DE19548351A1 - Bei niedriger Temperatur sinterfähige dielektrische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante, mehrschichtiger keramischer Kondensator unter Verwendung derselben, und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents
Bei niedriger Temperatur sinterfähige dielektrische Zusammensetzung mit hoher Dielektrizitätskonstante, mehrschichtiger keramischer Kondensator unter Verwendung derselben, und Herstellungsverfahren dafürInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine bei niedriger Temperatur
sinterfähige dielektrische Zusammensetzung mit einer hohen Dielek
trizitätskonstante, einen mehrschichtigen keramischen Kondensator unter
Verwendung derselben, und ein Herstellungsverfahren dafür, und spezieller
eine dielektrische Zusammensetzung, die eine hohe Dielektrizitätskon
stante, Anti-Reduktionscharakteristiken und eine Sinterfähigkeit bei
niedriger Temperatur aufweist, einen mehrschichtigen keramischen
Kondensator, der eine innere Kupferelektrode aufweist, unter Verwendung
der Zusammensetzung, und ein Herstellungsverfahren dafür.
Verbunden mit der Integration von elektronischen Komponenten und
Schaltkreisen von hohen Frequenzen mit hoher Dichte wurde kürzlich
erforderlich, daß Kondensatoren eine größere Kapazität aufweisen und in
der Größe miniaturisierter sind. Dies erhöht die Nachfrage nach
mehrschichtigen keramischen Kondensatoren (die nachstehend bezeichnet
werden als multi-layered ceramic capacitors, MLC). Die miniaturisierten
Ausmaße und die höhere Dichte der MLC macht es erforderlich, daß ihr
dielektrischer Film dünner ist und stärker gestapelt, und daß er eine
höhere Dielektrizitätskonstante hat. Entsprechend müssen die Vor
spannungs- und Signalspannungscharakteristiken des dielektrischen
Materials verbessert werden gegenüber der Verschlechterung der
dielektrischen Charakteristiken, die verursacht wird durch Verwendung
einer kostengünstigen inneren Elektrode und einer Dünnfilmkonstruktion.
Es ist demgemäß eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die
Herstellungskosten eines mehrschichtigen MLC mit hoher Kapazität zu
vermindern, und seine dielektrischen Charakteristiken zu verbessern unter
Verwendung einer kostengünstigen inneren Elektrode und einer kerami
schen dielektrischen Zusammensetzung mit einer hohen Dielektrizitätskon
stante.
Um die Aufgabe der vorliegenden Erfindung zu lösen, wird eine bei
niedriger Temperatur sinterfähige dielektrische Zusammensetzung
bereitgestellt mit hoher Dielektrizitätskonstante und Antireduktionscharak
teristiken, und ein Verfahren zur Herstellung eines MLC mit einer
inneren Kupferelektrode unter Verwendung der Zusammensetzung.
Fig. 1 ist eine Querschnittsansicht eines mehrschichtigen keramischen
Kondensators der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 zeigt die Temperaturprofile während des Ausbrennens eines
organischen Bindemittels und des Vorsinterns gemäß der
vorliegenden Erfindung;
Fig. 3 zeigt eine Veranschaulichung einer Probekörperbeladung während
des Sinterns gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 4 ist ein Blockdiagramm eines Reduktionsatmosphären-Befeuerungs
systems gemäß der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 5 zeigt Befeuerungstemperaturprofile gemäß der vorliegenden
Erfindung.
Nachstehend werden bevorzugte Ausführungsformen der vorliegenden
Erfindung beschrieben in bezug auf die beigefügten Zeichnungen, aber
die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt.
Im allgemeinen müssen zur Verwendung eines Basismetalls, wie Ni oder
Cu als eine innere Elektrode eines MLC solche Basismetalle unter
niedrigem Sauerstoffpartialdruck gesintert werden, d. h. einer Reduktions
atmosphäre zur Verhinderung der Oxidation während des Befeuerns. Cu
hat einen Schmelzpunkt von 1.083°C, somit muß die Sintertemperatur
um mindestens 50°C unterhalb dieses Punktes liegen, sofern Cu
verwendet wird zur Herstellung der inneren Elektrode. Wenn Kupfer als
innere Elektrode verwendet wird, liegt die dielektrische Keramik in einer
Reduktionsatmosphäre vor, wobei der Sauerstoffpartialdruck 10-3 Pa bei
900°C beträgt. Der Grund, warum Kupfer ausgewählt wird als Material
für die innere Elektrode, liegt darin, daß es einen höheren Gleichge
wichts-Sauerstoffpartialdruck hat als Basismetalle wie Ni, Fe und Co, und
daß somit ein geringerer Reduktionseffekt auf das dielektrische Material
auftritt.
Für den Sauerstoffpartialdruckgrenzwert, bei dem das dielektrische
Material reduziert wird, sollte ein Gleichgewichtssauerstoffpartialdruck
berücksichtigt werden, bei dem von den Elementen, die das dielektrische
Material bilden, ein am leichtesten zu reduzierendes Element eine
niedrigere Valenz von einer höheren Valenz hat. Für ein MLC unter
Verwendung von Kupfer als innerer Elektrode und in Anbetracht der
Antireduktionscharakteristiken des Dielektrikums darf das dielektrische
Material nicht reduziert werden, bis ein Sauerstoffpartialdruck erreicht ist,
der niedriger ist als der Gleichgewichtssauerstoffpartialdruck von Kupfer,
unterhalb der Sintertemperatur, und muß ebenfalls eine hohe Wider
standsfähigkeit aufweisen.
J. Kato berichtet, daß im Fall einer PMN-PT-PNW-Zusammensetzung
überschüssige A-Stellen oder Eintragen von Erdalkalimetall zu Antireduk
tionscharakteristiken führt. Für überschüssige A-Stellen wird Pb im
Überschuß eingetragen, oder Pb durch Ca ersetzt. Es ist bekannt, daß Ca
ersetzt werden kann durch Ba oder Sr, um die gleichen Effekte zu
erreichen.
In der vorliegenden Erfindung werden sowohl Überschuß-A-Stellen als
auch Eintrag von Erdalkalimetall verwendet, um zu garantieren, daß die
auf Pb basierende dielektrische Zusammensetzung Antireduktionscharak
teristiken aufweist. Speziell werden als Reduktions-widerstandfähiges Mittel
PbO mit mehr als 2 mol% und CaO mit 0,5-3,0 mol% eingetragen in
die hauptsächliche PMN-PT-Zusammensetzung für ihre Reduktionswider
standsfähigkeit. Darüber hinaus wird als Sinterhilfsmittel und als Inhibitor
der Pyrochlorphasenbildung CuO eingetragen zur Bildung einer flüssigen
Phase aufgrund des eutektischen Punktes von PbO-CaO-CuO, zur
Erniedrigung der Sintertemperatur und zum Unterdrücken der Bildung
einer Pyrochlorphase zur Vergrößerung der Dielektrizitätskonstante. Ein
Verfahren zur Herstellung der dielektrischen keramischen Zusammen
setzung der vorliegenden Erfindung wird nachstehend beschrieben.
Als Ausgangsmaterialien werden die Reagenzien PbO, MgO, Nb₂O₅, TiO₂
und CuO verwendet. Wird CaO in sehr kleinen Mengen eingetragen, so
wird CaCO₃ verwendet für den Zweck des gleichförmigen Vermischens.
Zunächst werden die Ausgangsmaterialien naß gemischt für eine Stunde
in einer Zentrifugen-Planeten-Mühle mit einer Zirkondioxidkugel und
Büchse (Gefäß), nachdem sie in ein Pulver überführt wurden und für 12
Stunden bei 120°C getrocknet und gewogen wurden. MgO und Nb₂O₅
werden vermischt und calciniert bei 1.100-1.200°C zur Bildung eines
Columbitvorläufers (MgNb₂O₆). Dieser Vorläufer wird umgesetzt mit PbO
bei 900°C für zwei Stunden, wobei Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃ (nachstehend als
PMN bezeichnet) gebildet wird. PbTiO₃ wird hergestellt durch Vermischen
von PbO und TiO₂ im Verhältnis 1 : 1 und Calcinieren des Gemisches
bei 800°C für zwei Stunden. Gemäß der vorliegenden Erfindung beträgt
die Heizrate der Befeuerung 300°C/h.
Die zwei vorstehend beschriebenen Hauptzusammensetzungen werden
gemischt in einem Verhältnis von PMN : PT = 95 : 5 und getrocknet,
während 2-4 mol% PbO, 0,5-3 mol% CaO und 3-5 mol% CuO eingetra
gen werden. Das resultierende Gemisch wird für zwei Stunden bei 750-
850°C calciniert. Das calcinierte Pulver wird sodann pulverisiert und für
zwei Stunden getrocknet. Dann werden 2 Gew.-% PVA-Bindemittel
eingetragen, und scheibenförmige Probekörper von 10 mm Durchmesser
und 1,2 mm Dicke werden gebildet. Diese Probekörper werden gesintert
bei 810-1.100°C in Luft, und sodann für eine Stunde bei 800°C
gesintert, wobei der Sauerstoffpartialdruck P₀₂ 10-11 atm beträgt, in einer
Reduktionsatmosphäre als ein Abkühlungsverfahren. Ag-Teig (Paste) wird
auf beide Seiten der Probekörper geschichtet, und dann für 10 Minuten
bei 600°C unter N₂-Atmosphäre befeuert zur Bildung von Elektroden.
Die vervollständigten Probekörper werden vermessen unter Verwendung
eines LCR-Meters und eines Hochwiderstandsmeßgeräts nach Ladung für
eine Minute, unter den Bedingungen einer Kapazität von 1 kHz, einem
Verlustfaktor von 1 Vrms bei Normaltemperatur (20°C) und einem
Isolationswiderstand von 50 VDC. Die nachstehende Tabelle 1 zeigt
Beispiele dieser Zusammensetzungen und deren dielektrische Eigen
schaften.
Wie in Tabelle 1 dargestellt, wird festgestellt, daß Antireduktionscharak
teristiken von mehr als 10¹⁰ ohm·cm beim Isolationswiderstand nur
erhalten werden können durch Zugabe von 0,5 Gew.-% CaO. Werden
jedoch 1,0 Gew.-% CaO zugegeben, so wird die Dielektrizitätskonstante
vermindert, die Antireduktionscharakteristiken werden erhöht und die
Sintertemperatur wird vermindert. Dabei wird die Sintertemperatur auf
810°C vermindert durch Eintragen von PbO und CuO. In dem Fall, daß
eine große Menge (mehr als 3 mol%) davon eingetragen wird, wird
festgestellt, daß die Dielektrizitätskonstante und der Isolationswiderstand
geringfügig vermindert werden.
Ein MLC unter Verwendung einer dielektrischen keramischen Zusammen
setzung wird nachstehend beschrieben.
Mit Bezug auf Fig. 2 umfaßt ein MLC der vorliegenden Erfindung eine
dielektrische Schicht 1, eine innere Elektrode 2, und eine äußere
Elektrode 3. Für die dielektrische Schicht 1 wird eine Zusammensetzung
[95PMN-5PT]-4(PbO)-0,5(CaO)-3(CuO) ausgewählt aus Zusammen
setzungen, die exzellente dielektrische Charakteristiken der vorstehend
beschriebenen Antireduktionszusammensetzung aufweisen. Das Mischver
fahren für die Zusammensetzung ist genauso wie vorstehend beschrieben.
Das gemischte Pulver wird für zwei Stunden in ein feines Pulver von
unterhalb 1 µm durchschnittlicher Teilchendurchmesser pulverisiert. Eine
Aufschlämmung wird hergestellt zum Bandgießen des feinen Pulvers als
einen dicken Film für MLC. Das Zusammensetzungsverhältnis der
Aufschlämmung ist dielektrisches Pulver : Bindemittellösung = 64,0 : 36,0.
Die Bindemittellösung ist eine aus der Polyvinylbutyralgruppe und als
Lösungsmittelmedium wird ein Lösungsmittelsystem verwendet, in dem
Toluol und Ethanol gemischt sind in einem Verhältnis von 15 Gew.-% :
85 Gew.-%. Hier wird als Weichmacher Di-n-butylphthalat mit etwa 0,2
Gew.-% eingetragen. Das Volumenverhältnis des dielektrischen Pulvers der
Aufschlämmung beträgt etwa 55 Vol-%. Die Aufschlämmung wird
verwendet, um eine 30 µm dicke Schicht auf einem PE-Film zu erzeugen
nach dem Abstreichmesserverfahren.
Als Ausgangsmaterial für die Paste zur Herstellung der inneren Kupfer
elektrode 2 wird CuO-Pulver von 1 µm Durchmesser verwendet. Für die
äußere Elektrode 3 wird CuO-Pulver in Form von groben Teilchen mit
Durchmessern von 3-5 µm verwendet. Als organische Bindemittellösung
wird Vehikel #424 (Electro-Science Lab., U.S.A.) verwendet. Das
Zusammensetzungsverhältnis der CuO-Paste für die innere Elektrode
beträgt CuO-Pulver : Bindemittellösung = 67,0 : 33,0. Hierbei wird die
endgültige Viskosität der Paste eingestellt mit Terpentinöl.
Die innere Elektrode 2 wird gedruckt unter Verwendung eines MLC-
Musters für 1206 Größe (ELA STD Größe; l = 0,12 inch, b = 0,06
inch), was eine Standardgröße ist, mit einem korrosionsbeständigen 400-
Mash-Sieb. Die gedruckte Folie (Blatt) wird für vier Stunden bei 80°C
getrocknet und dann gestapelt, um sechs aktive dielektrische Schichten zu
bilden. Das Ergebnis wird isostatisch gepreßt unter einem Druck von
4.000 psi, und in Chips (Stückchen) geschnitten mit einer automatischen
Würfelschneidersäge. Diese nicht gesinterten Chipsformlinge werden in
einen Ofen gegeben, um das organische Bindemittel daraus auszubrennen.
Das Ausbrennen des organischen Bindemittels und die Vorsintertempera
turen sind in Fig. 2 erläutert.
Die vorliegende Erfindung ist charakterisiert dadurch, daß sie ein
Vorsinterverfahren aufweist während des Befeuerns. Mit einem solchen
Vorsintern haben die nicht gesinterten Chips zunächst adäquate mechani
sche Stärke, um ein Kantenrundungs- oder "Harperizing"-Verfahren
durchzuführen, um die für die äußeren Elektroden verwendete CuO-Paste
anzuheften vor dem Hauptsintern. Zweitens verhindert das Vorsintern die
Beschädigung oder Bildung feiner Risse aufgrund externer Einwirkungen
(Schläge). Drittens können die Kohlenstoffreste des organischen Binde
mittels oder von CaCO₃ so vollständig wie möglich entfernt werden, was
verhindert, daß der Isolationswiderstand vermindert wird aufgrund von
Reduktionssintern.
Während des Kantenrundens der Chips vor dem Sintern kann die
Produktivität drastisch verbessert werden, da die Rundungszeit vermindert
werden kann auf 10-20 Minuten im Gegensatz zu den gewöhnlich
erforderlichen 2-6 Stunden, da die vorgesinterte Keramik eine geringe
Festigkeit aufweist. Zusätzlich werden die Chips poliert in einem weichen
Zustand, wobei das mögliche Abschneiden der Kanten nahezu verhindert
wird, im Vergleich zu konventionellen Verfahren, bei denen das Polieren
an den gehärteten Chips durchgeführt wird nach dem Sintern, wodurch
die Chipausbeute erhöht wird.
Die vorgesinterten Chips mit den polierten Kanten werden mit Ultraschall
gewaschen, und CuO-Paste wird an sie angeheftet, um die äußere
Elektrode 3 zu bilden. Diese CuO-Paste für die äußere Elektrode ist so
strukturiert, daß sie leicht porös ist, um die Spannung auf den kerami
schen Hauptkörper während des Sinterns zu minimieren. Zum Anheften
an den keramischen Hauptkörper wird CuO-Pulver von 3-5 µm verwendet,
was gröber ist als die CuO-Paste für die inneren Elektroden. Eine
geringe Menge (2,5 Gew.-%) dielektrisches Pulver wird eingetragen, um
die dielektrische Keramik während des Sinterns anzupassen. Das
Zusammensetzungsverhältnis der CuO-Paste für die äußere Elektrode der
vorliegenden Erfindung ist CuO-Pulver : Bindemittellösung : dielektrisches
Pulver = 72,0 : 25,5 : 2,5.
In den CuO-Pastezusammensetzungen für die inneren und äußeren
Elektroden der vorliegenden Erfindung kann das CuO-Pulver genügend
gesintert werden durch einen reaktiven Sintermechanismus, im gewünsch
ten Bereich der Sintertemperatur gemäß der vorliegenden Erfindung. Aus
diesem Grund sind Additive wie Glasfritten zur Unterstützung des
Sinterverfahrens nicht erforderlich.
Die vorgesinterten Chips, bei denen die äußere Elektrode daran
angeheftet ist, werden in einem Ofen unter Reduktionsatmosphäre
gesintert. Die Anordnungsstruktur der Probekörper ist wie in Fig. 3
gezeigt. Diese Probekörper werden in einem Molliteinsatzbehälter gefaßt
unter Anwendung eines Calcinierungspulvers, das die gleiche Zusammen
setzung aufweist wie der Probenkörper.
Mit Bezug auf Fig. 4 steuert ein Reduktionsbefeuerungsofensystem der
vorliegenden Erfindung den Sauerstoffpartialdruck bei 800°C. Diese
Steuerungstemperatur wurde bestimmt mit einem stabilisierten Zirkon
dioxid-Sauerstoffsensor, in den 6 mol% Yttriumoxid eingetragen wurden
unter Verwendung eines miniaturisierten Zellofens, und es wurde
bestimmt, daß eine Temperatur von 800°C eine optimale Steuerfähigkeit
erlaubt. Dies ist darauf zurückzuführen, daß die Hauptzusammensetzung
der vorliegenden Erfindung PbO ist, und somit die Funktion des Sensors
verschlechtert wird aufgrund der Reaktion der an den Sauerstoffsensor
gehefteten Pt-Elektrode mit der geringen Menge an Sauerstoff PbO, die
während des Sinterns verdampft, um eine präzise Steuerung des
Sauerstoffpartialdrucks unmöglich zu machen. Somit trägt die Sauerstoff
partialdrucksteuerung der vorliegenden Erfindung zur Verlängerung der
Lebensdauer des Sauerstoffsensors bei.
Das gemischte Gas im miniaturisierten Zellofen wird dem Hauptbefeue
rungsofen zugeführt. In der vorliegenden Erfindung ist das gemischte Gas,
das verwendet wird zur Steuerung des Sauerstoffpartialdrucks H₂-N₂-H₂O.
Hier ist Ni-Chromdraht um die Verbindungsgase gewunden, um die
Temperatur davon oberhalb 100°C zu halten, um zu verhindern, daß die
Sauerstoffpartialdruckveränderung aufgrund der Kondensation an den
Röhren, die verursacht wird durch Abkühlen, wenn das gemischte Gas
zur Steuerung des Sauerstoffpartialdrucks in den Ofen geführt wird. Ein
Sinterverfahren, das gemäß der vorliegenden Erfindung eingesetzt wird,
ist in Fig. 5 gezeigt.
Die nachstehende Tabelle 2 zeigt die dielektrischen Charakteristiken der
MLC-Probekörper, die eine innere Elektrode aus Kupfer aufweisen,
gesintert mit dem Befeuerungsverfahren der vorliegenden Erfindung.
Wie in Tabelle 2 gezeigt, wird festgestellt, daß die dielektrischen
Eigenschaften der Reduktions-gesinterten MLC niedriger sind als diese
von den Einzel-Plattenscheiben-Kondensatoren von Tabelle 1. Dies beruht
darauf, daß in die dielektrische Schicht im Imprägnierungstemperaturbe
reich difundiertes CuO teilweise reduziert wird während der Reduktion,
wodurch der gesamte dielektrische Isolationswiderstand vermindert wird.
Deshalb wird gemäß der vorliegenden Erfindung nach der Reduktion der
inneren Elektrode reoxidiert für zwei Stunden bei etwa 400°C, was eine
niedrige Temperatur ist für das Abkuhlen, um die Isolationscharak
teristiken zu verbessern. Die dielektrischen Eigenschaften der MLC mit
innerer Kupferelektrode, die nach dem vorstehend beschriebenen
Verfahren hergestellt sind, wird in der nachstehenden Tabelle 3 gezeigt.
Wie vorstehend beschrieben, bestehen die Charakteristiken der vor
liegenden Erfindung zunächst darin, das Durchführen des Sinterns bei
einer niedrigen Temperatur von bis zu 810°C zu ermöglichen, zweitens
in einer Dielektrizitätskonstante von mehr als 12.000, einem dielektrischen
Verlust von weniger als 3% und einem Isolationswiderstand von 10⁹ ohm
cm, drittens der Verwendung von Kupfer, einem kostengünstigen
Basismetall als Material für die inneren und äußeren Elektroden, um
somit das simultane Befeuern bei einer Reduktionsatmosphäre zusammen
mit der dielektrischen Zusammensetzung zu ermöglichen, und viertens,
den Isolationswiderstand zu erhöhen durch Reoxidation während des
Abkühlprozesses des Reduktionsatmosphärenbefeuerungsverfahrens.
Claims (6)
1. Bei niedriger Temperatur sinterbare dielektrische Zusammensetzung
[95PMN-5PT]-x(PbO)-y(CaO)-z(CuO) mit einer hohen Dielektrizitäts
konstante, wobei x = 2-4 mol%, y = 0,5-3,0 mol%, und z = 3-5
mol%.
2. Mehrschichtiger keramischer Kondensator mit einer dielektrischen
Zusammensetzung gemäß Anspruch 1 und inneren und äußeren
Elektroden aus CuO.
3. Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen keramischen
Kondensators, umfassend die Schritte:
Bildung einer Aufschlämmung, um damit feines Pulver der dielek trischen keramischen Zusammensetzung bandzugießen;
Bildung der Aufschlämmung in einer Blattform (Schichtform) und Drucken eines Musters einer inneren Kupferelektrode;
Trocknen, Stapeln, Komprimieren und Schneiden des bedruckten Blattes, um dadurch Chips herzustellen;
Ausbrennen von organischem Bindemittel aus nicht gesinterten Chips, um somit eine Vorsinterung durchzuführen;
Abrunden der Kanten der Chips vor dem Sintern;
Bilden von äußeren Kupferelektroden auf den kantengerundeten vorgesinterten Chips;
Laden der Chips in einen Reduktionsofen und Sintern der Chips darin; und
Durchführen einer Reoxidation während eines Kühlens der Feuerung.
Bildung einer Aufschlämmung, um damit feines Pulver der dielek trischen keramischen Zusammensetzung bandzugießen;
Bildung der Aufschlämmung in einer Blattform (Schichtform) und Drucken eines Musters einer inneren Kupferelektrode;
Trocknen, Stapeln, Komprimieren und Schneiden des bedruckten Blattes, um dadurch Chips herzustellen;
Ausbrennen von organischem Bindemittel aus nicht gesinterten Chips, um somit eine Vorsinterung durchzuführen;
Abrunden der Kanten der Chips vor dem Sintern;
Bilden von äußeren Kupferelektroden auf den kantengerundeten vorgesinterten Chips;
Laden der Chips in einen Reduktionsofen und Sintern der Chips darin; und
Durchführen einer Reoxidation während eines Kühlens der Feuerung.
4. Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen keramischen
Kondensators nach Anspruch 3, wobei das Zusammensetzungs
verhältnis der Aufschlämmung dielektrisches Pulver : Bindemittel
lösung = 64,0 : 36,0 beträgt in dem Schritt der Bildung einer
Aufschlämmung zum Bandgießen.
5. Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen keramischen
Kondensators nach Anspruch 3, wobei das Zusammensetzungs
verhältnis der Kupferpaste für die innere Elektrode CuO-Pulver :
Bindemittellösung = 67,0 : 33,0 beträgt beim Schritt des Druckens
des Musters der inneren Kupferelektrode.
6. Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen keramischen
Kondensators nach Anspruch 3, wobei das Zusammensetzungs
verhältnis der Kupferpaste für die äußere Elektrode CuO-Pulver
Bindemittellösung : dielektrisches Pulver = 72,0 : 25,0 : 2,5 im
Schritt der Bildung der äußeren Kupferelektrode beträgt.
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