DE1930926A1 - Geregelter Verstaerker - Google Patents

Geregelter Verstaerker

Info

Publication number
DE1930926A1
DE1930926A1 DE19691930926 DE1930926A DE1930926A1 DE 1930926 A1 DE1930926 A1 DE 1930926A1 DE 19691930926 DE19691930926 DE 19691930926 DE 1930926 A DE1930926 A DE 1930926A DE 1930926 A1 DE1930926 A1 DE 1930926A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
transistor
rectifier arrangement
voltage
amplifier
amplifier according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19691930926
Other languages
English (en)
Other versions
DE1930926C3 (de
DE1930926B2 (de
Inventor
Thanhaeuser Dipl-Ing Gerhard
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19691930926 priority Critical patent/DE1930926C3/de
Publication of DE1930926A1 publication Critical patent/DE1930926A1/de
Publication of DE1930926B2 publication Critical patent/DE1930926B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE1930926C3 publication Critical patent/DE1930926C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G3/00Gain control in amplifiers or frequency changers
    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3036Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in high-frequency amplifiers or in frequency-changers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0062Bias and operating point
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B2200/00Indexing scheme relating to details of oscillators covered by H03B
    • H03B2200/006Functional aspects of oscillators
    • H03B2200/0066Amplitude or AM detection
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03BGENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
    • H03B5/00Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
    • H03B5/30Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
    • H03B5/32Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
    • H03B5/36Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
    • H03B5/362Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier being a single transistor

Landscapes

  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

  • Geregelter Verstärker Die Erfindung betrifft einen auf konstanten Ausgangspegel geregelten Verstärker mit mindestens einem Transistor in Emitterschaltung und einer an den Ausgangskreis des Verstärkers angeschlossenen ersten Gleichrichteranordnung, deren Ausgangsgröße den Gleichstrom einer zweiten Gleichrichteranordnung steuert, die als veränderbarer Wechselstromwiderstand einem Gleichstromemitterwiderstand des Transistors parallelgeschaltet ist.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen auf konstanten Ausgangspegel geregelten Verstärker anzugeben, bei dem in einfachei-Weise gute Linearitäts- und Regeleigenschaften erzielbar sind.
  • Ausgehend von einem Verstärker der eingangs genannten Art ist die Aufgabe erfindungsgemäß dadurch golöst, daß der Versorgungsstrom des Transistors aus einer Xonstantspannungsquelle gewonnen ist und daß die erste Gleichrichteranordnung mit ihrem einen Ausgangsanschluß an den einen Pol der Konxtantspannungtuelle und mit ihrem anderen Ausgangsanschluß über eine die zweite Gleichriohteranordnung speisende Vergleichseinrichtung an den anderen Pol der IConstantflpannungsquelle angeschlossen ist.
  • Durch diese Maßnahmen wird eine hohe Regelsteilheit erzielt, zu der auch eine hohe zeitliche Konatanæ des Ausgangspegeis und in vorgehbaren Grenzen große Unabhängigkeit von der Verßorgungsspannung kommt; weiterhin ergibt sich der Vorteil großer Linearität bzw. hoher Klirrdämpfung des yerstärkers in allen Regelbereichen.
  • In eimer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist die Vergleichseinrichtung als ein weiterer Transistor realisiert, dessen Kollektor galvanisch mit der zweiten Gleichrichteranordnung verbunden ist und dessen Emitter-Basisstrecke die Differenzgleichspannung, gebildet aus der Spannung der Konstantspannungsquelle und der.usgangsspannung der ersten Gleichrichteranordnung, zugellihrt ist.
  • Eine weitere Bedeutung erlangt die erfindungsgemäße Anordnung dadurch, daß sie durch einen Rückkopplungskreis zu einem auf konstanten Ausgangspegel geregelten Oszillator, vorzugsweise Quarzoszillator ergänzt ist.
  • Weitere Einzelheiten der Erfindung werden nachstehend an Hand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Die Zeichnung zeigt dabei in Fig. 1 einen erfindungsgemäß geregelten Verstärker und in Big. 2 einen auf konstanten Ausgangspegel geregelten Quarzoszillator nach der Erfindung.
  • Der Verstärker nach Fig. 1 ist einstufig und weist den ransistor 7 in Emitterschaltung auf, in dessen Emitterkreis sich das stromgegenkoppelnde Stellglied 9 bis 12 befindet, welches mittelbar aus dem Ausgangskreis 21, 22 gesteuert-ist. Es könnten zwischen den Transistor 7 und den Ausgangskreis jedoch durchaus noch eine oder mehrere Stufen im Bedarfafall e-ingeschaltot werden, genauso wie der gesamten Anordnung noch zustitzlic4e Stuten vor- und/oder nachgeschaltet werden können, Im vorliegenden Fall gelangt die Eingangsepannung Ue über den Kondensator 1 zur Basis des Transistors 7, dessen Kollektor mit der durch den Trimmer 21 selektiv abgestinmiten Primårwicklung 22 des Ausgangsübertragers verbunden ist, -an dessen Sekundärwicklung 23 die auf konstanten Wert geregelte Ausgangsspannung Ua zur Verfügung steht. Das kollektorseitige Gleichpotential ist geerdet und wird dem Transistor 7 über die Primärwicklung 22 zugeführt.
  • Aus der Batteriespannung -UB wird über den Widerstand 4 ein Gleichstrom durch die auf der anderen Seite geerdete Zenerdiode 3 in Zenerrichtung geschickt, die somit als Konstantspannungsquelle wirkt. Parallel zu der Zenerdiode 3 liegen der Siebkondensator 2 und weiter der ohmsche Spannungsteiler 5, 6, an dessen Abgriff die Basis des Transistors 7 angeschlossen ist. Der Verbindungspunkt des Widerstandes 4 und aer Zenerdiode 3 führt das hinsichtlich des Transistors 7 emitterseitige Versorgungspotential, an welches jeweils der Fußpunkt der ersten Gleichrichteranordnung 16 bis 20, der weiten Gleichrichteranordnung 9 bis 12 und des auf der anderen Seite mit dem Emitter des Transistors 7 verbundenen Emitterwiderstandes 8 angeschlossen sind.
  • Der Transistor 7 ist in vorliegenden all von npn-Leitfähigkeistyp, er weist eine der Betriebsfrequens entsprechend hohe Grenzfrequenz auf und arbeitet im A-Betrieb. Sein Arbeitspunkt wird in allen vorkommenden Regelzuständen durch die olomschen Spannungsteileflliderstände 5 und 6 und durch den relativ groß bemessenen ohmschen Emitterwiderstand 8 konstant gehalten.
  • Parallel zum Emitterwiderstand 8 liegt gleichstrommäßig durch den Kondensator 9 getrennt die zweite Gleichrichteranordnung, deren Siliziumdioden 10 und 11 zusammen mit den Kondensatoren 9 und 12 einen steuerb-ren Wecjselstrer:iwiderstand in der Anordnung einer Spannungsverdopplerschaltung bilden. Wechselstrommäßig liegen die Dioden 10 und 11 antiparallel an dem Emitterwiderstand 8 und bilden im Aussteuerungsbereich einen vergleichstieise sehr linearen, gestcuerten differentiellen Widerstand, dcr inuUenondere bei den geradzahligen Harmonischen eine besonders hohe Klirrdämpfung aufweist. Die Steuerung findet über den Kollektor des weiteren Transistors 15 statt, der ein Nf-Transistor vom pnp-Leitfähigkeitstyp ist und damit den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der Transistor 7 aufweist. Dabei ist der Verbindungspunkt der Diode 11 mit dem Kondensator 12 über den Strombegrenzungslviderstand 13 mit dem Kollektor des weiteren Transistors 15 verbunden, von dem aus gesehen die beiden Dioden 10 und 11 gleichstrommäßig in Serie geschaltet sind, so daß eine sehr gute Symmetrie der Kennlinien gewährleistet ist. Der differentielle Wechselstromleitwert der Gegentaktschaltung, bestehend aus den Dioden 10 und 11, ist in einem weiten Bereich dem Kollektorgleichstrom des weiteren Transistors 15 direkt proportional. Bei fehlender Eingangsspannung ist der weitere Transistor 15 über den Basisvorwiderstand 17 durchgeschaltet. Der maximal mögliche Gleichstrom, der die Dioden 10 und 11 durchfließt, ist dabei durch den Widerstand 13 begrenzt. Der Gegenkopplungsgrad des Transistors 7 erreicht dabei seinen kleinstmöglichen Wert. Von der Kollektorseite des Transistors 7 aus arird.dber die erste Gleichrichteranordnung, die eine Spannungsverdopplungsschaltung ist und aus den Kondensatoren 16 und 20 und den Siliziumdioden 18 und 19 besteht, eine Regelgleichspannung erzeugt, die der Basis des weiteren Transistors 15 zugeführt wird. Der Emitter des weiteren Transistors 15 ist mit Erde verbunden, so daß er als Spannungsvergleichseinrichtung wirkt und an seiner Emitterbasisstrecke eine Differenzgleichspannung anliegt, die im wesentlichen aus der Differenz der an dem Kondensator 16 liegenden Ausgangsgleichspannung der ersten Gleiclrichteranordnung und der durch die Zenerdiode 3 stabilisierten Vergleichs spannung besteht.
  • So sind die Dioden 18 und 19 mit der Zenerdiodenspannung, vermindert um die Emitter-Basis-Schwellenspannung des weiteren Transistors 15 in Sperrichtung vorgespannt. Der Eingang der ersten Gleichrichteracllaltung asird durch den Trennkondensator 20 gebildet, der an die Primärwicklung 22 des Ausgangsübertragers und auf der anderen Seite an den Verbindungspünkt der beiden Dioden ia und 19 angeschlossen ist. Parallel zu der Serienschaltung der beiden Dioden 18 und 19 liegt der Iadekondensator 16, an dem die doppelte Spitzenspannung des Wechselt spannungssignals an der Primärwicklung 22 entsteht. Einerseits ist der Ladekondensator 16 an die Basis des weiteren Transistors 15, andererseits an das stabilisierte, gegenüber Masse herrschende Potential der Zenerdiode 3 angeschlossen.
  • Parallel zu dem Ladekondensator 16 liegt der Entladewiderstand 17, der in sämtlichen vorkommenden Regelbereichen eine definierte Entladezeitkonstante sicherstellt.
  • Wird nun an den Eingang des Regelverstärkers eine Wechselspannung angelegt, so beginnen die Dioden 18 und 19 zu leiten, wenn die verstärkte Wechselspannungsamplitude am Kollektor des Transistors 7, gemessen von Spitze zu Spitze den Wert der Sperrspannung plus zweimal der Schwellenspannung der Dioden 18, 19 überschreitet. Dadurch wird der Basisstrom des weiteren Transistors 15 herabgesetzt. Die damit verbundene Abnahme seines Kollektorstromes macht nun die Dioden 10 und 11 der zweiten Gleichrichteranordnung hochohmig, wodurch die Verstärkung des Transistors 7 entsprechend abnimmt. Der hohe Regelfaktor erklärt sich aus dem großen Verhältnis der Referenzspannung der Zenerdiode 3 zur Basissteuerspannung des weiteren Transistors 15. Die Kollektorwechselspannungs-Amplitude beträgt etwa den halben Wert der Zenerspannung; eine geringe Änderung.der Amplitude um einige 10 mm genügt bereits, um an weiteren Transistor 15 voll durchzusteuern.
  • Der Emitterwiderstand 8 des Transistors 7 muß groß gegen den durchsteuerbaren Widerstandabereich der Dioden 10 und 11 der zweiten Gleichrichteranordnung gewählt werden (z.B. 3Q0 n).
  • Der durch den Strombegrenzungswiderstand 13 begrenzte maximale Kollektorstroinbedarf des weiteren Transistors 15 liegt bei einem ausgeführten Exemplar etwa bei 4 mA.
  • Eine zusitzliche Erhöhung der Regolsteilheit wird durch den ohmschen Parallelwiderstand 14 erzielt, der dem Ladekondensator 12 und damit dem Gleichspannungseingang der zweiten Gleichrichteranordnung parallelgeschaltet ist.
  • Zur Erläuterung der Wirkungsweise wird im folgenden erst einmal der aufgeschnittene Regelkreeis für den Fall untersucht, bei dem der Paralleiwiderstand 14 nicht vorhanden ist. Hierbei wird von einer gegebenen Änderung der Ausgangsspannung UA um einen bestimmten Betrag ausgegangen. Damit verbunden ist auf dem Weg über die als Spannungsverdopblerschaltung ausgebildete erste Gleichrichteranordnung 16 bis 20 eine Änderung der Eiinitterbasisspannung des weiteren Transistors 15 um AU. Somit verändert sich der Kollektorstrom dieses Transistors 15 um den Faktor exp wobei UT die Temperaturspannung des weiteren Transistors 15 ist. Um denselben Faktor verändert sich der differenitelle Leitwert der wechsolstrommäßigen Parallelschaltung der beiden Dioden 10 und 11, da dieser Leitwert dem durchfließenden Gleichstrom proportional ist.
  • Fügt man nun den Parallelwiderstand 14 in der vorbeschriebenen Weise ein, so daß der Hauptteil des Kollektorstromes des weiteren Transistors 15 durch diesen Widerstand 14 fließt, so ergibt sich nun bei einer Änderung des Xollektorgleichstromes um den Faktor exp (AU/U) eine weitaus größere relative Änderung des differentiellen Leitwertes der Dioden 10 und 11, weil der Gleichstrom, der den Parallelwideratand 14 durchfließt, auf Grund der Xennliniencharakteristik der Dioden 10 und 11 im zu betrachtenden Strombereich im wesentlichen konstant bleibt.
  • Eine Betrachtung im differentiellen Bereich unter der Annahme, daß der durch den Parallelwiderstand 14 fließende Gleichstrom konstant ist, zeigt, daß bei einer Kollektorstromänderung die die Stromänderung in den Dioden 10 und 11 genau #IC betragen muß. Die bezogene Stromänderung #IC/#ID vID = Diodengleichstrom) ist aber um den Versteilerungsfator IC/ID größer.
  • Fig. 2 zeigt einen auf konstanten Ausgangspegel geregelten Quarzoszillator. Diese Oszillatoranordnung entsteht durch Hinzufügen eines Rückkopplungsweges zu der Verstärkeranordnung nach Fig. 1 und unterscheidet sich von ihr in folgenden Punkten Der Eingangskoppelkondensator 1 entfällt. Statt dessen ist die Basis des Transistors 7 mit dem einen Anschluß des Quarzes 27 und über den Widerstand 28 mit dem Verbindungspunkt der beiden Spal1slungsteilerliderstände 5 und 6 verbunden. Zum Zwecke der Rückkopplung erhält der Ausgangsübertragor zusätzlich zu der Primärwicklung 22 und der Sekundärwicklung 23 die RtL.ckkopplungswicklung 24, deren Fußpunkt ebenfalls mit dem Verbindungspunkt der beiden Spannungsteilerwiderstände 5 und 6 verbunden ist und über den Kondensator 29 mit dem bezüglich des Transistors 7 enitterscitigen Potential der konstanten Versorgungsspannung an der Zenerdiode 3 verbunden ist. Der andere Anschluß der Rückkopplungswicklung 24 ist über die Reihenschaltung der Ziehkapazität und des Quarzes 27 mit der Basis des Transistors 7 verbunden. Dabei besteht die Ziehkapazität aus einer Parallelschaltung des einstellbaren Trimmers 25 und des Festkondensators 26. Um die resultierende Quarzgut nicht zu verschlechtern, ist der Widerstand 28, mit dem der Quarz abgeschlossen ist, vergleichsweise niederohmig bemessen.
  • Der der Primärwicklung 22 parallelgeschaltete Trimmer 21 ist auf die Schwingfrequenz des Quarzes abgestimmt; um jedoch ded Einfluß dieses Kreises 21, 22 auf die Schwingfrequenz in vorgegebenen Grenzen zu halten, ist diesem Parallelkreis 21, 22 der Widerstand 30 parallelgeschaltet, wodurch die Güte des aus der Primärwicklung 22 des Ausgangsübertragers und de Kondensators 21 bestehenden Kreises geschert wird.
  • Belastungsänderungen an der Ausgangsspannung UA haben einen vergleichsweise äußerst geringen Einfluß auf dieFrequenz und auf die Konstanz der Ausgangsspannung UA, da durch den weiteren Transistor 15 einerseits ein sehr guter Vergleich der Regelgröße mit der Fübrungssgrb.ße und andererseits eine gute Entkopplung zwischen der ersten und zweiten Gleichrichteranordnung gegeben ist.
  • 10 Patentansprüche 2 Figuren

Claims (10)

  1. P a t e n t a ns p r ü c h e Auf konstanten Ausgangspegol geregelter Verstärker mit mindestens einem Transistors in Emitterschaltung und einer an den Ausgangskreis des Verstärkers angeschlossenen ersten Gleichrichteranordnung, deren Ausgangsgröße den Gleichstrom einer zweiten Gleichrichteranordnung steuert, die als veränderbarer Wechselstromwiderstand einem Gleichstromemitterwiderstand des Transistors Parallelgeschaltet ist, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß der Versorgungsstrom des Transistors (7) aus einer Konstantspannungsquelle (3) gewonnen ist und daß die erste Gleichrichteranordnung (16 bis 20) mit ihrem einen Ausgangsanschluß an den einen Pol der Konstantspannungsquelle (3) und mit ihrem anderen Ausgangsanschluß über eine die zweite Gleichrichteranordnung (9 bis 12) speisende Vergleichseinrichtung (15) an den anderen Pol der Konstantspannungsquelle (3) angeschlossen ist.
  2. 2. Verstärker nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t , daß die Vergleichseinrichtung als ein weiterer Transistor (15) realisiert ist, dessen Kollektor galvanisch mit der zweiten Gleichrichteranordnung (9 bis 12) verbunden ist und dessen Emitterbasissstrecke die Diffcrenzgleichspannung, gebildet aus der Spannung der Konstantspannungsquelle (3) und der Ausgangsspannung der ersten Gleichrichteranordnung t16 bis' 20), zugeführt ist.
  3. 3. Verstärker nach Anspruch ? dj a d u r c h g e k e z e i :0 h n e t , daß der weitere Transistor (15) basisseitig an die erste Gleichrichteranordnung (16 bis 20) und emitterseitig an die Konstantspannungsquelle (3) angeschlossen ist und den entgegengesetzten Leitfähigkeitstyp wie der Transistor (7) aufweist.
  4. 4. Verstärker nach Anspruch 2 oder 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zwischen den Kollektor des weiteren Transistors (15) und der zweiten Gleichrichteranordnung (9 bi 12) ein Strombeggrenzungswiderstand (13) eingeschaltet ist.
  5. 5. Verstärker nach einem der Ansprüche 2 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß den durch den weiteren Transistor (15) gesteuerten Gleichspannungseingang der zweiten Gleichrichteranordnung (9 bia 12) ein Parallelwiderstand (14) zugeschaltet ist.
  6. 6. Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die zweite Gleichrichteranordnung (9 bis 12) in der Anordnung einer Spannungsverdopplerschaltung ausgebildet ist.
  7. 7. Verstärker nach-einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die erste Gleichrichteranordnung (16 bis 20) als Spannungsv'erdopplerschaltung ausgebildet ist.
  8. 8. Verstärker nach einem der vorhergehenden AnsprUche, d a d u r c h g e k e n n æ e i c h n e t , daß die Konstantspannungsquelle unter Mitverwendung einer Zenerdiode (5) gebildet ist,
  9. 9. Verstärker nach einem der vorhergehenden Ansprgahe, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß er durch einen Rückkopplungskreis zu einem auf konstanten Ausgangspegel geregelten Oszillator ergänzt ist (Fig. 2).
  10. 10. Oszillator nach Anspruch 9, d a d u r c h g e k e n næ e i c h B e t 7 daß er durch ein Quarz (27) frequenzstabilisiert ist.
DE19691930926 1969-06-19 1969-06-19 Geregelter Verstärker Expired DE1930926C3 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691930926 DE1930926C3 (de) 1969-06-19 1969-06-19 Geregelter Verstärker

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19691930926 DE1930926C3 (de) 1969-06-19 1969-06-19 Geregelter Verstärker

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE1930926A1 true DE1930926A1 (de) 1970-12-23
DE1930926B2 DE1930926B2 (de) 1973-06-20
DE1930926C3 DE1930926C3 (de) 1974-01-24

Family

ID=5737347

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19691930926 Expired DE1930926C3 (de) 1969-06-19 1969-06-19 Geregelter Verstärker

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1930926C3 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2211325A1 (de) * 1971-03-27 1972-10-12 Philips Nv Leitungsverstarker
DE2624337A1 (de) * 1976-05-31 1977-12-08 Siemens Ag Schaltungsanordnung mit einem gegentaktverstaerker, der zwei emittergekoppelte transistoren enthaelt
US4229707A (en) * 1977-08-01 1980-10-21 Pioneer Electronic Corporation Automatic gain control circuit

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2543090C3 (de) * 1975-09-26 1981-09-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verstärker mit steuerbarer Verstärkung, der mindestens einen Transistor in Emitterschaltung enthält
DE3115683C2 (de) * 1981-04-18 1983-07-28 Deutsche Thomson-Brandt Gmbh, 7730 Villingen-Schwenningen Schaltungsanordnung zur verzögerten, automatischen Verstärkungsregelung

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2211325A1 (de) * 1971-03-27 1972-10-12 Philips Nv Leitungsverstarker
DE2624337A1 (de) * 1976-05-31 1977-12-08 Siemens Ag Schaltungsanordnung mit einem gegentaktverstaerker, der zwei emittergekoppelte transistoren enthaelt
US4229707A (en) * 1977-08-01 1980-10-21 Pioneer Electronic Corporation Automatic gain control circuit

Also Published As

Publication number Publication date
DE1930926C3 (de) 1974-01-24
DE1930926B2 (de) 1973-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1812292B2 (de) Schaltungsanordnung zur verstaerkungsregelung
DE2305291B2 (de) Regelschaltung zur Regelung der Amplitude eines Signals
DE1930926A1 (de) Geregelter Verstaerker
EP0025029B1 (de) Kapazitive Messbrückenanordnung
DE2539269C3 (de) Gegentaktverstärker
DE2039695C3 (de) Amplitudengeregelter Transistoroszillatoror
DE888585C (de) Gluehkathodenroehrenschaltung fuer die Erzeugung von Potential-aenderungen von geradliniger Saegezahnform und/oder von Impulsen mit rechteckiger Kurvenform
DE2557512C3 (de) PDM-Verstärker
DE818968C (de) Schaltung zur Begrenzung elektrischer Schwingungen
DE2608266C3 (de) Schaltungsanordnung zum Ableiten einer kontinuierlich veränderbaren Gleichspannung aus der konstanten Gleichspannung einer Gleichspannungsquelle
DE1274200B (de) Frequenzteiler
DE1541391A1 (de) Selbststabilisierender Oszillator
DE2935919C2 (de)
DE1437088C (de) Vierpol zur Invertierung einer Eingangs spannung mit einem Spannungsteiler
DE1762301C3 (de) Transistorverstärker mit Temperaturstabilisierung des Arbeitspunktes der Endstufe
DE1294495B (de) Elektrische Generatoranordnung
AT252322B (de) Verstäker mit einer Dioden-Begrenzerschaltungsanordnung
DE2910243A1 (de) Monostabile multivibratorschaltung und sie verwendende fm-detektorschaltung
AT240469B (de) Schaltung zum Erzeugen einer Dreiecksspannung
DE1184379B (de) Umwandlungsverstaerker zur Erzeugung von Rechtecksignalen aus Sinusschwingungen
DE1943522A1 (de) FM-Diskriminator
DE2040591B2 (de) Geregelter verstaerker
DE1266832B (de) Frequenzmodulierter Oszillator
DE1437088A1 (de) Vierpol zur Invertierung einer Eingangsspannung mit einem Spannungsteiler
DE1948582B1 (de) Quarzstabilisierter Dreipunkt-Oszillator mit einem Transistor

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8339 Ceased/non-payment of the annual fee