DE1916293C - Verfahren zum Herstellen einer Niob schicht durch schmelzflußelektrolytische Abscheidung auf einem Kupfertrager - Google Patents

Description

Die Iu lliutung lietrilTt ein Verfuhren zum Herstellen einer Niobschichi durch schmelziliiÜelektrolytisclie Abscheidung au Γ einem Kupiert rager.

Für verschiedene Bauelemente, bei denen die Supraleitfähigkeit einer Oberflächenschicht ausgenutzt weiden soll, ist es wünschenswert, die tragende Struktur für die supraleitende Schicht aus einem gut mechanisch hearbeitbaren und gut wärmeleitenden, nicht supraleitenden Metall herzustellen. Dies gilt insbesondere für supraleitende Resonatoren von Teilchenbeschleunigern, bei denen bereits versucht wurde, die Resonatorkavitäten aus Kupfer auszubilden und darauf eine Niobschicht elektrolytisch aufzubringen (Aufsatz von C. Passow in »Elektrotechnische Zeitschrift«, Ausgabe A, Dd. 89 |1968|, S. 341 bis 346). Verfahren zum Aufbringen von Niob auf Kupfer mittels Sehmclzflußelektrolyse, bei denen als Elektrolyten insbesondere Schmelzen aus Niobfluoriden untl Alkalifluoriden verwendet werden, sind bekannt (Aufsatz von Ci. VV. Mellors und S. Senderoff in »Journal of the Electrochemical Society«, Bd. 112 |1%5|, S. 2Mi bis 272). Mit diesen Verfahren auf übliche Kupferträger aufgebrachte Niobschichten haben jedoch den Nachteil, daß selbst bei höchstmöglicher Reinheit des Elektrolyten und der in der Abscheidevorrichtung verwendeten Schutzgasatmosphäre ein so großer Anteil von gasförmigen Verunreinigungen, insbcL.mdere SauerstolT, in die Niobschichten eingebaut wird, daß die Supraleitungseigenschaften dieser Niobschichten wesentlich schlechter sind als die von reinem Niob. Eir-i Reinigung dieser Niobschichten durch Entgasungsglühen würde Temperaturen von über 20()0° C erfordern und ist daher wegen des Kupferträgers nicht durchführbar. Es könnte zwar daran gedacht werden, die Niobschichten vom Kupferträger abzulösen und erst dann zu glühen. Dies ist jedoch mit hohem technischem Aufwand verbunden. Ferner tritt dabei die zusätzliche Schwierigkeit auf, daß sich die nach dem Ablösen vom Kupferträger frei tragenden Niobschichten bei den erforderlichen hohen Glühtemperaturen und langen Cilüh/.eitcn durch Kriechen leicht verformen, was wegen der üblicherweise sehr kleinen Toleranzen für die Dimensionen der Resonatorkavitüten zu grollen Unzuträgliehkcitcn führt.

Aufgabe der Erfindung ist es, die Herstellung von Niobschichten durch schmcl/fhißelektrolytische Abscheidung auf Ktipfcrträgcrn so zu verbessern, dall dichte, kristalline, metallisch zusammenhängende, reine Niolv.chichten entstehen und die erwähnten Schwierigkeiten erheblich verringert b/w. gänzlich vermieden werden.

DiL'sc Aufgabe wild crftndungsgcmäß dadurch reinst, daß die Abscheidung auf einem spannunusheieii uuil um (iilteidefekien erholten Kupferträgcr erfolgt, der an der zur Abscheidung der Niobschicht bestimmten Oberfläche eine mittlere FlächenkorngiüHe von wenigstens I mm aufweist.

linier mittlerer Ilächenkorngrößc ist dabei der mittlere Koriulurchmcsser parallel zu der zur Abscheidung des Niobs bestimmten Oberfläche des Kupfeiträgcrs zu verstehen. Senkrecht zur Ausdehnung der zur Abscheidung des Niobs bestimmten Oberfläche können die Körner einen geringeren Durchincv-er bcsil/rii. Die mittlere Flächenkoritgröße kann durch Aiis/älilni der Koinzahl pro Flächeneinheit i'itiitlcll werden.

^ur Erfindung liegt die überraschende Feststellung zugrunde, daß Niobschiduen bei der schmelzfluüelektrolytisei'cn Abscheidung auf spannungsfreien, von Gitterdefekten erholten Kupferträgem epitaktisch aufwachsen, so daß die aufgewachsene Niobschichi das gleiche Korugefüge aufweist wie der Kupferträgei an der zur Abscheidung bestimmten Oberfläche Durch geririi-ste elastische Spannungen im Kupl'erträger sowie 'Gilterstörungen im einkristallhen Bereich der Kristallkörner des Kupferträgers wird das

iq epitaktische Aufwachsen bereits unterdrückt. Um genügend reine Niobschichten zu erhalten, sollte die Flächenkorngröße des Kupferträgers an der zur Abscheidung bestimmten Oberfläche möglichst gml.i sein. Bei mittleren Flächenkorngrößen von weniger als 1 mm ist die Reinheit der Niobschichten für eine spätere Verwendung, insbesondere für supraleitende Resonatoren ohne Entgasungsglühung, nicht ausreichend. Die mittlere: Flächenkorngröße an der Oberfläche des Kupferträgers muß daher mindestens

so 1 mm betragen. Besonders günstig wegen der noc'.i größeren Reinheit der abgeschiedenen Niobschichi sind Kupferträger mit einer mittleren Flächenkurngröße von wenigstens 5 mm.

Der Reinigungseftekt ist darauf zurückzuführen,

daß sich die großkörnige Struktur des Kupferträger·; in der abgeschiedenen Niobschicht fortsetzt und diese daher nur kleine Karngrenzflächen aufweist, an denen Verunreinigungen eingebaut werden können. Durch einen Vergleich der Restwiderstandsverhältnisse von

auf Kupferträgem mit kleinen Flächenkorngrößen abgeschiedenen Niobschichten und von auf Kupferträgem mit großen Flächenkorngrößen abgeschiedenen Niobschichten wird dieser Reinigungsetfekt sehr deutlich, da das Restwiderstandsverhältnis, d. h. der Quotien' aus den elektrischen Widerständen im normallcitenden Zustand bei eine¹" Temperatur von 298' K und einer Temperatur von 4,2° K, mit abnehmendem Verunreinigungsgchalt stark ansteigt. Während das Restwiderstandsverhältnis bei feinkristallincn Niobschichten, die auf einem Kupferträger mit einer mittleren Flächenkorngröße von etwa 0,3 mm abgeschieden wurden, nur etwa 5 betrug, wurden bei großkristallinen Niobschichten, die auf einem Kupferträger mit einer mittleren Flächenkorn-

größe von mehr ab 5 mm abgeschieden wurden. Restwiderstandsverhältnisse von etwa 20 erzielt. Die Sprungtemperatur der großkristallinen Niobschichten betrug etwa 9.25" K gegenüber einer Sprungtemperatur von etwa 8° K bei den feinkristallinen Niobschichten. Neben diesem Ansteigen der Sprungteiuperatur ist bei großkristallinen Schichten auch eine Zunahme der kritischen Magnetfelder//, , und //, , zu beobachlcn. Ferner haben die großkristallincn Niobschichien bei nicht zu großer Schichtdicke im Bereich der Kristallkörner nur sehr geringe Oberflüchcnrauhigkchen von einer Rauhtiefe von weniger üls 1 |iiii, während feinkristalline Niobschichten Rauhtiefen von etwa 5 bis ΙΟμηι aufweisen, obwohl die Rauhlicfc der Oberfläche des Ktipferträgers nur etwa 1 (im beträgt. Die größere Reinheit und die geringe Oberfliichcnrauhigkeit der großkristallinen Niobschichten wirkt sich günstig auf den für die Anwendung der Niobschichten für supraleitende Resonatoren wichtigen Hochfrcqucnz-ObcrfUichcnwiderstand der Schichten aus, der gegenüber feinkristallinen Niotischichlcn verringert ist.

Da die zur Abscheidung der Niobschichten bestimmten Kupferträger im allgemeinen vor der Ab-

I 916

,cheidung mechanisch belei.e, werden, weisen sie in tier Hegel zumindest an der Oberfläche elastische Spannungen und Gitterdefekte auf. Ferner ist die Suilere Hächenkorngrölk üblicher Kupferträger an vier zur Abscheidung bestimmten Oberfläche zu Klein. 5 pie Kupierträger können dann vor der Abscheidung unter Vakuum oder Schutzgas, insbesondere Argon üder Helium, derart geglüht werden, dal! eine Umspannung und Erholung des Gefüges und ein anschließendes Kornwachstum bis zu einer mittleren io Hiiehenkorngröüe von wenigstens I bzw. 5 mm statt-''"uevorzugt werden dabei Kupfertriiger mit einer Reinheit von wenigstens 99,9 Gewichtsprozent verwendet, da durch stärkere Verunreinigungen die zum 15 Kornwachstum erforderliche Bewegung der Korn-

sollte ein solches Kupferblech daher stärker als 1 mm

scm. !.,nni^leklrolvlisehe Abscheidung der

Die «f^f"?^ £ agcr kann nach bekann-

Niobsch.ch auf ^™^ VVIsMlekirolyie kommen

ten ^"ί¹"™ j"™·}.,..., _alis Niobfluoriden und

insbesondere ^¹¹"™

Alkalifluund_Lι » ι r.it . ^ ^ _Ausfuhrull,.s-An land zwucr t ,, „_{iihcr cl}läutert

bcispiclcs soll diL Lrl.ni.un_b

werde.. thematisch eine Vorrichtung /um

j^g· ^^upferträgers vor der Abscheidung;

Fig.3 zt:igl ^'^uXrtVagers mit Niob mittels

'^^To _yse ,. ..

^™£^lr _Ai_sführungsbeispiel wird d.e Herm ^« ^ _{idu a} ^b _{uf cincrn} Kupfcrzylmder

SSS,

Vorzugsweise wird unter Hochvakuum nut cincrn Restgasdruck von höchstens K)-Torr geglüht, da dann durch das Glühen gleichzeitig ein Rem.gungsclTckt durch Entgasen erzielt werden kann.

Mn Kornwaehstum tritt bei Temperaturen oberhalb der Rekristallisationstemperatur des Kupferträgers auf, also oberhalb der Temperatur, bei welcher die" Rekristallisation einsetzt. Für Elektrolytkupfer einer Reinheit von etwa 99,9 Gewichtsprozent hegt diese Rekristallisationstemperatur bei etwa 350 C. Cs wird jedoch vorzugsweise bei Temperaturen geglüht, die wesentlich höher sind als d.e Rekristalh-Ltions.emperatur, da bei niedrigen Glühtemperaturen für k-. !mische Zwecke zu lange GHihzcitcn erforderlich sind, um die gewünschte Fläehenkorngröüe zu

25

30

^ Kupferträgern einer Reinheit von 99,9 Gewichtspm/cnt kann das Glühen unter Hochvakuum i einem Restgasdruck von höchstens 10-· Torr vorteilhaft zwischen etwa 800 und 9(K)=C erfolgen „nd zur Erzeugung von mittleren Flächenkorngrolkn von wenigstens 1 mm wenigstens etwa 2 Stunden und

_Zl.r Urzeugung von mittleren Flächcnkorngroßen von weniizstens 5 mm wenigstens etwa 8 Stunden lang dauern. Bei Glühzeiten von mehr als 12 bis 15 Stunden können mittlere FlächcnkorngroBcn von über 10 mm erzielt werden. Glühtemperaturen von über prozent £inte tjfc«- ; _{der in} Fig. 1 dargestellten bestehende Zylinder l m _{bestcl t im}

Vomchtung gPgi"^ zentralen Bohrung

ÄS 2, der von einer wasser_ule 3'_unlgebcn ist und durch

frequenz induktiv erlutzt 1 ₂ ^ _{djc Kupfer}.

in einem vakuumdicht ver4. Der Kupfcrzylmder 1 J^ des Graphitzylinders 2

^nsUn ^_{1 4 hlossi:n un}d

&:'o_nh_rs._utz_cn 5 bis zu einem Restgasdruck über den ^^J.* ^b _Mit Hilfe der Kupfcrrohrvon 10 Iorr eva _{K frzvlind}cr 1 etwa 8 SinnpSattir von etwa 850 C ge_ftOht l| Ljufcdigr CHÜhung nimmt die m.ttlere

F'f "^⁰™^ cTeichzeHig erholt sich der Zylinauf e™ ™ ^Spannungen und Gitterf^{c l V0}" ^f Abschluß des Glühprozesses ^ fen. Na _zhei/ung ausgeschaltet

wird ^ü^ * _t ' _{nach t}|cm Abkühlen au. und de Λ _stcli_len Vorrichtung herausgc-

der in M₀- b

^non™™· _Zylindcr 1 nach dem Glühen längere ^"^η^^Γ^ _{bIcibt> wir}d er zur Entfernung von «it an eier ^ ₀^ _nähe entstandenen Oxxd-

35

_tr

gas verlängern sieb die Glühzciten „

Nach dem Glühen und anschließender Abkühlung auf Raumtemperatur kann der Kupfertn.pcr an Luft gebracht werden. Oxydschichten, d.e dabei etwa an der Oberfläche des Kupferträgers entstehen, können durch elektrolytisches Polieren kurz vor dem Einbringen des Kupferträgers in d.e Abscheidcvorr.chtung entfernt werden.

Bei Verwesung dünner Kupferbleche als Trager ist darauf zu achten, daß durch das Kornwaehstum beim Glühen maximal FUtehenkorngroUcn e rreicht

5EiA: tat KOtA^6s 4 bi« 5 V die Stromdichte an der Anode etwa

4 b ^.

51) rnA^crn .^ ^ ^. j . ,„

_p., ^ 2 darue" teilten Vorrichtung mittels Schmelz-F 1 g. Z üarg^ Niobschicht überzogen.

_{bcstclu im} wesentlichen aus einem J ^, ^_{icm Stahl}, der mit einem ebenfalls » fi Stahl bestehenden Aufsatz 12 versehen , _{und dcr} Aufsatz 12 sind cvakuicrbar ^ . Der Topf Il «l von

13 umgeber,.Im Topf

5 6

die einen Wechsel des zu beschichtenden Kupfer- Niobs auf dem Kupierzylinder betrügt etwa 0,5 bis

trägers bei der Betriebstemperatur des Elektrolyten 1 μΐη pro Minute.

ermöglicht, und kann durch einen vakuumdichten Nach beendeter Abscheidung, beispielsweise nach η Schieber 17 von der restlichen Vorrichtung abge- Aufwachsen einer Niobschicht von etwa 20 bis 'b trennt werden. Am oberen Ende der Schleusenkam- 5 30 um Dicke, wird der Kupferzylinder 19 aus dem

mcr 16 ist eine vakuumdichte Durchführung 18 für Elektrolyten 15 herausgezogen und beispielsweise in

iu| die Halterungen des Kupferlrägers und der Niob- der Schleusenkammer 16. die mittels einer von Was-

c anode vorgesehen, die eine vertikale Bewegung der scr durchströmten Kiihlwicklung 29 gekühlt werden

'ir Hallerungen ermöglicht. Als Diclitungsclcmenlc kön- kann, unter Argon auf Raumtemperatur abgekühlt

lis nen insbesondere KunststolTringe 30 aus Polytctra- io und nach dem Abkühlen aus der Abscheidcvorrich-

.i| fluoräthylcn verwendet werden. Als Halterung für lung herausgenommen. Die noch anhaftenden Elck-

Di den Kupferzylinder 19 und die z.ylindcrförmipc trolytrcstc können im Wasserbad bei etwa 20 C mit

e Niobanode 20 dienen zwei konzentrisch zueinander harten Plaslikbürsten entfernt werden.

U angeordnete, gegeneinander elektrisch isolierte Nik- Die abgeschiedene Niobschicht besitzt eine Sprung-

a kclrohre 21 und 22. die mit einer in Fig. 2 nicht 15 temperatur von 9,2" K, ein Resiwiderslandsvcrhällnis

A dargestellten Gleichspannungsquelle verbunden wer- von 20 und die kritischen Magnetfeldei

,c den können. Ferner ist ein Rührer 23 vorgesehen, der //, , 0,8 kOe, //, ₂ Ä.5 kOe und //, , - 16.5 kOe

>/. aus Niob besteht und über eine Stange 24 gedreht Auch bei der Abscheidung von dickeren Niob-

η werden kann. schichten auf Kupferträgern bietet das erfindungs-

y Als Elektrolyt 15 wird Kaliumheptafluorniobat ao gemäße Verfahren wesentliche Vorteile. Die Ab-

\ (K.NbF.) verwendet, das in einer cutcktischen Mi- scheidung von Niobschichten größerer Schichtdicke

s{ schung ' von Natriumfluorid, Kaliumfluorid und durch Schmclzflußclcklrolyse ist deshalb schwierig, da

>. l.ithiumfiuorid gelöst ist. Der Elektrolyt besteht dabei bei fortschreitendem Wachstum der Kristalle die aul

aus 16,2 Gewichtsprozent K„NbE., 10,5 Gewichts- Grund νϊ,-η unvermeidbaren Oberflächenrauhigkeiten

II prozcnt NaF, 47,0 Gewichtsprozent KE und 26.2 Ge- 25 des Kupferträgers entstehenden Erhöhungen auf dei h wichtsprozcnl LiF. Nach Einbringen dieser Bestand- Oberfläche der abgeschiedenen Niobschicht durch π teile in den Nickeltopf 14 werden der Stahltopf 11 Fcldkonzentration im Elektroden immer schnellet t. und der Aufsatz 12 zunäehst evakuiert und dann über wachsen und bei langzeitiger Beschichtung zur Auss die Rohrstutzen 25 bis 28 mit Schutzgas, nämlich bildung einer unzusammenhängenden Schicht, be_r Argon mit einer Reinheit von 99.99 Gewichtsprozent. 30 stehend aus langen säulen- bzw. nadeiförmigen Niobbespült. Mittels des Ofens 13 wird dann der Elcktro- kristallen, führen. Durch die großen Flächcnkorn-

I) t 15 geschmolzen und auf eine Temperatur von größen beim erfindungsgemäßen Verfahren wird nun t etwa 740 bis 750 C gebracht. Die Temperatur kann erreicht, daß die aufwachsenden Niobkristalle bei , durch in Fig. 2 nicht dargestellte, mit einer Nickel- längerem Wachstum zunäehst würfelförmig werden

schutzhülle versehene Thermoelemente kontrolliert 35 Dadurch erhält man bei Flächcnkornerößen von men-

, werden, die in den Elektrolyten 15 eintauchen. Da- reren Millimetern bereits Niobschichtdicken in dei

nach wird die Schleusenkammer 16 durch den Schic- gleichen Größenordnung mit relativ glatter Obcr-

ber 17 von der restlichen Vorrichtung abgetrennt. fläche, bevor es zur Ausbildung von Säulenkristallen

Der am Rohr 21 befestigte Kupferzylinder 19 und kommt. Sollten dennoch bei sehr dicken Niobschich-

die am Rohr 22 befestigte Niobanode 20 werden 40 ten zu starke Oberflächenrauhigkeiten auftreten, kön-

dann in die Schleusenkammer 16 eingebracht, die nen diese durch elektrolytisches Polieren bcseitigl

anschließend wieder evakuiert und durch die Rohr- werden. Zu diesem Zweck eignet sich beispielsweise

stutzen 25 und 26 mit Argon bespült wird. Bei der ein Elektrolyt aus 85O Schwefelsäure und 15" t

Befestigung des Kupferzylinders 19 am Rohr 21 ist Flußsäure, wobei als Anode die zu polierende Niob-

darauf /11 achten, daß durch die Befestigung keine 45 schicht und als Kathodenmatcrial ebenfalls Niob

thermischen und elastischen Spannungen im Zylinder verwendet wird. Die Spannung zwischen Anode und

19 hervorgerufen werden. Nach Öffnen des Schiebers Kathode kann dabei beispielsweise 5 bis 0 Volt, die

17 wird der Kupferzylinder in den Topf 11 einge- Stromdichte 20mA pro cm'-' betragen. Unter diesen

schoben und so lange oberhalb des Elektrolyten 15 Bedingungen wird pro Minute etwa 1 iim Niob abge-

gehalten. bis er sich auf die Temperatur des Elektro- 50 tragen. Falls die auf diese Weise erreichten Niob-

lyien erwärmt hat. Dies ist erforderlich, da beim schichtdicken noch i.icht ausreichen, kann der mit dei

sofortigen Eintauchen des Kupfcrzylinilers 19 in den Niobschicht versehene Kupferträger nach dem Polic-

Elcktrolyten 15 der Elektrolyt an der Oberfläche des rcn nochmals in die in Fig. 2 dargestellte Vorrich-

Kiipfer7ylinclers abgekühlt und die Beschichtung des tung eingesetzt und erneut mit Niob beschichtet v.er-

Kupferzylindcrs mit Niob behindert würde. Wenn 55 den. fn dieser Weise gewonnene Niobschichten

sich der Kupferzyhnder 19 auf die Temperatur des größerer Dicke können dann auch vom Kupferträcei

Eleklrohten 15 erwärmt hat. wird er zusammen mit abgelöst und im Ultrahochvakuum von etwa

der Niobanode 20 in den Elektrolyten 15 eingetaucht. 5 ■ 10" Torr etwa 1 Stunde lang bei Temperaturen

Anschließend wird zwischen der Niobanode 20 und von etwa 2050" C entgast werden. Das erfinduncs-

dem als Kathode dienenden Kupferzyhnder 15 eine 60 gemäße Verfahren bringt dabei den weiteren Vorteil,

elektrische Gleichspannung von höchstens 0.25 Volt daß bei den nach diesem Verfahren abgeschiedenen

angelegt. Die Niobabscheidung auf dem Kupferzylin- großkristallinen Niobschichten zur Erzielunc de-

der 19 erfolgt dann mit einer Stromdichte zwischen gleichen Restwiderstandsverhältnisses wesentlich ee-

etwa 40 und 50 mA cm¹'. Durch den Rührer 23. der ringerc Gliihzeiten erforderlich sind als bei feinkri-

beispielsweise mit 20 Umdrehungen pro Minute um- 65 stallincn Schichten. Die Gefahr, daß sich die Niob-

hülfen kann, kann der Elektrolyt mit mäßiger Ge- strukturen beim Glühen verformen, wird dadurch

schwindigkeit gegenüber dem Kupferzylinder 19 bc- wesentlich herabgesetzt,

weg! werden. Die Abscheidcgeschwindigkcit des Außer zur Erzeugung von Niobschichten fiii

supraleitende Resonatoren ist das erfindungsgemäße Verfahren auch zur Herstellung anderer supraleitender Bauelemente geeignet. Beispielsweise kann es bei der Herstellung von Torleitcrn für Slarkstromkjvotrons vorteilhaft Anwendung finden, wo gleichmüßig ausgebildete, glatte Niobsehichten ehenfalls erwünscht sind.

Claims (7)

Patentansprüche:

1. Verfahren zum Herstellen einer Niobschicht durch schmel/flußelcktrolylische Abscheidung auf einein Kupferlräger. dadurch gekennz e i c Ii net, daß die Abscheidung auf einem spannungsfreien und von (iillerdcfeklcn erholten Kupferträger erfolgt, der an der /ur Abscheidung bestimmten Oberfläche eine mittlere Fläehenkorngröße von wenigstens I mm aufweist.

2. Verfahren nach Anspruch I. dadurch gekennzeichnet, daß der zur Abscheidung verwendete Kupferträger eine mittlere Fläclienkorngröße von wenigstens 5 mm aufweist.

3. Verfahren nach einem der Ansprüche I und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Kupferträger mit einer kleineren Fliiclienkomgröße vor der Abscheidung unter Vakuum oder Schutzgas derart geglüht wird, daß eine Entspannung und lirholung des (iefüges und ein anschließendes Kornwachslimi bis zu einer mittleren FlächcnkorngrölV von wenigstens 1 bzw. 5 mm stattlindel.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche I bis 3. dadurch gekennzeichnet, daß der zur Abscheidung verwendete Kupferträger eine Reinheit von wenigstens 99.9 Gewichtsprozent besitzt. _

5. Verfahren nach den Ansprüchen 3 und \. dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferträger unter Hochvakuum mit einem Restgasdruck von höchstens 10" Torr geglüht wird.

(1. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferträger zur Urzeugung einer mittleren Fläclienkorngröße \on wenig stens I mm wenigstens etwa 2 Stunden lang zwischen etwa 800 und 900 C geglüht wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Kupferträger zur Urzeugung einer mittleren Fläclienkorngröße \or wenigstens 5 mm wenigstens etwa 8 Stunden laut zwischen SOi) und 900 C geglüht wird.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen