestellter p-n-p-n-Aufbau beschrieben werden, der leichter hergestellt werden kann.
Zunächst wird eine epitaxial gewachsene Schicht 12. die als Verunreinigung Phosphor in einer Konzentration von ungefähr 5 · 10'° Atome pro cm3 enthält, bis zu einer Dicke von ungefähr 5 μηι auf einem p-leitenden Siliciumplättchen 11 mit einer Oberflächenverunreinigungsdichte von ungefähr 1 · 1016 Atome pro cm3 ausgebildet. Sodann wird ein p-leitender Bereich 13, der eine gewünschte Form aufweist, in dieser epitaxial gewachsenen Schicht 12 in einer Tiefe von ungefähr 2μηι ausgebildet, in dem eine Akzeptorverunreinigung eindiffundiert wird. Hierauf wird ein isolierender Film 14 (gewöhnlich ein Siliciumoxydfilm) auf die Oberfläche der epitaxialen Schicht 12 und des Bereiches 13 aufgebracht, und in dem Film werden an vorbestimmten Teilen auf der Oberfläche dieser epitaxial gewachsenen Schicht 12 bzw. der Oberfläche des Bereichs 13 Fenster geöffnet, um Elektroden auszubilden. Sodann wird ein Molybdänmetallfilm 15 auf der Oberfläche dieser η-leitenden, epitaxial gewachsenen Schicht durch Kathodenzerstäubung ausgebildet, um dort die Schottky-Sperrschicht auszubilden, und auf der Oberfläche des p-leitenden Bereiches 13 wird durch Aufdampfung eine ohmsche Elektrode 16. z. B. durch eine Gold-Chrom-Legierung ausgebildet, deren Chromgehalt-3 bis 15 Gewichtsprozent beträgt. Hierauf wird die Rückseite des Siliciumplättchens Il thermisch mil· einer Auflage 18 über eine zwischengeschichtete GoId-Antirfion-Leg'iefüng vefschmöizeTi. Bei diesem thermisch durchgeführten VeTseIimelzUng*spfözeß eigiieü sich als Gö(dvShtiriion=Legierürig eine Goldlegierung mit 1 bis 5 GewiehtspfozeiÜÄntimdnj Und zuni Beispiel έ wird) nachdem die Goldlegierung" auf diö Üiiieflage" (SilidiumpiäÜchen) 11 aufgedampft worden ist, die Unterlage Ü thermisch mit der Auflage IS vefschmolzen. Zu diesem Zeitpunkt ist auf der Rückseite* des Plättchens 11 ein I.egierungsübergangsbereich 19 ausgebildet. Der I.egierungsübergangshereich 19 dient als F.lektronenemissionsquelle in der Vorwärtsrichtung.
Dieses Halbleiterbauelement weist nach dem obigen Verfahren den Silicium p-n-p-n-Aufbau auf, und wenn auf die Schottky-Sperrschicht, die auf der Oberfläche des n-leilenden Bereiches 12 vorgesehen ist. mit Hilfe eines Druckgliedes, z. B. einer Saphirnadel, deren Radius an dem spitzen Fnde 50 um beträgt. einDruck aufgebracht wird, zeigt dieses Bauelement eine Kathodenstromdruck-Ansprechcharakteristik. die ähnlieh der in F i g. 2 gpzeigten Charakteristik ist. Mit den Bezugszeichen 21. 22 und 23 sind in F i g. 3 Draht-Zuführungen bezeichnet, die mit dem p-leitenden Bereich 13. der Schottkyelektrode 15 bzw. dem Legierungsübergangsbereich 19 verbunden sind. Wenn die Vorspannung an die entsprechenden Elektroden angelegt wird, wie es in F i g. 1 dargestellt ist, so führt das Bauelement einen Thyristor-Betrieb aus.
Obgleich dieses Ausführungrbeispiel an Hand eines p-n-p-n-Aufbaus beschrieben wurde, kann im Prinzip dasselbe Verfahren bei einer Vorrichtung mit einem n-p-n-p-Aufbau durchgeführt werden. In diesem Falle wird vorzugsweise z. B. Niobium an Stelle von Molybdän als Metallfilm 15 verwandt, um die Schottky-Sperrschicht auszubilden, da als Basis die p-leitende Unterlage dient, und des Herstellungsverfahrens kann weiterhin leicht ohne Änderung dann durchgeführt werden, wenn eine Gold-Gallium-Legierung mit 4 bis 10 Gewichtsprozent Galliumbestandteil als thermisch schmelzbares Metall zur Ausbildung der Legierungs-Übergangselektrode an Stelle der Gold-Antimon-Legierung verwandt wird.
Ein gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildetes Halbleiterbauelement bildet einen Thyristor, der eine auf einen Druck ansprechende Charakteristik aufweist.
und bei der Herstellung des Bauelements kann der n2-Bereich gleichzeitig mit der Verbindung J£s Bauelements mit einer Auflage ausgebildet werden, weshalb das Herstellungsverfahren äußerst leicht ist und die Verwendungsmöglichkeit in einem sehr großen Bereich liegt.
Hierzu 1 Blatt: Zeichnungen

Claims (5)

Patentansprüche;
1. Auf Druck ansprechendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper, der vier übereinander angeordnete, schachtförmig ausgebildete Halbleiterbereicfte mit abwechselnd entgegengesetztem Leitfähigkeitstyp enthält, bei dem auf einem Teil der Oberfläche eines nicht außenliegenden Bereiches eine Metallelektrode angebracht ist und hei dem eine Druckvorrichtung zum Ausüben eines Drucks auf diese Metallelektrode vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallelektrode (5, 15) mit dem zugehörigen Halbleiterbereich (2, 12) eine Schottky-Sperrschicht bildet.
2. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 1 mit einem p-n-p-n-Aufbau, dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus einer Gold-Antimon-Legierung auf eine Oberfläche eines nicht außenliegenden p-leitenden Bereiches aufgebracht wird und daß der außenliegende n-!eitende Bereich durch Verschmelzen der mit der Gold-Antimon-Legierung bedeckten Oberfläche dieses p-leitenden Bereiches mit einer Metailunterlage gebildet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß Jie Gold-Antimon-Legierung 1 bis 5 Gewichtsprozent Antimon en'hält.
4. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch 1 r it einem n-p-n-p-Aufbau. dadurch gekennzeichnet, daß eine Schicht aus einer Gold-Gallium-Legierung auf eine Oberfläche eine*, nicht außenliegenden η-leitenden Bereiches aufgebracht wird und daß der außenliegende p-Ieitende Bereich durch Verschmelzen der mit Gold-Gallium-Legierung bedeckten Oberfläche dieses η-leitenden Bereiches mit einer Metailunterlage gebildet wird.
5. Verfahren nach Anspruch 4. dadurch gekennzeichnet, daß die Gold-Gallium-Legierung 4 bis 10 Gewichtsprozent Gallium enthält.
DE19691961492 1968-12-10 1969-12-08 Auf druck ansprechendes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen Pending DE1961492B2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9217368 1968-12-10
JP43668 1968-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1961492A1 DE1961492A1 (de) 1970-07-30
DE1961492B2 true DE1961492B2 (de) 1972-04-13

Family

ID=26333417

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691961492 Pending DE1961492B2 (de) 1968-12-10 1969-12-08 Auf druck ansprechendes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3634931A (de)
AT (1) AT294961B (de)
BE (1) BE742874A (de)
CH (1) CH516872A (de)
DE (1) DE1961492B2 (de)
ES (1) ES374318A1 (de)
FR (1) FR2025792B1 (de)
GB (1) GB1268406A (de)
NL (1) NL157457B (de)
SE (1) SE360772B (de)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2013220A1 (de) * 1970-03-19 1971-11-25 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen einer Transistor anordnung aus Silicium
JPS5520388B1 (de) * 1970-08-12 1980-06-02
US4054893A (en) * 1975-12-29 1977-10-18 Hutson Jearld L Semiconductor switching devices utilizing nonohmic current paths across P-N junctions
JPS5837713B2 (ja) * 1978-12-01 1983-08-18 富士通株式会社 半導体レ−ザ−装置の製造方法
JPS6188563A (ja) * 1984-10-08 1986-05-06 Toshiba Corp 半導体スイツチ
EP0695927A3 (de) * 1994-08-01 1996-06-26 Motorola Inc Detektor-Umformer unter Verwendung eines Schottky-Übergangs mit einer erhöhten Ausgangsspannung
JP4772135B2 (ja) * 2008-06-09 2011-09-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体素子、および、その製造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL224458A (de) * 1956-05-15
US3248616A (en) * 1962-03-08 1966-04-26 Westinghouse Electric Corp Monolithic bistable flip-flop
GB985380A (en) * 1963-02-26 1965-03-10 Westinghouse Electric Corp Semiconductor devices
US3261989A (en) * 1964-01-17 1966-07-19 Int Rectifier Corp Four-layer semiconductor device strain switch
DE1277374B (de) * 1964-09-30 1968-09-12 Hitachi Ltd Mechanisch-elektrischer Wandler
US3523038A (en) * 1965-06-02 1970-08-04 Texas Instruments Inc Process for making ohmic contact to planar germanium semiconductor devices
FR1547292A (fr) * 1966-12-19 1968-11-22 Gen Electric Perfectionnements aux dispositifs à semiconducteur

Also Published As

Publication number Publication date
FR2025792A1 (de) 1970-09-11
FR2025792B1 (de) 1975-01-10
GB1268406A (en) 1972-03-29
BE742874A (de) 1970-05-14
DE1961492A1 (de) 1970-07-30
NL6918487A (de) 1970-06-12
CH516872A (de) 1971-12-15
US3634931A (en) 1972-01-18
ES374318A1 (es) 1972-03-16
AT294961B (de) 1971-11-15
NL157457B (nl) 1978-07-17
SE360772B (de) 1973-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1806624C3 (de) Photodiode
EP2596532B1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE1197549B (de) Halbleiterbauelement mit mindestens einem pn-UEbergang und mindestens einer Kontakt-elektrode auf einer Isolierschicht
DE1154872B (de) Halbleiterbauelement mit einem mindestens drei pn-UEbergaenge aufweisenden Halbleiterkoerper
DE2901193A1 (de) Halbleiteranordnung
DE3824836C2 (de) Isolierschicht-Bipolartransistor
DE1954694B2 (de) Signalspeicherplatte für eine Aufnahmeröhre mit einer Elektronenstrahlquelle und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2234973A1 (de) Mis-halbleitervorrichtung
DE2756268A1 (de) Temperaturkompensierte bezugsspannungsdiode
DE69835052T2 (de) Kontakt auf P-Typ Gebiet
DE2320579C3 (de) Schutzanordnung für ein planares Halbleiterbauelement
DE1961492B2 (de) Auf druck ansprechendes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen
DE2030917B2 (de) Halbleiteranordnung
DE3888462T2 (de) Verfahren zur Herstellung einer gegen Überspannungen selbst-geschützten Halbleiteranordnung.
DE2124847A1 (de) Schottky Sperrschicht Halbleiter schaltelement
DE2364753C2 (de) Halbleiterbauelement
DE102017201550A1 (de) Siliciumcarbid-halbleitervorrichtung und verfahren zum herstellen einer siliciumcarbid-halbleitervorrichtung
DE3010986A1 (de) Integrierte halbleiterschaltung
DE2823629C2 (de) Planar-Halbleitervorrichtung
DE2215850A1 (de) Schutzdiodenanordnung fuer gitterisolierte feldeffekttransistoren
DE2361171A1 (de) halbleitervorrichtung
DE2745300C2 (de) Mesa-Halbleiterbauelement
DE2407407C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2456635C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit negativem Widerstand
DE2001584A1 (de) Feldeffekttransistor

Legal Events

Date Code Title Description
SH Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971