DE1764518A1 - Verfahren zur Herstellung von pyramidenstumpffoermigen Halbleiterelementen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von pyramidenstumpffoermigen HalbleiterelementenInfo
- Publication number
- DE1764518A1 DE1764518A1 DE19681764518 DE1764518A DE1764518A1 DE 1764518 A1 DE1764518 A1 DE 1764518A1 DE 19681764518 DE19681764518 DE 19681764518 DE 1764518 A DE1764518 A DE 1764518A DE 1764518 A1 DE1764518 A1 DE 1764518A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- tool
- plate
- knife edges
- knife
- main surfaces
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001315 Tool steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 102000011842 Serrate-Jagged Proteins Human genes 0.000 description 1
- 108010036039 Serrate-Jagged Proteins Proteins 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007306 turnover Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
- B28D5/042—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with blades or wires mounted in a reciprocating frame
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T83/00—Cutting
- Y10T83/04—Processes
- Y10T83/0524—Plural cutting steps
- Y10T83/0572—Plural cutting steps effect progressive cut
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
DR. E. WIEGAND DIPL-ING. W. NIEMANN 1764
DR. M. KÖHLER DIPL-ING. C. GERNHARDT
MÖNCHEN HAMBURG
telefon= 395314 2000 H AMBU RG 50, jo
TELEGRAMMErKARPATENT KDNIGSTRASSE 28 *
W. 25268/68 12/ES
Westinghouse Brake and Signal Company Limited,London (England)
Verfahren zur Herstellung von pyramidenstumpfförmigen
Halbleiterelementen.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Bilden pyramidenstumpfförmiger Elemente aus einem Scheibchen
oder Plättchen, und sie ist auf die Herstellung von Halbleiterelementen anwendbar.
Die Erfindung schafft ein Verfahren zur Herstellung von pyramidenstumpfförmigen Halbleiterelementen, gemäß
welchem in einem aus Halbleitermaterial bestehenden Plättchen, das gegenüberliegende Hauptflächen hat, ein pn-übergang
gebildet wird, der sich parallel zu den Hauptflächen des Plättchens erstreckt und zwischen diesen liegt, und danach
das Plättchen mittels einer Mehrzahl sich kreuzender Schnitte
109832/1360
1 76A518
in eine Mehrzahl einzelner Halbleiterelemente geschnitten wird, wobei die Seitenwände jedes Schnittes in einem anderen
Winkel als 90° gegen den pn-übergang geneigt sind.
Das Schneiden des Plättchens kann dadurch erfolgen, daß eine oszillierende Berührung zwischen dem Plättchen und
einem geformten Schneidwerkzeug hervorgerufen wird. Es können verschiedene Formen des Werkzeugs verwendet werden. So kann
das Werkzeug eine oszillierende bwz. sich hin- und herbewegende Klinge mit gegeneinander geneigten Seitenflächen sein. Stattdessen
kann auch eine Mehrzahl solcher Klingen verwendet werden, die parallel zueinander angeordnet sind.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens
nach der Erfindung wird eine oszillierfcende Berührung zwischen dem Plättchen und einem Werkzeug herbeigeführt, das eine
Mehrzahl von Schneidteilen oder Messerkanten aufweist, deren jede einen Querschnitt hat, der von ihrer Schneidteilen
oder Messerkanten aufweist, deren jede einen Querschnitt hat, der von ihrer Schenidkante aus zunimmt, so daß er dem
gewünschten Schnittwinkel (und damit dem Winkel zwischen den sich gegenüberliegenden konvergierenden Flächen der zu
erzeugenden Elemfcente) entspricht, wobei die Schneidteile bzw. Messerkanten unbeweglich in paralleler Lage zueinander
angeordnet sind.
Ein solches Werkzeug kann von einstückiger Ausführung sein und an seiner einen Fläche eine Mehrzahl von Messerkanten
f09832/1360
aufweisen. Stattdessen können die Messerkanten jeweils an einem einer Mehrzahl von Teilen vorgesehen sein, die aneinandergrenzend
in unbeweglicher paralleler Lage in bezug aufeinander befestigt sind, und in diesem Fall können die Gleider in einem
starren Träger befestigt sein. Die Breite der Mehrzahl von Messerkanten kann größer als die Breite des Plättchens sein, und
die Länge der Messerkanten ist vorzugsweise größer als die Länge des Plättchens.
Der Messerkante bzw. den Messerkanten kann während der Sohwingbewegung des Werkzeuges ein S -hleifmittel zugeführt
werden, oder es kann ein Schleifmittel in Pastenform auf das Plättchen vor dem Inbewegungsetzen des Werkzeuges aufgebracht
worden sein.
Das Plättchen kann während der Durchführung des Verfahrens an der einen Fläche einer Glasplatte befestigt sein, die mit
ihrer gegenüberliegenden Fläche an einem Träger befestigt ist. Das Plättchen, die Glasplatte und der Träger können mittels
Wachs aneinanaerbefestigt sein.
Es ist gefunden worden, daß bei Verwendung eines Werkzeuges, das eine aus einem massiven Block gebildete, zweckentsprechende
gezahnte Schneidplatte aufweist, pyramidenstumpfförmige
Halbleiterelemente mit hohem Genauigkeitsgrad auf wirtschaftliche und im wesentlichen kontinuierliche Weise
erzeugt werden können. Dieses Ergebnis ist überraschend, da, wenn ein Werkzeug mit getrennten Klingen verwendet wird, die
109832/1360
Zwischenräume zwischen den Klingen eine kontinuierliche Zufuhr eines Schleifmittelschlammes zu der Schneidkante der Klingen
ermöglichen, um das Schleifen des Plättchens zu bewirken. Wenn ein aus einem massiven Block gebildetes Werkzeug verwendet
wird, ist dies offensichtlich schwieriger, jedoch sind in hohem Ausmaß zufriedenstellende Ergebnisse durch das einzige
Aufbringen von Schleifmittel in Pastenform erhalten worden. Ein weiterer Vorteil der gezahnten Schneidplatte gegenüber
getrennten Klingen besteht darin, daß bei jedem Druchgang die Hinterkante der Platte das Plättchen überlaufen kann, was
zu einer gleichmäßigeren Abnutzung der Schneidplatte führt.
Ss können zahlreiche Änderungen der Gestaltung einer
massiven Schneidplatte angewendet werden. Vorzugsweise ist der Radius der Kanten der Zahnungen nicht größer als etwa 0,05 mm
(0,002"). Das Zahnen der Schneidplatte kann bequem und billig
nach vielen bekannten Verfahren ausgeführt werden, und die erhaltene Platte ist billig im Vergleich mit Mehrklingenpaketen
und Diamanträdern. Zusätzlich zu der anfänglichen Wirtschaftlichkeit besteht ein weichtiger Vorteil darin, daß, wenn die Form
der Zahnungen bis zu unannehmbaren Grenzen abgenutzt 1st, sie schnell und wirtschaftlich auf die ursprüngliche Genauigkeit
nach geschliffen werden kann. Es ist auch wirtschaftlich, zwei oder mehrere ähnliche gezahnte Platten vorzusehen, so daß eine
neue Platte in die Maschine schnell eingesetzt und verwetJnet
werden kann, während die abgenutzte Platte nachgeschliffen wird«
10 9 8 3 2/1360 «AD 0WGINAL
Es ist weiterhin praktisch, beide Selten der Platte zu zahnen, so daß nach Abnutzung einer Seite die Platte umgedreht
und wieder in den Plattenhalter eingesetzt werden kann. Ausführungsformen der Erfindung werden nachstehend
an Hand der Zeichnung beispielsweise erläutert.
Fig. 1 ist eine Ansicht, an Hand welcher das Herstellungsverfahren
erläutert wird. Fig. 2 ist eine schaubildliche Ansicht eines erhaltenen
Halbleiterelementes.
Fig. 3 bis 6 zeigen verschiedene Ausführungsformen
Fig. 3 bis 6 zeigen verschiedene Ausführungsformen
von Werkzeugen.
Wie in Fig. 1, die lediglich eine Teilansicht der Gesamtausführung
ist, dargestellt, ist ein Plättchen 1 uas Halbleitermaterial, in welchem in pn-Ubergang 2 gebildet ist,
mittels einer Wachsschicht 3 an einer Glasplatte 4 befestigt,
die ihrerseits mittels einer Wachsschicht 9 an einem Träger 5 befestigt ist. Das Plättchen 1, das in der vorstehend beschriebenen
Weise auf dem Träger 5 angebracht ist, wird dann unter einem Schneidwerkzeug angeordnet, das eine Reihe parallel
angeordneter, mit Messerkanten versehener Klingen 6 aufweist, von denen in Fig. 1 nur eine im Querschnitt dargestellt ist.
Jede* der Klingen 6 hat gegeneinander geneigte Seiten 7, und
die Klingen sind so angeordnet, daß sie in ihrer Längsrichtung über aas Plättchen 1 hin- und herbewegt werden können. Den
Klingen 6 wird dann ein Schleifmittel zugeführt, und danach
109832/1360
werden sie in Berührung mit dem Plättchen 1 gesenkt, so daß, wenn die Klingen 6 hin- und herbewegt and in das Plättchen 1
vorgeschoben werden, jede Klinge durch das Plättchen hindurchschneidet und etwas in die Glasscheibe 4 einschneidet, wobei
sie das in Pig. I durch gestrichelte Linien angedeutete Material 8 entfernt.
Nachdem die Klingen 6 auf die erforderliche Tiefe geschnitten haben und danach zurückgezogen sind, wird das
Plättchen 1 um 90° gedreht, wonach der Schneidvorgang wiederholt
wird, so daß das Plättchen in eine Mehrzahl von in Draufsicht quadratischen Elemeten geteilt wird, deren jedes
die in Fig. 2 wiedergegebene Gestalt hat, d.h. jedes Element hat quadratische Endflächen und schräge Seitenflächen, so daß
es die Form eines vierseitigen Pyramidenstumpfes hat.
Bei der oben beschriebenen Ausführung ist das Werkzeug als ein Werkzeug gekennzeichnet, das eine Reihe parallel angeordneter,
mit Messerkanten versehener Klingen 6 aufweist, jedoch kann das Werkzeug stattdessen auch die in Fig. J5 wiedergegebene
Form haben, gemäß welcher das Werkzeug von einstückiger Ausführung ist und an seiner Fläche Io eine Mehrzahl von Messerkanten
ausgebildet ist.
In Fig. 4 ist eine abgewandelte Ausführungsform des
Werkzeuges wiedergegeben, die derjenigen gemäß Pig. 3 mit der Ausnahme allgemein ähnlich ist, daß das Werkzeug mit einer
Mehrzahl von zu seiner die Messerkanten aufweisenden Fläche
109832/1360
durchgehende öffnungen 11 versehen ist, durch welche hindurch
den Messerkanten Schleifmittel zugeführt werden kann. In Fig. 4 isc die Seite des Werkzeuges wiedergegeben, die der
die Messerkanten aufweisenden Fläche gegenüberliegt.
Eine weitere abgewandelte Ausführungsform des Werkzeuges
ist in Fig. 5 wiedergegeben. Dieses Werkzeug hat eine ähnliche Gestalt wie das Werkzeug gemäß Fig. 3, jedoch sind bei ihm
Nuten 12 eingeschnitten, die sich quer zu den Messerkanten erstrecken.
Bei einer weiteren in Fig. 6 wiedergegebenen Ausführungsform des Werkzeugs sind die Messerkanten an geeigneten Metallroll.m
oder -stangen 15 durch Erzeugen von Umfangsnuten 16 gebildet. Eine ausgewählte Anzahl von Rollen 15 ist in einem
Rahmen 13 in enger Berührung miteinander drehbar angeordnet
und in einer Winkelstellung mittels Muttern 14 festgelegt.
Jede Rolle wird, wenn sie abgenutzt ist, um etwa 10° gedreht, um eine neue Schneidfläche darzubieten, wonach die Rollen
in ihrer neuen Stellung wieder festgelegt werden. Dadurch werden nicht nur J56 verschiedene Stellungen ermöglicht, sondern
es können auch die Rollen nach endgültiger Abnutzung bequem
auf die ursprüngliche,Form nachgeschliffen werden.
Die Erfindung wird nachstehend an Hand von Beispielen näher erläutert.
109832/1360
Zwei Siliciumplättchen mit einem Durchmesser von etwa 28,6 mm (1 1/8") und einer Dicke von etwa 0,203 mm (0,008")
wurden Seite an Seite mit einem geeigneten Bindemittel auf einer Werkstückhalteplatte angeordnet, um dann in nramidenstumpfförmige
Elemente gemäß Fig. 2 mit einer Basisabmessung von etwa 0,56 mm (0,022") und Seitenwinkeln von 6o° geschnitten
zu werden. Eine Schneidplatte aus Werkzeugstahl gemäß Pig. wurde vorgesehen, deren Zahnungen einen Winkel von 60° und
einen Abstand zwischen den Kämmen von etwa 0,66 mm (0,026") hatter Die Platte hatte eine Abmessung von etwa 127 x 5Ox 19 mm
(5" x 2" χ 3Λ"). Der Radius der Kämme betrug etwa 0,050 mm
(0,002"). Geschmolzene Tonerde mit einer Partikelgröße von 3 Mikron wurde mit einer Wachsemulsion zu einer Paste
bereitet, und eine kleine Menge davon wurde auf jedes Plättchen aufgebracht. Die Schneidplatte wurde in einem Halter angeordnet,
und der Belastungsdruck auf etwa 0,68 kg (1,5 lbs.) eingestellt. Die Maschine wurde dann mit 85 Schwingungen je Minute oszillieren
gelassen. Die Schneidgeschwindigkeit in der ersten Richtung betrug etwa 0,0524 mm (0,001") Je Minute, und der gesamte
Schnitt dauerte 10 Minuten. Die Werkstückplatte wurde dann abgenommen, um 90° gedreht und wieder angeordnet. Die Arbeitsweise
wurde dann unter den gleichen Bedingungen wiederholt,
BAD ORIGINAL
109832/1360
jedoch wurde die Schneidgeschwindigkeit in dieser zweiten Richtung beträchtlich erhöht und der Schneidvorgang wurde
in 5 Minuten vollendet. Das erhaltene pyramidenstumpfförmige Element hatte eine Basisseitenabmessung von etwa 0,56 mm
(0,022") im Quadrat und eine Oberseitenatomessung von etwa 0,30 mm (0,012") im Quedrat, wobei saubere gerade Winkelseiten
vorhanden waren und keine Absplitterung auftrat.
Es wurden seiben weitere Partien geschnitten, wobei die
Abmessungen jedes erhaltenen Elementes noch innerhalb annehmbarer Grenzen lagen, wonach die Abnutzung an den Kämmen
der Zähne 0,050 mm (0,002") betrug.
PiIr einen besonderen Test wurden Löcher von 3,17 mm
(1/8") Durchmesser durch die SehneidplatteH gemäß Beispiel 1
gebohrt, um ein Werkzeug von der in Fig. 4 wiedergegebenen Art zu erzeugen, wobei ein geradliniges Muster gebildet wurde,
in welchem die Löcher einen lichten Abstand von 12,7 mm (0,5") hatten und das Muster um einen Winkel von 22,5 gegen die
Normale der Platte verschoben war. Ein dünner SchleifmittelscHamm
wurde dann der oberen Platte der Schneidplatte während des Arbeitens kontimuierlich zugeführt. Die Schneidgeschwindigkeit
in der ersten Richtung wurde dadurch auf 0,050 mm (0,002") je Minute erhöht.
109832/1360
- Io -
Die Sühneidplatte gemäß Beispiel 1 wurde dadurch abgeändert, daß Nuten von etwa 1,58 mm (I/I6") Breite und
etwa 3,17 mm (1/8") Tiefe quer über die Zahnungen der
Schneidplatte in Abständen von etwa 6,35 mm (l/4"( geschnitten wurden, um ein Werkzeug von der in Fig. 5 wiedergegebenen Art
zuerzagen. Die Sühneidgeschwindigkeit in der ersten Richtung
wurde dadurch auf 0,050mm (0,002") je Minte erhöht.
Die Erfindung kann zur Erzeugung pyramidenstumpfförmiger Elemente aus irgendjeinem Halbleitermaterial, wie Silicium,
Wismuttellurid und Galliumarsenid, angewendet werden.
Die Werkzeuge können aus irgendeinem geeigneten Material, wie Werkzeugstahl, Borkarbid oder Wolframkarbid, hergestellt
werden.
Im Rahmen der Erfindung können verschiedene Abänderungen getroffen werden. Beispielsweise ist es möglich, entweder
das Werkzeug oder das Plättchen schwingen zu lassen und den Vorschub des des Werkzeugs durch das Plättchen hindurch entweder
durch Bewegen des Werkzeuges gegen das Werkstück oder umgekehrt zu bewirken.
BAD ORIGINAL 109832/1360
Claims (12)
1. Verfahren zur Herstellung pyramidenstumpfförmiger
Halbleiterelemente, dadurch gekennzeichnet, daß in einem aus Halbleitermaterial bestehenden Plättchen, das gegenüberliegende
Hauptflächen hat, ein pn-übergang gebildet wird, der sich parallel zu den Hauptflächen erstreckt und zwischen
diesen liegt, und danach das Plättchen mittels einer Mehrzahl
sich kreuzender Schnitte in eine Mehrzahl einzelner Halb- ^|
leiterelemente geschnitten wird, wobei die Seitenwände jedes Schnittes in einem anderen Winkel als 90 gegen den pn-übergang
geneigt sind.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein mit Messerkanten versehenes Schneidwerkzeug über das
Plättchen hin- und herbewegt und in das Plättchen von einer seinei
Hauptflächen her vorgeschoben wird.
3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Werkzeug mit einer Mehrzahl von parallel angeordneten Ä
Messerkanten verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß
ein Werkzeug von einstückiger Ausführung verwendet wird, das
an einer Fläche mit einer Mahrzahl von Messerkanten versehen ist.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Werkzeug verwendet wird, bei dem die Messerkanten an jedem
einer Mehrzahl von Teilen gebildet sind, die aneinandergrenzend
in unbeweglicher paralleler Lage in bezug aufeinander befestigt sind.
109832/1360 BADOmGINAl
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Teile in einem starren Träger befestigt sind.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch
gekennzeichnet, daß die Breite der Mehrzahl von Messerkanten so gewählt wird, daß sie größer als die Breite des Plättchens
ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7» dadurch
gekennzeichnet, daß die Länge jeder Messerkante größer als
A die Breite des Plättchens ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß jeder Messerkante während der Hin- und Herbewegung
des Werkzeuges ein Schleifmittel zugeführt wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß ein solcher Hub des Werkzeuges während seiner Hin- und Herbewegung angewendet wird, daß jede Messerkante
des Werkzeuges das Plättchen überläuft.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis lo, dadurch
gekennzeichnet, daß das Plättchen an einer Fläche einer Glas-
^ platte befestigt wird, die mit ihrer gegenüberliegenden Fläche
an einem Träger befestigt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Befestigung mittels Wachs vorgenommen wird.
109832/1360 BAD OWGlNAL
A3
Leerseite
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB2956067 | 1967-06-27 | ||
| GB2989267A GB1182820A (en) | 1967-06-27 | 1967-06-27 | Manufacture of Semiconductor Elements. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE1764518A1 true DE1764518A1 (de) | 1971-08-05 |
Family
ID=26259972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE19681764518 Pending DE1764518A1 (de) | 1967-06-27 | 1968-06-19 | Verfahren zur Herstellung von pyramidenstumpffoermigen Halbleiterelementen |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3624677A (de) |
| CH (1) | CH493939A (de) |
| DE (1) | DE1764518A1 (de) |
| FR (1) | FR1571103A (de) |
| GB (1) | GB1182820A (de) |
| NL (1) | NL6808859A (de) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1315479A (en) * | 1970-06-24 | 1973-05-02 | Licentia Gmbh | Method for manufacturing diodes |
| US4097310A (en) * | 1975-06-03 | 1978-06-27 | Joseph Lindmayer | Method of forming silicon solar energy cells |
| US4138304A (en) * | 1977-11-03 | 1979-02-06 | General Electric Company | Wafer sawing technique |
| US4249299A (en) * | 1979-03-05 | 1981-02-10 | Hughes Aircraft Company | Edge-around leads for backside connections to silicon circuit die |
| US5596222A (en) * | 1994-08-12 | 1997-01-21 | The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. | Wafer of transducer chips |
| JP5089643B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2012-12-05 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | 光接続要素の製造方法、光伝送基板、光接続部品、接続方法および光伝送システム |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2743506A (en) * | 1952-02-23 | 1956-05-01 | Int Resistance Co | Method of manufacturing rectifier cells |
| US2784479A (en) * | 1952-03-12 | 1957-03-12 | Gen Electric | Method of manufacturing rectifier plates in multiple |
| GB852003A (en) * | 1958-06-10 | 1960-10-19 | Siemens Edison Swan Ltd | Improvements relating to the production of wafers of semi-conductor material |
| DE1269732C2 (de) * | 1962-12-24 | 1973-12-13 | Verfahren zum herstellen von halbleiteranordnungen | |
| US3332143A (en) * | 1964-12-28 | 1967-07-25 | Gen Electric | Semiconductor devices with epitaxial contour |
| US3326071A (en) * | 1965-03-19 | 1967-06-20 | Norton Co | Dicing machine |
-
1967
- 1967-06-27 GB GB2989267A patent/GB1182820A/en not_active Expired
-
1968
- 1968-06-10 US US3624677D patent/US3624677A/en not_active Expired - Lifetime
- 1968-06-19 DE DE19681764518 patent/DE1764518A1/de active Pending
- 1968-06-24 NL NL6808859A patent/NL6808859A/xx unknown
- 1968-06-26 CH CH950368A patent/CH493939A/de not_active IP Right Cessation
- 1968-06-26 FR FR1571103D patent/FR1571103A/fr not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US3624677A (en) | 1971-11-30 |
| NL6808859A (de) | 1968-12-30 |
| FR1571103A (de) | 1969-06-13 |
| GB1182820A (en) | 1970-03-04 |
| CH493939A (de) | 1970-07-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0120244B1 (de) | Sägeblatt | |
| DE102013212644A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Schleifmittels | |
| DE2238387A1 (de) | Mehrschneidiges zerspanwerkzeug | |
| DE2638362A1 (de) | Fraeswalze fuer eine holzabrichtmaschine | |
| DE3026272A1 (de) | Praezisionsformverfahren fuer wafermaterial und vorrichtung zu dessen durchfuehrung | |
| DE2321477C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Abrichten und Schärfen von Schleifscheiben | |
| CH450949A (de) | Verfahren zum Nachschleifen eines Werkzeugstahles und Schleifmaschine zur Durchführung des Verfahrens | |
| DE1764518A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von pyramidenstumpffoermigen Halbleiterelementen | |
| DE2326189A1 (de) | Metallschneid- und fertigbearbeitungswerkzeug | |
| EP1927444B1 (de) | Hobelmesser | |
| DE1452590B2 (de) | Verfahren zum herstellen von trockenrasierapparat-scherfolien | |
| DE3620807C2 (de) | ||
| DE1602784A1 (de) | Schneideinsatz | |
| DE4203240A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum abrichten einer galvanisierten schleifscheibe | |
| DE3336593C1 (de) | Verfahren zum Herstellen eines zahnrad-,zahnstangen- oder schneckenfoermigen Werkzeugs zum Feinbearbeiten der Zahnflanken von insbesondere gehaerteten Zahnraedern | |
| DE1801986C3 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Zahnringscheibe | |
| DE2510626A1 (de) | Schleifmaterial, insbesondere in form eines biegsamen schleifbandes | |
| DE2519116C2 (de) | Verfahren zum Behandeln von Diamantteilchen | |
| CH458884A (de) | Verfahren zum Schleifen von Zahnflanken | |
| DE3711396C2 (de) | ||
| DE2261417C2 (de) | Werkzeug zum Abrichten von Schleifscheiben | |
| DE926424C (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Ausschnitten in Metallstreifen oder -baendern | |
| EP0051577B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Reibrädern von Pyrophorfeuerzeugen | |
| DE69007693T2 (de) | Werkzeug für die Bearbeitung von nichtmetallischen harten Werkstoffen. | |
| DE535409C (de) | Verfahren zum Schleifen von Fraesern, insbesondere Abwaelzfraesern, auf Profil und Teilung |