DE2412689B2 - Schaltungsanordnung zur abstimmung und bereichs- bzw. bandumschaltung eines hf-schwingungskreises - Google Patents

Schaltungsanordnung zur abstimmung und bereichs- bzw. bandumschaltung eines hf-schwingungskreises

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DE2412689B2 DE19742412689 DE2412689A DE2412689B2 DE 2412689 B2 DE2412689 B2 DE 2412689B2 DE 19742412689 DE19742412689 DE 19742412689 DE 2412689 A DE2412689 A DE 2412689A DE 2412689 B2 DE2412689 B2 DE 2412689B2
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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Schaltungsanordnung zur Abstimmung und Bereichs- bzw. Bandumschal- tung eines HF-Schwingungskreises z. B. in einem Tuner eines Femseh-Empfangsgerätes, wie näher im Oberbegriff des Patentanspruches 1 bezeichnet.
Die bisherigen Maßnahmen zur Bereichsunischaltung bzw. zur Banduinschalhing in Kanalwählersystemen ir Fernsehempfängern Sind u.a. aus der Literaturstelle »FUNKSCHAÜ« 1972, Heft 8, Seiten 249-252, als auch aus der DT-AS 21 16 901 bekannt Derartigen Umschalteinrichtpngen liegt folgendes Prinzip zugrun
Der oder die Tuner sind derart geschaltet, daß vor einem Antenneneiingang eine Aufteilung in der Vorstu fe, z. B. im VHF-Bereich in Band I und Band III erfolgt Danach erfolgen getrennte Verstärkungen im Band 1 und im Band HI, danach wiederum eine getrennte Filterung, bis dann schließlich die Signale an die betreffenden Oszillatoren herangeführt werden, die auch die Mischstufen nachgeschaltet enthalten, und am Ausgang dieser Mischstufen kann dann das ZF-Signal, also das Zwischenfrequcnzsignal, für Band IH oder Band I bzw. aus dem meistens völlig getrennt aufgebauten UHF-Tuner entnommen werden.
In der DT-AS 21 16 901 wird die obengenannte umschaltung der Bereiche dadurch bewirkt, daß die Anschwingbedingungem in Abhängigkeit von der Abstimmspannung: unterschiedlich erfüllt werden und dadurch die Oszillatoren in den verschiedenen Bereichen getrennt voneinander schwingen. Damit wird zwar eine Trennung erreicht, aber in diesem Fall laufen die Hochfrequenz-Vorverstärkerstufen ungehindert weiter und können zu unerwünschten Modulationsprodukten durch in den Zwischenbereichen etwa auftretende starke Störsender (z. B. ILJKW, Funkdienste usw.) führen.
Hierzu ist es auch schon bekannt, die Vorstufen, also die in den Vorstufen eingeordneten HF-Schwingungskreise, mit umzuschalten. Auch ist es hierbei bekannt, die nicht benötigte Bereichsspule durch einen Schalter kurzzuschließen. So zeigt die DT-OS 17 91222 eine Schaltungsanordnung zum Abstimmen, bei der in Abhängigkeit von der Abstimmspannung die Dioden, die parallel zu den Resonanzkreisen angeordnet sind, bsi verschiedenen Spannungspotentialen dieser Abstimmspannung in den Durchlaßbereichen geschaltet werden und damit die Schwingkreise bzw. die Schwingkreisspulen des betreffenden Bandes bzw. Bereiches kurzschließen.
Ein elektrischer Schwingungskreis mit elektronisch umschaltbarer Resonanzfrequenz ist aus der DT-OS 21 34 466 bekannt Dort liegt die Kollektor-Emitter-Strecke eines Transistors parallel zu der Diode, bezogen auf den Gleichstromkreis, und der Transistor wird an seiner Basis von einer Impulsspannung angesteuert Eine vollständige Schaltung für die Umschaltung eines Tuners für einen Fernsehempfänger zeigt dagegen die US-PS 36 46 450. Dort iist im Prinzip eine elektronische Umschaltung für die Resonanzkreise gezeigt, und zwar für den Eingangsverstäirkerkreis, den Ausgangsverstärkerkreis, den Mischerkreis und den Oszillatorkreis. In allen Resonanzkreisen liegt eine Kapazitätsabstimmdiode, im weiteren kurz Kapazitätsdiode genannt Diese Kapazitätsdiode liegt über die Schwingkreisspulen einseitig an dem gemeinsamen Bezugspunkt also z. B. hier an Masse. Die andere Seite der Kapazitätsdiode liegt an einem Abgriff eines Potentiometers, der an der Abstimmgleichspannung liegt Diese Abstimmspannung kann sich also von +2V bis +30V verändern. Die bekannte Schaltungsanordnung ist nur. folgendermaßen:
Die Induktivität der Schwingkreise ist aufgeteilt in zwei Teilspulen, von denen die eine durch eine Schaltdiode überbrückt wird. Die Schaltdiode ist hier
auch, wie obengenannt, zu dem Zwecke angeordnet, daß sie in Abhängigkeit von der Abstimmspannung durchgeschaltet werden kann und damit die eine Bereichsspule, d.h. die eine Teilspule, kurzschließt, wodurch eine Bereichsumschaltung erfolgt Der wesentliche Gegen- s stand dieser US-PS 3646450 besteht in der Art und Weise der Schaltungsanordnung zur Schaltung dieser Schaltdioden. Diese Hegen nämlich mit ihren Anoden an einem Schalttransistor, der bei niedrigen Abstimmspannungen gesperrt ist, und aus diesem Grunde sind auch bei niedrigen Abstimmgleichspannungen sämtliche Schaltdioden im Sperrbereich. Erst dann, wenn eine bestimmte Abstimmspannung, in dem bekannten Stand der Technik z.B. +13V, erreicht wird, schaltet der Schalttransistor eine Plusspannung unmittelbar an die Schaltdioden und diese werden in den Durchlaßbereich geschaltet Die Ansteuerung des Sciialttransistors im Gleichstromkreis erfolgt durch einen zweiten Transistor, der als Steuertransistor zu bezeichnen ist. Dieser Steuertransistor ist mit einem weiteren dritten Transistör zu einer Differenzverstärkerschaltungsanordnung zusammengeschaltet, und zwar derart daß bei einer ganz bestimmten durch Widerstände vorherbestimmbaren Spannungsschwelle, d.h. also bei einer ganz bestimmten Gleichspannung, und dies heißt wiederum bei einer ganz bestimmten Abstimmspannung, dieser Schwellwert erreicht wird. Bei Erreichen dieses Schwellwertes wird der obengenannte dritte Transistor, der normalerweise bei niedrigen Abstimmspannungen im Durchlaßbereich betrieben wird, gesperrt und der obengenannte Steuertransistor wird durchgeschaltet Er weist in seinem Kollektorkreis einen Koilektorwiderstand auf, der im Emitter-Basiskreis des Schalttransistors liegt Sowie an diesem Kollektorwiderstand ein Spannungsabfall auftritt kann der Schalttransistor schlagartig durchschalten und damit die Schaltdioden betätigen.
Die Erfindung geht im wesentlichen von diesem zuletztgenannten Stand der Technik, also dem nach der US-PS 36 46 450 aus.
Die Fig.2 der US-PS 36 46 450 zeigt wie oben bereits bei der Besprechung dieses bekannten Standes der Technik schon beschrieben, eine Umschaltung der Schwingkreis« durch Kurzschließen von Teilinduktivitäten bei Erreichen eines bestimmten Schwellwertes, d. h. bei Erreichen eines bestimmten Gleichspannungswertes der Abstimmspannung. Dabei ist aber diese Abstimmspannung immer etwa gleich der Spannung, die an den Kapazitätsdioden liegt Infolgedessen werden in dem unteren Frequenzbereich bzw. in dem unteren Frequenzband Kapazitätsdioden in einem Kennlinienbereich betrieben, der teilweise bereits eine hohe Steilheit aufweist während die Steilheit in dem oberen Frequenzbereich erheblich geringer ist Dieser Mangel sollte abgestellt werden.
Zur Lösung der genannten Aufgabe zeigt bei einer Umschalt-Schaltungsanordnung der eingangs genannten Art die Erfindung eine Lösung, wie sie näher im Kennzeichen des Patentanspruches 1 beschrieben ist. Bei Einsatz der Erfindung kann also in jedem Band bzw. in jedem Bereich die volle Steilheit der Diode ausgenutzt werden, was erhebliche Vorteile hat, denn ohne diese Maßnahme kann es vorkommen, daß mit der zur Verfügung stehenden Kapazitätsdiode die erwünschten Frequenzbänder bzw. -bereiche überhaupt nicht durchstimmbar sind; außerdem geht die Schaltungskapazität bzw. die in jedem HF-Schwingkreis vorhandene Streukreiskapazität wesentlich geringer in die Schwingkreisbedingungen ein.
In weiterer Ausgestaltung der Erfindung können Maßnahmen ergriffen werden, wie sie im Patentanspruch 2 im Kennzeichen beschrieben sind. Auch ist es möglich Maßnahmen zu ergreifen, wie im Patentanspruch 3 näher beschrieben.
Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnugnen dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben.
Es zeigt
F i g. 1 die sogenannte Grundschaltung für einen VHF-Tuner nach der Erfindung,
F i g. 2 die Ausbildung des Schaltspannungserzeugers für die Schaltungsanordnung nach F i g. 1,
Fig.3 eine Grundschaltung für einen kombinierten UHF-VHF-Tuner nach der Erfindung,
F i g. 4 und 5 die Ausbildung der Schaltspannungserzeuger für die Schaltungsanordnung nach F i g. 3,
Fig.6 eine grafische Darstellung der Diodenspannung in Abhängigkeit von der Abstimmspannung,
F i g. 7 eine grafische Darstellung der Dioden-Sperrspannung in Abhängigkeit von der Abstimmspannung,
Fig.8 einen Schaltspannungserzeuger zur Gewinnung der Schaltspannung aus der Oszillatorspannung bzw. aus den Oszillatorspannungen.
In F i g. 1 ist mit TRO der Eingangstransistor bzw. der Vorstufen-Transistor in einem VHF-Tuner eines Fernsehgerätes bezeichnet An die Klemmen 1 kommt das Eingangssignal, das also von der Antenne herkommend bereits ein Eingangsfilter durchlaufen hat Die Basis des Transistors TRO ist über CI, einen verhältnismäßig großen Kondensator von z.B. 1000pF, mit dem gemeinsamen Bezugspunkt, hier also Masse verbunden über einen Widerstand wird eine Regelspannung LJR zur automatischen Verstärkungsregelung an den Transistor TRO angelegt Eine Drossel Dr schließt der Kollektorstromkreis gegen Masse. Mit einem Konden sator CK ist das nachfolgende Filter bzw. sind die nachfolgenden HF-Schwingungskreise an den Ein gangstransistor TRO angekoppelt. Sie bestehen au; Induktivitäten LI für Band I und LIII für Band III sowie aus Abstimmdioden, d. h. Kapazitätsdioden D1 und D 2 deren Kapazitätswerte von der Abstimmspannung UA über einen Widerstand A4 von etwa 39kOhrr veränderbar sind. Ein Kondensator Cl weist z. B. eine Größe von 1000 pF auf und erdet das eine Ende dei Kapazitätsdioden DX und DZ Während die Einkopp lung in diese HF-Schwingungskreise über den Konden sator CK, der eine Größenordnung von 2,2 pF aufweist erfolgen kann, erfolgt die Auskopplung für das Band über einen Kondensator CA, z. B. etwa 3,9 pF groß, unc im Band III über einen Kondensator C5, z.B. etw. 1,5 pF groß. Zur Umschaltung der Bänder sind in HF-Schwingungskreis zwei weitere Dioden D 3 und D < vorgesehen, die über eine gemeinsame Koppelspuli LKIII mit einem Gleichstromanschluß USIund über di( Bandspulen LI und eine gemeinsame Koppelspule LK und einen Widerstand R9, der z.B. eine Größe voi 2,7 kOhm aufweisen kann, mit Masse verbunden sind.
Sind die Dioden D3 und DA im Sperrbereich, dam sind die Bandspulen LI und L III gemeinsam wirksan und beim Durchstimmen der Kapazitätsdioden D1 um D 2 wird im Band I abgestimmt. Andererseits sind mi den Dioden D 3 und D 4 im Durchlaßbereich nur dii Bandspulen LlII wirksam und mit den Kapazitätsdio den wird im Band III abgestimmt.
Die F i g. 2 zeigt nunmehr den Schaltspannungserzeu ger für die Schaltungsanordnung nach Fig. 1. Diese
enthält einen Transistor TR 2 mit Basisspannungsteiler Ri-R2 und Kollektorwiderstand R3 und einen zweiten Transistor TRi mit Kollektorwiderstand Ä5. Dabei ist links in der F i g. 2 die Klemme USI mit der Klemme USI, etwa in der Mitte der Fig. 1 gezeichnet, verbunden. Bei geringen Abstimmspannungen ist der Transistor 77? 2 gesperrt und der Transistor TR1 geöffnet Das gilt also z. B. für eine Abstimmspannung UA kleiner als 6 V. Infolgedessen liegen die Anoden der Schaltdioden D 3 und D 4 Ober die gemeinsame Koppelspule LK UI und die Kollektor-Emitterstrecke des Transistors TR1 auf Masse. Die Kathoden der Schaltdioden D 3 und DA liegen über die Bandspulen LI, die gemeinsame Koppelspule LKl und den Widerstand R 9 auf Masse. Wegen ihrer inneren Spannungsschwelle von 0,7 V sind die Schaltdioden D 3 und DA gesperrt Infolgedessen sind, wie oben bereits ausgeführt, die Bandspulen Ll und LIlI gemeinsam wirksam, und eine Abstimmung erfolgt innerhalb des Bandes 1. Das obere Ende des Widerstandes R 9 und die Anoden der Schaltdioden D3 und DA liegen also auf Masse bzw. auf OV.
Eine Umschaltung auf Band III muß also, wie oben bereits bei Behandlung des Standes der Technik beschrieben, ein Durchschalten der Schaltdioden und damit Kurschließen der Bandspulen LI bewirken. Dies geschieht in der Schaltungsanordnung nach der Erfindung folgendermaßen:
Sind die Werte für die Widerstände die folgenden:
Al etwa - 56kOhm
/?2etwa -= 470kOhm
R 3 etwa = lOkOhm
R 5 etwa = 1 kOhm
und sind die Vorspannungen UV, wie in Fig.2 eingezeichnet, am Widerstand Ä5 - +8V und am Widerstand A3 = +12V, so erfolgt, wenn die Abstimmspannung UA den Wert von +6 V überschreitet, eine Durchschaltung des Transistors 77? 2, d. h. 77? 2 wird leitend Dieser Steuertransistor 77? 2 schaltet dann den Schalttransistor 77? 1 in den gesperrten Zustand. Nunmehr fließt ein Strom aus der Vorspannungsquelle von +8 V durch den Widerstand R5 und die Klemme USI, die gemeinsame Koppelspule L/C 111 und die beiden Schaltdioden D3 und DA über die Bandspulen LI und die gemeinsame Koppelspule LKl und den Widerstand /?9 gegen Masse. Ist also der Widerstand /?S etwa 1 kOhm groß und R 9, wie oben angegeben, etwa 2,7 kOhm groß und die Vorspannung +8 V und sind die Durchlaßspannungen an den Schaltdioden D 3 und DA etwa 0,6 V, so ist der Strom durch den Widerstand R 9 etwa 2 mA. Es läßt sich leicht errechnen, daß dadurch der obere Abgriff am Widerstand R 9 von OV auf 5,4 V springt
Wie allgemein bekannt, ist die Gleichstromschaltung gegen das Eindringen von HF-Spannungen zu sperren. Dazu ist der Kondensator C 8 vorhanden, der eine Größe von etwa 1000 pF aufweisen kann. In gleicher Weise ist der nur für die Gleichstromschaltung wesentliche Widerstand /?9 ebenfalls mit einem Kondensator C9 überbrückt Dieser Kondensator kann ebenfalls eine Größe von 1000 pF aufweisen.
Die F i g. 3 zeigt eine Erweiterung der Schaltungsanordnung nach F i g. 1 für einen kombinierten Tuner für zwei Binder im Bereich VHF und für ein Band im Bereich UHF. Die in der Schaltungsanordnung nach F i g. 3 mit den gleichen Bezeichnungen wie in F i g. 1 versehenen Bauelemente weisen die gleichen Funktionen auf. Es ist erkennbar, daß in der Fig.3 für den U H F-Bereich zusätzliche Bereichsspulen LU vorhanden sind, ferner zusätzliche Schaltdioden D 5 und D 6, die zu einer gemeinsamen Koppelspule für den U H F-Bereich, mit der Bezeichnung LKU, führen, die wiederum an ihrem Fußpunkt mit einem Kondensator CT, etwa ebenfalls in Größenordnung von 1000 pF. geerdet ist Da nunmehr aber eine Umschaltung mehr erfolgen muß, sind, wie bereits genannt, zwei zusätzliche Schaltdioden D 5 und D 6 vorhanden. Die zugehörigen ,ο Anschlußpunkte für die Schaltspannungserzeuger sind mit USU bzw. US HI genannt und die zugehörigen Schaltspannungserzeuger sind in den F i g. 4 und 5 näher angegeben. Analog der F i g. 2 bestehen diese Schaltungen nach den F i g. 4 und 5 ebenfalls wiederum aus zwei ,c Transistoren. Die Widerstände RU und RIl sind je etwa 1 kOhm groß, die Widerstände Rl und R14 je etwa 10 kOhm, die Widerstände R10 und R16 je etwa 470 kOhm, der Widerstand RS etwa 27 kOhm und der Widerstand R15 etwa 56 kOhm.
,ο Während in Fig.2 über R2 die Abstimmspannung eingespeist wurde, sind dies in Fig.4 der Widerstand R10 und in F i g. 5 der Widerstand R16. Ansonsten ist die Wirkungsweise die gleiche wie für F i g. 1 und F i g. 2 beschrieben, also wie folgt:
Ebenso wie vor dem Transistor 77? 1 in F i g. 2 sind hier vor den Schalttransistoren 77? 3 und 77? 5 die Phasenumkehrstufen mit den Steuertransistoren 77? 4 und TR 6 geschaltet Dies hat also wiederum zur Folge, daß die Transistoren, nämlich die Schalttransistoren TR 3 und 77? 5 bei niedrigen Abstimmspannungen LiA leitend sind und bei höheren Abstimmspannungen gesperrt sind, während die Schaltdioden £>5 und D 6, ebenso wie die Schaltdioden D3 und DA gepolt angeschlossen in den HF-Kreisen angeordnet sind. Die Wirkung ist jetzt wie folgt:
Ist die Abstimmspannung UA unterhalb 6 V, so sind die Steuertransistoren 77? 4 und 77? 6 gesperrt und die Schalttransistoren 77? 3 und 77? 5 sind leitend. Damit liegen die Schaltpunkte USHI und USU und damit die Anoden sämtlicher Schaltdioden D 3, D A, D 5 und D 6 auf Masse. Die Kathoden dieser Dioden liegen über den Widerstand R 9, der also allen gemeinsam ist, ebenfalls auf Massepotential. Die Schaltdioden sind alle wegen ihrer inneren Spannungsschwelle von 0,7 V gesperrt Das obere Ende von R 9 und damit die Anoden der Abstimmdioden D i und D 2 liegen auf 0 V.
Ein Umschalten auf den VHF-Bereich mit dem Band HI erfolgt, wenn die Abstimmspannung Werte zwischen 6 und 12 V annimmt Dann wird nämlich der Steuertransistor 77? 6 leitend und sperrt daraufhin den Schalttransistor 77? 5. Nun kann, wie auch schon zu Fig.2 beschrieben, ein Strom aus der Vorspannungsquelle von +8 V in diesem Fall durch den Widerstand R11 und durch die Schaltdioden D 3 und D A über die Bandspulen LI über die gemeinsame Koppelspule LAi/ und den gemeinsamen Widerstand R9 nach Masse fließen. Wenn also die Abstimmspannung UA den Wert von +6V überschreitet, werden nicht nur die Schaltdioden D 3 und D 4 durchgeschaltet und damit die Bandspulen LJ kurzgeschlossen, sondern es springt auch das obere Ende des Widerstandes R 9 und damit die Anodenspannung an den Kapazititsdioden auf etwa 5,4 V, wie in der grafischen Darstellung nach F t g. 6 für den Abstimmspannungswert UA — 6 V eingetragen. Wenn jetzt die Abstimmspannung den Wert von +12 V überschreitet, wird auf UHF umgeschaltet Die Abstimmspannung am Widerstand JtIO nach Fig-4 erreicht also einen Wert, der den Steuertransistor 77? 4
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in den leitenden Zustand führt und dies wiederum bewirkt, daß der Schalttransistor TR 3 gesperrt wird. Dann kann ein Strom aus der Vorspannungsquelle UV von +16 V Ober den Widerstand RU, über die Klemme USU, die gemeinsame Koppelspule LKU und die beiden Schaltdioden D 5 und D 6, über die Bandspulen L Hl und LI und die gemeinsame Koppelspule LK1 und den Widerstand /19 gegen Masse fließen. Hierdurch erhöht sich die Spannung an dem Widerstand R 9 zusätzlich auf einen Wert von +1IiSV, wie ebenfalls in Fig.6 angegeben. Der Strom, der durch RU und die Schaltdioden und D 5 und D 6 und durch den Widerstand R 9 fließt, läßt sich mit den angegebenen Widerstandswerten errechnen und beträgt etwa 4,17 mA. so daß sich obengenannte Spannung an R 9 von etwa 11,25 V ergibt.
Bei dem Übergang zum UHF-Betrieb, also bei Abstimmspannungen größer als 12 V, werden daher nicht nur die Schaltdioden DS und D 6 durchgeschaltet, wodurch also zusätzlich die Bandspulen LIlI kurzgeschlossen werden, sondern auch die Spannung, an dem Widerstand R 9 und damit die Spannung an den Anoden der Kapazitätsdioden Di und Dl wird auf 11,25 V erhöht Weil aber die Spannung an R 9 jetzt höher ist als die Spannung an R11, werden die Schaltdioden D 3 und D 4 wieder gesperrt. Dies ist aber für die Wirkung unwesentlich, weil das Kurzschließen der Bandspulen LI auch durch die Schaltdioden D 5 und D 6 mitübernommen wird.
Die grafische Darstellung der Fig.6 zeigt die Anodenspannung der Abstimmdioden D1 und D 2, und zwar gemessen ist die Anodenspannung gegen den gemeinsamen Bezugspunkt Wirksam ist aber an den Kapazitätsdioden DX und D 2 die Spannung, die unmittelbar zwischen der Kathode und der Anode dieser Dioden liegt, und diese Spannung kann als Diodensperrspannung UDS oder auch als Kapazitätsdiodenspannung bezeichnet werden. Diese für die Abstimmung jedoch maßgebliche Spannung besitzt einen völlig anderen Verlauf wie die Spannung nach Fig.6, und dieser andere Verlauf ist in der Fig.7 eingezeichnet Jeweils beim Einschalten eines neuen Bereiches sinkt die wirksame Spannung, also die Diodensperrspannung auf nahezu OV und steigt von dort aus wieder erneut an, und zwar erhält man eine Art Sägezahnspannung, und dieser Art der Führung der Spannung ist der wesentliche Kern der Erfindung. Der Vorteil ist nämlich der, daß die wirksame Kapazität der Kapazitätsdiode für jeden Empfangsbereich in viel größeren Änderungsbereichen ausgenutzt wird, d. h. in den Bereichen der größten Steilheit, wobei die Steilheit gleich der Änderung der Kapazität in Abhängigkeit von der Abstimmspannung ist
Obengenannte Maßnahmen sind in den F i g. 1 und 3 für ein Bandfilter beschrieben, das zwischen der Eingangsstufe und der Mischstufe angeordnet ist In gleicher Weise kann aber auch der Erfindungsgedanke angewendet werden, wenn dieses Filter nur eine einzige Kapazitätsdiode aufweist also sie ist auch anwendbar in Kreisen, die als Vorkreis oder als Oszillatorkreis bezeichnet werden.
Es sei noch ergänzt daß die Auskopplung des UHF-Kanals über den Kondensator C6 erfolgen kann, der etwa eine Größenordnung von 1 pF aufweisen kann. An diese Anschlußpunkte wird die Mischstufe angeschlossen, z. B. sind die Anschlußpunkte nach F i g. 1 für Band I - Anschlußpunkt Dnach DT-AS 2i ioäOi.ünd der Anschlußpunkt für Band III nach Fig. 1 ist der Punkt A nach DT-AS 21 16 901. Für Fig.3 gilt bezüglich der Anschlußpunkte Band I, Band III das gleiche wie zu F i g. 1 Gesagte, nur ergibt sich hier noch zusätzlich ein UHF-Anschluß, der an dem entsprechen-S den Punkt nach dem älteren deutschen Patent 22 61 395 geführt ist.
Eine weitere Möglichkeit besteht darin, die Schaltspannungen für die als Schalter wirkenden Dioden von der Oszillatorspannung her abzuleiten. Ein derartiger ίο Schaltspannungserzeuger ist in F i g. 8 gezeigt Hier sind die bekannten Oszillatorschwingungskreise für den Bereich VHF, Band I, und Bereich VHF, Band IU, mit entsprechenden zusätzlichen Zeichen versehen, und zwar ist der Schwingungskreis für Band I, bestehend aus ij der Spule LOI und den Kondensator COl zwischen einen Koppelkondensator CKO \ und den gemeinsamen Bezugspunkt und der Schwingungskreis für Bereich III, bestehend aus einer Spule LOIII und einem Kondensator COHl zwischen einen Koppelkondensator CO 2 und den gemeinsamen Bezugspunkt geschaltet Bei der Schaltungsanordnung nach F i g. 8 wird eine Schaltungsanordnung, wie in der DT-AS 21 16901 gezeigt vorausgesetzt weil nämlich hierfür die richtige Arbeitsweise der Schaltungsanordnung, ein Schwingen auf den betreffenden Bereichen, und zwar nur auf dem jeweils gewünschten Bereich, vorausgesetzt wird, was allerdings auch durch mechanische Schalter bewirkt werden könnte.
Für Bereich I erfolgt die Auskopplung bei 21, für Bereich bzw. Band III die Auskopplung bei 22. Die angegebenen Bauelemente weisen folgende Daten auf:
Transistor TR7 und TR8 z.B. vom Typ BC 238, Kondensator ClO etwa 1 pF, CIl etwa 2 pF, C12 etwa 2 pF und die Widerstände R 20 etwa 10 kOhm, R 2t etwa 33 kOhm, R 22 etwa 27 kOhm, Ä23 etwa 470kOhm, /724 etwa lOkOhm, R 25 etwa 5,7kOhm, Λ 26 etwa 5,6kOhm, R 27 etwa 27kOhm, R 28 etwa 470kGhm. S2S etwa 100 kOhm. Die Diode D 7 kann z. B. vom Typ OA 90 sein. Die Ausgangspunkte der Schaltung sind wieder mit US IH und USUbezeichnet und mit den entsprechend bezeichneten Anschlüssen in der F i g. 2 verbunden.
Die Wirkungsweise der Schaltungsanordnung nach F i g. 8 ist die folgende:
Beim Schwingen auf UHF sind die Schwingungskreise LOI und LOIII spannungsfrei Die Transistoren 777 7 und 777 8 sind dann stromlos. Zwar erhalten die Basiselektroden dieser Transistoren eine positive Spannung über die Spannungsteiler R22-R23 bzw. R27 — R2&, diese Basisspannungen sind aber gerade unzureichend um den inneren Basis-Emitter-Schwellwert der Transistoren zu überwinden. Weil die Transistoren stromlos sind, sind deren Kollektorspannungen hoch (l/S IH « +8V1USt/- + 16 V}
Beim Schwingen auf Band IH wirkt die Emitter-Basisdiode des Transistors TR 8 als Gleichrichter für die nunmehr über den Schwingungskreis LOIH stehende Oszillatorspannung. Der dabei über R 29, 77? 8 und R 2t fließende Gleichstromanteil setzt die Spannung an dei Klemme USU herab bis etwa Null Volt Bein-Schwingen auf Band I wird auf ähnliche Weise di< Oszillatorspannug am Kreis LO1 durch den Transistoi 777 7 gleichgerichtet wodurch sich die Spannung an di< (^ Klemme USIII bis zu etwa Null Volt herabsetzt Zusätzlich findet aber auch Gleichrichtung durch dii Diode D 7 siait Der daraus herrührende Glcichstron fließt durch R 29, 7778, R 25, D 7 und R 20. wobei dii
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Ausgangsspannung USUebenfalls niedrig ist.
Für die verwendeten Transistoren kann z. B. die Type BC 238, fGr die Kapazitätsdioden die Type BB 105, für die Diode D 7 die Type OA 91 und für die Schaltdiodeii D3, D4, D5 und D6 die Type BA 182 verwendet werden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Schaltungsanordnung zur Abstimmung und Bereichsumschaltung eines HF-Schwingungskreises, s z. B. für einen Tuner eines Fernsehempfangsgerätes, mit einer durch eine Abstimmspannung steuerbaren Kapazitätsdiode zur Abstimmung des Schwingungskreises und einer durch eine Schaltspannung steuerbaren einen Teil der Schwingungskreisinduktivität kurzschließenden Schaltdiode zur Bereichsumschaltung und mit einem durch die Abstimmspannung gesteuerten die Schaltspannung für die Schaltdiode erzeugenden Schaltspannungserzeuger, dadurch gekennzeichnet, da3der Kapazitätsdiode (D1, Di) zusätzlich zur Abstimmspannung (Ua) eine von der Schaltspannung hergeleitete Rückstellspannung zugeführt wird, die die Spannung über die Kapazitätsdiode (Dx, D2) beim Einschalten eines neuen Bereiches auf nahezu C Volt zurückstellt
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, bei der die Kapazitätsdiode und die Schaltdiode je eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweisen und die Abstimmspannung der ersten Elektrode der Kapazitätsdiode und die Schaltspannung der ersten Elektrode der Schaltdiode zugeführt wird, gekennzeichnet durch einen gleichmäßig an die zweite Elektrode der Schaltdiode (Di, D») angeschlossenen Widerstand (R9), über die sich die Rückstellspannung einstellt und durch eine gleichstrommäßige Verbindung zwischen diesem Widerstand und der zweiten Elektrode der Kapazitätsdiode (Du D2), über die die Rückstellspannung der Kapazitätsdiode (Di, Di) zugeführt wird.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2 zur Abstimmung und Umschaltung eines HF-Schwingungskreises über mindestens drei Frequenzbereiche, gekennzeichnet durch einen Schaltspan· nungperzeuger (F i g. 4, F i g. 5) zur Erzeugung einer ersten Schaltspannung für eine erste Schaltdiode ^0 (Dj, D*\ die den HF-Schwingungskreis von einem ersten in einen zweiten Frequenzbereich umschaltet und zur Erzeugung einer zweiten Schaltspannung für eine zweite Schaltdiode (Ds, D6), die den HF-Schwingungskreis von dem zweiten in einen dritten Frequenzbereich umschaltet und daß der Kapazitätsdiode (D\, Di) eine von beiden Schaltspannungen hergeleitete Rückstellspannung zugeführt wird, die die Spannung über die Kapazitätsdiode (D1, Di) sowohl beim Umschalten vom ersten in den zweiten Frequenzbereich wie beim Umschalten vom zweiten in den dritten Frequenzbereich auf nahezu 0 Volt zurückstellt
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1,2 oder 3 zur Verwendung in einem Tuner mit von der Abstimmung gesteuertem Oszillator, gekennzeichnet durch einen von diesem Oszillator gesteuerten, einen oder mehrere Gleichrichter enthaltenden Schaltspannungserzeuger (F i g. 8).
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