DE1955636A1 - Schaltungsanordnung zum Empfang hochfrequenter elektrischer Signale - Google Patents

Schaltungsanordnung zum Empfang hochfrequenter elektrischer Signale

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DE1955636A1
DE1955636A1 DE19691955636 DE1955636A DE1955636A1 DE 1955636 A1 DE1955636 A1 DE 1955636A1 DE 19691955636 DE19691955636 DE 19691955636 DE 1955636 A DE1955636 A DE 1955636A DE 1955636 A1 DE1955636 A1 DE 1955636A1
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capacitance diode
conductor
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capacitance
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Uittenbogaard Teunis Hermanus
Gerrit Wolf
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Koninklijke Philips NV
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Description

PHK.3677 JW/TdV
Dipl.-lng. ERfCH EWALTHER
Patentanwalt
Anmelder: N.V. philips' Gloeiluinpenfabriekea
Akte, PHN- 3677
Anmeldung vom» 3. JJOV. 1969
"Schaltungsanordnung zum Empfang hochfrequenter elektrischer Signale".
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zum Empfang hochfrequenter elektrischer Signale mit einem Feldeffekttransis% tor mit einem Halbleiterkörper, einer Quellenelektrode, einer Senkenelektrode und mindestens einer gegenüber dem Halbleiterkörper isoliert angeordneten Torelektrode, wobei die von einer Antenne aufgefangenen Signale über einen durch eine Kreisinduktivität und eine Kreiskapazität gebildeten abstimmbären Parallelschwingkreis der Torelektrode des Feldeffekttransistors zugeführt werden.
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PHN.3677
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Es ist vorteilhaft, die Hochfrequenzeingangsschaltung von Empfängern, beispielsweise Rundfunk- oder Fernsehempfängern, mit einem Feldeffekttransistor mit isolierter Torelektrode (sogenanntem MOS-FeIdeffekttransistor)zu versehen. Derartige MOS-Feldeffekttransistoren weisen nämlich sehr günstige Verstärkungs-, Kreuemodulations- und Rauscheigenschaften, auf, Eigenschaften, die für die Hochfrequenzeingangs schaltung eines Empfängers von wesentlicher Bedeutung sind.
Ein Nachteil, der der Verwendung von MOS-Feldeffekttransistoren in Eingangsschaltungen bisher im Wege gestanden hat, ist jedoch, dass die bei diesem Transistor zwischen der Torelektrode und dem Halbleiterkörper vorhandene sehr dünne Isolierschicht durch etwaige über die Antenne aufgefangene Hochspannungsstörimpulse sehr schnell zerstört wird. Es hat sich herausgestellt," dass ohne Sondermassnahmen bereits Störimpulse von einigen hunderten Volt, die sehr oft vorkommen, zu einem Durchschlag der Isolierschicht des MOS-Feldeffekttransistors führen können. Zum Vergleich sei bemerkt, dass bei Verwendung eines bipolaren Transistors in der Eingangsschaltung Störimpulse von über 10 kV noch nicht zu einer Zerstörung des Transistors führen.
Um den obengenannten Nachteil zu vermeiden wurde bereits vorgeschlagen, zwischen der Torelektrode und der Quelle des MOS-Feldeffekttransistors, d.h. parallel über die Isolierschicht, eine'.'Begrenzerdiode anzuordnen, die als Aufgabe hat, die der Torelektrode zugeführten Störimpulse auf einen Wert zu begrenzen, bei dem die Isolierschicht des MOS-Feldeffekttransistors nicht mehr gefährdet wird. Messungen haben jedoch erwiesen, dass die Verbesserung für die Praxis unzureichend ist, obschon eine derartige Sicherungsdiode eine Verbesserung bringt. Die auf
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der Antenne zulässige StSrimpulsamplitude bevor der MOS-Feldeffekttraneistor zerstört wird beträgt dabei ca. 1 kV. Praktische Schaltungen müssen jedoch gegen StSrimpulse von ca. 10 kV gesichert sein·
Die Erfindung bezweckt, eine Schaltungsanordnung zu schaffen, bei der die Isolierschicht des MOS-Feldeffekttransistors auf entscheidende Weiee gegen Störimpulse grosser Amplitude gesichert ist, und die erfindungageinSsse Schaltungsanordnung weist dazu das Kennzeichen auf, dass ein.erster Stromkreis, der die genannte Kreisinduktivität mit der daran gekoppelten Antenne und die Kreiskapazität enthält, und ein zweiter Stromkreis, der die Kreiskapazität und die Zufünrungsleitungen ™ der Torelektrode und der Quellenelektrode des Feldeffekttransistors enthält, nur mittels der für die beiden Stromkreise gemeinsamen durch eine Kapazitätsdiode gebildeten Kreiskapazität miteinander gekoppelt sind und dass die Induktivität der für die beiden Stromkreise gemeinsamen Zufülirungeleitungen der Kapazitätsdiode minimal gehalten ist.
Der Erfindung liegen die untenstehenden Erkenntnisse zugrunde.
Die von der Antenne aufgefangenen StSrimpulse haben an sich
eine nicht sehr hohe Flankensteilheit. Die grossen Amplituden dieser ^ St8rimpulse verursachen jedoch in der Antenne*, in der Antennenzuführungsleitung zum 'Empfänger und bei den Antenneneingangsklemmen des Empfängers Ueberschläge, die an sich ungefährlich sind, die jedoch die StSrimpulse zu Impulsen mit einer sehr grossen Hankensteilheit umformen. Das Anordnen einer Sicherungsdiode über die Isolierschicht des MOE-Feldeffekttransistors hat deswegen nicht den gewünschten Effekt, veil eine derartige Diode zu träge ist, um die steilen Flanken der Störiinpulse rechtzeitig zu begrenzen; die Isolierschicht des KOS-Feldeffekttransistors wird daher also "bereits durch die Impulse zerstört, bevor die Sicherungsdiode anspricht.
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Infolge der hohen Plankensteilheit der an den Antennenklemmen eintreffenden Störimpulse weisen diese·Impulse ein ausgedehntes Frequenzspektrum auf. Es stellt sich heraus^ dass aus diesem ganzen FrequenzSpektrum insbesondere zwei Frequenzen für die Isolierschicht des MOS-Feldeffekttransistors schädlich sind. Die erste ist die Frequenz auf die der Parallelschwingkreis der Eingangsschaltung (der obengenannte erste Stromkreis) abgestimmt ist» dies ist also zugleich die Frequenz des gewünschten Signals. Die zweite ist eine viel höher als die erste Frequenz liegende parasitäre Schwingfrequenz, auf die der obengenannte zweite Stromkreis abgestimmt ist, und die im wesentlichen durch die Eingangskapazität des MOS-Feldeffekttransistors und die Streuinduktivitäten der Zuführungsleitungen innerhalb dieses Stromkreises bestimmt wird.
In der erfindungsgemässen Schaltungsanordnung wird die erstgenannte Schwingfrequenz in ihrer Amplitude durch die begrenzende Wirkung der Kapazitätsdiode begrenzt. Diese Diode ist jedoch zu träge um auch die zweite Schwingfrequenz schnell genug zu begrenzen» Indem nun diese Schaltungsanordnung derart ausgebildet wird, dass die .Kapazitätsdiode das einzige Kopplungselement zwischen dem ersten unddem zweiten Stromkreis bildet, wird dafür gesorgt, dass die verhältnismässig grosse Kapazität der Kapazitätsdiode einen wirksamen Kurzschluss zwischen den beiden Stromkreisen für die genannte zweite Schwingfrequenz bildet, so dass für diese Frequenz praktisch keine Kopplung zwischen den beiden Stromkreisen und damit zwischen den Antennenklemmen und den Eingangeelektroden des MOS-Feldeffekttransistors vorhanden ist. Um die Kapazität der Kapazitätsdiode auf wirksame Weise als Kurzschlusselement zwi-
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sohen den beiden. Stromkreisen wirken au lassen, muss die in Reihe mit dieser Kapazität wirksame für die beiden Stromkreise gemeinsame Streuinduktivität der Zuführungsleitungen der Kapazitätsdiode minimal gehalten werden, d.h, so klein, dass eine wirksame Sicherung der Isolierschicht des MOS-Feldeffekttransistors gegen in der Praxis auftretende Störimpulse erhalten wird.
Bei der erfindungsgemässen Schaltungsanordnung hat daher die Kapazitätsdiode drei Aufgaben. An erster Stelle dient ,sie als Kreiskapazität zur Bildung des auf die gewünschte Signalfrequenz'abge- (J stimmten Parallelschwingkreises. An zweiter Stelle begrenzt sie mittels ihrer nichtlinearen Diodenkennlinie die der gewünschten Signalfrequenz entsprechende Frequenzkomponente der Störimpulse, und an dritter Stelle bildet sie mittels ihrer verhältnismässig grossen inherenten Kapazität einen Kurzschluss für die Frequenzkomponente der Störimpulse, auf die der zweite Stromkreis abgestimmt ist· Diese Schaltungsanordnung bietet einen guten Sohutz der Isolierschicht des MOS-Feldeffekttransistors gegen Störimpulse, ohne dass die zum Empfang des gewünschten Signals erforderliche optimale Bemessung der Schaltungsanordnung dadurch · auf irgendeine Weise beeinträchtigt wird.
Die Erfindung bezieht sich ebenfalls auf eine Kapazitätsdiode mit einem aus einem p- und einem η-Gebiet zusammengesetzten Halbleiterkörper, einem ersten Leiter, der mit einem der Gebiete des Halbleiterkörpers kontaktiert ist, und einem zweiten Leiter, der mit de» anderen Gebiet des Halbleiterkörpers kontaktiert ist, wobei auf dem zweiten Leiter zwei Anschlüsse angeordnet sind. Vorzugsweise weist der erste Leiter eine längliche Gestalt auf, dessen beide Enden als Anschluss dienen können.
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Eiηβ derartige Kapazitätsdiode ISast eich mit Vorteil in dear erfindungegemassen Schaltungsanordnung und in anderen Schaltungeanordnungen verwenden, bei denen es wichtig ist, die Streuinduktivität, die in Reihe mit der Kapazitätsdiode wirksam ist, minimal zu halten.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben» Es zeigern
Fig. 1 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemässen Schaltungsanordnung,
Pig, 2a und 2b ein Ausführungsbeispiel einer speziellen Kapazitätsdiode zur Verwendung in einer erfindungsgemässen Schaltungsanordnung,
Fig. 3 ein Ausführungsbeispiel einer erfindungegemSssen Schaltungsanordnung unter Verwendung einer Kapazitätsdiode nach Fig. 2.
Die Schaltungsanordnung nach Fig. 1 ist mit Antennenklemmen 1 und 2 versehen, von denen die Klemme 2 mit Masse verbunden ist. Das Antennensignal der Klemme 1 wird Über ein Filter 3 t das zur Unterdrückung von Frequenzen dient, die der Zwischenfrequenz dee Empfänger* entsprechen, einer Anzapfung 4 der Induktivität 5 zugeführt. Ein Ende der Induktivität 5 ist mittels eines Durchführungskondensator» 6 für die Signalfrequenzen mit Masse verbunden. Das andere Ende der InduktivitSt 5 ist mit der Anode der Kapazitätsdiode 7 verbunden, deren Kathode an Massenpotential gelegt ist. Die Induktivität 5 und die Kapazitätsdiode 7 bilden zusammen einen Parallelschwingkreis zum Selektieren des gewünschten Signals aus den von der Antenne empfangenen Signalen· Dieser Schwingkreis lässt sich dadurch abstimmen, dass über den Duroh-
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führungekondensator 6 und die Induktivität 5 der Anode der Kapazitätsdiode eine veränderliche Abstimmspannung V. zugeführt wird. Dadurch ändert sich die Kapazität der Kapazitätsdiode und damit die Abstimmung des Schwingkreises 5-7»
Es ist auch möglich, in der erfindungsgemässen Schaltungsanordnung eine induktiv abstimmbare Parallelresonanz anzuwenden. Dann . wird beispielsweise die Induktivität 5 veränderlich ausgebildet, und der Kapazitätsdiode 7 wird eine konstante Gleichspannung zugeführt.
Das durch den Kreis selektierte Signal wird über einen Λ Kondensator 8 einer ersten Torelektrode 10 eines MOS-Feldeffekttransistors 9 zugeführt· Dieser Transistor enthält weiter eine zweite Torelektrode 11, eine Quellenelektrode 12 und eine Senkenelektrode 13 und ein mit der Quelle verbundenes Halbleitersubstrat 14· Die beiden 'Porelektroden 10 und 11 sind mittels einer Isolierschicht 15 gegenüber dem Halbleitersubstrat mit der Quelle- und der Senke galvanisch isoliert. lieber einen Widerstand 16 und einen Durchführungskondensator 17 wird die erste Torelektrode 10 auf ein für die Einstellung des Feldeffekttransistors geeignetes positives Potential V1 gebracht. Die zweite Torelektrode 11 ist über einen Durchführungskondensator 18 und einen Wi- ™ d erst and 17 an e.ine Spannung V angeschlossen, die zur automatischen
agc
Verstärkungsregelung des Transistors abhängig von der Amplitude des Signals dient.
Die Quelle 12 ist über einen durch einen Kondensator 20 entkoppelten Widerstand 21 mit Masse verbunden. Das vom Feldeffekttransistor 9 verstärkte Signal wird der Senkenelektrode 13 entnommen; über diese Elektrode wird zugleich eine der Gleichstromspeisung des * Transistors dienende positive Gleichspannung zugeführt.
Wie eingangs bereits- erwähnt, können HochspannungsstSrim-
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pulse von beispielsweise .10 kV, die über die Antenneklemme 1 eintreffen, zu Zerstörung der Isolierschicht 15 des Ieldtffekttraniiiters 9 führen· Diese StSrimpulse beanspruchen ein grosses Frequenzspektrum und enthalten mindestens sowohl die Frequenz, auf die der Schwingkreis 5-7 abgestimmt ist, als auch die verhältnismässig höhere parasitSrβ Schwingfrequenz des zweiten Stromkreises, der durch die Kapazitätsdiode 7, die Kapazität 8, die Eingangskapazität zwischen die ToiAektro-· de und der Quellenelektrode des Feldeffekttransistors und dem Kondensator 20 gebildet wird. Dieser Stromkreis bildet einen Schwingkreis infolge der Streuinduktivitüten der in diesem Kreis vorhandenen Verbindungen. Da die beiden genannten Frequenzkomponenten der Störirapulse vorzugsweise durchgelassen werden, sind es diese beiden Frequenzkomppnenten, die im wesentlichen zu Zerstörung der Isolierschicht 15 führen.
In der dargestellten Schaltungsanordnung wird jedoch auf untenstehende Weise eine entscheidende Sicherung der Isolierschicht erhalten. . ; '
Für die erstgenannte Frequenzkomponente der Störimpulse ist die Kapazitätsdiode 7 als Begrenzerdiode wirksam. Dabei werden positive Spannungen an der Kapazitätsdiode dadurch begrenzt, dass die Diode in Durchlassrichtung gerSt und negative Spannungen werden durch den Durchschlag im Sperrichtung der Diode begrenzt. Die Begrenzung durch die Kapazitätsdiode ist wirksam genug um zu gewährleisten, dass die erste Frequenzkomponente der Störimpulse nicht mehr imstande ist, den Durchschlag der Isolierschicht 15 herbeizuführen.
Zur Sicherung der Isolierschicht gegen die aweite Frequenzkomponente der Störimpulse ist es wichtig, dass die Kapazitätsdiode das einzige Kopplungselement zwischen dem ersten Stromkreis 5, 6, 7
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und dem zweiten Stromkreis 7, 8§ 10, 12, 20 bildet. Der zweite Stromkreis wird daher nur durch die zweite Frequenzkomponente der StSrimpulse in-Schwingen gebracht, insofern diese Komponente eine Spannung an der Kapazitätsdiode erzeugt» Diese Spannung ist jedoch sehr klein, erstens weil - solange die Kapazitätsdiode noch nicht oder nicht mehr unter dem Einfluss der ersten Frequenzkomponente durchgeschlagen ist die verhältnismässig grosse Kapazität der Kapazitätsdiode eine sehr niedrige Impedanz für die zweite Frequenzkomponente bildet, und zweitens - weil wenn die Kapazitätsdiode unter dem Einfluss der ersten Frequenzkomponente durchgeschlagen ist - die Kapazitätsdiode eine noch bedeutend niedrigere hauptsächlich ohmsehe Impedanz bildet·
Bei der Schaltungsanordnung nach der Erfindung ist es wesentlich, zu vermeiden, dass Streuinduktivität in Reihe mit der Kapazitätsdiode vorhanden ist, die eine derartige Kopplung für die zweite Frequenzkomponente der Störimpulse zwischen dem ersten und dem zweiten Stromkreis bildet, dass die Isolierschicht 15 gefährdet wird. Eine derartige Streuinduktivität ist durch 22 in Fig. 1 gestrichelt angegeben, Messungen haben erwiesen, dass das Ausmass, in dem die Isolier-' schicht des Feldeffekttransistors gesichert ist, in hohem Masse von der Gr8sse dieser Streuinduktivität abhängt. Für eine Schaltungsanordnung wie diese in Fig. 1 dargestellt ist, zur Abstimmung im Fernseh-VHF-Band I, stellt sich heraus, dass die Amplitude Vder zulässigen Störimpulse am Antenneneingang wie folgt von einer absichtlich angeordneten VergrSsserung^ L der Induktivität in Reihe mit der kapazitätsdiode abhängt.
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-ΙΟ
kV !955636
V kV
10 kV
5 ,5 kV
2 kV.
1,
1
O nH
10 nH
25 nH
40 nH
60 nH
Ba eine Drahtlänge von 1 cm bereits eine Induktivität
von ca. 10 nH darstellt, folgt darausy dass wenn die beiden Zuführung«- leitungen der Kapazitätsdiode insgesamt 1 cm lang sind« diese bereits ein derartiges Kopplungselement zwischen dem ersten und dem zweiten Stromkreis bilden, dass die zulässige StSrimpulSamplitude wesentlich verringert wird.
Wenn die Torelektrode 10 für die Signalfrequenzen an die Spitze des Schwingkreises 5-7 angeschlossen wird, tritt die Schwierigkeit auf, dass die EingangskapazitSt des Feldeffekttransistors, die etwa 5 pF betragen kann, unmittelbar parallel zur Kapazitätsdiode liegen wird« Dadurch wird der Abstimmbereich der Kapazitätsdiode zu sehr beschränkt. Um diese Schwierigkeit auszuschalten könnte man die Tor- . elektrode 10 an eine Anzapfung einer Induktivität 5 anschliessen, aber dann verursacht diese Anzapfung eine Streuinduktivität in Reihe mit der Kapazitätsdiode, welcher Streuinduktivität zwischen dem ersten und dem zweiten Stromkreis eine Kopplung bildet, wodurch die Sicherung der Isolierschicht 15 gegen StSrimpulse gefährdet wird. Deswegen wird bei der erfindungegemässen Schaltungsanordnung ein« etwaige notwendig· Anpassung zwischen der Torelektrode und dem Stjhwingk*»i« nicht duroh ein· Anzapfung an die EreiainduktivitKt hergestellt, sondern auf an aioh bekannter Weise mittel« einer Reihenreaktanz, vorzugsweise dadurch, da*·
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die Kapazitlt dee Kondensators 8 verhlltnismfiesig klein gewÄhlt wird. Si··· Maesnähme bietet aueserdem den Vorteil, dasβ von der St8rimpulsspannungf.- die noch in den-zweiten Stromkreis eingekoppelt wird, nur ein Teil an der Isolierschicht 15 und der reetliohe Teil am Kondensator 8 stehen wird·
Sine weitere Maeβnähme zur Erhöhung des Schutzes der Isolier B ohicht 15 vor Störimpulespannungen besteht darin, dass die Längen der Yerbinäungeleitungen im zweiten Stromkreis, beispielsweise die Verbindungsleitung zwischen der Kapazitätsdiode und dem Kondensator 8 oder zwisohen de» Kondensator*8 und der Torelektrode 10, klein gehalten werden, wodurch die Schwingfrequenz dieses Stromkreises erhöht wird. An erster Stelle hat dies zur Folge, dass die KapaaitSt der Kapazitätsdiode einen besseren Kurzschluss für die dieser Frequenz entsprechende Frequenzkoaponente der St8rimpulse bildet· Ausserdem wird dann der durch den zweiten Stromkreis gebildete Schwingkreis durch den Realteil der Eingangsimpedanz des Feldeffekttransistors stärker gedämpft, so dass dieser Schwingkreis durch noch eingekoppelte StSrimpulsenergie weniger ins Schwingen gerSt.
Eine geringe zusätzliche Sicherung der Isolierschicht des Feldeffekttransistors ISset sich noch dadurch erreichen, dass auf bekannte Weise zwischen der ersten. Torelektrode und der Quellenelektrode eine Begrenzerdiode, wie diese in Fig. 1 durch 23 gestrichelt dargestellt iet, angeordnet wird»
Vie obenstehend beschrieben, muss die .in Reihe mit der
Kapazitätsdiode vorhandene StreuinduktivitSt möglichst vermieden werden. Dazu lassen sich die untenstehenden geeigneten Massnahmen gesondert Oder zusammen treffen.
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1« In vielen Abstimmschaltungen mit Kapazitätsdioden wird die Kreisinduktivität des Abstimmkreises an einer Seite an Masse gelegt, und die Abstimmung V+ wird über einen Durchführungskondensator der für die Signalfrequenzen geerdeten Elektrode der Kapazitätsdiode zugeführt. Der genannte Durchführungskondensator hat jedoch eine gewisse Streuinduktivität, die in Reihe mit der Kapazitätsdiode wirksam iet. Deswegen wird in der erfindungsgemessen Schaltungsanordnung bevorzugt, die Kapazitätsdiode unmittelbar an Masse zu legen und die Abstimm' spannung über die Kreisinduktivität 5 der die Signalspannung führenden Elektrode der Kapazitätsdiode zuzuführen.
2. Die Schaltungselemente, aus denen der erste Stromkreis aufgebaut ist, beispielsweise die Antennenklemmen, das Filter 3, die Induktivität 5 und die Zuführungsleitung der Induktivität 5 mit der Kapazitätsdiode, können über gegenseitige Streuinduktivitäten und/oder Streukapazitäten mit Schaltungselementen des zweiten Stromkreises, wie dem Feldeffekttransistor 9» dem Kondensator 8 und den Verbindungen zu diesen Teilen, gekoppelt sein. Derartige parasitäre Kopplungen bilden eine zusätzliche Kopplung um die kapazitätsdiode herum und können unter Umständen soviel Energie der StSrimpulse in dem zweiten Stromkreis koppeln, dass die Isolierschicht 15 des Feldeffekttransistors in Gefahr gerät zerstört zu werden. Eine entscheidende Massnahme dagegen besteht darin, dass eine leitende auf Massenpotential gebrachte Abschirmung 24 angeordnet wird, die mit einer Oeffnung 25 versehen ist, in der co die Kapazitätsdiode 7 angeordnet ist. Die Teile des ersten Stromkreises <n liegen an einer Seite der Abschirmung und die des zweiten Stromkreises "^ an der anderen Seite der Abschirmung»
O0 3» Eine dritte geeignete Massnahme zur Verringerung in Röihe
O mit der Kapazitätsdiode wirksamen Streuinduktivität besteht in der Ver-O
wendung einer Sonderkar.azitätsdiode, die in Fig. 2a und 2b näher dar-
gestellt ist· Diese Kapazitätsdiode besteht aus einem verhältnismässig grossen Leiter 26, der mit Massenpotential verbunden wird« Auf diesem. Leiter ist ein η-dotierter Halbleiterkörper 27 angeordnet, und über diesem Halbleiterkörper liegt eine Isolierschicht 28. Heber eine Oeffnung 29 in der Isolierschicht 28 ist weiter eine Akzep.torverunreinigung in das Halbleitermaterial des Körpers 27 eindiffundiert, wodurch ein Teil des Halbleiterkörper unmittelbar unter der Oeffnung in der Isolierschicht zu einem p-dotierten Halbleitergebiet 30 umgebildet wird. J
TJeber die Isolierschicht 28 wird dann eine leitende
Schicht 31 aufgedampft, die über die Oeffnung 29 mit dem p-dotierten Halbleitergebiet 30 kontaktiert ist. An gesonderten Stellen dieser Schicht sind zwei Verbindungen 32 und"33 angeordnet. Wie aus der Draufsicht nach Fig. 2b ersichtlich ist, besteht der Leiter 26 aus. einem länglichen leitenden Streifen, auf dem.das Halbleiterelement der Kapazitätsdiode etwa in der Mitte angeordnet ist. Zwei weitere leitende Streifen 34 und 35 sind über die Verbindungen 32 haw. 33mit der Schicht 31 verbunden. Eine isolierende Hülle 36 ist derart um die Kapazitäts diode angeordnet, dass die beiden Enden des Streifens 26 und die freien % Enden der Streifen 34 und 35 aus der Hülle 36 hinausragen. Diese Enden dienen zum Anschluss der Kapazitätsdiode.
Ein geeignetes Verfahren, diese Kapazitätsdiode anzuschliessen, ist in Fig. 3 dargestellt. Ein Ende des Streifens 26 ist mit Masse, beispielsweise mit der auf Massenpotential liegenden Abschirmung 24 verbunden. Das andere Ende des Streifens 26 ist an den mit der C<,uellenelektrode 12 des Feldeffekttransistors 9 verbundenen Kondensator 20 angesohlossenf so dass dieser Kondensator über den Streifen 26 mit Masse verbunden ist. Der Streifen 34 ist an die Induktivität 5 angeschlossen,1 und der Streifen 35 ist über den Kondensator 8
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mit der ersten Torelektrode 10 des Feldeffekttransietore 9 verbunden· Sie weiteren Schaltungselemente der Fig« 1 sind in Fig, J nicht nSher dargestellt.
In diesem Ausführungsbeispiel ist keiner der Anschlüsse der Kapazitätsdiode den beiden angegebenen Stromkreise gemeinsam, so dass die Streuinduktivitäten der Streifen kein zusätzliches Kopplungeelement zwischen den beiden Stromkreisen bilden. Der Streifen 34 m^ der Verbindung 32 und der mit Masse verbundene Teil des Streifens 26 liegen im ersten Stromkreis; der Streifen 35 mit der Verbindung 33 und der an dem Kondensator 20 angeschlossene Teil des Streifens 26 liegen im zweiten Stromkreis,
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Claims (6)

  1. Patentansprüohet
    1 »J . Schaltungsanordnung zum Empfang hochfrequenter elektri-■oher Signale mit einem Feldeffekttransistor mit einem Halbleiterkörper, einer Quellenelektrode« einer Senkenelektrode, und mindestens einer gegenüber dem Halbleiterkörper isolierten Torelektrode, wobei die von einer Antenne aufgefangenen Signale über einen durch eine Kreisinduktivität und eine KreiskapazitSt gebildeten .-.abstimmbarer Parallelechwingkreis der Torelektrode des Feldeffekttransistors zugeführt werden, daduroh gekennzeichnet, dass ein erster Stromkreis, der die genannte KreieinduktivitBt.(5) mit der-daran gekoppelten Antenne und die KreiekapazitSt enthBlt, und ein zweiter Stromkreis, der die KreiskapazitBt und die Zuführungsleitungen der Torelektrode (1O) und der Quellenelektrode (12) des Feldeffekttransistors enthSlt, nur mittels der für die beiden Stromkreise gemeinsamen, durch eine Kapazitätsdiode (7) gebildeten KreiekapazitSt miteinander gekoppelt sind und dass die InduktivitSt der für die beiden Stromkreise gemeinsamen Zuführungsleitungen der Kapazitätsdiode minimal gehalten ist·
  2. 2. Schaltungsanordnung nach Anspruoh 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine der Elektroden der Kapazitätsdiode (T) unmittelbar an Masse gelegt ist und dass eine die KapazitStsdiode in Sperrichtung vorspannende Gleichspannung (V.)t beispielsweise Abstimmspannungf t über die KreisinduktivitSt (5) der die Hochfrequenzsignalepannung führenden Elektrode der KapazitStsdiode zugeführt wird.
  3. 3· Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine metallene Abschirmung zwischen den Schaltungselementen des ersten Stromkreises angeordnet ist, und dass die KapazitStsdiode in einer Oeffnung in der Abschirmung angeordnet ist.
  4. 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, unter Verwendung einer
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    pm.5677
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    KapazitStsdiode mit einem aus einem p-leitenden und einem η-leitenden Gebiet zusammengestellten Halbleiterkörper, einem ersten Leiter, der mit einem der Gebiete des HalbleiterkSrpers kontaktiert ist, und einem zweiten Leiter, der mit dem anderen Gebiet des Halbleiterkörper kontaktiert ist, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leiter (26) mit Masse verbunden ist und dass auf dem zweiten Leiter zwei Anschlüsse angeordnet sind,, wobei einer der Anschlüsse (34) in den ersten Stromkreis unä der andere Anschluss (35) in den zweiten Stromkreis aufgenommen ist·
  5. 5· Schaltungsanordnung nach Anspruch 4t dadurch gekennzeichnet, dass der erste Leiter (26) eine längliche Gestalt aufweist, dass ein Ende des ersten Leiters mit Masse verbunden ist, und dass das andere Ende des ersten Leiters mit der Ctuellenelektrode des Feldeffekttransistors hochfrequent verbunden ist.
  6. 6. Kapazitätsdiode zur Verwendung in einer Schaltungsanordnung nach den Ansprüchen 4 oder 5·
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DE19691955636 1968-11-16 1969-11-05 Schaltungsanordnung zum Empfang hochfrequenter elektrischer Signale Pending DE1955636A1 (de)

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