DE1942558C3 - Integrierte Halbleiterschaltung - Google Patents

Integrierte Halbleiterschaltung

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DE1942558C3
DE1942558C3 DE19691942558 DE1942558A DE1942558C3 DE 1942558 C3 DE1942558 C3 DE 1942558C3 DE 19691942558 DE19691942558 DE 19691942558 DE 1942558 A DE1942558 A DE 1942558A DE 1942558 C3 DE1942558 C3 DE 1942558C3
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voltage
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Description

verträglich sind, welche zur Erzeugung der Elektroden- laßstrom und in Sperrichtung eine Leckstromdichie * anordnung bei integrierten Schaltungen mit Stütz- von etwa 10 β Ampere/cm2 bei etwa 1 Volt Sperrleitern (beam lead) angewandt werden. In der Zeich- spannung. Dieser Diodentyp sei nachstehend als NSB If nung zeigt (N-type Schottky barrier)-Diode bezeichnet.
κ F i g. 1 in schematischer Querschnittsdarstellung die 5 Die Rhodiumsilicid-Zone 17 erzeugt gleichfalls in
verschiedenen Typen von Metall-Halbleiter-Grenz- reproduzierbarer Weise eine Schottky-Diode hoher f flächen, Qualität mit der p-Zone 13 derart, daß das Silicid die
F i g. 2 die allgemeine Strom-Spannungs-Kcnn- Kathode der Diode ist und das Silicium die Anode.
linienkurve der Dioden, Djese Diode hat eine Durchlaßspannung von etwa
F ir-3 das Schaltbild einer Speicherzelle, die io 0,02 Volt bei etwa 100 Ampere/cm2 Durchlaßslrom-
Schottky-Dioden als Lastimpedanzen verwendet. dichte und eine Leckstromdichte in Sperrichtung von
F i g. 4A eine Draufsicht auf einen möglichen inte- etwa 100 Ampere/cm"- bei etwa 1 Volt Sperrspann- ng.
grierten Halbleiterschaltungs .jfbau entsprechend der Dieser Diodentyp sei nachstehend als PSB (P-type Schaltung nach F i g. 3 und Schotty barrier)-Diode bezeichnet.
j f- i g. 4B eine schematises Sch:.ansicht der ime- 15 Wenn beispielsweise die PSB-Diode ein Tfipfelchen
grierten Schaltung nach f· i g. *A. mit einem Durchmesser von 7,62 · 10 4 cm ist. dann
In F i g. 1 ist ein Tel! »ines t Kristallinen Silicium- beträgt bei 1,0 Volt Sperrspannung der in Sperrichtung
Plättchens 11 dargestellt ;-isen Hauptteil 12 η-leitend fließende Strom etwa 45 Mikroampere, d. h., die Impe- ^ ist und bei welcher« >· ^iechbart einer seiner Ober- danz bei 1,0 Veit Sperrspannung ist etwa 22 200 Ohm. jj flächen zwei im Abstand voneinander liegende -o Wie nachstehend im einzelnen noch erläutert wird, ist p-Zonen 13 und i4 erzeugt worden sind. In die Zone !4 diese Impedanzgröße f;;r integrierte Mikrolcisumgs-H ist eme relativ stark dotierte η-Zone la eingelassen. halbleiterschaltungen brauchbar. § Eine -.veitere, relativ stark dotierte .!one 15/4 ist als Wie vorstehend erwähnt wurde, unterliegen Schottky
J von der p-Zone 14 im Abstand lieg.-nd dargestellt. Die Dioden, die auf Silicium mit relativ niedrigem spe/i-Zonen 13, 14, 15 und 15A können durch Legieren, 25 fischen Widerstand erzeugt worden sind, einem Tunnel-Festkörper-Diffusion, Ionen-Implantation oder durch mechanismus bei so niedrigen Sperr- oder Durchlaßj andere bekannte Prozesse zur Änderung des Leitungs- spannungswerten, daß sie virtuell als ohnische Leityps eines Halbleiterplättchens erzeugt werden. tungswege erscheinen. Aus diesem Grunde werden
ΐ LMe passivierende Siliciumoxidschicht 16 besitzt ein PSB-Dioden mit einer brauchbaren Impedanz in
Muster von Öffnungen, um Teile der Oberfläche dieser 30 Sperrichtung vorteilhaft auf Silicium erzeugt, dessen Zonen und/oder des Hauptteils freizulegen. Oberflächenkonzentration kleiner als etwa 5 · 10IT
i s befindet sich eine Verbindung aus Rhodium und Akzeptoren'cm3 ist. Obgleich es möglich ist, diesen ; SÜMum in jedem der Oxidfenster, also in den Bereichen Zonentypus durch Festkörper-Diffusion von Bor durch 17. 18, 19, 20 und 21 in F i g. 1. Diese Verbindung wird eine Siliciumoxidmaske hindurch zu erzeugen, ist Rhodiumsiücid genannt. 35 dieser Prozeß in diesem Bereich niedriger Oberflächen
/ur Komplettierung der Vorrichtung sind geeignete konzentration von Hause aus schwierig reproduzierbar Metallelektroden 22, 23, 24, 25 und 26 und, soweit er- auszuführen.
r fotderlich, Zwischenverbindungen vorhanden, bei- F i g. 2 zeigt eine Kennlinienkurve für eine Schottky-
sp'Jsweise durch den Titan-Platin-Gold-Stützleiter- Diode, die zwischen Rhodiumsiiicid und p-Siliciiim herstellungsprozeß, wie dieser in der USA.-Patent- 40 erzeugt worden ist. F i g. 2 zeigt die verschiedenen schrift 3 335 338 beschrieben ist. Sperrstrom-Leitungsmechanismen, die in einer solchen
Zur Erläuterung der verschiedenen Typen der Diode wirksam sind. Im einzelnen ist die ausgezogene Rbodiumsilicid-Silicium-Grenzflächen, die nach dem Linie71 der tatsächliche Sperrstromverlauf als Funktion in der deutschen Offenlegungsschrit't 1 942 558 be- der Spannung für eine Diode, die auf p-Silicium mn schriebenen Prozeß erzeugt werden können, haben in 45 einer Oberflächenkonzentration von 2- 1Ü17 Bor-F 1 g. ! die p-Zone 13 eine Oberflächenkonzentration Atomen/cm3 erzeugt worden ist. Die gestrichelte von etwa 2· 1017 Akzeptoren/cm3, der n-Hauptteil 12 Linie 72 gibt den von einem idealen Übergang mit eine Oberflächenkonzentration von e:wa 10" Do- einer gleichrichtenden Sperrschicht konstanter Höhe natoren/cm3. die Zone 14 eine Objrilächenkonzen- zu erwartenden Sperrstrom wieder und ist als solcher tration von etwa 5 ■ 1018 Akzeptoren/cm3 und die 50 eine Komponente des gesamten Sperrstroms in der n-Z^nen 15 und 15/4 eine Oberflächenkonzentration Diode. Die gestrichelte Linie 73 bezeichnet die Größe von etwa 1080 Donatoren/cm3. des Stroms, der durch Tunneleffekt bei gegebenen
Die Rhodiumsilicid-Zonen 19, 20 und 21 biiden Spanimgswerten erzeugt wird, und ist daher^ eine Sch on ky-Di öden mit ihren entsprechenden Silicium- wehere Komponente des Gcaam^wOmS in der DiOüC. Zonen 14, 15 und ISA; aber wegen des relativ hohen 55 Der gekrümmte Teil der Kurve71 zwischen etwa Wertes der ionisierten Dotierstoffen in diesen Zonen 0,015 Volt und etwa 7 Volt gibt die Erniedrigung der veranlaßt ein Niederspannungstunnelmechanismus, SpenSchichthöhe wieder, ein Mechanismus, der in dem daß diese Dioden virtuell als ohmsche Kontakte er- Artikel von S. M. Sze. CR. C r ο w e 11 und scheinen. Aus diesem Grunde wird im nachstehenden D. K a h η g in Journal of Applied Physics, Bd. 35, angenommen, daß diejenigen Rhodiumsilicid-Silicium- 60 Nr. 8, August 1964, S. 2534 bis 2536, erläutert ist. Grenzflächen, an weichen das Silicium relativ stark Wie aus der Kurve 71 in F i g. 2 ersichil.th ist. hat dotiert ist, ohmisch sind. der Sp.rrstrom einer PSB-Diode einen von Hause aus
Die Rhodiumsilicid-Zone 18 bildet in r<"produier- nichtlinearen Verlauf mit der Spannung. Die-e Nichlbarer Weise dne Schottky-Diode hoher Qualität zu- linearität kann selbstverständlich in verschiedenen sammen mit den n-Ieitenden Hauptteil 12 derart, daß 65 digitalen und linearen integrierten Schalt· ^andas Silicid die Anode der Diode ist und das Silicium wendungsfällen ausgenutzt werden, die Kathode, Uitse. Diode hat eine Durchlaßspannung F i g. 3 zeigt das Schaltbild einer speziell /ur Ver-
M" ι·-.ta 0,35 Volt bei ciwa KX) Ampere/cm2 Durch- wendung der im vorsehenden beschriebenen Impe-
danx-Kcnnlinicn in Spcrrichlung der PSB-Diodsn entworfenen .Schaltung, Die dargestellte Schaltung Hl lsi cine lialblcitcndc Speicherzelle unter Verwendung von PSB-Diodcn als Laslimpcdanzcn.
Dic Schaltung Hi weist zwei npn-Transistoren 82 und HS auf, die Mt Urzeugung cintm M/p-FJops miteinander verbunden sind, Pie Basis des Transistors 82 liej:i an der Anodr einer PSB-Diod« 83, deren Katlu'dc am positiven Anschluß einer SpannungsqudJc ( *,) hcgl. Die Basis de«. Transistors 82 ist gleichfalls mit der Anode einer /weiten PSB-Diodc84 verbunden, deren kathode am Kollektor d» Transistors X5 licpi. Die Basis de* Transistor» 85 ist mit einer drillen PSB-Diodc 86 verbunden, deren Kathode am l'luspol der Spannungsqucllc ( · ί,) liegt. Die BaMs des T ransisiors 85 ist des weiteren mn der Anode cmc» vierten PSB-Diode #7 verbunden, deren Kathode mit dem Kollektor des Transistors. 82 verbunden ist. Die Kollektoren der Transistoren 82 und 85 sind an die Ziffcrnlcitungcn 89 b/w. 92 des halb.'ciisndcn Speichers über NSIi-Diodcn 88 und 9t in der dargestellten Weise verbunden. Die Ziffernlcilungcn 89 und 92 sind symbolisch dargestellt - über Widerstände 90 und 93 mti dem I'luspol einer zweiten Spannungsqucllc( I2) verbunden. Die Emitter der Transistoren 82 und 85 sind miteinander verbunden und an one gemeinsame Worileilung des hälbfcilcnden Speichers angeschlossen.
Die Spcrninpcdaii/cn der PSB-Diodcn83 und 86 sind als die La*timpcdan/en für die Transistoren 82 b/u. fJ5 verwende!. Wie nachstehend noch im einzelnen erläutert wird, sind die Dioden 84 und 87 in der Schaltung nur deswegen vorgesehen, weil es einfacher lsi. die integrierte Schaltung mit solchen Dioden herzustellen.
Beim Betrieb wcsden die Kopplimgsdioden 88 und 91 während der V.ancpcnioden typischerweise in Spcrnthiung vorgctparna, so daU die Speicherzelle von den Ziffcrnicitungen praktisch entkoppelt ist. Die Schahungsspannungen können beispielsweise für ( »,) etwa 2.5 Volt und für ( ; F2) etwa I Volt betragen. Im Wartesusiand kann die Wortleitungsspannting etwa 1,5 Volt betragen. Daher ist im Wartezu-»iand die Cicsamlsnannung von ( ? Γ,) zu den Emittern der Transistoren 82 und 85 etwa 1 Volt. Es sei nun angenommen, daß der Transistor 82 eingeschaltet ist. Dann fiießl der KoHeklorstrom für den Transistor 82 von der Sjx,nnungsquefle (~ V1) durch die Diode S6 in SpernehtBng und durch die Diode 87 na der Durch'.ßnchlung. Zur Minimalisierung ihrer Wirkung sn der Schaltung sind die Dioden 84 und 87 vorteilhaft so entworfen, daß sie zumindest die dopreite I-Tachc der Dioden 83 und 86 haben. Bei eingeschaltetem Transistor 82 beträgt dessen KoIIektoi-l.jniiter-Spannang etwa OJ! Volt. Der Durch-JaPspcnnöngsabfall an der Diode 87 ist etwa 0,02 VoIi. Es verbleiben also etwa 0,78 Volt über der Diode 86 in Spemchlung- Ins<oweil die Emitier-Basis-Spannung de·» I iansbtors 82 etwa 0.55 Volt sein wird, i'icgcn nur etwa 0.45 Voll an der Diode 83 in Sperrichtung. Haben Jic Dioden 83 und 86 gleiche Größe und gleichen Auifcaa, um beispielsweise 40 Mikroampere ITt SpciTichlung bsi 0,7 VoEi und etwa 30 Mikroa^j-cfe bei 0.45 \ olt zu führen, so ist die im Warte-/ ^ijisd !Ji der Zeile terhei/ie Leistung etwa 70 Mikro-
»Jlf
in die Aijc einzuschreiben, wird die Spannung ti \*· ortlciiüng 94 iuf ungefähr ErdpoieiHial reduziert, und ein zusätzlicher Strom von außerhalb der Zelle wird über eine der Kopplungsdiodcii 88 oder 91 zugeführt. Wenn beispielsweise der Transistor 82 eingeschaltet ist, und ist es gewünscht, den
*, Transistor 85 einzuschalten, so wird ein zusätzlicher Slfoirtf beispielsweise einige Milliampere, durch die Diode 88 zugeführt. Dieser Strom fließt in den Kollektor des Transistors 82, der so entworfen ist. daß er einen relativ hohen KollektorreihenwidcrMand
ίο beispielsweise 300 Ohm, besitzt. Die Spannung am Kollcktorrcihenwidcrstand ist so, daß der Emitterßasis-Übergang des Transistors 85 in Durchlaßrichtung vorgespannt und dadurch der Transistor 85 eingeschaltet wird. Wenn dieser Transistor einschaltet, nimmt seine Kollektorspannung ab, und der Transistor 82 schaltet ab. In ähnlicher Weise wird, wenn es gewumwrht ist, den Transistor 82 einzuschalten, ein Überschuüstrom der Diode 91 von der Ziffernleitung 92 zugeführt.
so Wie bei der vorstehend beschriebenen Einschrcibopcraiion wird zum Auslesen oder Abfragen des Sia'.u'.s der Zelle Si die Wortleitungsspar.nung wieder auf nahezu Erdpotenliai reduziert. Diejenige Kopp- !ungsdiodc, entweder 88 oder 91, weiche mit dem jeweils eingeschalteten Transi ors verbunden ist. V/ird einen dynamischen Strom von der Ziffernleitung in die Zeile einführen Insoweit dieser dynamische Strom hauptsächlich von der Entladung der der Ziffernleitung zugeordneten parasitären Kapazität herrührt, ändert sich die Spannung auf der Ziffernleitung. Unter Verwendung eines abgeglichenen Detektors wird dann die Polarität der Spannung zwischen den Ziffernleitungcn abgetastet, um den Status der Zelle zu bestimmen.
Fig. 4A zeigt eine schematische Draufsicht auf eine mögliche integrierte Schaltungsausführung für eine Reihe der in F i g. 3 dargestellten Speicherzellen; Fig. 4B zeigt eine Schnittansicht der F i g. 4A längs der Linie 6B-6B. Entsprechende Elemente sind in den F i g. 3, 4 A und 4 B mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Unterlagematerial 102 mit p-Leitfähigkeit sowie
eine relativ dünne hierauf epitaktisch aufgewachsene • n-Schicht 103 auf. Die Schicht 103 mag als typischen Wert 0,3 Ohm-cm für den spezifischen Widerstand und etwa 4 Mikrometer für die Dicke haben. Eine lokalisierte tiefe Eindiffusion von Bor bildet die p-lsolaüonszonen 104, die relativ niedrigen spezifischen Widerstand haben. Eine weitere lokalisierte Eindiffusion von Bor bildet die Basis-Zone 105 mit einer Oberflächenkonzentralion von etwa 1017 Atomen/ cm2. Eine lokalisierte Eindiffusion von Phosphor bildet die n-Zonen 106, 107 und 108 relativ niedrigen spezifischen Widerstandes. Ferner ist wie in Verbindung mit Fig. 1 erläutert worden ist, eine relativ dünne Rhodiumschicht an die durch Oxidmaskenfenster exponierte Halbleiteroberfläche gesintert, um die virtuell ohmschen Anschlüsse zu den Halbleiterzonen niedrigen spezifischen Widerstandes und die Schottky-Dioden zu den Zonen relativ hohen spezifischen Widerstandes zu erzeugen.
Ersichtlich können zahlreiche Anordnungen gewählt werden, um den tatsächlichen elektrischen Kontakt zu den Halblcitcrzonen zu bewerkstelligen und
um die Zwischenverbindung integrierter Anordnungen funktioncllcr Elemente zum Erhalt der integrierten Schaltungszcllc zu realisieren. Hierfür eignet sich besonders vo/leilhaft die Stülzleitcrtechnologie, wie
λ TiCA ρηί,.„f«rl,rift3 335 338 beschrieder USA.-Patentscnfift 5 us M* oeswi
diese in
benist· . A- p: „ 4 λ und
Im einzelnen «igen . Fvig.4A und
einen FHp-Flop-Trans,stor »2 ^1 e ner d relativ hohen spez.fischen Widerstände »uerin eingelassenen Ern-tterzone" snezifischen Vd^^
Anschlüsse 111 und 112 zu bilden. Die Kopplung* dioden'gg ma 91 sind NSB-Dioden, die, wie in Verbindung mit Fig.1 beschrieben, hergestellt sind.
J d ^n n_Zoncn ,n4 und I07 die ιπ
der p-isolationszone IM erzeugt sind, dienen für den LeitüngsWeg zwischen dem positiven Anschluß der Speisespanlungsquelle (+K1) und jeder Zelle. Zu dksem Zweck sind PSB-Dioden83 Und 86 als mit
DjSfa, verhindern.
T'Γ F nfiuß S Sodeä auf die Schaltung m Um den wnfluß oer ^e- deg3
minimaksieien w^rd gne ξθ!«Γ
?Z und eiie kle ne?e Durchlaßspannung hat. Die
s rom und a™*™™Z£ auch auf djc Diode 87 gle.chen Erwagungentreffen
bezüglich der Diode W^zu.
Verbindungen U und 112 !°" ^"- ^^^„^ g5 zu den η-Kollektoren der Transistoren 82 uno a sollten ebenfalls ohmisch sein.
haft IDr die Erfindung sind. Zahlreiche Abwandlungen
sind möglich. Beispielsweise können statt Rhodium ander<; Meüd^ ^ pla|in> Zjrkon und Palladlum
und audi Με{3|Ι.^6Γ11ηββη, verWcndet werden, um Schottky-Dioden hoher QuaHtät mit gle.chrichtender Sperrschicht zu erhalten, die von den Rho-
diumsHirid-Silicium-Dioden, die hier im einzelnen ^ ^^^ ^^ abwcirfien
Weiter sollte es ersichtlich sein, daß die Verwendung ^ PSB-Dioden als Schaltungselemente relativ hoher Impedanz eine äußerst vorteilhafte Maßnahme im
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Claims (7)

zur Minimalisierung der Länge der erforderlichen Patentansprüche: elektrischen Verbindungen. Andererseits nimmt, wenn die Vorrichtung kleiner wird, die Leistungsdichte zu
1. Integrierte Halbleiterschaltung mit einer und thermische Probleme werden akut.
Schottky-Diode als Impedanzelement, deren 5 Eine Methode, um diese entgegengesetzten Be-Schottky-Sperrschicht an der Grenzfläche zwischen schränkungen unter einen Hut zu bringen, ist die einem Melallsilicid und Silicium gebildet ist, d a- Leistung zu verringern, weiche von der integrierten durch ge k e η η ze ic h ne t, daß das Silicium Schaltung vernichtet wird, wenn die physikalische p-!eitendes Silicium ist und die Diode unter Vor- Größe reduziert wird. Soweit die Leistung das Prospannung in Sperrichtung zur Verwendung als io dukt von Spannung und Strom ist, könnte entweder Wirkwiderstandselement vorgesehen ist. die Spannung oder der Strom zur Lösung dieses Pro-
2. Integrierte Halbleiterschaltung nach An- blems reduziert werden. Jedoch ist elektrisches spruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das p-lei- Rauschen hauptsächlich ein Spannungsproblem, es tende Silicium eine Oberflächenkonzentration von können daher die Schaltungsspannungen nicht beweniger als 5 ■ 1017 Akzeptor-Atome/cm3 hat i5 liebig reduziert werden, ohne daß hierbei Schwierig-
3. Integrierte Halbleiterschaltung nach An- ketten im Rauschverhalten auftreten würden. Um spruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß den Strom bei Aufrechterhaltung einer gegebenen Rhodium, Platin, Palladium. Zirkon oder Le- Spannung zu reduzieren, ist eine Erhöhung der Impegierungen hiervon für das Metall des Silicids vor- danzwerte in der Schaltung erforderlich.
gesehen ist. 20 Wenn die Impedanz eines üblichen Impedanzbau-
4. Irtegrierte Halbleiterschaltung nach einem elementes in einer integrierten Schaltung, z. B. ein der Ansprüche 1 bis 3 mit einem Transistor, diffundierter Widerstand, zunimmt, nimmt dessen dadurch gekennzeichnet, daß der zumindest in physikalische Größe gleichfalls zu. Alternative Impeeinen Anschluß des Transistors einfließende Strom danzelemente, z. B. ein abgeschnürter Feldeffektder Sperrstrom der Diode ist. 25 transistor, sind zwar verwendet worden, es ist aber
5. Integrierte Halbleiterschaltung nach An- allgemein schwierig, befriedigende Reproduzierbarspruch 4, gekennzeichnet durch einen Eingang (K1), keit in der Kennlinien dieser Vorrichtungen zu erdurch zwei Transistoren (82,85), die je eine Steuer- halten.
elektrooe und je eine erste und zweite A isgangs- Vor dei.i Aufkommen der integrierten Schaltungen
elektrode aufweisen, durch je eine gesonderte 30 gab es Vorschläge zur Ausnutzung der Eigenschatten Schottky-Diode (83, 86), die zwischen die Steuer- von pn-Übergangsdioden in Sperrichtung, um eine elektrode jedes Transistors und den Eingang (V1) hohe Impedanz in Schaltungen zu erhalten, in welchen geschaltet sind und eine hohe Impedanz hier- diskrete Schaltungselemente verwendet sind, 'edoch zwischen bilden, diircn Mittel zum Koppeln der erwies sich die Impedanz hochqualitativer pn-Überersten Ausgangselektrodc jedes Transistors an die 35 gangsdioden als zu hoch, und die niedrigere Impedanz Steuerelektrode des jeweils anderen Transistors bewußt verschlechterter Dioden erwies sich als zu und durch Mittel zum Verbinden der zweiten schwierig kontrollierbar. Demgemäß sind diese Vor-Ausgangselektrodcn mit einem gemeinsamen zwei- schlage nicht weiter verfolgt worden.
ten An->chluß <94). Ir. »the Bell System Technical Journal« Bd. 47, 1968,
6. Integrierte Halbleiterschaltung nach An- 40 Heft 2 (Febr.), S. 195 bis 208 ist die Rede von einer in spruch 5, dadurch gekennzeichnet, daB die Tran- Durchlaßrichtung vorgespannten Schottky-Diode als sistorcn bipolare Transistoren sind, deren Basis- Impedanzelement. Die Schottky-Sperrschicht wird mit flekirtnkn dx Sleuerelektroiieui deren Kollektor- n-lcitendem silicium gebildet. Wenn auch in dieser elektroden die ersten und deren Emitterelektroden Schrift davon die Rede ist, daß Scholtky-Dioden ein die zweiten Aiisgangselektroden sind. 4ä schlechteres Sperrverhalten hätten als pn-Übergangs-
7. IntegritTte Halbleiterschaltung nach An- dioden, und eine Verwendung von in Sperrichtung bespruch 5. dadurch gekennzeichnet, daß die Ka- triebenen Schottky-Dioden deshalb bisher nicht in thoden der Schottky-Dioden (83, 86) mit dem Ein- Erwägung gezogen worden sei, so ist der Sperrstromgang (K1) und deren Anoden ir.'si den Sieacr= anstieg immer noch viel zu gering, als daß rnan durch elektroden verbunden sind. 50 Verwendung dieser n-Ieitenden Schottky-Diode im
Sperrbetrieb ein Impedanzelement verfügbar machen könnte, dessen Widerstandswerte in den benötigten
Größenordnungen und Tolleranzen lägen, und die
genügend reproduzierbar wären.
55 Aufgaf Jer Erfindung ist es, fur integrierte Schaltungen der einleitend beschriebenen Art ühmsche
Die Erfindung bezieht sich auf eine integrierte Widerstände, weiche auf Grund ihres Widerstands-Hafbfeiterschaftung mit einer Schottky-Diode als wertes in der integrierten Schaltung einen unerwünscht impedanzelement, deren Schottky-Sperrschicht an der hohen Platzbedarf benötigen, durch Hafbleiterbau-Grenzfläche zwischen einem Metallsilicid und; Silicium 60 elemente zu realisieren, und zugleich für eim gute gebildet ist. Reproduzierbarkeit der Widerstandswerte zu sorgen.
Beim Entwurf integrierter Schaltungsvorrichtungen Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch
stehen zwei Haupterwägungcn bezüglich der Kon- gelöst, daß das Silicium p-lcitendcs Silicium isf. und die strtiktion allgemein im Konflikt zueinander. Einerseits Diode unter Vorspannung in Sperrichtang als WirksoHte die Vorrichtung so kleiii wie möglich sein, und 65 widerstandsclcment vorgesehen ist.
zwar hauptsächlich zur Verringerung der Kosten der Ein Vorteil hierbei ist der, daß diese neue Dioden-
Vorrichtung, aber auch zur maximalen Erhöhung des form durch Verfahrensschritte hergestellt werden kann, Hochßeschwindigkcitsverhaltcns der Vorrichtung und die vollständig mit denjenigen Verfahrensschritten
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