DE1924777B2

DE1924777B2 - Elektrische Schaltung zur Stabilisierung des Arbeitspunktes eines Transistorverstärkers für Geräte der elektrischen Nachrichtentechnik

Info

Publication number: DE1924777B2
Application number: DE1924777A
Authority: DE
Inventors: Ph.D. Dr. Warwick Harvey North Bridge Holmes (Australien)
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1969-05-14
Filing date: 1969-05-14
Publication date: 1974-01-10
Also published as: DE1924777A1; DE1924777C3

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektrische

Schaltung zur Stabilisierung des Arbeitspunktes eines Transistorverstärkers für Geräte der elektrischen Nachrichtentechnik, insbesondere elektrischen Meßtechnik, mit einem eine Steuerelektrode, eine Ausgangselektrode und eine seinem Ein- und Aus-

gangskreis gemeinsame Elektrode aufweisenden Verstärkerelement.

Bei elektrischen Schaltungen dieser Art ist es eine immer wiederkehrende Forderung, den Arbeitspunkt des Verstärkerelements in ausreichendem Maße stabil zu halten. Hierzu ist es üblich, von Gleichstromgegenkopplungen sowie einer Stabilisierung der Versorgungsspannungen Gebrauch zu machen. Besondere Bedeutung kommt der Arbeitspunktstabilisierung bei solchen elektrischen Schaltungen zu, bei denen als Verstärkerelemente Transistoren verwendet werden. Die elektrischen Eigenschaften von Transistoren sind im Gegensatz zu denen von Röhren wesentlich temperaturabhängiger. Außerdem erreichen bei Transistoren die Exemplarstreuungen häufig höhere Werte.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, für eine elektrische Schaltung der einleitend beschriebenen Art eine weitere Lösung für die Stabilisierung des Arbeitspunktes des Verstärkerelementes anzugeben, die höchste Anforderungen erfüllt und sich darüber hinaus für Schaltungen in integrierter Technik eignet. Ausgehend von einer elektrischen Schaltung der genannten Art wird diese Aufgabe gemäß der Erfindung dadurch gelöst, daß der Steuereingang des Verstärkerelementes gleichstrommäßig mit dem Ausgang eines eine Tiefpaßcharakteristik aufweisenden Differenzverstärkers verbunden ist, dessen eine Gegenkopplung darstellender erster Eingang mit dem Ausgang des Verstärkerelementes verbunden ist und dessen zweiter Eingang an einer Bezugsgleichspannungsquelle liegt, daß ferner das Signal gleichstrommäßig entkoppelt der Steuerelektrode des Verstärkerelementes zugeführt und an seiner Ausgangselektrode abgenommen ist und daß der Differenzverstärker einerseits ein- und aus-

gangsseitig hinsichtlich der hier wirksamen äußeren koppelt ein weiterer Verstärker mit einer gegebenen-

Impedanzen der Schaltung hochohmig ausgebildet ist falls einstellbaren Eingangsimpedanz nachgeschaltet

und andererseits für eine so große Gleichstrom- wird, die sehr klein gegen den Kehrwert des Hybrid-

Schleifenverstärkung bemessen ist, daß die Gleich- parameters Zi₂₂ (Ausgangsadmittanz bei eingangsseiti-

spannung zwischen der Ausgangselektrode und der 5 gem Leerlauf j des Testtransistors gewählt ist.

weiteren Elektrode des Verstärkerelementes praktisch Bei der Weiterbildung der Erfindurg als Transistor-

mit der Bezugsspannung an seinem zweiten Eingang Testschaltung läßt sich die Messung des Hybridpara-

übereinstimmt. meters A₂₁ in vorteilhafter Weise dann unmittelbar

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß durchführen, wenn die Frequenz des das Meßsignal einerseits die Stabilisierung des Gleichstromes der io darstellenden Signals ausreichend groß gewählt ist. In Ausgangselektrode des Verstärkerelementes mittels diesem Fall ist nämlich das Verhältnis aus dem in den einer Stromquelle und andererseits die Fixierung Steuereingang des Testtransistors hineinfließenden seiner Gleichspannung zwischen der Ausgangselek- Signalwechselstroms und dem hiervon abhängigen, trode und der weiteren Elektrode auf eine feste Be- die Eingangsimpedanz des nachgeschalteten Verzugsgleichspannung mittels eines Differenzverstärkers 15 stärkers durchfließenden Wechselstroms wenigstens eine nahezu vollkommene Arbeitspunktstabilisierung annähernd gleich dem Kehrwert des Hybridparaermöglicht. Eine nahezu vollkommene Arbeitspunkt- meters A₂₁ des Testtransistors.

Stabilisierung nicht zuletzt deshalb, weil diese Stabili- Für die universelle Anwendung der erfindungs-

sierung sich nicht nur hinsichtlich der üblichen Exem- gemäßen Stabilisierungsschaltung als Transistor-Test-

plarstreuungen des Verstärkerelementes bewährt, son- ao gerät ist es, wie einschlägige Untersuchungen ergeben

dem den vorgegebenen Arbeitspunkt in weiten Grenzen haben, ausreichend, wenn die Eingangsimpedanz des

auch dann gewährleistet, wenn verschiedene Typen dem Testtransistor nachgeschalteten Verstärkers kleiner

einer bestimmten Gattung von Verstärkerelementen als 100 Ω gewählt wird.

gegeneinander ausgetauscht werden. Bei Verwendung An Hand von in der Zeichnung dargestellten Ausvon Transistoren als Verstärkerelemente ermöglicht »5 führungsbeispielen soll die Erfindung im folgenden die erfindungsgemäße Schaltung darüber hinaus das noch näher erläutert werden. In der Zeichnung beabsolute Maximum der Verstärkung des so hinsieht- deutet

Hch seines Arbeitspunktes stabilisierten Transistors F i g. 1 eine Grundschaltung für einen Transistor in

bei höheren Frequenzen. Emitterschaltung nach der Erfindung,

Im allgemeinen ist es sinnvoll, die Frequenz des 30 F i g. 2 eine Weiterbildung der Grundschaltung nach Eingangssignals groß gegenüber dem Produkt aus der F i g. 1 für ihre Anwendung als Transistor-Test-Tiefpaß-Grenzfrequenz des Differenzverstärkers und schaltung nach der Erfindung,
der Gleichstromschleifenverstärkung zu wählen, es sei F i g. 3 ein Schaltungsbeispiel für die Grundschaldenn, daß die durch das Tiefpaßverhalten des Diffe- tung nach F i g. 1,

renzverstärkers gegebene Hochpaßcharakteristik der 35 F i g. 4 eine weitere Grundschaltung für einen

Schaltung für die tieferen Frequenzen des zuzuführen- Transistor in Basisschaltung nach der Erfindung,

den Signals wirksam werden soll. Die in F i g. 1 dargestellte Grundschaltung nach der

Um eine einfache Möglichkeit für eine Arbeitspunkt- Erfindung verwendet als Verstärkerelement einen einstellung zu haben, ist es zweckmäßig, einerseits den Transistor Tr in Emitterschaltung. Kollektorseitig ist zweiten Eingang des Differenzverstärkers die Bezugs- 40 der Transistor Tr über eine Stromquelle 5 mit der gleichspannung über einen einstellbaren Spannungs- positiven Betriebsgleichspannung Ub verbunden. Der teiler zuzuführen und andererseits die Stromquelle im von der Stromquelle S gelieferte Kollektorgleichstrom Ausgangselektrodenzweig des Verstärkerelementes re- ist mit Ic bezeichnet. Die Basiselektrode des Trangelbar auszuführen. sistors Tr ist mit dem Ausgang des Differenzverstär-

Bei einer bevorzugten Ausführungsform des Erfin- 45 kers D verbunden, dessen nichtinvertierender Eindungsgegenstandes besteht das Verstärkerelement aus gang (+) mit dem Kollektor des Transistors Tr vereinem Transistor, der zusammen mit der ebenfalls mit bunden ist. Der invertierende Eingang (—) des Transistoren verwirklichten Stromquelle und dem Differenzverstärkers D ist an den Schleifer eines einen Differenzverstärker in vorteilhafter Weise zu einer Spannungsteiler darstellenden Potentiometers P anBaueinheit in integrierter Technik vereinigt sein kann. 50 geschaltet, an dem gegen Bezugspotential ebenfalls die

Ist der Transistor ein bipolarer Transistor, dann ist positive Betriebsgleichspannung Ub anliegt. Die Eines vorteilhaft, eine Schaltung zu wählen, bei der die gangsimpedanzen und die Ausgangsimpedanz des Steuerelektrode, die Ausgangselektrode und die wei- Differenzverstärkers D sind hochohmig gegenüber den tere Elektrode des Transistors die Basis-, die Kollektor- an seinen Eingängen und seinem Ausgang wirksamen und die Emitterelektrode sind. 55 äußeren Impedanzen der Schaltung ausgebildet. Der

Ist der Transistor ein Feldeffekttransistor, so wird vom Differenzverstärkerausgang in den Basisanschluß

zweckmäßig eine Schaltung gewählt, bei der die des Transistors Tr hineinfließende Gleichstrom ist

Steuerelektrode, die Ausgangselektrode und die weitere mit i bezeichnet. Das Signal Sig wird der Basiselek-

Eelektrode die Tor-, die Senke- und die Quelle- trode des Transistors Tr, gleichstrommäßig entkoppelt

Elektrode sind. 60 durch einen Kondensator C, über die Anschlüsse e

Die hervorragenden stabilisierenden Eigenschaften zugeführt. Der Signalwechselstrom ist mit Z₁ bezeichnet der Schaltung nach der Erfindung ermöglichen es, und fließt praktisch ausschließlich, wie der Strom i, sie als Transistor-Testschaltung mit dem das Ver- in die Basiselektrode des Transistors Tr hinein. Der Stärkerelement darstellenden Transistor als Test- Kollektorstrom des Transistors Tr setzt sich zusammen transistor derart anzuwenden, daß zur Messung des 65 aus dem Kollektorgleichstrom ic und einem Wechsel-Hybridparameters /j₂₁ (Stromverstärkungsfaktor bei strom /,, der durch den steuereingangsseitig zugeführausgangsseitigem Kurzschluß) des Testtransistors dem ten Signalstrom Z₁ im Kollektorkreis hervorgerufen Testtransistor ausgangsseitig gleichstrommäßig ent- wird. Entsprechend setzt sich die an den ausgangs-

seitigen Anschlüssen α auftretende Ausgangsspan- gangsseitigem Leerlauf. Für ρ -»■ oo geht die Gleinung v₀ aus der Kollektor-Emitter-Gleichspan- chung(2)in
nung Vce und dem vom Wechselstrom i_s hervorgerufenen Wechselspannungsanteil, der Wechselspan-

nung V₅, zusammen. In der Rückkopplungsschleife vom gemeinsamen Verbindungspunkt der Strom-

d Ti T

21

(3)

quelle S und der Kollektorelektrode des Transistors Tr
zum nichtinvertierenden Eingang (+) des Differenzverstärkers D fließt unter Berücksichtigung der hohen über. Die Gleichung (3) bedeutet, daß die Verstärkung Eingangsimpedanz des Differenzverstärkers praktisch io des Transistors Tr bei der Schaltung nach der Erfinkein Strom. Die Spannung v₀ ist an diesem Eingang dung für hohe Frequenzen / die maximal mögliche wirksam, während am invertierenden Eingang (—) die Verstärkung erreicht. Die Schaltung nach der Erfinvon der positiven Betriebsgleichspannung Ub über das dung ist somit in besonderer Weise geeignet als EinPotentiometer abgeleitete Bezugsgleichspannung V_Tei gangsstufe bei rauscharmen Verstärkern, für die beansteht. 15 kanntlich eine möglichst große Signal verstärkung er-Neben seiner hohen Eingangsimpedanz und seiner wünscht ist. Diese Maximalverstärkung ist im vorhohen Ausgangsimpedanz weist der Differenzver- liegenden Fall dann gewährleistet, wenn
stärker D eine Tiefpaßcharakteristik auf. Für eine
geeignete Ausführungsform hat sein Übertragungs- /,_2i(7_o

leitwert G beispielsweise die Form 20 / > /z. «s — (4)

2 π τ A₂₂

_G _ ' ^o q< erfüllt ist. Hierin bedeutet f_L die resultierende Grenz-

~ ,;₀ _ y_ret ρτ + 1 frequenz der Tiefpaßcharakteristik des Differenz-

25 Verstärkers D, die sich auf Grund der Gegenkopplung ergibt. Wie die Gleichung (4) erkennen läßt, ist die

Hier bedeuten ρ die komplexe Frequenz, τ die Zeit- Grenzfrequenz der Tiefpaßcharakteristik des Diffekonstante und G₀ der Gleichstromübertragungsleit- renzverstärkers um den Faktor seiner Schleifenwert, der groß sein soll, aber nicht genau deliniert verstärkung /i₂₁ · G₀//;_2a bei 0 Hz vergrößert,
werden muß. 30 Unter der im allgemeinen erfüllten Voraussetzung, Die Tiefpaßcharakteristik des Differenzverstärkers D daß die Gleichstromparameter des Transistors Tr von sorgt dafür, daß der aus dem Transistor Tr und dem der gleichen Art und Größe sind wie seine Wechsel-Differenzverstärker D in Verbindung mit der Bezugs- Stromparameter, ergibt sich aus der Gleichung (4), gleichspannung K_rei gebildete Regelkreis nur bei daß die maximale Verstärkung und die Gleichstrom-Gleichstrom und Wechselströmen tiefer Frequenz 35 Stabilität gleichzeitig bei solchen Frequenzen / erfüllt wirksam ist. Dies ist notwendig, damit das an den An- sind, die der Beziehung
Schlüssen e zugeführte Signal Sig, dessen Frequenz im

allgemeinen wesentlich höher als die Grenzfrequenz . , /'21G₀

der Tiefpaßcharakteristik des Differenzverstärkers D Λπ/τρ — ρ- 1 ρ)

gewählt ist, in gewünschter Weise an den ausgangs- 40 ^Z2

seitigen Anschlüssen α wirksam werden kann. genügen.

Wie leicht aus dem Schaltbild der F i g. 1 ent- Wie sich zeigen läßt, ergeben sich ähnliche Verhält-

nommen werden kann, ist bei ausreichender Gleich- nisse auch dann, wenn die Frequenzen / des Signals

strom-Schleifenverstärkung des Regelkreises der Un- nicht mehr sehr klein gegen die /9-Grenzfrequenz des

terschied zwischen der Kollektor-Emitter-Gleich- 45 Transistors Tr sind.

spannung Vce, also die Gleichspannungskomponente Bei einstellbar ausgeführter Stromquelle j — in

der ausgangsseitigen Spannung v₀, und der Bezugs- F i g. 1 ist dies durch einen Schrägpfeil angedeutet —

gleichspannung K_rer am invertierenden Eingang (—) und bei regelbar ausgeführter Bezugsgleichspannung

des Differenzverstärkers vernachlässigbar klein. Die V_Tet ist die Möglichkeit gegeben, einen gewünschten

geringste Änderung von Vce führt über eine um den 50 Arbeitspunkt des Transistors Tr einzustellen und

Verstärkungsfaktor des Differenzverstärkers vergrö- diesen Arbeitspunkt in weiten Grenzen unabhängig

ßerte Änderung des Stromes / zu einer Nachregelung von den Eigenschaften des verwendeten Transistors

des Arbeitspunktes des Transistors im Sinne der ge- zu gewährleisten. Diese Eigenschaften der Schaltung

wünschten Stabilisierung. nach der Erfindung ermöglichen in hervorragende]

Unter Berücksichtigung, daß der Kondensator C" 55 Weise ihre Weiterbildung für ihre Anwendung ab

ausschließlich die Funktion eines Koppelkondensators Transistor-Testschaltung. Insbesondere ist es durch

erfüllt, ergibt sich für den Wechselstromübertragungs- die freie Wahl der Einstellung des Arbeitspunkte!

widerstand die Beziehung möglich, hiermit einen automatischen Transistortestei

zu verwirklichen, bei dem der Arbeitspunkt des zi

_v _ J₁ 1 1 -|\ 60 testenden Transistors programmiert werden kann

— = ²^- (2) und zwar im allgemeinen unabhängig von der Charak

Ί /, (_ρτ λ. ι _|_ ^²¹ ^G° \ teristik des zu testenden Transistors. Besondere Be

²² y Ji₂₂ J deutung kommt in diesem Zusammenhang der An

Wendung der Schaltung nach F i g. 1 zur Messung de 65 Hybridparameters/z₂₁ (Stromverstärkungsfaktor be

Hierin bedeuten /i₂₁ der Stromverstärkungsfaktor ausgangsseitigem Kurzschluß) zu.

des Transistors bei ausgangsseitigem Kurzschluß und Eine Ausführungsform einer solchen Transistor

h die Ausgangsadmittanz des Transistors bei ein- Testschaltung, die dabei von der Grundschaltung nacl

F i g. 1 ausgeht, ist in F i g. 2 angegeben. Sie unterscheidet sich von der Schaltung nach F i g. 1 lediglich durch einen dem Ausgang des Transistors Tr nachgeschalteten Verstärker, von dem jedoch lediglich die Eingangsimpedanz in Gestalt des Widerstandes A3 angegeben ist, der in Reihe mit dem Koppelkondensator C 3 der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors Tr parallel geschaltet ist. Um anzudeuten, daß es sich bei dem Widerstand R 3 um die Eingangsimpedanz eines nachgeschalteten Verstärkers handelt, ist der Widerstand RZ von einem in unterbrochener Linie ausgeführten Rechteck umgeben.

Wie die mathematische Analyse dieser Schaltung zeigt, ist der Hybridparameter h₂₁ des im vorliegenden Fall als Testtransistor anzusprechenden Transistors Tr durch die Beziehung

dann gegeben, wenn einerseits der Widerstand R3 der Beziehung

R₃ < ~ (7)

genügt und andererseits die Frequenz/ des hier als Meßsignal anzusprechenden Signals Sig ausreichend hoch, d. h. wesentlich größer als die bereits erwähnte effektive Grenzfrequenz ft der Tiefpaßcharakteristik des Differenzverstärkers D gewählt ist.

Wie ein Vergleich der Hybridparameter gängiger, auf dem Markt befindlicher Transistoren zeigt, ist die Bedingung (7) im Sinne einer ausreichend genauen Messung des A₂₁-Hybridparameters im allgemeinen dann gewährleistet, wenn der Widerstand R3 kleiner als 100 Ω gewählt wird. Auch läßt sich durch eine Stabilitätsbetrachtung zeigen, daß die Stabilität der Schaltung sich bis hinauf zu einer maximalen Gleichstrom-Schleifenverstärkung des Regelkreises von einem Faktor 10⁶ gewährleisten läßt. Im Hinblick auf eine ausreichend genaue Messung auch bei Testtransistoren mit Extremwerten ihrer Hybridparameter ist es angebracht, bei der Bemessung der Schleifenverstärkung des Differenzverstärkers D bei 0 Hz einen Minimalwert von einem Faktor 100 nicht zu unterschreiten.

Das Schaltbild nach F i g. 3, das eine Ausführungsform der Grundschaltung nach F i g. 1 darstellt, ist, abgesehen vom Kondensator C, für ihre Ausführungen in integrierter Technik geeignet. Der Differenzverstärker D besteht hier aus zwei Transistorstufen, von denen die erste Transistorstufe aus zwei emittergekoppelten Transistoren TrI und TrV und gemeinsamem Emitterwiderstand R1 besteht. Die Basiselektrode des Transistors TrI stellt dabei den invertierenden Eingang des Differenzverstärkers dar und ist mit dem Schleifer des Potentiometers P verbunden. Den nichtinvertierenden Eingang des Differenzverstärkers bildet die Basiselektrode des Transistors TrV, die ihrerseits mit der Kollektorelektrode des Transistors Tr verbunden ist. Die zweite Stufe des Differenzverstärkers besteht aus zwei in Kaskade geschalteten Transistoren TrI und TrI', die im Gegensatz zu den Transistoren TrX und TrV der ersten Stufe, die npn-Transistoren sind, pnp-Transistoren darstellen. Die gleichstrommäßige Kopplung zwischen der ersten und der zweiten Stufe erfolgt von der Kollektorelektrode des Transistors TrV über den Widerstand jR2 zur Basiselektrode des Transistors Tr2. Während die Kollektorelektrode des Transistors Tr 1 der ersten Stufe unmittelbar mit der positiven Bezugsgleichspannung Ub verbunden ist, geschieht dies beim

ίο zweiten Transistor TrV dieser ersten Stufe über den Lastwiderstand R, dem der Kondensator C parallel geschaltet ist. Das auf diese Weise gebildete ÄC-Glied bringt die gewünschte Tiefpaßcharakteristik des Differenzverstärkers. Der Transistor TrI', der mit seiner Emitter-Kollektor-Strecke im Kollektorzweig des Transistors TrI liegt, hat lediglich die Aufgabe, den Gleichstrom ί möglichst hochohmig in die Basiselektrode des Transistors Tr einzuspeisen. Seine basisseitige Vorspannung erhält er über einen der Betriebs-

ao gleichspannungsquelle parallelgeschalteten Spannungsteiler aus der Reihenschaltung des Widerstandes R4 mit dem Potentiometer P' und dem Widerstand R 5. Die in F i g. 1 lediglich schematisch dargestellte regelbare Stromquelle S wird ihrerseits durch einen

»5 pnp-Transistor Trs verwirklicht, der kollektorseitig mit dem Kollektor des Transistors Tr verbunden ist und emitterseitig über den Widerstand Rs mit der positiven Betriebsgleichspannung Ub verbunden ist. Die Basiselektrode des Transistors Trs ist mit dem Schleifer des zusammen mit den Widerständen A4 und RS den Spannungsteiler bildenden Potentiometers P' verbunden. Durch Verstellen des Potentiometers P' läßt sich der vom Transistor Trs hochohmig in den Kollektor des Transistors Tr eingespeiste

Kollektorgleichstrom Ic in der erwünschten Weise einstellen.

Um anzudeuten, daß das Signal Sig an Stelle der in F i g. 1 gezeigten Weise auch über die zweite Stufe des Differenzverstärkers hinter dem ÄC-Glied eingespeist werden kann, ist diese Art der Einspeisung in der F i g. 3 in unterbrochener Linie eingetragen. Der Koppelkondensator ist dabei mit C" und der damit verbundene Anschluß mit e' bezeichnet. Diese alternative Einspeisungsmöglichkeit des Signals Sig gestattet es, an die Hochohmigkeit der Einspeisung geringere Anforderungen zu stellen, als dies der Fall ist, wenn das Signal Sig über den Koppelkondensator C" unmittelbar der Basiselektrode des Transistors Tr zugeführt wird.

Die F i g. 4 gibt eine weitere Möglichkeit einer Grundschaltung nach der Erfindung an, bei der der Transistor Tr' ein Transistor in Basisschaltung ist. Die Wirkungsweise dieser Schaltung ist praktisch die gleiche wie die nach F i g. 1, jedoch muß hier zur Realisierung der Gegenkopplung der invertierende Eingang des Differenzverstärkers D mit dem gemeinsamen Verbindungspunkt des Kollektors des Transistors Tr' mit der Stromquelle S und der nichtinvertierende Eingang mit dem Schleifer des Potentiometers P verbunden werden. Außerdem empfiehlt es sich, zur Herabsetzung des in der Basis des Transistors Tr' fließenden Stromes der Emitter-Basisstrecke des Transistors einen Widerstand Re geeigneter Abmessung parallel zu schalten.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

309 582/363

Claims

Patentansprüche:

1. Elektrische Schaltung zur Stabilisierung des Arbeitspunktes eines Transistorverstärkers für Geräte der elektrischen Nachrichtentechnik, insbesondere elektrischen Meßtechnik, mit einem eine Steuerelektrode, eine Ausgangselektrode und eine seinem Ein- und Ausgangskreis gemeinsame Elektrode aufweisenden Verstärkerelement, bei dem im Ausgangselektrodenzweig eine den Ausgangsgleichstrom bestimmende Stromquelle vorgesehen ist, dadurch gekennzeichnet, daß der Steuereingang des Verstärkerelementes (Tr, Tr') gleichstrommäßig mit dem Ausgang eines eine Tiefpaßcharakteristik aufweisenden Differenzverstärkers (D) verbunden ist, dessen eine Gegenkopplung darstellender erster Eingang mit dem Ausgang des Verstärkerekmentes verbunden ist und dessen zweiter Eingang an einer Bezugsgleichspannung (Kref) liegt, daß ferner das Signal (Sig) gleichstrommäßig entkoppelt der Steuerelektrode des Verstärkerelementes zugeführt und an seiner Ausgangselektrode abgenommen ist und daß der Differenzverstärker einerseits ein- und ausgangsseitig hinsichtlich der hier wirksamen äußeren Impedanzen der Schaltung hochohmig ausgebildet ist und andererseits für eine so große Gleichstrom-Schleifenverstärkung bemessen ist, daß die Gleichspannung zwischen der Ausgangselektrode und der weiteren Elektrode des Verstärkerelementes praktisch mit der Bezugsspannung (Frei) an seinem zweiten Eingang übereinstimmt.

2. Elektrische Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenz des Signals (S/g) groß gegenüber dem Produkt aus der Tiefpaß-Grenzfrequenz des Differenzverstärkers (D) und der Gleichstrom-Schleifenverstärkung gewählt ist.

3. Elektrische Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß dem zweiten Eingang des Differenzverstärkers (D) die Bezugsgleichspannung (Fret) über einen einstellbaren Spannungsteiler (P) zugeführt ist.

4. Elektrische Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Stromquelle (S) im Ausgangselektrodenzweig des Verstärkerelementes (Tr, Tr') regelbar ausgeführt ist.

5. Elektrische Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Verstärkerelement ein Transistor (Tr, Tr') ist.

6. Elektrische Schaltung nach Anspruch 5, bei der der Transistor ein bipolarer Transistor ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode, die Ausgangselektrode und die weitere Elektrode des Transistors (Tr, Tr') die Basis-, die Kollektor- bzw. die Emitterelektrode sind.

7. Elektrische Schaltung nach Anspruch 5, bei der der Transistor ein Feldeffekttransistor ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerelektrode, die Ausgangselektrode und die weitere Elektrode die Tor-, die Senke- und die Quelle-Elektrode sind.

8. Elektrische Schaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch ihre Anwendung als Transistor-Testschaltung mit dem das Verstärkerelement darstellenden Transistor (Tr) als Testtransistor, derart, daß zur Messung des

Hybridparameters Ji₂₁ (Strom verstärkungsfaktor bei ausgangsseitigem Kurzschluß) des Testtransistors dem Testtransistor ausgangsseitig gleichstrommäßig entkoppelt ein weiterer Verstärker mit einer gegebenenfalls einstellbaren Eingangsimpedanz (R 3) nachgeschaltet ist, die sehr klein gegen den Kehrwert des Hybridparameters Λ₂₂ (Ausgangsadmittanz bei eingangsseitigem Leerlauf) des Testtransistors gewählt ist.

9. Elektrische Schaltung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenz des das Meßsignal darstellenden Signals (Sig) so groß gewählt ist, daß das Verhältnis aus dem in den Steuereingang das Testtransistors hineinfließenden Signalwechselstrom und dem hiervon abhängigen, die Eingangsimpedanz (R3) des nachgeschalteten Verstärkers durchfließenden Wechselstrom wenigstens annähernd gleich dem Kehrwert des Hybridparameters A₂J des Testtransistors ist.

10, Elektrische Schaltung nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangsimpedanz (R 3) des dem Testtransistor nachgeschalteten Verstärkers kleiner als 100 Ω gewählt ist.