DE1958749B2

DE1958749B2 - Schaltungsanordnung zur begrenzung der ampliduen frequenzmodulierter hochfrequenzschwingungen

Info

Publication number: DE1958749B2
Application number: DE19691958749
Authority: DE
Inventors: Karl 8510 Furth Benecke Günther 8500 Nürnberg Traub
Original assignee: Grundig EMV Elektro Mechanische Versuchsanstalt Max Grundig, 8510 Furth
Priority date: 1969-11-22
Filing date: 1969-11-22
Publication date: 1972-06-22
Also published as: FR2068308A5; DE1958749A1; US3654488A

Description

I 958

nur eine Verbesserung der AM- bzw, der Störunterdrückung, sondern auch eine Erhöhung der dynamischen Trennschärfe erreicht. Bei bestimmten Empfangsverhältnissen tritt nämlich eine Verminderung einsetzende, ^ΓΓε9»^επ?""?^υΤ?'Γ _dTe . ^b. ,__,_._ m i-tr-c- j-j ι t A_nIi „;„,» r AM.np.orenzunii. wie sie uurcn uic

der dynamischen Trennschärfe dadurch auf, daß eine

Modulation des Trägers eines Störsenders durch das

Eigenrauschen des Gerätes stattfindet, was besonders Die Erfindung »si "'^'S^ewähnen Leitfähig-

bei kleinen Antennenspannungen und geringem Fre- ren des Ausfuhrungsbeispieles gewann

quenzabstand des Störträgers zum Nutzträger zu er- keitstyp beschränk,

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

1 V 2

derartigen Verstärker mit einem im Ausgong einer erPatentanspruch: sten Transistorstufe liegenden fest abgestimmten

Schwingkreis und mit einer das hochfrequente Signal

Schaltungsanordnung zur Begrenzung der Am- an die Basis des nachfolgenden zweiten Transistors plituden frequenzmodulieuer Hochfrequenz- 5 übertragenden Ankopplungsspule, an der die Begrenschwingungen mit einem an der Ausgangselek- zung mittels eines Diodenbegrenzers erfolgt, parallel trode eines ersten Transistors liegenden fest abge- zu der Ankopplungsspule die Serienschaltung zweier stimmten Schwingkreis und mit einer die Hoch- Widerstände und eines Paares in an sich bekannter frequenzschwingungen an die Basis eines zweiten Weise antiparallßl geschalteter SchalHioden mit sehr Transistors übertragenden Ankopplungsspule, io niedrigem Durchlaßwiderstand und geringer Sperrwobei die Begrenzung mit einem Diodenbegren- Schichtkapazität angeordnet ist, wobei das Diodenzer an der Ankopplungsspule erfolgt, dadurch paar an dem erdseitigen Ende der Ankopplungsspule gekennzeichnet, daß parallel zu der An- und der Verbindungspunkt der beiden Widerstände kopplungsspule (4) die Serienschaltung zweier an der Basis des zweiten Transistors liegt.
Widerstände (8, 9) und eines Paares in an sich be- 15 Die Erfindung sei an Hand der in der Figur dargekannter Weise antiparallel geschalteter Schaltdio- stellten Prinzipschaltung näher beschrieben,
den (D 1, D 2) mit sehr niedrigem Durchlaßwider- In der Kollektorleitung des npn-Transistors 1 liegt stand und geringer Sperrschichtkapazität an- der aus der Induktivität 2 und dem Kondensator 3 begeordnet ist, wobei das Diodenpaar (D 1, D 2) an stehende, auf eine Frequenz von z. B. 10,7 MHz abge dem etxtseitigen Ende der Ankopplungsspule (4) ao stimmte Schwingkreis. Die auf der einen Seite an den und der Verbindungspunkt der beiden Wider- Verbindungspunkt der Spannungsteilerwiderständc stände (8, 9) an der Basis des zweiten Transistors S, 6 und des Kondensators 7 für die Erzeugung der (10) liegt. Basisvorspannung des Transistors 10 angeschlossene

Ankopplungsspule 4 ist auf der anderen Seite mit 25 dem Widerstand 8 verbunden, der das HF-Signal an

die Basis de* Transistors 10 leitet. An den Verbindungspunkt von Basisleitung und Widerstand 8 ist der Widerstand 9 angeschlossen, der andererseits mit

Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung dem ersten gemeinsamen Punkt der antiparallel ge-

zur Begrenzung der Amplituden frequenzmodulierter 30 schalteten Schaltdioden Dl, D 2 verbunden ist, wäh-

Hochfrequenzschwinfungen und zur Verbesserung rend der zweite gemeinsame Punkt des Diodenpaares

der dynamischen Trennschärfe in einem Hochfre- an den bereits erwähnten Spannungsteiler für die Ba-

quenzempfänger für frequen? nodulierte Schwingun- sisvorspannung angeschlossen ist.

gen mittels zweier antiparallel geschalteter Dioden. Die Wirkungsweise der Anordnung läßt sich fol-

Antiparallel geschaltete Dioden zur Regelung und 35 gendermaßen beschreiben:

Begrenzung der Signalamplitude sind vorzugsweise Die antiparallel geschalteten Dioden bewirken unbei NF-Verstärkern vielfach angewendet worden. So ter Ausnutzung der Anlaufspannung als Begrenzerwird z. B. in einer Schaltungsanordnung nach der schwellwert durch ihre einem Schalter gleichkomdeutschen Auslegeschrift 1 267 258 der dynamische mende Sperr-Durchgangs-Charakteristik eine sehr Widerstand zweier antiparallel geschalteter, als Quer- 40 wirksame Begrenzung sowohl der positiven wie der glied in einem Wechselspannungsleiter angeordneter negativen Halbwellen. Dieser Vorgang ist mit einer Dioden durch eine der Eingangsspannung proportio- Reihe von weiteren Vorteilen verknüpft. So gelangen nale Spannung derart gesteuert, daß der Verstärker die bei schwankender HF-Amplitude auftretenden, eine annähernd konstante Ausgangsspannung abgibt. bei diesen Dioden ohnehin schon geringen dynami-Zwei wechselstrommäßig antiparallel, gleichstrom- 45 sehen Kapazitätsänderungen nur umgekehrt propormäßig in Reihe geschaltete Dioden dienen in den tional dem Quadrat des Übersetzungsverhältnisses Schaltungen nach der deutschen Auslegeschrift (Kreiswicklung zur Basiskopplungswicklung) an den 1 178 118 dazu, die Ausgangsspannung eines Modu- Kreis, wobei zusätzlich noch eine Verringerung der lationsverstärkers bei stark schwankendem Eingangs- dynamischen Kapazitätsänderungen sowohl der Diosignal zu regeln bzw. zu begrenzen. 50 den als auch des Eingangskreises des nachfolgenden Derartige Schaltungen sind nicht geeignet, den An- Transistors durch den Widerstand 8 erfolgt, so daß meldungsgegenstand nahezulegen. praktisch keine Verstimmung und damit auch keine In der Schaltungsanordnung nach F i g. 2 der deut- Phasenmodulation durch ein gegebenenfalls amplituschen Auslegeschrift 1 246 037 ist parallel zum KoI- denmoduliertes HF-Signal entstehen kann. Während lektorschwingkreis eines Transistors eine Kapazitäts- 55 bei bisher bekannten Schaltungen wie der Diodenbecliode angeordnet, die durch Regelung bedingte An- grenzung am Kollektorkreis zur Vermeidung von derungen der Kollektorkapazität infolge ihrer in um- Verstimmungen in Reihe mit der Diode ein verhältgekehrter Richtung sich ändernden Sperrschichtkapa- nismäßig großer Vorwiderstand geschaltet werden zität ausgleicht. Diese Diode begrenzt das Signal muß, der die Begrenzungswirkung stark schwächt, nicht, da sie ständig in Sperrichtung geschaltet ist. 60 kann in der erfindungsgemäßen Schaltung der Serien-Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht widerstand 9 ausschließlich auf optimale Begrenzung darin, in einem Verstärker für frequenzmodulierte bzw. eine exakte Ausbalancierung einer eventuell Schwingungen die Amplitudenmodulation eines fre- vorhandenen Aufwärts- oder Abwärts-Amplitudenquenzmodulierten HF-Signals in beiden Richtungen modulation dimensioniert werden. Da keine Vornahezu vollkommen zu unterdrücken, ohne die Über- 63 spannungen und somit keine ßC-Glieder benötigt tragungseigenschaften des Verstärkers ungünstig zu werden, kann auch hierdurch keine Verschlechterung beeinflussen. der Begrenzungseigenschaften auftreten. Die Aufgabe wird dadurch gelöst, daß in einem Durch die Schaltung nach der Erfindung wird nicht