DE1764178A1 - Verfahren zur Herstellung von Dioden durch elektrische Impulse - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Dioden durch elektrische Impulse

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tunnel
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DE19681764178
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Carpentier Jacques Le
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Alcatel CIT SA
Nokia Inc
Original Assignee
Compagnie Industrielle de Telecommunication CIT Alcatel SA
Nokia Inc
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10P54/00—
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    • H10P95/80—
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