DE1464357B1 - Verfahren zur Herstellung einer ohmschen Verbindung zwischen einem Silizium-Halbleiterkoerper und einem metallischen Traegerteil - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer ohmschen Verbindung zwischen einem Silizium-Halbleiterkoerper und einem metallischen Traegerteil

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DE1464357B1
DE1464357B1 DE19631464357 DE1464357A DE1464357B1 DE 1464357 B1 DE1464357 B1 DE 1464357B1 DE 19631464357 DE19631464357 DE 19631464357 DE 1464357 A DE1464357 A DE 1464357A DE 1464357 B1 DE1464357 B1 DE 1464357B1
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Gerald K Clymer
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Philco Ford Corp
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Description

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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel- Aufdampfen aufbringt und zwischen den in dieser lung einer ohmschen Verbindung zwischen einem Weise überzogenen Oberflächen einen vorgeformten Silizium-Halbleiterkörper und einem metallischen Gold-Germanium-Körper von eutektischer Zusam-
Träger- bzw. Anschlußteil. mensetzung einbringt. Bei diesem Verfahren zur
Sie wird nachfolgend in bezug auf die Befestigung 5 Herstellung einer Verbindung besteht zwar das Pro-
eines Siliziumtransistors an einer Metalloberfläche bleme einer durch Oxydbildung an der Gold-Silizium-
beschrieben. Grenzfläche hervorgerufenen Entnetzung nicht mehr
Die bekannten Verfahren zur Herstellung einer — ein Faktor, von dem man annehmen darf, daß Verbindung zwischen Silizium und einem metalli- er die Hauptursache für schlechte Verbindungen sehen Träger beruhten anfänglich auf der Verwen- io darstellt —, jedoch besitzt dieses Verfahren den dung niedrig schmelzender Metalle bzw. Legierun- anderen Nachteil, daß es einen zusätzlichen Schritt gen, wie beispielsweise Indium und Zinnloten. Diese im Herstellungsverfahren bedingt und die Verwen-Stoffe wurden später durch Gold sowie vorgeformten dung eines vorgeformten Körpers von genau eutek-Körpern aus ein Eutektikum bildenden Goldlegie- tischer Zusammensetzung erforderlich macht,
rangen mit wesentlich höheren Schmelzpunkten er- 15 Die Erfindung betrifft somit ein Verfahren zur setzt. Diese Entwicklung wurde durch die Forderung Herstellung einer ohmschen Verbindung zwischen nach Halbleiteranordnungen erzwungen, welche zu- einem Elektrodenbereich eines Silizium-Halbleiternehmend höhere Betriebs- und Aufbewahrungs- körpers und einem metallischen Träger- bzw. Antemperaturen aushalten sollten. Diese zuletzt ge- schlußteil, bei welchem die zur Verbindung mit dem nannte Gruppe von Stoffen genügte zwar dem ao Silizium-Halbleiterkörper vorgesehenen Oberflächen-Bedürfnis nach Loten mit höherem Schmelzpunkt, bereiche des Träger- bzw. Anschlußteils vor der führte jedoch zu einer Reihe von Schwierigkeiten. Herstellung der Verbindung mit einem Metall über-
Um mit Gold eine zufriedenstellende Verbindung zogen werden, das mit dem Silizium des Halbleiterherzustellen, war es bisher notwendig, mit einer körpers legierfähig ist, und bei welchem auf eine unberührten Siliziumoberfläche zu beginnen und die 25 unterhalb der Schmelzpunkte sowohl des Halbleiter-Oberfläche während der Herstellung der Verbindung materials als auch des Überzugsmetalls liegende oxydfrei zu halten, um eine Entnetzung (Herab- Temperatur erhitzt wird.
setzung des Benetzungsvermögens) der Gold-Grenz- Durch die Erfindung sollen die geschilderten fläche zu vermeiden. Ein Verfahren hierfür bestand Nachteile der bekannten Verbindungsverfahren bedarin, daß man das Silizium vor der Herstellung der 30 hoben werden; insbesondere soll das Problem des Verbindung in einer nichtoxydierenden Atmosphäre Oxydationsschutzes der Siliziumoberfläche vor und mit einem geeigneten chemischen Flußmittel behan- während der Herstellung der Verbindung in eindelte oder die Siliziumoberfläche auf mechanischem facherer Weise als bisher gelöst werden und die Wege abschmirgelte, um jegliche latente Oxydschicht Notwendigkeit der Einbringung einer gesonderten zu entfernen. Auf diesen Schritt folgte sodann die 35 Lot-Zwischenschicht als besonderer Verfahrens-Herstellung der Verbindung in einer inerten Atmo- schritt, welcher mit den Bedingungen der Massensphäre, produktion nur schwer vereinbar ist, entbehrlich
Ein alternatives Verfahren, bei welchem das Er- werden. Schließlich soll durch die Erfindung eine
fordernis extrem sauberer Verbindungs-Oberflächen einwandfreie, rein ohmsche Kontaktierung vorberei-
wenigstens teilweise umgangen wird, besteht darin, 40 teter Elekrtodenbereiche des Silizium-Halbleiterkör-
daß man die Herstellung der Verbindung unter pers, sei es sperrschichtfreier Elektrodenbereiche, wie
Druck in einer inerten oder nichtoxydierenden beispielsweise die Basiselektrode von Trnsistoren, sei
Atmosphäre ausführt und gleichzeitig die miteinander es von gleichrichtenden Elektrodenbereichen, wie
zu verbindenden Teile einer Ultraschallenergie aus- beispielsweise den Emitter- oder Kollektorelektroden
setzt, wodurch zwischen den miteinander zu verbin- 45 von Transistoren, ermöglicht werden, wobei jegliche
denden Teilen Bewegungen in Querrichtung hervor- Beeinträchtigung der Elektroden, insbesondere der
gerufen werden, durch welche schädliche Oxyde ent- pn-Schichten von gleichrichtenden Elektroden u. dgl.,
fernt werden. durch die Herstellung der für die äußere ohmsche
Man erkennt, daß man mit diesen bekannten Ver- Kontaktierung erforderlichen Verbindung vermieden fahren zwar eine zufriedenstellende Verbindung her- 50 wird; insbesondere soll die zur Herstellung der Verzustellen vermag, wobei jedoch entweder äußerste bindung erforderliche Erhitzung möglichst niedrig Sorgfalt bei der anfänglichen Herstellung einer im gehalten werden, um schädliche Beeinflussungen der wesentlichen oxydfreien Siliziumoberfläche oder aber Elektrodenbereiche oder sonstiger in dem Halbleiterdie Anwendung ausgetüftelter, komplizierter Ver- körper befindlicher empfindlicher Bereiche zuverfahren erforderlich ist, um eine Entnetzung (Beein- 55 lässig zu vermeiden.
trächtigung des Benetzungsvermögens) während der Zu diesem Zweck ist gemäß der Erfindung vorHerstellung der Verbindung zu vermeiden. Außer- gesehen, daß vor der Herstellung der Verbindung dem besitzen diese bekannten Verfahren den Nach- die für die Verbindung vorgesehenen Oberflächenteil, daß das Ergebnis nicht vorhersehbar ist und bereiche des Silizium-Halbleiterkörpers mit einem daß sie häufig nicht zu beständigen, voll befriedigen- 60 Germanium-Überzug versehen werden und der den Ergebnissen führen. Die demzufolge bei Ver- Träger- bzw. Anschlußteil mit einem Metall überwendung derartiger Verfahren verringerte Ausbeute zogen wird, das mit Germanium ein Eutektikum zu macht diese Verfahren unwirtschaftlich. bilden vermag, und daß die Grenzzone zwischen dem
Ein anderes bekanntes Verfahren zur Herstellung Germanium-Überzug und dem Metall-Überzug auf
ohmscher oder widerstandsarmer Anschlußverbin- 65 eine Temperatur oberhalb der Eutektikumstemperatur
düngen an Silizium besteht darin, daß man an den von Germanium und dem Überzugsmetall erhitzt
miteinander zu verbindenden Oberflächenbereichen wird, wobei sich die gesamte Menge des Germaniums
eine Goldschicht durch Elektroplattierung oder durch löst.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform ist vorgesehen, daß als Überzugsmetall für den Trägerbzw. Anschlußteil Gold oder Blei verwendet wird; im Fall der Verwendung von Gold wird eine Verbindung erzielt, die in an sich bekannter Weise aus einer Gold-Silizium-Legierung besteht und daher gegen relativ hohe Temperaturen widerstandsfähig ist, wie sie für Halbleiteranordnungen mit relativ großen Verlustleistungen angestrebt werden.
Die Aufbringung des Germanium-Überzugs auf dem Siliziumkörper kann in beliebiger Weise, beispielsweise durch Abscheidung aus der Gasphase, insbesondere durch Aufdampfen im Vakuum oder aber durch Elektroplattierung erfolgen.
Um eine Anschlußverbindung mit besonders geringem elektrischen Widerstand zu erhalten, kann gegebenenfalls vorgesehen sein, daß der Germanium-Überzug zur Erzielung des gleichen Leitungstyps, wie ihn die an den Germanium-Überzug angrenzende Zone des Silizium-Halbleiterkörpers bereits aufweist, dotiert ist.
. Bei dem Verfahren gemäß der Erfindung dient das ' Germanium einerseits in an sich bekannter Weise zum Schutz der zu kontaktierenden Silizium-Halbleiteroberfläche gegen Oxydbildung und dadurch bedingte Benetzungsschwierigkeiten, ohne jedoch selbst als Lot zu wirken; die fertiggestellte Verbindungszone besteht vielmehr aus einer Legierung des Überzugsmetalls und Silizium, also beispielsweise aus einer Gold-Silizium-Legierung, in welcher das Material des zuvor auf den Silizium-Halbleiterbereich aufgebrachten Germanium-Überzugs in Form diskreter Germaniumkriställchen dispergiert ist. Der Vorgang ist solcher Art, daß beim Anlegen des mit Gold oder Blei überzogenen Anschußteils gegen den mit dem Germanium-Überzug versehenen Bereich der Siliziumoberfläche zunächst eine flüssige Phase in Gestalt des Eutektikums aus Gold bzw. Blei und Germanium gebildet wird, wobei die Erhitzung lediglich auf einen geringfügig oberhalb der Eutektikumstemperatur dieses Eutektikums liegenden Wert zu erfolgen braucht, der niedriger als die Schmelzpunkte sämtlicher beteiligten Stoffe und insbesondere niedriger als der Schmelzpunkt des Silizium-Halbleitermaterials ist, so daß eine schädliche Beeinträchtigung der Elektrodenbereiche innerhalb des Silizium-Halbleiterkörpers zuverlässig vermieden wird. In dieser flüssigen Phase aus dem Gold-Germanium-Eutektikum löst sich eine dünne Schicht des angrenzenden Siliziummaterials auf; beim nachfolgenden Abkühlen bildet sich die erwähnte Verbindungszone, welche in der genannten Weise aus einer Gold-Silizium-Legierung besteht, in welcher das Germanium in Form diskreter Kristallenen dispergiert ist.
Die Verwendung von Germainium als Hilfsmittel bei der Kontaktierung von Silizium-Halbleiterkörpern ist, wie eingangs bereits erwähnt, an sich bekannt. Aus der USA.-Patentschrift 2 555 001 ist es im einzelnen bekannt, ein metallisches Anschlußteil unter Verwendung von Germanium als Lotkörper mit einem Silizium-Halbleiterkörper zu verbinden. Der Halbleiterkörper und der Metallträger werden dabei ohne irgendwelche zuvor aufgebrachte Überzüge einfach durch ein bis zur Verflüssigung erhitztes Germaniumlot miteinander verbunden, wobei zur Herstellung der Verbindung ersichtlich eine Erhitzung auf eine wenigstens über dem Schmelzpunkt des Germaniums liegende Temperatur erforderlich ist. Die Verwendung eines Goldüberzugs an dem metallischen Anschlußteil ist dabei nicht vorgesehen, so daß die fertige Verbindungsstelle auch nicht aus der eigangs erwähnten, besonders vorteilhaften Gold- bzw. Blei-Silizium-Legierung besteht, welche wegen ihrer hohen Temperaturbeständigkeit insbesondere für Halbleiteranordnungen mit höherer Verlustleistung vorzuziehen ist.
Aus der deutschen Auslegeschrift 1 032 853 ist die Hestellung von Legierungselektroden an Silizium-Halbleiterkörpern bekannt, wobei eine Germaniumauflage in den Silizium-Halbleiterkörper zur Erzeugung einer gegebenenfalls entsprechend dotierten Legierungselektrode einlegiert wird und sodann an der Außenseite der Auflage in herkömmlicher Weise eine metallische Zuleitung, beispielsweise mit einem Antimonlot, befestigt wird. Bei diesem bekannten Verfahren wird die Germaniumauflage, wie gesagt, zuvor dem Silizium-Halbleiterkörper einlegiert, wofür eine Erhitzung auf eine über dem Schmelzpunkt von Germanium und/oder Silizium liegende Temperatur erforderlich ist. Auch bei diesem bekannten Verfahren ist im übrigen ein Überzug des metallischen Anschlußteils mit Gold oder Blei nicht vorgesehen; die Verbindungszone besteht aus einer Silizium-Germanium-Legierung und nicht, wie bei dem Verfahren gemäß der Erfindung, aus der für Halbleiteranordnungen mit hoher Verlustleistung bevorzugten Silizium-Gold- bzw. Silizium-Blei-Legierung.
Es ist ferner aus der deutschen Auslegeschrift 1 074160 ein Verfahren zur Herstellung mindestens nahezu sperrschichtfreier Elektroden an Halbleiterkörpern bekannt, bei dem auf die zu kontaktierende Halbleiterfläche, z.B. Siliziumoberfläche, eine erste Metallschicht, z.B. eine Germaniumschicht, und hierüber eine zweite Metallschicht aufgebracht wird und an die zweite Metallschicht eine Zuleitung gelötet wird, wobei der Halbleiterkörper und die erste Metallschicht keine Legierung bilden sollen. Auch hier erfolgt die Herstellung der Verbindung also in der herkömmlichen Weise unter Verwendung eines üblichen Lots, so daß die hiermit verbundenen geschilderten Nachteile auftreten.
Weitere Vorteile und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels an Hand der Zeichnung; in dieser zeigt
F i g. 1 in Form eines Blockschemas die einzelnen Schritte des Verfahrens gemäß der Erfindung in einer bevorzugten Aufeinanderfolge,
Fig. 2 eine Silizium-Halbleiteranordnung und einen Teil eines metallischen Trägers, mit welchem die Halbleiteranordnung verbunden werden soll, vor der Herstellung der Verbindung,
F i g. 3 einen vergrößerten Querschnitt durch die nach dem Verfahren gemäß der Erfindung ausgeführte Verbindungsstelle.
Die bevorzugte Ausführungsform des Verfahrens gemäß der Erfindung besteht darin, daß man die Siliziumoberfläche, mit welcher die Verbindung hergestellt werden soll, mit Germanium überzieht, daß man die in dieser Weise überzogene Oberfläche in Berührung mit einem mit Gold überzogenen Träger bringt und daß man sodann die Grenzzone der Verbindungsstelle auf eine Temperatur oberhalb der Eutektikumstemperatur von Gold-Germanium, jedoch unterhalb der Schmelzpunkte der Einzelbestandteile erhitzt. Es ist erwünscht, obzwar nicht wesentlich,
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die Teile während der Herstellung der Verbindung in einem inerten Gas, beispielsweise Stickstoff, zu spülen.
Der Überzug auf dem Träger muß folgende Bedingungen erfüllen: Er muß ein Eutektikum mit Germanium zu bilden vermögen, und die während der Verbindungsphase des Verfahrens erzeugte eutektische Schmelze muß Silizium zu lösen vermögen; die Löslichkeit von Silizium in der Schmelze ist eine unerläßliche Bedingung für die Erzielung einer zuverlässigen Verbindung. Gold und Blei erfüllen diese Anforderungen und gestatten die Herstellung ausgezeichneter ohmscher Verbindungen zwischen Silizium und einem metallischen Träger.
Die Überzüge aus Germanium einerseits und Gold oder Blei andererseits können nach einem beliebigen bekannten Verfahren aufgebracht werden, beispielsweise durch Elektroplattieren oder Abscheidung im Vakuum.
Die Verbindung kommt durch Erzeugung eines Gold-Germanium-Eutektikums zustande, welches die flüssige Phase einleitet. Während der Bildung des Eutektikums wird die Germaniumgrenzfläche absorbiert, wobei das freigelegte Silizium eine teilweise Auflösung in der entstehenden Schmelze erfährt. Metallographische Untersuchungen der Grenzzone ergeben, daß die Verbindung durch ein Gold-Silizium-Legierungssystem gebildet wird, während das Germanium, das während der Abkühlung in Form diskreter Kriställchen ausfriert, über das gesamte Zweiphasen-System dispergiert ist.
Das Germanium dient offensichtlich zur Abschirmung des Siliziums gegen eine Oxydation während der Herstellung der Verbindung, es erleichtert die Benetzung des Siliziums durch die Gold-Komponente des Systems und trägt so zur Bildung von beständig einheitlichen, zuverlässigen Verbindungen bei. Man darf ferner annehmen, daß das Germanium als ein mildes Spül- und Reinigungsagens bei der Entfernung von Sauerstoff aus dem System dient, und zwar infolge der Bildung von Germaniumdioxyd während der Herstellung der Verbindung, welches durch das vorhandene Germanium zu dem flüchtigen Germaniummonoxyd reduziert wird. Vorzugsweise wird das auf dem Silizium abgeschiedene Germanium mit einer Spuren-Menge eines Stoffes dotiert, der in dem Germanium den gleichen Leitungstyp erzeugt, wie ihn das darüber befindliche Silizium zeigt. Beispielsweise wird bei der Herstellung einer Verbindung mit N-Silizium Antimon und bei der Herstellung einer Verbindung mit P-Silizium Aluminium zugesetzt. Die Verwendung einer derartigen Dotierung ist in der Fachwelt bekannt und bildet keinen Bestandteil der vorliegenden Erfindung.
Zum besseren Verständnis des Verfahrens gemäß der Erfindung wird nunmehr im folgenden eine bevorzugte Ausführungsform an Hand der Herstellung der Verbindung eines Doppel-Diffusions-Planar-Transistors 10 aus Silizium mit einem metallischen Träger 12 aus Kovar beschrieben.
Die eigentlichen, funktioneilen Teile der Halbleiteranordnung spielen für die Erfindung keine Rolle und stellen keinen Teil der Erfindung dar; sie werden daher hier nur kurz beschrieben. Planartransistoren werden gleichzeitig zu Hunderten aus einer einzelnen Platte von Silizium niedrigen spezfischen Widerstands hergestellt. Die einzelnen Transistorplättchen 10 werden sodann nach der Massenherstellung der Anordnungen angerissen und von der Platte abgebrochen. Die Basis 14, der Emitter 16 und die Kontakte 18 werden nach herkömmlichen photomechanischen Verfahren hergestellt und die pn-Schichten durch eine thermisch erzeugte Oxydschicht geschützt.
Nach der Herstellung des funkionellen Teils der Halbleiteranordnung wird die Fläche 21 des Kollektorbereichs 22 durch Läppung oder chemische Ätzung auf die zur Erzielung des gewünschten Kollektor-Widerstandes erforderliche Dicke bearbeitet. Diese Behandlung wird an Luft ausgeführt und bewirkt, daß ein wesentlicher Teil des während der Transistorherstellung erzeugten Oxyd-Überzugs von dieser Oberfläche entfernt wird. Es bleibt eine Siliziumoberfläche zurück, die nahezu Eigenleitungs-Eigenschaft besitzt und nur atomare Oxydschichten aufweist. Ein für diesen Zweck geeignetes Ätzmittel ist eine Lösung von Salpetersäure, Fluorwasserstoffsäure und Essigsäure im Verhältnis von 3 :10 : 3 Volumteilen, die während der Behandlung auf einer Temperatur von etwa 20 bis 25° C gehalten wird. Nach dieser Dickenbearbeitung wird das Plättchen in J eine (nicht dargestellte) Vakuumkammer eingebracht und ein Überzug 24 aus eigenleitendem Germanium oder aus Germanium mit einer geeigneten Dotierung im Wege einer Abscheidung im Vakuum auf die frisch geätzte Siliziumfläche 21 mit einer Dicke von etwa 4500A aufgebracht. Die jeweilige Dicke des Germaniumüberzugs ist nur in dem Sinne kritisch, daß die aus dem Gold und dem Germanium später erzeugte eutektische Schmelze zur Erzeugung einer mechanisch festen Verbindung ausreichen muß. Wie bereits erwähnt, ist es bei der Aufbringung von eigenleitendem Germanium auf N-Silizium vorzuziehen, durch Abscheidung im Vakuum auf dem Germanium einen dünnen Film aus Antimon als Dotierung aufzubringen, um die Art des ohmschen Anschlusses zu verbessern. Diese Phase des Verfahrens wird unter Verwendung eines nichterwärmten Siliziumträgers ausgeführt; die einzige Erhitzung ist diejenige, welche von der Verdampfungs-Wicklung, wie sie gewöhnlich bei Dampfabscheidungsanlagen Verwendung findet, herrührt. Eine Legierung des Germaniums mit dem Silizium ist nicht erforderlich. '
Diese Schritte werden vorzugsweise ausgeführt, während die einzelnen Transistoranordnungen noch integraler Bestandteil der größeren Einzelplatte sind; diese Platte, welche mehrere hundert einzelne Halbleiteranordnungen enthält, wird danach aus der Vakuumkammer herausgenommen und durch Anreißen und Brechen in die einzelnen getrennten Transistorplättchen 10 zerteilt.
Koordiniert hierzu ist nach dem Verfahren gemäß der Erfindung vorgesehen, daß das Teil, mit welchem das Siliziumplättchen verbunden werden soll, mit herkömmlichen Mitteln mit einem Goldüberzug versehen wird. Bei dem gezeigten Beispiel wird die Oberfläche 27 des Kovarträgers 12 elektrolytisch mit Gold 28 plattiert, und zwar mit einer Dicke von etwa 2,5 μΐη. Die Dicke des Goldüberzugs ist, wie die des Germaniums, nur in dem Sinne kritisch, daß ausreichend Material vorhanden sein muß, um die gewünschte mechanische Verbindung zu erzielen.
Nach Herstellung der Überzüge auf der Siliziumoberfläche 21 und der Trägeroberfläche 27 werden diese miteinander in Berührung gebracht und die Grenzzone auf eine Temperatur erwärmt, welche
oberhalb der Temperatur des Gold-Germanium-Eutektikums, jedoch unterhalb der Schmelzpunkte sowohl von Silizium als auch von Gold liegt. Falls erwünscht, beispielsweise in solchen Fällen, in welchen die Anschlüsse zu den Basis- und Emitterbereichen mit einer Gold-Silizium-Eutektikums-Legierung hergestellt sind, kann die zur Herstellung der Verbindung erforderliche Temperatur auf einen Wert herabgesetzt werden, der unterhalb der Temperatur liegt, bei welcher das Gold-Silizium-Eutektikum eine Verflüssigung erfährt, um auf diese Weise jede Beeinträchtigung der Basis- und Emitteranschlüsse zu vermeiden. Dieser Schritt kann durch Erhitzung der Gesamtanordnung nach einem von mehreren kommerziell verfügbaren Verfahren erfolgen, beispielsweise durch Erhitzen der Anordnung in einem Ofen, oder bevorzugt in der Weise, daß man einen elektrischen Strom durch den Träger leitet, und zwar mittels zweier in Kontakt mit dem Träger gebrachten, zu beiden Seiten des Verbindungs- zo bereichs angeordneten Elektroden. Diese Technik ist in der Fachwelt wohl bekannt, so daß eine gesonderte Darstellung und weitere Ausführungen hierzu nicht erforderlich sind. Bei der Anwendung dieses zuletzt erwähnten Verfahrens wirkt der Kovar- as Träger 12 beim Stromdurchgang als' Widerstandsheizelement und liefert die zur Verbindung erforderliche Temperatur. Zum Zweck der Temperaturregelung kann in dem elektrischen Stromkreis ein Variac (Autotransformator) vorgesehen sein. Um jede Möglichkeit einer Oxydbildung auszuschließen, wird diese Phase des Verfahrens gemäß der Erfindung vorzugsweise in einer inerten Atmosphäre ausgeführt. Jedoch kann das Verfahren gemäß der Erfindung mit zufriedenstellendem Ergebnis auch in normaler Umgebungsluft durchgeführt werden. Eine bevorzugte Ausführungsform besteht darin, daß man den Bereich während der Herstellung der Verbindung mit Stickstoff spült, und zwar mittels Düsen, welche auf die Behandlungszone gerichtet sind.
Wie bereits weiter oben erwähnt, zeigen metallographische Schnitte durch die Verbindung, daß diese durch ein Gold-Silizium-Legierungssystem hergestellt wird, wobei das Gold den Germaniumüberzug vollständig absorbiert und eine teilweise Auflösung des Siliziumkörpers hervorruft. F i g. 3 zeigt eine Vergrößerung der Verbindungszone; darin ist die Gold-Silizium-Grenzschicht 30 graphisch angedeutet, in welcher diskrete Germanium-Kriställchen 32 dispergiert sind, welche während der Abkühlung aus der Lösung ausgefällt werden. Aus dieser Tatsache kann man schließen, daß das Germanium die Herstellung der Verbindung durch Bildung eines Eutektikums mit niedrigem Schmelzpunkt erleichtert und des weiteren als Abschirmung dient, welche die darunter befindliche Siliziumoberfläche durch Vermeidung einer Oxydation derselben bis zur vollständigen Fertigstellung der Verbindung unversehrt hält, ein Merkmal, welches die Lagerfähigkeit der Anordnung zu sätzlich verbessert. Germanium besitzt den weiterei Vorteil, daß es wesentlich weniger zur Oxydbilduns neigt als Silizium, mit der Folge, daß man ein< wesentlich saubere Verbindung erhält, ohne daß dii Notwendigkeit einer übermäßigen Sorgfalt bei de Herstellung besteht; all diese Faktoren zusammei ergeben ein Verfahren zur Herstellung einer zuver lässigen ohmschen Verbindung mit Silizium, welche: gegenüber den bekannten Verfahren wesentliche Vor teile besitzt.

Claims (5)

P atentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer ohmschei Verbindung zwischen einem Elektrodenbereicl eines Silizium-Halbleiterkörpers und einen metallischen Träger- bzw. Anschlußteil, be welchem die zur Verbindung mit dem Silizium Halbleiterkörper vorgesehenen Oberflächen bereiche des Träger- bzw. Anschlußteils vor de Herstellung der Verbindung mit einem Metal überzogen werden, das mit dem Silizium de Halbleiterkörpers legierfähig ist, und bei welchen auf eine unterhalb der Schmelzpunkte sowohl de Halbleitermaterials als auch des Überzugsmetall liegende Temperatur erhitzt wird, dadurc] gekennzeichnet, daß vor der Herstellun der Verbindung die für die Verbindung vorge sehenen Oberflächenbereiche (21, F i g. 2) de Silizium-Halbleiterkörpers (22) mit einem Ger manium-Überzug (24) versehen werden und de Träger bzw. Anschlußteil (12) mit einem Meta: überzogen wird, das mit Germanium ein Eutekti kum zu bilden vermag, und daß die Grenzzon zwischen dem Germanium-Überzug (24) und der Metall-Überzug (28) auf eine Temperatur obei halb der Eutektikumstemperatur von Germaniur und dem Überzugsmetall erhitzt wird, wobei sie die gesamte Menge des Germaniums löst.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch ge kennzeichnet, daß als Überzugsmetall für de Träger- bzw. Anschlußteil (12) Gold oder BIe verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurc gekennzeichnet, daß der Germanium-Überzu (24) auf dem Silizium-Halbleiterkörper (22 durch Aufdampfen aufgebracht wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurc gekennzeichnet, daß der Germanium-Überzu (24) auf dem Silizium-Halbleiterkörper (22 durch Elektroplattierung aufgebracht wird.
5. Verfahren nach einem oder mehreren de vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenr zeichnet, daß der Germanium-Überzug (24) s dotiert wird, daß er den gleichen Leitungstyp wi die an ihn angrenzende Zone des Silizium-Halt leiterkörpers (22) aufweist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen 009 544/31
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2930789A1 (de) * 1978-07-28 1980-02-07 Tokyo Shibaura Electric Co Halbleitervorrichtung
DE2930779A1 (de) * 1978-07-28 1980-02-07 Tokyo Shibaura Electric Co Halbleitervorrichtung

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3339274A (en) * 1964-03-16 1967-09-05 Hughes Aircraft Co Top contact for surface protected semiconductor devices
US3292241A (en) * 1964-05-20 1966-12-20 Motorola Inc Method for connecting semiconductor devices
US3411051A (en) * 1964-12-29 1968-11-12 Texas Instruments Inc Transistor with an isolated region having a p-n junction extending from the isolation wall to a surface
US3571915A (en) * 1967-02-17 1971-03-23 Clevite Corp Method of making an integrated solar cell array
US3492719A (en) * 1967-03-10 1970-02-03 Westinghouse Electric Corp Evaporated metal contacts for the fabrication of silicon carbide devices
US3443175A (en) * 1967-03-22 1969-05-06 Rca Corp Pn-junction semiconductor with polycrystalline layer on one region
US3577631A (en) * 1967-05-16 1971-05-04 Texas Instruments Inc Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture
US3665589A (en) * 1969-10-23 1972-05-30 Nasa Lead attachment to high temperature devices
US3680196A (en) * 1970-05-08 1972-08-01 Us Navy Process for bonding chip devices to hybrid circuitry
US3680199A (en) * 1970-07-06 1972-08-01 Texas Instruments Inc Alloying method
US3716907A (en) * 1970-11-20 1973-02-20 Harris Intertype Corp Method of fabrication of semiconductor device package
US3869787A (en) * 1973-01-02 1975-03-11 Honeywell Inf Systems Method for precisely aligning circuit devices coarsely positioned on a substrate
US3902936A (en) * 1973-04-04 1975-09-02 Motorola Inc Germanium bonded silicon substrate and method of manufacture
US4078711A (en) * 1977-04-14 1978-03-14 Rockwell International Corporation Metallurgical method for die attaching silicon on sapphire devices to obtain heat resistant bond
JPS59213145A (ja) * 1983-05-18 1984-12-03 Toshiba Corp 半導体装置及びその製造方法
US5693574A (en) * 1991-02-22 1997-12-02 Deutsche Aerospace Ag Process for the laminar joining of silicon semiconductor slices
US7400042B2 (en) * 2005-05-03 2008-07-15 Rosemount Aerospace Inc. Substrate with adhesive bonding metallization with diffusion barrier
US7538401B2 (en) 2005-05-03 2009-05-26 Rosemount Aerospace Inc. Transducer for use in harsh environments
US7628309B1 (en) * 2005-05-03 2009-12-08 Rosemount Aerospace Inc. Transient liquid phase eutectic bonding
US20070013014A1 (en) * 2005-05-03 2007-01-18 Shuwen Guo High temperature resistant solid state pressure sensor
US7820474B2 (en) 2007-01-09 2010-10-26 International Business Machines Corporation Metal catalyzed selective deposition of materials including germanium and antimony
JP5341107B2 (ja) * 2008-01-25 2013-11-13 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 金属触媒を使った、ゲルマニウムおよびアンチモンを含む材料の選択的堆積法
US20140102529A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-17 Emcore Solar Power, Inc. Solar cell interconnect assembly and method for manufacturing the same
CN103646882A (zh) * 2013-11-27 2014-03-19 江苏艾特曼电子科技有限公司 一种用于圆片级封装的共晶键合材料系结构
EP3226282A1 (de) 2016-03-31 2017-10-04 Techni Holding AS Nicht eutektisches verbindungsverfahren mit bildung eines mischkristalls mit poröser struktur mit darin dispergierter zweiter phase und entsprechende verbindung

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2555001A (en) * 1947-02-04 1951-05-29 Bell Telephone Labor Inc Bonded article and method of bonding
DE1032853B (de) * 1954-07-27 1958-06-26 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Legierungskontakten auf einem Halbleitergrundkoerper aus Silizium
DE1074160B (de) * 1957-12-12 1960-01-28 LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M Verfahren zum Herstellen von mindestens nahezu sperrfreien Elektroden an elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnungen
DE1090327B (de) * 1957-02-25 1960-10-06 Philco Corp Verfahren zur Herstellung von Elektrodenanschluessen bei Halbleiteranordnungen mit wenigstens einer Legierungselektrode
DE1100818B (de) * 1958-09-24 1961-03-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen scheiben-foermigen Grundkoerper aus Silizium
DE1110321B (de) * 1958-09-30 1961-07-06 Siemens Ag Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Siliziumkoerper
US3025439A (en) * 1960-09-22 1962-03-13 Texas Instruments Inc Mounting for silicon semiconductor device
GB918889A (en) * 1960-07-01 1963-02-20 Siemens Ag Improvements in or relating to semi-conductor arrangements and to methods of making such arrangements

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE539442A (de) * 1954-07-01
US2763822A (en) * 1955-05-10 1956-09-18 Westinghouse Electric Corp Silicon semiconductor devices
US2960008A (en) * 1957-02-25 1960-11-15 Otis J Mccullough Perforating gun
US2922092A (en) * 1957-05-09 1960-01-19 Westinghouse Electric Corp Base contact members for semiconductor devices
US3128545A (en) * 1959-09-30 1964-04-14 Hughes Aircraft Co Bonding oxidized materials

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2555001A (en) * 1947-02-04 1951-05-29 Bell Telephone Labor Inc Bonded article and method of bonding
DE1032853B (de) * 1954-07-27 1958-06-26 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung von Legierungskontakten auf einem Halbleitergrundkoerper aus Silizium
DE1090327B (de) * 1957-02-25 1960-10-06 Philco Corp Verfahren zur Herstellung von Elektrodenanschluessen bei Halbleiteranordnungen mit wenigstens einer Legierungselektrode
DE1074160B (de) * 1957-12-12 1960-01-28 LICENTIA Patent-Verwaltungs-G.m.b.H., Frankfurt/M Verfahren zum Herstellen von mindestens nahezu sperrfreien Elektroden an elektrisch unsymmetrisch leitenden Halbleiteranordnungen
DE1100818B (de) * 1958-09-24 1961-03-02 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem einkristallinen scheiben-foermigen Grundkoerper aus Silizium
DE1110321B (de) * 1958-09-30 1961-07-06 Siemens Ag Legierungsverfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einem Siliziumkoerper
GB918889A (en) * 1960-07-01 1963-02-20 Siemens Ag Improvements in or relating to semi-conductor arrangements and to methods of making such arrangements
US3025439A (en) * 1960-09-22 1962-03-13 Texas Instruments Inc Mounting for silicon semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2930789A1 (de) * 1978-07-28 1980-02-07 Tokyo Shibaura Electric Co Halbleitervorrichtung
DE2930779A1 (de) * 1978-07-28 1980-02-07 Tokyo Shibaura Electric Co Halbleitervorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US3200490A (en) 1965-08-17
GB1058250A (en) 1967-02-08

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