DE1924712B2 - Integrierter Dünnschicht-Abblockbzw. Entkopplungskondensator für monolithische Schaltungen und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Integrierter Dünnschicht-Abblockbzw. Entkopplungskondensator für monolithische Schaltungen und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
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Die Erfindung bezieht sich auf einen Dünnschicht-Abblock- bzw. Entkopplungskondensator für monolithisehe
Schaltungen mit geringem Serienwiderstand und hoher mechanischer Festigkeit des Monolithen.
In letzter Zeit hat es auf dem Gebiet der integrierten Schaltungen mit sehr hohem Integrationsgrad sehr
rasche Fortschritte gegeben. Es besteht eine wachsende Nachfrage in dieser Technologie für Kapazitäten zum
Entkoppeln bzw. Abblocken.
Grundstrukturen integrierbarer Kapazitäten sind beispielsweise aus der DE-AS 11 96 295 bekannt. Es
handelt sich hierbei um Sperrschichtkapazitäten beidseitig kontaktierter pn-Übergänge, oder um Kapazitäten
bestehend aus einem Halbleiterkörper als einer Belegung, einer darauf aufgebrachten Isolationsschicht
als Dielektrikum und einer auf der Isolationsschicht angeordneten Metallschicht als anderer Belegung.
Diese Grundstrukturen sind hinsichtlich ihrer Integrierbarkeit und des Platzbedarfes im Rahmen einer
integrierten monolithen Schaltung, insbesondere wenn sie als Abblock- bzw. Entkopplungskondensatoren
eingesetzt werden sollen, den Anforderungen nicht mehr gewachsen.
Es wurde auch bereits der Versuch gemacht, Dünnschichtkapazitäten zum Entkoppeln auf integrierten
Schaltungen zu verwenden. Der Nachteil dieser bisher vorgeschlagenen Dünnschichtkapazitäten war
die große Anfälligkeit des danach hergestellten Halbleitcrplättchens aufgrund einer vergrößerten Zerbrechlichkeit
des mechanischen Aufbaus des Halbleiterplättchens bzw. der Halbleiterscheibe, aus der das
Plättchen geschnitten wird. Daneben fehlte den Dünnschichtkondensatoren des Standes der Technik ein
guter thermischer Kontakt zwischen der integrierten Schaltung und dem die Wärme abführenden Träger.
Darüber hinaus ergaben sich Kurzschlußprobleme, kritische Justierarbeiten, und oft die Gefahr, daß die
dielektrische Schicht während des Herstellungsverfahrens oder einer späteren Behandlung zerstört wurde.
Weiterhin ergab sich bei den Dünnschichtkapazitäten zum Entkoppeln bzw. Abblocken von integrierten
Schaltkreiselementen die große Schwierigkeit, den nötigen geringen Serienwiderstand und/oder eine
geringe Serieninduktivität zwischen der einen Seite des Kondensators und den Schaltkreiselementen der integrierten
Schaltung herzustellen.
Es ist demnach die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe, einen funktionssicheren integrierten Dünnschicht-Abblock-
bzw. Entkopplungskondensator für monolithische Schaltungen anzugeben, der bei hoher
mechanischer Stabilität und gutem thermischen Kontakt zwischen der integrierten Schaltung und dem die
Wärme abführenden Träger nur einen geringen Serienwiderstand und/oder Serieninduktivität aufweist.
Diese Aufgabe wird bei einem Dünnschicht-Kondensator der eingangs erwähnten Art dadurch gelöst, daß
der Monolith über einem Halbleitersubstrat eines ersten Leitungstyps N aufgebaut ist, daß säulenförmige
Halbleiterregionen des zweiten Leitungstyps P durch das Substrat hindurchdiffundiert sind, so daß PN-Übergänge
an der Rückseite des Substrats an die Oberfläche treten, daß Vertiefungen in der Rückseite ausgebildet
sind, die geschlossene Linienzüge von PN-Übergängen enthalten, daß diese Vertiefungen mit einem Dielektrikum
ausgefüllt sind, welches seinerseits mit einer Metallschicht bedeckt ist, die das Substrat an den nicht
vertieften Stellen kontaktiert und mit der zu entkoppelnden Spannung + V verbunden ist.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und ein Verfahren zur Herstellung des Dünnschicht-Kondensators sind in
Unteransprüchen niedergelegt.
Im folgenden ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung mit Hilfe der nachstehend aufgeführten Zeichnung
näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine monolithische Schaltung mit einer Dünnfilmkapazität auf der nicht verwendeten Seite des
Halbleitermonolithen,
Fig.2 das Substrat, in welchem die säulenartigen Seiten des Dünnfilmkondensators ausgebildet werden,
F i g. 3 das Substrat gemäß F i g. 2, in welchem Säulen von Halbleiterregionen von entgegengesetzten Leitungstyp
ausgebildet sind,
Fig.4 dieselbe Darstellung wie Fig. 3 mit zusätzlichen
Diffusionen, welche als Diffusionsquellen für die vergrabenen Diffusionszonen dienen,
Fig.5 dieselbe Struktur wie Fig.4 mit einer ersten
auf dem Substrat ausgebildeten Epitaxieschicht, in welchen die vergrabenen Diffusionsgebiete ausdiffun-
diert sind,
Fig. 6 dieselbe Struktur wie Fig. 5 mit bestimmten
selektiven Diffusionen, welche Halbleiterpfade geringen Widerstands und geringer Induktivität im folgenden
bilden werden,
Fig. 7 dieselbe Struktur wie Fig. 6 mit einer zusätzlichen zweiten Epitaxieschicht, in welchen die
vergrabenen Diffusionen gemäß F i g. 6 ausdiffundiei t
sind,
Fig. 8 dieselbe Struktur wie Fig. 7 mit einer Fortsetzung der Halbleiterpfade bis an die Oberfläche
des Monolithen,
F i g. 9 den unteren Teil von F i g. 8, nachdem Vertiefungen an bestimmten Stellen ausgebildet sind,
Fig. 10 dieselbe Struktur wie Fig. 9, wobei in den Vertiefungen und über der ganzen unteren Oberfläche
dielektrisches Material abgelagert ist,
Fig. Ii dieselbe Struktur wie Fig. 10, wobei das
dielektrische Material von den planen Teilen der unteren Oberfläche abgetragen ist,
Fig. 12 dieselbe Struktur wie Fig. 11 mit einer abschließenden Metallisierung auf der unteren Oberfläche
des Halbleiterkörpers.
In der vorliegenden Anmeldung wird Halbleitermaterial des ersten Leitungstyps mit P bezeichnet, während
der zweite Leitungstyp mit N bezeichnet wird. Natürlich ist die vorliegende Erfindung nicht nur auf das
dargestellte Beispiel beschränkt, sondern bezieht sich ebenso auf einen Monolithen, in welchem eine Struktur
des komplementären Leitungstyps ausgebildet ist.
In Fig. 1 ist ein Ausführungsbeispiel der Erfindung
mit einer Dünnfilm-Kapazität auf der nicht verwendeten Seite eines Halbleitermonolithen dargestellt. Die
monolithische Schaltung oder das Halbleiterplättchcn ist mit 20 bezeichnet. Mit 25 ist die Oberfläche des
Plättchens und Teile davon, welche einzelne, gegeneinander isolierte Schaltelemente aufnehmen können, mit 8
bezeichnet. Der Anschaulichkeit halber sind nur wenige Gebiete 8 dargestellt.
Auf der Vorderseite der monolithischen Schaltung in Fig. 1 sieht man P-Ieitende Säulen 71 innerhalb eines
N+-Substrates, von dem Teile bei 76 sichtbar sind. Deutlicher wird der Aufbau dieses N+ -Substrates aus
Fig. 3, in welchem die P-Säulen innerhalb der N+-Schicht an deren Oberfläche 103 zu sehen sind.
Diese säulenförmigen Halbleitergebiete 71 sind in das Substrat 1 eindiffundiert. Die in Fig. 1 dargestellten
N+ -Gebiete 76 sind also Teile des N+ -Substrats, in
welchen die P-Säulen gemäß Fig. 3 eingebettet sind. Für die Erfindung wesentlich sind die an der unteren
Seite befindlichen konkaven Vertiefungen 87, welche jede eine P-Säule 71 und Teile des umgebenden
N+-Substrats einschließt. Die Vertiefungen können entweder kreisförmig oder von einer anderen geometrischen
Ausbildung sein. Aus Fig. 1 wird demnach klar, daß die Unterseite des Substrats wie eine Waffel
ausgebildet ist, in welchem die Gebiete 78 (Fig. 9) die Vertiefungen der Waffel und die N+ -Regionen 77
(Fig. 11) die Rippen der Waffel darstellen. Die Vertiefungen 78 sind größer als die Säulen 71, so daß die
entstehenden PN-Übergänge wie 65 (Fig. 9) von der Kante 67 (F i g. 9) an der ebenen Oberfläche des
Substrates einen bestimmten Abstand aufweisen. Auf diese Weise wird verhindert, daß Kurzschlüsse auftreten
können. Jede Vertiefung ist mit dielektrischem Material 73 (F i g. 11) aufgefüllt. Im Gegensatz zu den Vertiefungen
sind jedoch die Rippen 77 (Fig. 11) der waffelartigen
Struktur praktisch frei von dielektrischem Material und in Kontakt mit der metallischen dünnen Schicht 75
(Fig. 12). Diese dünne Metallschicht 75 ist über ein verbindendes Medium 21 mit der metallischen Grundplatte
15 verbunden, welche z. 3. aus Molybdän bestehen kann. Diese Grundplatte 15 kann mit einer
Spannungsversorgung V+ verbunden sein, welche mittels des Abblockkondensators nach der Erfindung
abgeblockt oder entkoppelt werden soll. Das Potential dieser Spannungsversorgung +V kann an die Oberfläehe
25 des Halbleiterplättchens gebracht werden mittels diffundierter Halbleitergebiete 24, die von der Unterseite
bis an die Oberfläche reichen. Der Kondensator besteht also auf der einen Seite aus der metallischen
Schicht 75, auf der anderen Seite aus der säulenförmigen Struktur, welche vertiefte P-Säulen 71 aufweist, die mit
dielektrischem Material 73 zwischen der metallischen Schicht und den Säulen aufgefüllt sind. Die Rippen 77
aus N+ -Substrat-Material stehen in direktem Kontakt mit der metallischen Schicht 75. Diese erfindungsgemä-Oe
Struktur verleiht der monolithischen Schaltung mechanische Festigkeit im Vergleich zu den Dünnfilmkondensatoren
des Standes der Technik, insoweit, als die Zerbrechlichkeit der Halbleiterschaltung durch die
Hinzufügung des Abblockkondensators nicht wesent-
n lieh vergrößert wird. Darüber hinaus ergibt sich durch
die erfindungsgemäße Struktur ein guter thermischer Kontakt zwischen der integrierten Schaltung und der
die Wärme abführenden Grundplatte 15. Vorteilhaft erscheint auch, daß die Wahrscheinlichkeit einer
Jd Beschädigung des dielektrischen Films des Kondensators
während der Bearbeitung, insbesondere während des Verbindens der monolithischen Schaltung mit der
Grundplatte 15 bzw. der metallischen Schicht 75 stark herabgesetzt ist. Innerhalb der Schaltung besteht eine
Verbindung geringen Widerstandes und geringer Induktivität von der Oberfläche 25 der Halbleiterschaltung
bis zu der säulenförmigen Seite der Kapazität an der unteren Seite des Halbleiterplättchens über eine
Epitaxieschicht A, die P-Ieitfähig ist. Eine zweite Epitaxieschicht ö besteht aus N-leitfähigem Halbleitermaterial
und ist über der ersten Epitaxieschicht A ausgebildet. Halbleiterbauelemente werden ausschließlich
innerhalb dieser Epitaxieschicht B ausgebildet. Niederohmige Halbleitergebiete 27, 29, 31, 33 aus
•15 P-Ieitendem Halbleitermaterial erstrecken sich von der
Oberfläche der Halbleiterschaltung, d. h. von der Oberfläche der Epitaxieschicht öbis zur Epitaxieschicht
A hinab. Aus dem Folgenden wird deutlich werden, daß diese Regionen unter anderem zur Isolation der
ίο Halbleitergebiete 8 der Epitaxieschicht B dienen.
Innerhalb dieser Gebiete 8 werden die einzelnen Halbleiterbauelemente ausgebildet. Eine zweite zu
entkoppelnde Versorgungsspannung —V kann an die Oberfläche der Halbleiterschaltung und damit in die
>5 Nähe der verbrauchenden Halbleiterelemente gebracht
werden über eine Metallisierung 19, die innerhalb der niederohmigen Isolationsregionen aufgebracht wird.
Wie bereits oben erwähnt, wird das erste Versorgungspotential + V an die Oberfläche 25 der Halbleiterschal-
bo tung mittels der diffundierten Gebiete 24 gebracht. Zu
entkoppelnde oder abzublockende Punkte der in der Oberfläche hergestellten Halbleiterschaltkreise werden
mit den niederohmigen Halbleiterregionen verbunden, sei es mit denjenigen positiven oder negativen
b5 Potentials.
Im folgenden wird auf das Verfahren eingegangen, welches zur Herstellung des Dünnschichtkondensators
nach der Erfindune dient. Aus der Beschreibung- dieses
Verfahrens werden auch die wesentlichen Merkmale der neuartigen Struktur deutlich. In Fig. 2 ist ein gut
leitendes N+ -Halbleitersubstrat gezeigt, welches z.B. ein mit Arsen dotiertes Siliziumsubstrat sein kann, auf
welchem eine Vielzahl der oben beschriebenen integrierten Schaltkreise hergestellt werden kann. Die
Leitfähigkeit dieses Substrates sollte so gut wie möglich sein. Bei einer Arsendotierung ist es möglich, einen
spezifischen Widerstand von 0,01 Qcm zu erreichen. Die
Dicke des Substrates beträgt z. B. 250 bis 380 μΐη. Das
Substrat ist in F i g. 2 mit einer Bruchlinie versehen, um anzudeuten, daß es wesentlich dicker ist als die darauf
aufgebauten Epitaxieschichten A und B.
Gemäß F i g. 3 werden im nächsten Verfahrensschritt P-Halbleitergebiete in Form von Säulen innerhalb des
N +-Substrates 1 ausgebildet. Eine derartige Struktur kann erhalten werden durch Diffusion mittels der
bekannten Maskentechnik von der Oberseite des Substrates aus, z. B. mit Hilfe einer Siliziumdioxid-Diffusionsmaske,
die durch Ätzen durch eine photoempfindliche Polymermaske hindurch gebildet wird. Da die
Diffusionsverfahren als bekannt vorausgesetzt werden dürfen, werden sie an dieser Stelle nicht weiter
diskutiert. Eine ausführliche Beschreibung findet sich z. B. in dem Artikel »A Survey of Diffusion Prozesses for
fabricating integrated circuits«, Duffy und Gnall, Microelectronic Technology, Boston Technical Publishers,
1967, S. 83-92. Die P-Diffusion kann auf zwei Weisen erfolgen. Entweder nimmt man eine einstufige
tiefe Duffison durch das N+ -Substrat 1 vor. Die Säulen müssen nicht unbedingt bis auf die Unterseite des
Substrats vordringen, es muß nur gewährleistet sein, daß sie so tief sind, daß bei der Herstellung der späteren
Vertiefungen das auffüllende Dielektrikum die P-Gebiete berührt. Andererseits können die P-Halbleitersäulen
mit Hilfe eines zweifachen Diffusionsprozesses hergestellt werden, indem gemäß Fig. 3 von beiden Seiten
P-Verunreinigungen in die Oberflächen des Substrates bei den Stellen 72 und 74 eindiffundiert werden. In
beiden Fällen werden P-Säulen 71, welche in das Substrat 1 eingebettet sind, entstehen. Der Unterschied
zwischen den beiden Verfahren besteht in der Diffusionszeit, welche für eine Diffusion von beiden
Seiten geringer sein wird als für die einseitige Diffusion. Bei doppelseitiger Diffusion können bei beidseitiger
Maskierung die Diffusionen gleichzeitig ausgeführt werden. Es soll darauf hingewiesen werden, daß die
Gebiete 83 des Substrates 1 gemäß Fig. 3 nicht zur Aufnahme von P-Halbleitersäulen vorgesehen sind.
Diese Gebiete 83 dienen als Teile eines niederohmigen Halbleiterpfades, der sich von der Unterseite bis an die
Oberfläche des Halbleiterkörpers erstreckt und die positive Versorgungsspannung den Halbleiterbauelementen
zuführt.
Im nächsten Verfahrensschritt werden in das Halbleitersubstrat gemäß Fig. 4 N+ -Gebiets an den
Stellen 83 cindiffundicrt, vorzugsweise unter Verwendung
von Phosphor als Dotierungsmaterial. Diese mit 2 bezeichneten N+ -Kanäle bestimmen die Begrenzungen
der integrierten Schaltungen, welche an diesen niederohmigen N+ -Gebieten auscinandergesägt werden.
Die in diesem Verfahrensschritt eindiffundierten Doticrungsstoffe werden im folgenden weiter ausdiffundicren.
Gemäß F i g. 5 wird eine erste Epitaxieschicht A über der in Fig.4 gezeigten Struktur aufgewachsen, in
welche die vorher eingebrachten N+ -Diffusionen ausdiffundieren. Dabei bilden sich Kanäle 2' aus. Die
Leitfähigkeit der Epitaxieschicht A ist durch eint P-Dotierung bestimmt, wobei eine relativ gering«
Konzentration gewählt wird, welche mit P'angedeute wird. Die Epitaxieschicht A kann aus Bor-dotierten
Silizium bestehen mit einer Leitfähigkeit von etw< 10— 15Qcm bei einer Dicke von vorzugsweise 5 μπι
Zum Aufwachsen dieser Schicht kann jeder bekannt! Epitaxieprozeß Verwendung finden. Die in diesel
Epitaxieschicht ausdiffundierten vergrabenen Diffusio
ίο nen 2 bzw. 2' sind durch im Schritt gemäß Fig.t
eingebrachten Diffusionen bestimmt. Aus Fig.5 wire
deutlich, daß die Epitaxieschicht A in elektrischen' Kontakt mit de" säulenförmigen Seite des Kondensa
tors ist und daß die Ausdiffusionen der vergrabener
is Diffusionen 2 einen Teil der sich von der Unterseite zui
Oberseite des Halbleiterkörpers erstreckenden nieder ohmigen Halbleitergebiete bilden.
Analog zur Diffusion der Kanäle 2 wird gemäß F i g. f
eine weitere Diffusion von Kanälen 3 in die Oberfläche der Epitaxieschicht A vorgenommen, und zwar an der
Stellen, welche über den Kanälen 2 zu liegen kommen Hierzu kann Phosphor als Dotierungsmittel Verwen
dung finden. Wie aus dem Folgenden ersichtlich wird diffundieren diese Kanäle 3 in die Epitaxieschicht A
2) wodurch eine kontinuierliche niederohmige Halbleiter
region vom Gebiet 83 bis an die Oberfläche der erster Epitaxieschicht gebildet wird. Die Leitfähigkeit diesel
Halbleiterregion kann etwa mit 0,01 Dem angegeber werden.
in In die Oberfläche der Epitaxieschicht A wire
außerdem eine zweite Art von Verunreinigunger eindiffundiert, die zu P-doticrten Kanälen 6 führt. Die
Leitfähigkeit stimmt demnach im Vorzeichen mit dei Epitaxieschicht A überein. Durch die so gebildeter
ij Kanäle 6 werden Halbleitergebiete 17 eingefaßt unc
dienen als untere Diffusionsgebiete der Isolations- odei Trenndiffusionen, die zur elektrischen Trennung dei
einzelnen Halbleiterbauelemente in der Oberfläche des Halbleitermonolithen dienen. Die Dotierung kanr
w vorzugsweise mit Bor als Verunreinigung erfolgen
Neben der Isolation der Halbleiterbauelemente lösi diese Diffusion der Kanäle 6 die Aufgabe, gut leitfähige
Strompfade zwischen der Halbleiteroberfläche und dei säulenförmigen Seite des Abblockkondensators zi
ίγ· liefern. Ohne diese niederohmigen Gebiete 6, derer
spezifischer Widerstand etwa 0,01 Dem beträgt, kann kein guter Kontakt zu dem Kondensator hergestellt
werden, da der spezifische Widerstand der Epitaxieschicht A mit etwa 10 bis 15 Dem notwendig ist, um
·*'» geringe parasitäre Kapazitäten für die in der Epitaxieschicht
B darzustellenden Halbleiterbauelemente zu erhalten.
Der nächste Verfahrensschritt gemäß Fig. 7 bestehl in der Ausbildung einer zweiten Epitaxieschicht B übet
'Λ der in Fig. 7 dargestellten Struktur. Diese Epitaxieschicht
kann z. B. mit Arsen dotiertes Silizium sein Während des Aufwachsens der zweiten Epitaxieschichl
B werden die in den Dotierungszonen 3 und 6 befindlichen Störstellen in die Epitaxieschicht t
(·<) ausdiffundieren, wodurch Diffusionsgebicte 3' und 6'
entstehen. Die Leitfähigkeit dieser zweiten Epitaxieschicht B wird durch den spezifischen Widerstand vor
etwa 0,1 Qcm charakterisiert. Die Dicke kann vorzugsweise
5 Jim betragen. Die Ausdiffusionen der Kanäle 3
•'r> und 6 können entweder bis an die Oberfläche dci
zweiten Epitaxieschichl B erfolgen, oder aber, wie ir Fig. 7 dargestellt, nur teilweise bis in die Mitte dci
Epitaxieschicht B. Es ist vorzuziehen, wenn die
Ausdiffusionen der Kanäle 3 nur bis in die Mitte der Epitaxieschicht B erfolgen, so daß eine endgültige
Diffusion von der Oberfläche der Halbleiteranordnung erfolgen kann, wie im folgenden beschrieben. Auf diese
Weise kann den niederohmigen Halbeitergebieten eine bessere Widerstandscharakteristik gegeben werden.
Gemäß F i g. 8 werden bei nicht vollkommen durchdiffundierten Kanälen 6 bis an die Oberfläche der
Epitaxieschicht Beine Anzahl von weiteren Diffusionen
an den Stellen der Kanäle 7 vorgenommen, die zu einer guten Leitfähigeit des darunter liegenden Materials
führen, so daß niederohmige Pfade über den Halbleitergebieten der Kanäle 6 entstehen. Der spezifische
Widerstand dieser Kanäle 7 beträgt wiederum etwa 0,01 Sicm. Wie in F i g. 8 dargestellt, entstehen auf diese
Weise gut leitende Halbleitergebiete 27, 29, 31, 33, welche als gesperrte PN-Übergänge zur elektrischen
Isolation der Gebiete 8 innerhalb der Epitaxieschicht B dienen. Diese Gebiete 8 nehmen ja schließlich die
Halbleiterschaltkreiselemente auf, die, nicht dargestellt, nach bekannten Verfahren in der Halbleiteroberfläche
ausgebildet werden.
Im Falle der in F i g. 7 dargestellten Struktur, in der die ausdiffundierten Halbleitergebiete 3' nicht bis an die
Oberfläche 25 der Epitaxieschicht B reichen, werden weitere Kanäle 4 mit Hilfe von Diffusion gebildet. Die
Leitfähigkeit dieser Gebiete stimmt im Vorzeichen mit derjenigen des Grundmaterials überein, so daß die sich
von dem Substrat bis an die Oberfläche des Halbleiterkörpers erstreckenden niederohmigen Halbleiterpfade
vollständig sind. Das Dotierungsmaterial für die Herstellung der Kanäle 4 kann identisch mit dem für die
Herstellung der Kanäle 3 sein. Vorzugsweise wird man die Diffusionen der Kanäle 4 bzw. 7 mit Verfahrensschritten zur Herstellung der Halbleiterbauelemente
innerhalb der Gebiete 8 zusammenlegen, um die Anzahl von Verfahrensschritten zur Herstellung der monolithischen
Schaltung zu reduzieren.
Nach der Beschreibung der säulenförmigen oder Schaltkreisseite des Kondensators und den elektrischen
Verbindungen zwischen dem Kondensator und der Oberfläche des Halbleiterplättchens soll im folgenden
das Verfahren beschrieben werden, womit Vertiefungen in den P-Ieitfähigen Säulen des Kondensators hergestellt
werden, diese mit dielektrischem Material gefüllt werden und darauf mit einer metallischen Schicht
bedeckt werden. Es soll daran erinnert werden, daß gemäß F i g. 4 die Oberseite 103 und die Unterseite 105
des Substrates 1 ebene Oberflächen aufwiesen. Fig.9
bis 12 beschreiben nur den unteren Teil des Halbleiterplättchens nach F i g. 8, d. h. nur das Substrat mit einer
bedeckenden Epitaxieschicht A.
Wie aus F i g. 9 hervorgeht, werden Vertiefungen 78 in der unteren ebenen Oberfläche 105 des Substrates
ausgebildet, so daß jeweils einer P-leitenden Halbleitersäule 71 eine Vertiefung zugeordnet ist. Wie weiterhin
aus der F i g. 9 hervorgeht, greifen diese Vertiefungen 78 über das P-dotierte Halbleitergebiet 71 hinaus, so daß
auch Teile des N-I--Substrates, welche die P-Säulen
umgibt, an den Vertiefungen 78 an die Oberfläche treten, wie es bei 100 angedeutet ist. Die einzelnen
Vertiefungen können entweder kreisförmig in ihrem Querschnitt sein, wenn man von unten auf die
Oberfläche 105 schaut, oder aber andere Querschnittsformen aufweisen. Die Vielzahl von Einsenkungen oder
Vertiefungen auf der unteren Oberfläche 105 lassen das Substrat wie eine Waffel erscheinen. Jede Vertiefung
sollte genug N-I--Substratmaterial, welches die P-Säulen
umgibt, enthalten, so daß die nach außen tretenden PN-Übergänge, wie z. B. 65, genügend entfernt von der
Kante 67 sind, wo die Vertiefungen in der ebenen Oberfläche 105 beginnen. Auf diese Weise werden
Kurzschlüsse vermieden. Die Vertiefungen können durch eine bekannte Ätztechnik hergestellt werden. Die
Abmessungen der Vertiefungen können etwa so gewählt werden, daß sie eine Tiefe von 100 bis 150 μίτι in
einem 250 bis 380 μπι dicken Substrat aufweisen. Um wirksam zu werden, müssen die Vertiefungen einen
großen Anteil der Gesamtdicke des Substrats 1 darstellen, um einen genügend niedrigen Serienwiderstand
zwischen den Schaltkreiselementen auf der Oberfläche 25 und der dieser zugewandten Seite des
Kondensators zu gewährleisten.
Der nächste Verfahrensschritt wird aus Fig. 10 deutlich. Über der gesamten unteren Oberfläche des
Substrates, welches die einzelnen Vertiefungen aufweist, wird eine dielektrische Schicht 79 abgelagert. Vorzugsweise
wird hierzu die bekannte Verdampfungstechnik verwendet. Daneben besteht aber auch die Möglichkeit,
mit flüssiger Beschichtung und anschließendem Trocknen das dielektrische Material aufzubringen. Das
Dielektrikum kann prinzipiell willkürlich gewählt werden. Wenn man hohe Kapazitäten des Abblockkondensators
herstellen will, empfiehlt es sich z. B. Bariumtitanat oder Tantaloxid zu verwenden, da diese
Materialien eine hohe Dielektrizitätskonstante aufweisen.
F i g. 11 zeigt den nächsten Verfahrensschritt. Das
dielektrische Material wurde von den Rippen 77 des umgebenden N + -Substratmaterials entfernt, so daß das
Substratmaterial für eine weitere Beschichtung beigelegt
ist. Zur Entfernung des Dielektrikums können Techniken wie Läppen oder Ätzen verwandt werden.
Nach diesem Verfahrensschritt bleibt nur eine dielektrische Beschichtung an den Stellen 73 innerhalb der
Vertiefungen der unteren Substratoberfläche übrig.
Gemäß Fig. 1 wird im folgenden und letzten Verfahrensschritt eine Metallschicht 75 auf der Unterseite
der gesamten Struktur niedergeschlagen. Diese Metallschicht dient als eine Platte des Kondensators
und gleichzeitig als Verbindungsmedium zwischen den N+ -Rippen 77 und einem als Träger wirkenden
Metallsubstrat 15, wie es in F i g. 1 dargestellt ist.
Zur Metallisierung der unteren Oberfläche kann ein
Verdampfungsprozeß mit Gold Verwendung finden, wobei anschließend eine Sinterung stattfindet, die ein
Gold-Silizium-Eutektikum bildet. Auf diese Weise entsteht ein guter thermischer und mechanischer
Kontakt zwischen dem Monolithen und der metallischen Trägerplatte. Im allgemeinen würden Dünnfilm-Kapazitäten,
deren eine Elektrode dicht bei den Schaltungen einer integrierten Schaltung liegen, eine
ernsthafte Schwächung des mechanischen Aufbaus des Halbleiterkörpers bedeuten. Die beschriebene Struktur
des Kondensatorsubstrates vermeidet diese Gefahr durch das Einätzen einer Reihe von Vertiefungen,
wodurch Kapazität nahe an die Schallkreise auf der Oberfläche des Halbleiterplättchens herangebracht
wird, während Rippen 77 zur Aufrechterhaltung der mechanischen Stabilität des Halbleiterplättchens dienen.
Das Ergebnis ist also ein Kondensator, welcher physikalisch nahe an den Schaltkreiselementen auf der
Oberfläche des Halbleiterplättchens liegt, dessen Ausbildung jedoch nicht die Zerbrechlichkeit der
Halbleiterscheibe oder des -plättchens vergrößert. Wie in Fig. 12 angedeutet, können eine Vielzahl von
integrierten Halbleiterplättchen auf einer gemeinsamen Halbleiterscheibe gleichzeitig hergestellt werden. Einzelne
Schaltungen können voneinander getrennt werden durch Ritzen und Sägen der Scheibe entlang den
Linien 59 und 61. Das Metallsubstrat 15, die Trägerplatte, wie sie in F i g. 1 dargestellt ist, kann nach dem
Zersägen der Halbleiterscheibe in einzelne Halbleiterplättchen mit der metallischen Schicht 75 und damit mit
der Schaltung verbunden werden, um die positive Versorgungsspannung +V mit der Halbleiterschaltung
zu verbinden. Ein anderes Verfahren zur Herstellung der monolithischen Schaltung gemäß der vorliegenden
Erfindung ersetzt die vergrabenen Diffusionen und Ausdiffusionen zur Herstelung der elektrischen Pfade
27, 29, 31, 33 zwischen der Oberfläche des Halbleiterplättchens und der Epitaxieschicht A durch Diffusionen,
welche von der Oberfläche der Epitaxieschicht B bis in die Epitaxieschicht A eindiffundiert werden.
Zur Entkopplung oder zum Abblocken einzelner Halbleiterbauelemente in der monolithischen Schaltung
werden diese mit den P-Regionen 27, 29, 31 oder 33 verbunden, da diese gut leitfähige Leitbahnen zwischen
der Oberfläche und der Epitaxieschicht A darstellen, welche ihrerseits wiederum mit den in den Vertiefungen
ausgebildeten Kapazitäten gut leitend verbunden ist. Da die — P-Region nur eine geringe Leitfähigkeit mit einem
spezifischen Widerstand von etwa 10 bis 15Ocm aufweist und sehr dünn ist, nämlich in der Größenordnung
von 5 μιη, ist der Serienwiderstand über die
Kapazität sehr klein aufgrund der sehr großen Fläche, welche Kontakt mit der Kapazität macht und aufgrund
des kurzen Strompfades zur Oberfläche 25 der monolithischen Schaltung.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (4)
1. Integrierter Dünnschicht-Abblock- bzw. Entkopplungskondensator
für monolithische Schaltungen mit geringem Serienwiderstand und hoher mechanischer Festigkeit des Monolithen, d a durch
gekennzeichnet, daß der Monolith über einem Halbleitersubstrat (1) eines ersten Leitungstyps N oder P aufgebaut ist, daß säulenför- ι ο
mige Halbleiterregionen des zweiten Leitungstyps P oder N durch das Substrat hindurchdiffundiert sind,
so daß PN-Übergänge an der Rückseite des Substrats an die Oberfläche treten, daß Vertiefungen
(78) in der Rückseite ausgebildet sind, die geschlossene Linienzüge von PN-Übergängen (65) enthalten,
daß diese Vertiefungen mit einem Dielektrikum (73) ausgefüllt sind, welches seinerseits mit einer
Metallschicht (75) bedeckt ist, die das Substrat an den nicht vertieften Stellen (77) kontaktiert und mit
der zu entkoppelnden Spannung 4- V verbunden ist.
2. Dünnschichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß niederohmige Strompfade
(27, 29, 31, 32) im Halbleiterkörper von den säulenförmigen Halbleiterregionen bis an die die
Schaltelemente aufnehmende Oberfläche (25) des Monolithen führen.
3. Dünnschichtkondensator nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Dielektrikum (73)
aus Bariumtitanat oder Tantaloxid besteht.
4. Verfahren zum Herstellen eines Dünnschichtkondensators nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß nach dem Einbringen der säulenförmigen Halbleiterregionen in das Substrat
(1) und Herstellung der Vertiefungen (78) das Dielektrikum (73) gleichmäßig über der Rückseite
des Substrats (1) niedergeschlagen und dann flächenhaft abgetragen wird, so daß nur die
Vertiefungen (78) mit dem Dielektrikum (73) bedeckt bleiben, daß die Metallschicht (75) über die
gesamte Rückseite aufgedampft wird und daß der die Schaltungen aufnehmende Monolith auf das
Substrat aufgebracht wird.
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---|---|---|---|---|
US3639814A (en) * | 1967-05-24 | 1972-02-01 | Telefunken Patent | Integrated semiconductor circuit having increased barrier layer capacitance |
US3656028A (en) * | 1969-05-12 | 1972-04-11 | Ibm | Construction of monolithic chip and method of distributing power therein for individual electronic devices constructed thereon |
US3769105A (en) * | 1970-01-26 | 1973-10-30 | Ibm | Process for making an integrated circuit with a damping resistor in combination with a buried decoupling capacitor |
US3969750A (en) * | 1974-02-12 | 1976-07-13 | International Business Machines Corporation | Diffused junction capacitor and process for producing the same |
US4427457A (en) | 1981-04-07 | 1984-01-24 | Oregon Graduate Center | Method of making depthwise-oriented integrated circuit capacitors |
US5687109A (en) * | 1988-05-31 | 1997-11-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuit module having on-chip surge capacitors |
US6124625A (en) * | 1988-05-31 | 2000-09-26 | Micron Technology, Inc. | Chip decoupling capacitor |
US5602052A (en) * | 1995-04-24 | 1997-02-11 | Harris Corporation | Method of forming dummy island capacitor |
US6114756A (en) | 1998-04-01 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | Interdigitated capacitor design for integrated circuit leadframes |
US6414391B1 (en) | 1998-06-30 | 2002-07-02 | Micron Technology, Inc. | Module assembly for stacked BGA packages with a common bus bar in the assembly |
US6980414B1 (en) | 2004-06-16 | 2005-12-27 | Marvell International, Ltd. | Capacitor structure in a semiconductor device |
JP3678212B2 (ja) * | 2002-05-20 | 2005-08-03 | ウシオ電機株式会社 | 超高圧水銀ランプ |
US6755700B2 (en) * | 2002-11-12 | 2004-06-29 | Modevation Enterprises Inc. | Reset speed control for watercraft |
US11821943B2 (en) | 2020-10-06 | 2023-11-21 | Johnstech International Corporation | Compliant ground block and testing system having compliant ground block |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3393349A (en) * | 1964-04-30 | 1968-07-16 | Motorola Inc | Intergrated circuits having isolated islands with a plurality of semiconductor devices in each island |
US3333326A (en) * | 1964-06-29 | 1967-08-01 | Ibm | Method of modifying electrical characteristic of semiconductor member |
US3401450A (en) * | 1964-07-29 | 1968-09-17 | North American Rockwell | Methods of making a semiconductor structure including opposite conductivity segments |
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-
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DE1924712A1 (de) | 1969-11-27 |
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