DE2304058C3 - Regelbare aperiodische Hochfrequenz-Eingangsstufe - Google Patents

Regelbare aperiodische Hochfrequenz-Eingangsstufe

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DE2304058C3
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    • H03J5/24—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection
    • H03J5/242—Discontinuous tuning; Selecting predetermined frequencies; Selecting frequency bands with or without continuous tuning in one or more of the bands, e.g. push-button tuning, turret tuner with a number of separate pretuned tuning circuits or separate tuning elements selectively brought into circuit, e.g. for waveband selection or for television channel selection used exclusively for band selection
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    • H03G1/0058—PIN-diodes

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  • Input Circuits Of Receivers And Coupling Of Receivers And Audio Equipment (AREA)
  • Attenuators (AREA)

Description

Die Erfindui.o betrifft eine regelbare aperiodische Hochfrequenz-Eingangss»ufe ge^äß dem Gattungsbegriff des Patentanspruchs 1.
Bei Tunern ist es zur Vermcidurr· von Übersteuerungen erforderlich, die Eingangsstufen regelbar auszubil- r> den.
Die Verwendung regelbarer Vorstufentransistoren in HF-Eingangsstufen ist weniger vorteilhaft, da diese Transistoren infolge ihrer kurzen und stark gekrümmten Kennlinien eine sehr geringe Kreuzmodulationsfestigkeit aufweisen. Es sind Schaltungsanordnungen bekannt (z. B. DE-OS 21 24 377), bei denen deshalb zv/ischen dem Antenneneingang und dem Vorstufentransistor ein regelbares PIN-Dioden-Netzwerk angeordnet ist. Dieses regelbare Netzwerk setzt eine stabile Bezugsspannungsquelle voraus, die sowohl Strom aufnehmen kann als auch abgeben muß. Eine derartige stabile Spannungsquelle erfordert jedoch zusätzliche Bauelemente, wie beispielsv/eise eine Zener-Diode und/oder einen Transistor, oder einen ohmschen ;< > Spannungsteiler mit einem sehr großen Querstrom.
Um diese Nachteile zu vermeiden, ist es bekannt (DE-OS 21 26 136), das regelbare PIN-Dioden-Netzwerk in den Gleichstromkreis des Vorstufentransistors mit einzubeziehen. Hierbei ist der Vorstufentransistor ·>■"> ein ungeregelter Hochstromtransistor, dessen Emitter eine durch die Transistorschaltung stabilisierte Bezugsspannung für das PIN-Dioden-Netzwerk entnommen wird. Ein Vorteil derartiger Schaltungen ist in einem optimalen Großsignal- und Kreuzmodulationsverhallen m> zui sehen. Bei der letztgenannten Schaltung ergibt sich ■l:s weiterer Vorteil, daß eine stabilisierte Bezügsspan^ ntingsqüelle für das PIN-Dioden-Netzwerk entfallen kann, da das PIN-Dioden-Netzwerk in den Gleichstromkreis des Vorstufentransistors mit einbezogen ist. Das PlN'Diöden'Netzwerk weist eine Nebenschluß-PIN-Diode auf, der ein Kondensator nächgeschaltei ist.
Eine derartige Schaltung weist jedoch einige Nachteile auf. So treten bei einem Betrieb dieser Eingangsstufe im VHF-Bereich durch andere HF-Signale, insbesondere durch HF-Signale aus dem UHF-Bereich, Empfangsstörungen auf.
Der vorliegenden Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Hochfrequenz-Eingangsstufe der eingangs erwähnten Art zu entwickeln, die sowohl für einen Betrieb im UHF-Bereich als auch fiir einen Betrieb im VHF-Bereich geeignet ist, wobei Empfangsstörungen durch HF-Signale aus dem UHF-Bereich bei einem Betrieb der Hochfrequenz-Eingangsstufe im VHF-Bereich vermieden werden sollen.
Diese Aufgabe ist erfindungsgemäß durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegebenen Merkmale gelöst.
Die Vorteile der vorliegenden Erfindung liegen insbesondere darin, daß bei einer erfindungsgemäßen Ausbildung der Hochfrequenz-Eingangsstufe als zwischen dem VHF-Bereich und dem UHF-Bereich umschaltbarer Hochfrequenz-Eingangsstufe durch den in der Betriebsart VHF die UHF-Signale ableitenden Kondensator zugleich eine optimale impedanzmäßige Anpassung des PIN-Dioden-Dämpfungsglieds an den Hochstrom-Vorstufentransistor erfolgt
Anhand einer Zeichnung ist ein Beispiel der Erfindung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine regelbare aperiodische Hochfrequenz-Eingangsstufe,
Fig. 2a. b die Diodenströme gemäß Fig. 1 in Abhängigkeit von einer Regelspannung.
Die in F i g. 1 gezeigte Eingangsstufe betsteht prinzipiell aus einem Hochstrom-Vorstufentransistor 7Ί und einem vorgeschalteten PIN-Dioden-Netzwerk Di, D2, Dj. Am Kollektor des Transistors Ti wird das verstärkte Hochfrequenzsignal, im vorliegenden Fall VHF- bzw. UHF-Signale, abgenommen und einem nicht näher dargestellten Bandfilter zugeführt. Die Basis des Transistors Ti ist über einen Widerstand R\, dem ein Kondensator G parallel geschaltet i>', mit Massepotential verbunden. Hierbei wird die Basis des Transistors Ti durch den Kondensator G. bezogen auf ein Hochfrequenzsignal, nach Masse geschaltet. Ein weiterer Widerstand R2 verbindet die Basis mit einer Betriebsspannungsquelle 4- Ub- Der Emitter des Transistors 71 ist über einen Widerstand R} mit der positiven Spannungsquelle + Un verbunden. Am Emitter des Transistors Ti ist nun eine Reihe-PlNDiode D\ mit der Kathode und eine Nebenschluß-PIN-Diode D2 mit der Anode angeschlossen. Die Anode der Diode D\ ist mit dem Eingang E der Eingangsstufe, mit einem Widerstand Ra, der an der Betriebsspannungsquelle + Ua angeschlossen ist, und mit einem weiteren Widerstand /?5 verbunden. In Reihe mit dem Widerstand R% liegt eine weitere Nebenschluß-PIN-Diode Di, deren Kathode einerseits über einen Widerstand Rb mit einer Regelspannungsquelle Un und andererseits über einen Kondensator G mit Masse verbunden ist. Die Katoden der Nebenschluß-PIN-Dioden D2, D1 sind über einen Widerstand Rj miteinander verbunden. Am Verbindungspunkt der Diode D2 mit dem Widerstand Rj ist die Reihenschaltung eines Widerstandes Rg Und einer Diode Da angeschlossen, deren Katöde fnit einer Schaltspan^ nungsquelle Us verbünden ist, Außerdem ist vom vorgenannten Verbindungspunkt die Parallelschaltung eines Kondensators Ci und eines Widerstandes R9 nach Masse geschaltet.
Die Funktion der bisher beschriebenen Eingangsstufe ist nachfolgend anhand der Fernsehfrequenzbereiche
23
Γ\λ ACO
UHF und VHF näher erläutert.
Soll der UHF-Frequenzbereich empfangen werden, ist die Diode D4 gesperrt und der Diodenstrom Zp4 = O. Hierdurch liegt der maximale Regelumfang des PIN-Dioden-Netzwerkes vor, da alle drei PIN-Dioden D1, D2, Di an der Regelung beteiligt sind. Solange keine Regelung vorliegt, sind die Dioden Di, Di gesperrt, und die Diode D\ ist leitend, wodurch das dem Eingang E zugeführte H^chfrequenzsignal nahezu verlustlos an den Emitter des Transistors T\ gelangt Tritt eine Regelspannung Ur infolge großem Hochfrequenzsignal auf, beginnt die Diode Di aufgrund geeigneter Dimensionierung des Widerstandes R<s leitend zu werden. Bei weiter steigender Regelspannung Ur wird auch die Diode Dz leitend, während die Diode Di gesperrt wird. Das empfangene Hochfrequenzsignal wird bedämpft (siehe F i g. 2a).
Wenn der VHF-Frequenzbereich eingeschaltet wird, gelangt an die Katode der Diode D4 eine Schaltspannung Us » O Volt, wodurch die Diode D1 durchgeschaltet wird. Hierdurch wird auch die PIN-Diode Di durchgeschaltet, da die Widerstände R4, Rb, R7, Rs sowie die Emitterspannung des Transistors Γι entsprechend dimensioniert sind. Bei VHF-Empfang werden also nur die Regeleigenschaften der PIN-Dioden Du Dj ausgenutzt (siehe Fi g. 2b), während unerwünschte UHF-Frequenzen über die leitende Diode Di und den Kondensator C] unterdrückt werden. Weiterhin wird eine Leistungsanpassung des PIN-Dioden-Netzwerkes an den Vorstufentransistor Γι erreicht, der bei VHF-Empfang einen kleineren Eingangswiderstand aufweist
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (2)

Patentansprüche:
1. Regelbare aperiodische Hochfrequenz-Eingangsstufe mit einem PIN-Dioden-Netzwerk und einem Hochstrom-Vorstufentransistor, dem das ι PIN-Dioden-Netzwerk vorgeschaltet ist, welches mindestens eine Reihen-PIN-Diode und eine Nebenschluß-PIN-Diode mit einem nachgeschalteten Kondensator enthält, die mittels einer Regelspannung regelbar sind, dadurch gekennzeichnet, tu daß den PIN-Dioden (D1, D2, D3) eine Schaltspannung (Us) derart zuführbar ist, daß im UHF-Bereich die PIN-Dioden (D\, D2, Dz) regelbar sind und im VHF-Bereich die Nebenschluß-PIN-Diode (D2) leitend geschaltet ist und UHF-Spannungen über die ι ί leitend geschaltete Nebenschluß-PIN-Diode (D2) und über den der Nebenschluß-PIN-Diode (D2) nachgeschalteten Kondensator (C3) abgeführt werden.
2. Eingangsstufe nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Nebenschiuß-PiN-Diode (D2) und dem dieser nachgeschalteten Kondensator (Cz) die Reihenschaltung eines Widerstandes (Rs) und einer Diode (Da) parallel geschaltet ist und daß der Kathode der Diode (Da) die Schaltspannung (Us) ->ϊ zuführbar ist.
DE2304058A 1973-01-27 1973-01-27 Regelbare aperiodische Hochfrequenz-Eingangsstufe Expired DE2304058C3 (de)

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SE7400934A SE395810B (sv) 1973-01-27 1974-01-24 Reglerbart, aperiodiskt hogfrekvenssteg
ZA740550A ZA74550B (en) 1973-01-27 1974-01-25 An adjustable aperiodic high-frequency input stage

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DE2304058B2 DE2304058B2 (de) 1979-05-17
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DE2304058A1 (de) 1974-08-01
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