DE1942558A1 - Halbleiterschaltung - Google Patents

Halbleiterschaltung

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Description

1942559
G CuMJfAiNlT Xncorporatea Hodges 2-19
New York, N. Y. * 10007. VatA ;
Halbleiterschaltung
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleiterdioden mit Schottky-3perrschicht und insbesondere auf integrierte, monolithische fialbleiterschaltungen mit solchen Dioden als Schal tiingseleinente. Die Erfindung bezieht sich auch auf eine neue SchottKy—Diode sowie auf ein neues Verfahren zum Herstellen von Schottky-Dioden.
Beim Entwurf integrierter Schaltungsvorrichtungen stehen zwei Haupterwägungen bezüglich der Konstruktion allgemein im Konflikt zueinander· Einerseits sollte die Vorrichtung so klein wie möglich sein, und zwar hauptsächlich zur Verringerung der Kosten der Vorrichtung, aber auch zur maximalen Erhöhung des Hochgeschwindigkeitsverhaltens der Vorrichtung und zur Minimalisierung der Länge der erforderlichen elektrischen Verbindungen. Andererseits nimint, wenn die Vorrichtung Kleiner· wird t die Leistungsdichte zu und thermische Probleme werden akut ο ·
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ORIGiWAL INSPECTSO
Eine Methode, um diese entgegengesetzten Beschränkungen unter einen Hut zu bringen, ist die Leistung zu verringern, welciie von der integrierten schaltung vernichtet wird, wenn'die physikalische (iröße reduziert wird. Soweit die Leistung das Produkt von Spannung und Strom ist, könnte entweder die Spannung oder der Strom zur Lösung dieses iToblems reduziert werden. Jedoch ist elektrisches liauscnen hauptsächlich ein Spannungsproblem, es können daner die Schaltungsspannungen nicht beliebig reduziert werden, ohne daß hierbei Schwierigkeiten im Rauschverhalten auftreten würden. Um den strom bei Aufrechterhaltung einer gegebenen Spannung zu reduzieren, ist eine Erhöhung der Impedanzwerte in der schaltung erforaerlicns
Wenn die Impedanz eines üblichen Impedanzbauelementes in einer integrierten Schaltung, z»i3. ein diffundierter Widerstand, zunimmt, nimmt dessen physikalische Größe gleich!alls zu. Alternative Impedanzelemente, z.B. ein abgeschnürter Feldeffekttransistor, sind zwar verwendet worden, es ist aber allgemein schwierig, befriedigende Heproduzierbarkeit in den Kennlinien dieser Vorrichtungen zu erhalten«
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ORIGINAL INSPECTED
J " "3-
Vor den Aufkommen der integrierten Schaltungen gab es Vorschläge zur Ausnutzung der Eigenschaften von PN-Übergangsdioden in Sperrichtung, um eine hohe Impedanz in Schaltungen zu erhalten, in welchen diskrete Schaltungselemente verwendet sind. Jedoch erwies sich die Impedanz hochqualitativer PN-Übergan^sdioden als zu hoch, und die niedrigere Impedanz bewußt verschlechterter Dioden erwjes sich als zu schwierig kontrollierbar· Demgemäß sind diese Vorschläge nicht weiter verfolgt worden·
Ba wurde nun gefunden, daß eine Schottky-Sperrschicht» diode alt einer Grenzllache zwischen einem geeigneten Metall und einer p-leitenden Halbleiterzone relativ hohen spezifischen Widerstandes reproduzierbar hergestellt werden kann, um bei Vorspannung in Sperrichtung " eine Impedanz zu haben, die sich für integrierte Mikro» leistungahalbleitorschaltungen eignet,
* Ein Vorteil hierbei ist der, daii diese neue Üiodeniorm durch Verfahrensschritte hergestellt werden Kann, die vollständig mit denjenigen. Veriahrensschritten verträglich sind, welche zur L'rzeugung der £leKtrodenanordiiun£, bei integrierten Schaltungen mit Stützleitern angewandt werden·
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Gemäß der Erfindung wird also eine Halbleiter— schaltung geschalten, die sicli auszeichnet durch zumindest eine Schottky-Sperrscuiciitdiode, die so angeordnet ist, daß deren Impedanz in Sperriciitung als ein Impedanzelement in der schaltung verwendet -ist»
Bei einer Ausfuhrungsform der ErJ. indung wird, die neue Schottky-Sperrschiciitdiode hergestellt durch Reagieren— lassen einer Rhodium-Dünnschicht mit p-leitendem Silizium relativ hohen spezifischen Widerstandes, um die gleichrichtende bperrschicht an der Grenzfläche zwischen Rhodiumsilicid und ailizium zu erzeugen»
Obgleicn eier Umstand.,, daß diese neuen Dioden vorteilhaft als pnysikali&ch kiexne Baueieuente noher Xmpeuanz verwendet werden üönrien, den Vorzug genereller Anwendbarkeit bei der luikrdleistungs-Schaltungstechnik hat, sei nachstehend ein spezielles Ausführungsbeispiel, bei welchem diese Dioden als Lastirapedanzen in einer halbleitenden Speicherzelle verwendet sind, im einzelnen beschrieben«
in der Zeichnung zeigen
Fig. 1 in schematischer Querschnittsdarstellung die verschiedenen Typen von x-ietali/Halbleiter»
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Grenzflachen, die bei der Durchführung der Erfindung erzeugt werden können,
F1Ig. 2 in schematischer Querschnittsdarstellung einen Teil eines integrierten ächaltungs·· plättchens mit erfindungsgemäßen Schottky·» Sperrschicntdioden, wobei das Plättchen zwei epitaktische Scnicnten aufweist,
Figo 3 in schematischer querschnittsdarsteilung einen Teil eines integrierten Scnaltungs— plättchens, das erfindungsgemäüe Schottky« Spx3rrschichtdioden enthalt, die mit durch "Ionen-Einpflanzung" erzeugten Zonen hergestellt worden sind,
Fig. 4 die allgemeine Stroui/apannung-'Kennlinien-Kurve der erfinüungsgemäßen Dioden,
Figo 5 das Schaltbild einer Speicherzelle, die Schottky-Sperrschiciitdioden als Last impedanzen verwendet,
Figo öA eine Draufsiciit auf einen möglichen integrierten Halbleiterschaltungsaufbau entsprechend der Schaltung nach Fig, 5» und
Fig. 6b eine schematisciie Sohnittansicht der integrier· ten Schaltung nacii Fig, 6a,
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In Fig. 1 ist ein Teil eines einkristallinen Silizium·· Plättchens 11 dargestellt» dessen Hauptteil 12 n—leitend ist und bei welchem benachbart einer seiner Oberflächen zwei im Abstand voneinander liegende p-Zonen 13 und 14 erzeugt worden sind« In die Zone 14 ist eine relativ stark dotierte n-Zone 15 eingelassen. Eine weitere, relativ stark dotierte Zone 15A ist als von der p-Zone \k im Abstand liegend dargestellt. Die Zonen 13t 1^» 15 P und 15A können durch Legieren, Festkörper-Difluaion, Ionen~Einpflanzung oder durch andere benannte Prozesse zur Änderung des Leitungstyps eines Halbleiterplättchens erzeugt werden.
Nachdem die vorstenend beschriebenen Zonen erzeugt worden sind, wird ein Muster von Öffnungen durch die passivierende Siliziumoxydschicht 16 hindurch erzeugt, uai Teile der Oberfläche dieser Zonen und/oder des iiauptteils freizulegen. Insoweit als selbst die wirksameren chemischen Reinigungsmethoden mehrere Atomlagen anorganischer Filme zurücklassen, sind chemische Jeinigungsmethoden allgemein zum Reinigen von Oberflächen unbrauchbar, auf welchen Sperrschicht-Dioden relativ niedriger Energie erzeugt werden sollen. Um eine saubere Siliziumoberfläche sicherzustellen, werden deshalb das Oxyd und die ex»
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ponier/fce Siliziumoberflache vorteilhaft einem RücKzer— »täubungsprozeß unterworfen^ wie aieser beispielsweise in OLe=XT TJi5S „-Patentschrift Nr. 3.271.286 beschrieben
Auf die Keinißiuitjsprozedur folgend» wird eine beispielsweise 200-500 Angström dicke Rho'dium-Dünnschicht, beispielsweise durcii Zerstäuben oder Verdaiapfen, auf die Oberfläche des Oxydes und der freiliegenden nalbleiterteile niedergeschlagen· Die Anordnung wird dann einige Minuten lang erhitzt, wobei die Terapei-attir noch nicht sonderlich kritisch ist, beispielsweise auf 450-750 C, um das Rhodium zur Reaktion mit dem Silizium zu bringen« Obgleich Temperatur und Dauer der Erhitzung relativ unkritisch sind, verursachen höhere Temperaturen, z»i3. 700°C eine stabilere Ordnung der resultierenden Kristallite und sind desualb vorzuziehen· Nach diesem achritt befindet sich eine Verbindung aus Rhodium und Silizium in jedem der Oxydfenster, wo sich das khodium mit dem Silizium in Kontakt befand, also in den Bereichen 17t 1b, 19, 20 und 21 in Fig. 1. Diese Verbindung wird Rhodiums!Iicid genannt·
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OR/GiNAL INSPECTED
Insoweit Rhodium ein relativ inertes Material ist, wird, vorteilhaft Rückzerstäubung angewandt,, um das unreagiert gebliebene Rnodium von der Oberfläche des Plättchens zu entfernen. Die Rückzerstäubungsmethode zur Entfernung von Material an ausgewählten Teilen eines haibieiterwerkstückes ist in der vorstehend erwähnten UoS,-Patentschrift im einzelnen beschrieben,
Das Khoaiumsilicid braucht wahrend der Rückzerstäubun^ nicht geschützt zu werden, da das verbliebene Rhodium mit etwa der doppelten Geschwindigkeit wie Rhodiumsilicid entfernt wird und da die Dicke des .Rhodiumsilicids bodeutena gi'öiier als axe Dicke des Rhodiums ist ·
Zur Koinplettiex'ung der Vorrichtung werden geeignete iietalleleKtroaen 22, 23» 24, 25 und 26 und, soweit en orderlich, ZwibCj enverbindungen hergestellt, beispielsweise uurcii den Titan-Hatin-Gold-Stützleiterherstellun^sprozfcü, wie aie&er in der U.S.-Patentsciirift Nr. 3·335·33ο besciirieben ist«
Zur Erläuterung der verschiedenen Typen der Rhodium-6ilicid/siiiziuri—xrenzflachen, die nach dem vorstellend uesciiriebeiien i-rozeß erzeugt weraen monnen.) haben in Fig. 1 die p-Zone 13 eine Oberilachenkonzentration
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von etwa 2x10 Akzeptoren/cm , der n-riauptteil 12 eine Oberilcichenkonzentration von etwa 1ü Donatoren/cm , die p-Zone 14 eine Oberflächenkonzentration von etwa 5 x 10 Akzeptoren/cm una die n-Zouen 15 und 15A
20
eine Oberflächenkonzentration von eta 10 Donatoren/cm=«
Die Rhodiumsilicid-Zonen 19, 20 und 21 bilden Schottky-Sperrschichtdioden mit ihren entsprechenden Silizium-Zonen 14, 15 und 15Aj aber wegen des relativ hohen Wertes der ionisierten Dotierstoffen in diesen Zonen veranlaßt ein Niederspannungstunnelmechanismus, daß diese Dioden virtuell als ohmsche Kontakte erscheinen. Aus diesem Grunde wird im nachstehenden angenommen, daß diejenigen Rhodiumsilicid/3ilizium«Grenzflachen, an welchen das Silizium relativ stark dotiert ist, ohmisch sind.
Die Rhodiumsilicid-Zoiie 18 bildet in reproduzierbarer v/eise eine dchottky-Sperrsauichtdiode honer Qualität zusammen mit dem n-leitenuen tiauptteil 12 9 derart, daß das öllicid die Anode dar Diode ist und das Silizium die iCathode, Diese Diode hat eine Durchlaßspannung von
2 ' etwa O,35 Volt bei etwa 100 Ampere/cm Durchiaßstrom uua in iiperricntung eine Leckstroudichte von etwa 1O~* A"ipere/cm bei etwa 1 .Volt Sperr spannung· Dieser
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Diodentyp sei nachstehend als NaB (N-type Schottky barrier)«Diode bezeichnet«
Die Rhodiumsiiicid-Zone 37 erzeugt gleichfalls in reproduzierbarer Weise eine Schottky-Sperrschichtdiode honer Qualität mit der p-Zone 13 derart, daß das Silicid die Kathode der Diode ist und das Silizium die Anode· Diese Diode hat eine Durchlaßspannung von etwa 0,02 Volt bei etwa 100 Ampere/cm Durchlaßstromdichte und eine
Leckstromdichte in Sperrichtung von etwa 100 Ampere/cm bei etwa 1 Volt Sperrspannung» Dieser Dioaentyp sei nachstehend als PSB (l?-type SchottKy barrier")-Diode bezeichnet*
Wenn beispielsweise die PSB-Diode ein Tüpfeicnen mit einem Durchmesser von 7 t 62 χ 1O- cm ist, dann betragt bei 1,0 Volt Sperrspannung der in Sperrichtung ilieiiende k Strom etwa 45 Mikroampere, d.h. die Impedanz bei
1,0 Volt Sperrspannung ist etwa 22.200 0hm. VIe nachstehend im einzelnen noch erläutert wird, ist diese Impedanzgröße für integrierte Mikroleistungshalbleiterschaltungen brauchbar.
VIe vorstehend erwähnt wurde, unterliegen Schottky» Sperrschichtdioden, die auf Silizium mit relativ niedrigem
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spezifischem Widerstand erzeugt worden sind, einem
Tunnelinechanismus bei so niedrigen« Sperr- oder Durch- laßspannungs werten*, daß sie virtuell als oJirasche Leitungswege erscueinen. Aus uiesem Gi-unde werden I1SB-
Dioden mit einer brauchbaren Impedanz in Sperriclitung
" ■
vorteilhaft auf Silizium erzeugt, üessen üuerl'liicJien-
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konzentration kleiner als etwa 5 x 10 Akzeptoren/cm ist. obgleich es mogiicn ist, diesen Zonentypus uurcü Festkorper-Diffusion von ijor durch eine Siliziuinoxyu— maske liindurch zu erzeugen, ist dieser hrozeti in diesem Bereich riitäurigor Üuen iacnenKonzentration von nause
aus sciiuierii; l'eproduzierbar auszui liuren. lJaJiei^ illustrieren Fit;» .'£ und 3 zwei alternative .lethoden zum Erzeugen von iJ-Zoneii mit relat.iv niedrigen ouerl läclienkouzentrationen.
Fig. 2 zeigt einen Teil eines integrierten Sctialtunjsplättchens 31 aus Silizium mit zwei epitaktischen
Schichten 32 und 33, die auf einer p-Unterlage "}k eines spezifischen Widerstandes von etwa 10 Ohm-Centimeter
ir
angeordnet sind«, Die weitgehend gleichförmige epitak tische n-bciiicht J3 wurde in einer Dicke von etwa
1,5 Mikrometer aui' einer ganzen .laaptiiäcne der p- Unterlage 3^ erzeugt, und danaoli wurde die weit,~eh«snd
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gleichförmige epitaktische p-achicht 32 gleichfalls in einer Dicke von etwa 1,5 MxKrometer auf der ganzen Oberfläche der Schicht 33 erzeugt» Vorteilhaft haben die Schicxiten 32 und 33 .etwa axe gleiche Uotierstoff«
17 3
konzentration, z.Üe 2 χ 10 /cm , utn die Vorschiebung ihrer Grenzi laciie, des pn-Ubcrgangs 33» wkhrena nachfolgender Viarinbeuanalungen zu i-nduzieren. Xm einzelnen hat dxe n-acJiicht 33' einen siiezii iscJien Widerstand von etwa Ü,07 Oiim-Centii'ieter bei einer im wesentlichen
1 7
gleichförmigen Konzentration von etwa 2 χ 10 Antiuon-
3 '
atoiae/cni ii.i Inneni, un>'i nie p-ochicht 32 nat einen spezifiscuen .lücrstand von etv.;a U,2 Onrn-Oentimeter bei einer in we&entxicnon gieicj. ι ο i-niigen Konzentration
1 7
von etwa 2 χ 10 Hor-Atome/cM^ i.i Innern, p-isolationszonen 36, ii-KolleKtorxontaKtzonen 37 und eine n-Emitterzone 3^ warnen ri3.cn liuiicnen UiI ι us iüiisme tiiouen unter Verwendung von sor als iiiczt-ptor und i'nospiior als Donator Hergestellt, i,=> x-3ucritet ein, üa.j aie epitaptische p-ocliicut 32 eine relativ niearige Ouerl lachenkonzentration iur aie or/eti^ung üer 1-Sß—Diode 39 hierauf darstellt. Der -,irii <i.cniifiit iiaioer sxncl keine elektx'ischen AnscHlüsse an di«, anderen Zonen in iig, 2 dargestellt.
Fig. 3 'zeigt ein JoiL eines integrierten Scj altungs-
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BAB OWSiNAi
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plättchens 51 aus Silizium mit einem relativ hohen spezifischen Widerstand, beispielsweise 0,3 Ohm— Centimeter, wobei eine epitakti&che n-Schicht 52 auf einer p-Unterlage 53 vorgesehen ist» p-Xsolationszonen t)h, eine p-Uasiszone 55» e,ine n-Euiitterzone und eine n-Kollektorzone 57 wurden durch Bvestkörper~ Diffusion, nach uolichen Ketnoden hergestellt. iüine PSri-Diode 59 wurde auf der p-Zone 5ö erzeugt, die ihrerseits durch Ionen-Einpflanzung auf eine über-
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fläclienkonzentration von etwa 2 χ 10 Bor-Atome/cm erzeugt worden ist β
IConen-Einpflanzung ist eine Methode, nach welcher eine Unterlage mit einem Ionenstrahl bombardiert wird, um Donatoren oder Akzeptoren in die Unterlage einzuführen,, ¥enn die Unterlage halbleitend ist, können die Dotierstoi'fe den Leitungstyp des Halbleiters ändern. Eine allgemeine Beschx'eibung dieser Methode ist beispielsweise in dem Artikel von J« P« Gibbons in Proceedings of the I.B.E.B. t Band 5ό, Nr, 3, März I968, Seiten 295-319» wiedergegeben.
Bei einer vorteilhaften Methode zur Anwendung der Ionen-Einpflanzung wird zuerst e'ine dünne Metallmaske auf
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der ganzen Oberfläche einer halbleitenüen Unterlage erzeugt. Die Maske kann beispielsweise eine 10.000 Angströin dicke Goldschicht mit Fenstern sein, durch, welche Teile aer Halbleiteroberfläche exponiert sind· Ein Ionen' bombardement der Masice erzeugt loicalisierte Zonen dee entgegengesetzten Leitungstypus nur in jenen Bereichen des tialbleitermaterials, welche durch die Fenster in der Maske freiliegend sind.
Ein potenzieller Vorteil des Dotierens durch Ionen-Einpflanzung ist die Fähigkeit, die Dotierprofile in drei Dimensionen durch Modulieren der Energie, des Stromes und der Lage des Xonenstranls steuern zu können. Beispielsweise kann in Fig. 3 die Zone 3Ö durch Ionen-Einpflanzung so erzeugt werden, aaß sie eine Dotier» Stoffverteilung hat, bei der die Überflächenteile der Zone weniger stark als die inneren Teile dotiert sind· Für viele die PSB-Dioden betreffenden Änwendungsfälle ist diese Dotierprofilform vorteilhaft, weil hier eine niedrige Oberflächenkonzentration vorhanden ist, in welcher Schottky-Sperrschichtdioden mit niedriger Potenzialschwelle erzeugt werden können, und weil gleichzeitig relativ hoch dotierte innere Teile den KontaKt-Serienwiderstana in der Diode reduzieren·
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- rs
Fig· k zeigt eine Kennlinienkurve i'ür eine Schottky-Sperrachichtdiode, die zwischen Rhodiumsilicid und p-Silizium erzeugt worden ist. Fig. h zeigt die verschiedenen Sperrstrom-Leitungsmechanismen, die in einer solchen Diode wirksam sind· Im einzelnen ist die aus» gezogene Linie 71 der tatsächliche Sperrstromverlaul' als Funktion der bpannun^ für eine Diode, die auf p— Silizium mit einer Oberl iächeiiKonzentration von
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2 χ 10 Bor-Atomen/cm erzeugt worden ist· Die gestrichelte Linie 72 gibt uen von einem idealen Übergang mit einer gleiohricAtejuleii Sperrschicht Konstanter Hone · zu erwartenden Sperrstroin wieder und ist als solciier eine Komponente des gesamten aperrstroms in der Diode. Die gestrichelte Linie 73 bezeichnet die Größe dee Stroms, der aurca Tunneleffekt bei gegebenen Spannungswerten erzeugt wird, und ist daher eine weitere Komponente des Gesamtetrome in der Diode. Der gekrümmte Teil der Kurve 71 zwischen etwa 0,015 Volt und etwa 7 Volt gibt die Erniedrigung der Sperrschichthöhe wieder, ein Mechanismus,- der in dem Artikel von S. M. Sze, C»R· Crowell und ü· Kahng in Journal of Applied Physics, Band 35t Nr. 8, August \9ok, Seiten 253^-253b, erläutert ist· Vie aus dor Kurve 71 in Fig. 4 ersichtlich ist, hat der säperrstrou einer PSli-Diode einen von ilause aus
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nichtlinearen Verlauf mit der Spannung, Diese Nichtlinearität jvami seibstverständlicii in verschiedenen digitalen und linearen integrierten Schaltungsariwendunjs· fällen ausgenutzt werden,
Fig. 5 zeiöt das ocnaltbild einer speziell zur Verwendung der im vors teilenden beschriebenen Impedanz-Kennlinien in aperrichtung der Poü-Dioden entwori'enen t Schaltunu, Die üargeatellte ocüaltung 81 ist eine halb-* leitende Speicherzelle unter Vorwendung von P6i3-Dioaeri als Lastiiupeüanzen.
Die Schaltung el weist zwei hhV-Transistoren 82 und ö5 auiι die zur erzeugung eines Flip-Flops miteinander verbunden sind.« jJie uasia ae& Transifators ö2 liegt an aer Anode einer Psii-Diodi; Ö3» deren Kathode am positiven Anschluß einer spannungsquelie (+V1J liegt. Die Basitj des Transistors b2 ist ^lej-Culalls mit der " iliiode einer zweiten toii-Diode bk verbunden, deren Kathode ata üoilektor de= 'Iransi&tors H^ liegt. Die iiasis des Ti- ans is tors ö3 ist mit einer dritten PaB-Diode bü verüunuen, deren Kathode au 1 IusjjoI der Spannungsquelle ' (+V ■) liegt. Die üasis des Transistors b5
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- vr
ist des weiteren mit der Anode einer vierten Diode 87 verbunden, deren Kathode mit dem Kollektor des Transistors 82 verbunden ist. Die Kollektoren der Transistoren 82 und 85 sind an die ZLi'Fernleitungen 89 bzw. 92 des halbleitenden Speichers über N3ü-üioden 88 und 91 in der dargestellten Weise verbunden. Die Ziffernleitungen 89 und 92 sind - symbolisch dargestellt über Widerstände 90 und 93 rait dem Pluspol einer zweiten Spannungsquelle (+V^) verbunden. Die Emitter der Transistoren 82 und 85 sind miteinander verbunden und an eine geiiieinsame Wortleitung des nalbleitencien Speichers angeschlossen.
Die Sperriurpedanzen der PSjjADioden 83 und 86 sind als die Lastiiüpedanzen für die Transistoren 82 bzw. 85 verwendet. Wie nachstehend nocli im einzelnen erläutert wird, sind die Dioden 8k und 87 in der Schaltung nur deswegen vorgesehen, weil es einfacher ist, die inte«· grierte Schaltung mit solchen Dioden herzustellen.
ijeim Uetrieb werden die Kopplungsdioden 88 und 91 wahrend eier Warteperiodai typischerweise in öperrichtung vorgespannt, sodaß die Speicherzelle von den Ziffernleitungen praktisch entkoppelt ist; Die Schaltungs*·
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Spannungen können beispielsweise für (+V1) etwa 2,5 Volt und für (+V„) etwa 1 Volt betragen· Im liar te zustand kann die Wortleitungsspannung etwa 1,5 Volt betragen« Daher ist im Wartezustand die desamtspannung von (+V1) zu den Emittern der Transistoren 82 und 85 etwa 1 Volt. Es sei nun angenommen, daß der Transistor 82 eingeschaltet ist» Dann fließt der Kollektorstrom für den Transistor 82 von der Spannungsquelle (+V1) durch die Diode 66 in Sperrichtung und lurca die Diode 87 in der Durchlaßrichtung· Zur Mini^aalislening inrer ',/irkung in der Scnaltung sind nie Dioden ah und 87 vorteilnaft so entworfen^ daß sie zumindest die doppelte Flache der Dioden d3 und do naben. riei eingeschaltetem Transistor 82 beträgt dessen Koliektor-iSmitter-Spanaung etwa 0,2 Volt» Der Durchlaßspanxiun^sabxall an der Diode 87 ist etwa U,o2 Volt. Es verbleioeri also etwa Q,70 Volt über der Dioue 86 in üperricntung, Insoweit die Emitter/dasis-Spannung des Transistors &2 etwa 0,55 Volt sein wird, liegen nur etwa 0,45 Volt an der Diode 83 in Sperrichtung. liaben axe Dioden 83 und 86 gleiche G^röße und gleichen Aufbau, um beispielsweise 4o Mikroanpere in Sperrichtung bei 0,7 Volt und etwa 30 Mikroampere bei 0,45 Volt zu führen, so ist die im Wartezustand in aer Zelle verheizte Leistung etwa 70 Mikrowatt»
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Um in die Zelle einzuschreiben, wird die Spannung auf der Wortleitung °Λ auf ungefähr Erdpotenzial reciuziert, und ein.zusätzlicher Strom von außerhalb der Zelle wird über eine der Kopplungsdioden 8b oder 91 zugeführt· Wenn beispielsweise der Transistor 82 eingeschaltet ist, und ist es gewü'ischt, den Transistor 83 einzuschalten, so wird ein zusätzlicher btrom, beispielsweise einige toilliamporo, ciurcii die Dioae faö zugeführt· Dieser strom llieiJt anianglich in den KolleKtor des Transistors ö2, der so entworien ist, aaü er einen relativ hohen Kollektorreihenwiderstand, beispielsweise 300 Olim, besitzt. Die Spannung aai KolJeKtorreihenwiderstand ist so, ua.i der Emitter./dasis-Übergang des Transistors 85 ^-n Uurcilaßric.itung vorgespannt und dadurch der Transistor 83 eingeschaltet wird. Tieiin uioser Transistor einsciialtet, niniat seine Kollektorspannun^ ab und der Transit tor 62 schaltet ab. In ähnliclier Weise wird, wenn es kewunsch'k ist, don Transistor 82 einzuscualten, ein Vu«rschu.3strom der Diode 9I von uer Ziliernleitun^ ^)J. zugeiiiart.
Wie uei der vorstehend beschriebenen Einschreiboperation wird zum Auslesen oaer Abtragen dee Status der Zelle Öl die Vfortlextungsspannung wieder auf
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nanezu Erdpotenzial reduzierte Diejenige Kopplungs·-« diode, entweder fcSü oder 91» welche mit dem jeweils eingeschalteten Transistor verbunden ist, wird einen dynamischen Strom von der ZiI Ternleitung in die Zelle einführen. Insoweit dieser dynamische- dtrom hauptsächlich von der Entladung der «or ZiiTernleitung zugeordneten parasitären Kapazität nerf ührt, ändert sich axe apanmmg au!' der Zii'i'ernleitung, unter Vervieiiaung eines abgeglicnenen Detektors wird dann die Polaritcit der spannung zwisci-ien den Zii'iernleitungen abgetastet, um den Status eier Zelle zu bestiiumerie
i^lg·, öA zeigt feint sciiomatiscufi Ürauls-icht auf eine mötjiiciie integrierte jcualtungsausfüjirung 1'ü.r eine Reine der in r'ige -j dargestellten Speicherzellen; Figo 6ii zeiot eine bch.'iittaiisicht der i*%ig» 6A lkngs der Linie OB-GJ1 nuts pi ociieiide Elemente sind in aen ivi(>;uren 3, OA und 6:1 mit den /,!eichen Jiezugsin verse- en,
In der vor .-lers teilung monolithischer integrierter Scnaltujigen bekannten Ueise wird eine Reihe identisclier
Speicherzellen in einer einkristallinen Siliziumscheibe 1ü1 erzeugt. Die scheibe Λ-reist ein ursprüngliches
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Unterlage, iaterial 102 rait p-LeitxHni^keit sü,de eine relativ amine hierauf epitalctisch auigewacuaene n-Schiciit 103 auf, Die Schient 1Ό3 Mag als typisciien Viert 0,3 Oriin-Centimeter i'üx· den speziiisctien v/iaerstand und etwa 4 Mikro.ueter x'ür die j>ictce iiaben. Eine lokalisierte tiefe lüindif fusion von rior bildet die p-Xsolationszonen 1ü4, uie relativ niedrigen spezifischen widerstand haben, lüine weitere lokalisierte jiindifi'usion von Hör bildet uie üasiti-Zune 1ü3 mit
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einer überfiaclienicoazeiitration von etwa IU Atoi;ien/cm~, iiinö ioicaiisierte Eindiffusion von i'iiospiior bildet die n-loneii 10-5, 107 una 1üd relativ niedrigen spezifischen ,/iders tandss ο L'ann :vird wie in Verbindung lait j?ig, 1 erläutert worden ist, eine relatxv dünne Rnoaiumscnxcnt an die dux'ch Oxydaiasiceaf ens ter exponierte Halbleiter— oberx'lciciie gesintert, um die virtuell oiimscneri Anschlüsse zu iiea iialoleiterzonen niecu-itjen spezifiscnen ,iiders taiides und uia ocuottlcy-cjpex-rsciLicxitaioden zu aeu Zonen relativ noixen sx^ezifisclisn iüaei-standes zu er zeugen«
■;cdich Glich können zahli'aicha Anordnungen gewänlt wei'fjen, Uli ilQti tatscichlioneii elektx'ischen Kontakt κu üen !ialbljit'jfzuaen zu bewerkstsllii^n und um
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die Zwischenveruindung integrierter .Anordnungen . funictioneller Elemente zum Erhalt der integrierten Schaltunyszelle zu realisieren. Hieri'ür eignet sich besonders vorteilüaft die atiitzieitertechnologie, wie diese in der U, Sa-Patentschrift Mr. 3.335.338 beschrieben ist,
Im einzelnen zeigen die Fig» 6a und OB nun einen κ Flip-Flop-Transistor 82 mit einer Basiszone 105
relativ hohen spezifischen Widerstandes und einer hierin eingelassenen Emitterzone 108 relativ niedrigen spezifischen Widerstandes» Rhodiumsilicid-äilizium-PSB-Dioden 83 und 84 sind in der jJasiszone 105 erzeugt,, Wie oben erwähnt wurcie, ist die It'iode 84 nur deswegen vorgesehen, weil eine gesonderte Diffusionsbehandlung erforderlich sein würde, sie zu vermeiden. Im einzelnen würde, obgleich es wünschenswert wäre, · einen ο hm s. cn en Anschluß an aie i3asis zu iiaben, eine " . hoch dotierte p-Zone zu erzeugen sein, um die ^nts'teriun.3 einer Diode zu verhinaern. Um den .üirilluß der Diode 84 auf aie .oclialtun^ zu uinimalisieren,- wird jene größer als die Diode 83 gemacht, soctaß die Diode 84 einen -höheren Sperrstrom und eine kleinere Durch- ' laßspannung üat, Die gleichen £ürwägun&en treffen auch
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aul' die Diode Ö7 bezüglich der Diode άο zu«
Verbindungen 111 und 112 von den Dioden i>7 und 84 zu den η-Kollektoren der Transistoren 02 -und 85 sollten ebenfalls ohmiscii sein« (Jlticklicuerweise ist uie üreiiz-ri.iciie zwischen Rhodiinusiliciu und den starlc dotierten Emitterzonen virtuell 'ohmisch. DaJier wurden während der Ewitter-windiriusion starK aotiex'te n-Zonen in der epitaittiächeii Schient 1ü3 erzeugt, α. ι 'Jin virtuell 0i1.1iise.tien jUiscjildsse 111 und 112 ^u uiluen, Jie KoppluUtjSdioden öö mm yi sina NaiJ-Dioaen, uie, wiü in Verbindung mit i|Nig· 1 ücscurieüen-, iicrjästellt sind«
Die stark dotierten n-ion&n lüo una 1ü7i die in der p-Xsolationszone \ük erzeugt si:ii, uieiie,i ±. Ui- den Li5itun,;SKeg zwischen dein positivjn AiibciluiJ der apsisospatmunj;squelle -(+V ) und jadei' Zelle, Zu uiuseni Zweck sind Piii-Uioaen 83 und äo als mit den n-Zoncm iCOivw. 107 vei'bunden dax^esteiit. i-jan siont, tia.j oie Wortleitung $k unter den Zix'iernleituiitsen csy und JZ niuaurch -iiüer eine .stark dotierte n-Zune 11 j vcriauit.
Es sjllte sich verstehen, üa.2 axe spszieiien, nier
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beschriebenen Ausführungsformen lediglich beispielhaft für die Erfindung sind« Zahlreiche Abwandlungen sind möglich« Beispielsweise können statt Rhodium andere Metalle, wie Platin, Zirkon und Palladium, und auch Metall-Legierungen» verwendet werden» um Schottky-Sperrschichtdioden hoher Qualität mit gleichrichtenden Sperrschichthöhen zu erhalten» die von den Rhodiuinsilicid/Silizium-Dioden, die hier im einzelnen erlaufe tert worden sind, abweichen»
Weiter sollte es ersichtlich sein,, clafl die Verwendung von PSB-Dioden als Schaltungselemente relativ hoher Impedanz eine äußerst vor te ilhai te MaiBnaiime ist, die generell in der Miicroleis tungs scnal tungs technik anwendbar ist, deshalb als solche nicht auf die vorstehend bescnriebene digitale Ausίuiirungsform beschränkt ist.
" Fernerhin'sollte es sich auch verstehen, daß NbB-
Dioden als Elemente hoher Impedanz in bcnaltungen verwendet weraen Korifien, aie hcihere Impedanzwerte haben, als jene bequem in Po'j-Dioäen verfügbar si.nd»
Schließlich sollte es sich auch verstehen, äaß PoB-
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BAB OWQINAL
Dioden und/oder NSB-Dioden als Elemente hoher Impedanz in Schaltringen mit Feldeffekttransistoren verwendet werden können.
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Claims (1)

  1. PATENTANSPR ti C HE
    Halbleiters cixaltung, gekennzeichnet durch zumindest eine Schottky-Sperrschichtdiode, die so angeordnet ist» daß die Impedanz in Sperrichtung als ein Impedanz·· element in der Schaltung verwendet ist·
    Halbleiterschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schottky-Sperrschichtdiode Rhodium··· silicid an Silizium angrenzend aufweist«
    3» Halbleiterschaltung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Silizium p—leitend ist.
    4* Halbleiterschaltung nach Ansprucii 3» dadurcri gekennzeichnet, daß das p—Siliaiuni eine überi lächenkonzen-
    17 tration von weniger als etwa 5 * 10 Akzeptor—Atotie/cm besitzt.
    5« Schaltung- nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, daß die Diode eine (irenzflache zwischen p—Silizium und einem Metailsilicid umfaßt·
    6e Halbleiterschaltung nach einem der voranstellenden Ansprüche, gekennzeichnet durch einen Transistor
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    und Vorspannmittel, d±e so angeordnet sind, dali wenn der Transistor in der aktiven oder gesättigten
    Betriebsart arbeitet, die Diode in Sperricjituii^ vorgespannt ist und der in zumindest einen Anschluß des a Transistors einfließende Strom der Sperrstrom der Diode ist, wodurch die Diode als ein litipedanzelement der- Schaltung arbeitet.
    7» Bistabile Halbleiterschaltung, gekeimzeiclmet durch erste Anschlußniittel (V ) zum Ankoppeln elektrischer Leistung an die Schaltung, durch ein Paar Tx-ansistoren (82,8^), die je eine Steuerelektrode und erste und zweite Ausgangselektroden aufweisen, durch eine gesonderte ScJiottky^Sperrschichtdiode (83» 8b), die zwischen der Steuerelektrode jedes Transistors und aen ersten Anschlußmitteliv (V1) geschaltet ist und eine hohe Impedanz hierzwischen bildet, durch Mittel zum. Koppeln der ersten Ausgangselektrode jedes Transistors an die Steuerelektrode des jeweils anderen Transistors und
    durch Mittel zum Verbinden der zweiten Ausgangselektroden mit einem gemeinsamen zweiten Anschlußaiittel (9*0·
    8· Schaltung nach Anspruch 7» dadux'cli gekennzeiclj.net, daß der Transistor ein bipolarer Transistor ist, dessen Basis als die Steuerelektrode, dessen Kollektor als
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    die erste Ausgangselektrode und dessen Emitter als die zweite Ausgangselektrode vorgesehen sind«.
    9· S.chaltung nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Kathode der Diode (ü'3t &6) mit dem ersten Anschlußmittel verbunden ist und daß die Anode der Diode mit der Steuerelektrode verbunden ist»
    10· Verfahren; zum Herstellen einer Schottky-Diode in W einem Siliziumkörper, der eine ebene xiauptf lache besitzt, gekennzeichnet durch Erzeugen zumindest einer Zone mit einer relativ niedrigen Akzeptorkoiizentration benachbart der iiauptf lache in dem Körper, durch Ei'zeugen' einer Maske auf der liauptiläche derart, daß zumindest ein Teil der Oberfläche der Zone durch ein fenster in der Maske ninaurch exponiert ist, durch der Reinigung des exponierten Teils der Oberfläche dienende Ruckzerstäubung, durch Nieaerschlagen einer gleichförmigen ^ Schicht eines Katei'ials., das aus der aus Metallen und
    Metall-Legierungen bestellenden Gruppe ausgewählt ist, xauf die Maske und das Fenster derart, daß ein Teil der Schicht an den Teil der Oben'läcne der Zone angrenzt, durch Warmbehandlung des.Körpers bei erhöhter Temperatur für eine Zeitspanne, die ausreichend ist, um ein Metallsilicid zu bilden derart, daß eine
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    Schottky-SiJerrschichtdiode entstellt, bei welcher
    das Metailsilicid die Kathode und das Silizium axe Anode ist«, ·
    1To Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Material für die gleichförmige Schicht aus der aus Rhodium, Platin, Palladium, Zirkon und Legierungen dieser Metalle bestehenden tiruppe ausgewählt wird»
    XZa Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Akzeptorkonzentration benachbart der Über·»
    1 *7 '\
    fläche Kleiner als 5 x 10 /cm gewänlt wird, daß
    als das metall Rhodium verwendet wird und daß für
    die erhönte Temperatur 450-750 G zur Anwendung
    gelangen»
    13o ScnottKy-Diode, gekennzeichnet durch einen gleichrichtenden Übergang von Rhodiums ilicid und p-Siliziunie
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3780320A (en) * 1971-12-20 1973-12-18 Ibm Schottky barrier diode read-only memory
DE2262297C2 (de) * 1972-12-20 1985-11-28 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Monolithisch integrierbare, logisch verknüpfbare Halbleiterschaltungsanordnung mit I&uarr;2&uarr;L-Aufbau
GB1434961A (en) * 1973-11-08 1976-05-12 Plessey Co Ltd Integrated circuit arrangements
DE2739283A1 (de) * 1977-08-31 1979-03-15 Siemens Ag Integrierbare halbleiterspeicherzelle
JPS5499580A (en) * 1977-12-27 1979-08-06 Nec Corp Semiconductor integrated circuit device
NL188721C (nl) * 1978-12-22 1992-09-01 Philips Nv Halfgeleidergeheugenschakeling voor een statisch geheugen.
US4338532A (en) * 1979-11-30 1982-07-06 International Business Machines Corp. Integrated delay circuits
US4675715A (en) * 1982-12-09 1987-06-23 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Semiconductor integrated circuit vertical geometry impedance element
US4922455A (en) * 1987-09-08 1990-05-01 International Business Machines Corporation Memory cell with active device for saturation capacitance discharge prior to writing
EP0585059B1 (de) * 1992-08-21 1999-05-12 STMicroelectronics, Inc. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter-Speicherstruktur vom vertikalen Typ und nach dem Verfahren hergestellte Struktur

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3102208A (en) * 1960-02-17 1963-08-27 Honeywell Regulator Co Race-preventing flip-flop switches by trailing edge of clock pulse applied through charged series capacitor
US3463975A (en) * 1964-12-31 1969-08-26 Texas Instruments Inc Unitary semiconductor high speed switching device utilizing a barrier diode

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BE737934A (de) 1970-02-02
GB1286307A (en) 1972-08-23
US3585412A (en) 1971-06-15
NL151564B (nl) 1976-11-15
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FR2016097A1 (de) 1970-04-30

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E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
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