DE1696075A1 - Verfahren zur elektrolytischen Plattierung einer Halbleiterschicht - Google Patents

Verfahren zur elektrolytischen Plattierung einer Halbleiterschicht

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Description

International Business Machines Corporation« Armonk,
N.Y. 10 504, USA
Verfahren zur elektrolytiechen Plattierung einer Halbleiterschicht
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur elektrolytiechen Plattierung einer Halbleiterschicht· Für viele Anwendungsfälle plattierter Halbleiterschichten sind Plattierungen nach einen bestimmten vorgegebenen Huster, zum Beispiel in Form eines elektrischen Leitungssystems wünschenswert. Dies ist zum Beispiel bei der Verwendung solcher plattierter Halbleiterelemente bei integrierten Schaltungen der Fall.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren der eingangs genannten Art so auszugestalten, dass die Plattierung nach einem vorgegebenen Huster durchgeführt werden kann. Die Plattierung soll dabei entsprechend den sich aus der späteren Anwendung ergebenden Forderungen mit sehr hohem optischen Auflösungsvermögen, das heisst also sehr präzise, nach dem vorgegebenen Huster aufbringbar sein. Schliesslich aollen auch rei ne Husterstrukturen in die Plattierung übertragbar sein.
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Die Erfindung iet dadurch gekennzeichnet, daaa eine Halbleiterachioht au· aaorphea Halbleitermaterial bergaateilt wird« die dann durob lokal· Erhitzung auf der au plattierenden Oberfläcbeneeite lokal in kriatallinen Suatand umgewandelt und dadureb lokal elektriaob leitfibig gemacht wird und daaa dann die elektronische Plattierung nur auf dieeen leitfähig ge~ aaobten Besirken erfolgt.
Die Irfindung saobt aicb den Umetand zunutze, daaa Halbleiter* aaterialien in ihrer amorphen Struktur wesentlich geringere •lektriaobe Leitfähigkeit haben, al· in ihrer kriatallinen Struktur. Dieee Leitfäbigkeitererbältnisse zueinander sind swar τοπ der Dotierung dea Ausgangsbalbleiteraateriala abhängig, aber dia Leitfähigkeit dea kristallinen Materials iet iaaer weeentliob höher ale die dea amorphen Material·. Die Irfindung macht aiob weiter den Uaetand sunuts·, da·· eine aaorpbe HaIbleiteracbiobt durob lokale Srbitaung lokal kristalliaiert werden kann, ao daaa «lob an den Stellen, die lokaler Erhitzung ausgesetzt waren, Bezirke höherer Leitfähigkeit ergeben· Für die elektrolytieche Plattierung iet bekanntlich dia elektrische !leitfähigkeit der unterlage, die plattiert werden eoll, massgebllcb und ean kann leicht die elektrolytische Plattierung einer so vorbereiteten Halbleiterecbiobt ao aneetsen, daae die Plattierung atreng und exakt auf die kristallisierten Bezirke beschränkt ist, auch wenn die amorphen Bezirke eine geringe elektrisobe Leitfähigkeit haben.
Als sehr vorteilhaft für die Erfindung erweist sieb die Tatsache, dass die lokale Erhitzung alt einen Scbreibetrabl durchführbar 1st» Die dementsprechend© Weiterbildung des erfinderischen Yerfabrens ist dadureb gekennzeichnet, dass die lakale Erhitzung durob Bestrahlung der su plattierenden Oberflächeneelte alt einen auf dieee Oberflächeneite fokusslerten Energie strahl erfolgt, der nach Masegabe eines angestrebten Plattlerungsttusters über die Halbleitersohiobt geführt wird. Diese
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Weiterbildung de· erfinderischen Verfahrene seiobnet eich durch •ine eebr einfaohe Uakrietallisierung präsise nach eine» yorgegebenen Muster au·, weil in der Technik Energiestrablen sur Terfttgung stehen, na Beispiel al· Elektronenstrahl oder al· Laserstrahl, die alt bekannten einfachen Mitteln fokussierbsr und auch nach eine» Torgegebenen Kneter aber eine Oberfläche geführt werden kennen· In Verbindung ait soloben Snergieetrab~ len kann die lokal· Irbitsung niobt nur prttsi·· lokalisiert, •ondern auob präsiee dimensioniert werden und eine präsise Diaenslonierung ist la Interesse einer präeieen Flattierung deshalb wünschenswert, weil efne su geringe lokale Erhitzung i nur su einer unvollständigen Kristallisierung und davit su geringerer Leitfähigkeit führt, eine ttbernässige Erhitzung aber unter Umständen auob ffaebbarbecirke kristallisiert, die niobt plattiert werden sollen.
Vorsugsweise wird die aaorpbe Halbleitereohiobt alt der su plattierenden Oberflaebenseite freiliegend flaob auf ein fra- ' gersubstrat aus gut warneisollerendea Material gelegt, bebandelt· Die Verwendung des gut wtraeisolierenden Materials ^ für dae frägersubstrat stellt sicher, dass an der Orenssobiobt Bwisohen Halbleitersohicht und fragersubstrat Hits· niobt Über I dae Irsgereubstrat auf benachbarte, niobt su kristallisierende ' Halbleiterbesirk· einwirken kann. Man iet aber niobt unbedingt ; ä auf die Verwendung eines waraeieolierenden Irägereubstrats angewiesen. Verwendet aan statt dessen ein wärmeleitendes Trägersubetrat, dann ereielt aan die gleiche Wirkung, wenn aan dieses wttbrend der lokalen Xrbitsung der Halbleitereobioht kühlt.
In der Regel genügen für die mieten bier infrage koaaenden Anwendungesweoke fön plattierten Halbleitersobiobten solche in der Stärke einiger Mikron. Bei so dünnen Schiohten wird die Kristallisation aa einfachsten so vorgenoaaen, dass sie
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eiob durob die ganse Seblebtstärke eretreckt, wiewohl aan sie auch auf eine Oberflächenschicht der Halbleitericbicbt besobränken kann, wenn man dl· lokale Erwärmung entsprechend drosselt. Dies let aber bei eebr dünnen Schichten nur sobwierig durchzuführen, weebalb aan in fällen, in denen die Kristallisation niobt die ganse Soblobtstärke erfaseen soll, besser von einer stärkeren Halbleiterscbicht ausgebt.
Wie bereite eingangs erwähnt, ist die Leitfähigkeit dee kristallisierten wie auch des amorphen Halbleiters von einer vorgenommenen Dotierung abhängig» Man kann sieb diesen Umstand eunutse machen und die für die Plattierung erwttnsehten optittalen Leitfähigkeiteverhältnisse «wieeben aaorpben und kristallinen Halbleiterbesirken durob Botierung dee amorphen BalbleiterausgangsDaterials Toreinstellen.
Die Erfindung wird nun anband der beigefügten Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung seigt
figur 1
figur 2
figur 2A
figur 3
figur 4
unter a und b jeweils in Diagraom die fUr die Kristallisation in Gereaniue erforderlichen Temperaturen und die sugebörigen Widerstände,
die lokale Kristallisation einer Halbleiterschiebt mittels eines Blektronenetrahle,
den Schnitt 2k/Zk aus figur 1,
ßobematiecb die elektrolytieche Plattierung einer lokal kristallisierten Halbleiterseblcbt und
eine lokal kristallisierte Halbleiterachicbt, deren kristalline Bereiche an ein aufgebrachtes Leitungssystem angeschlossen sind.
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In figur 1 ist auf der vertikalen Achae der elektrische Widerstand, gesessen bei normaler Umgebungstemperatur und auf der horizontalen Aobse die leaperatur aufgetragen. Bei figur 1A bandelt es siob um diejenige Temperatur, die ein Substrat bei der Verdampfung von Germanium inne hatte, während es siob bei Pigur 1B um die Temperatur bandelt, auf die ein amorphes 0ermaniumsubstrat aufgebeist wurde« Vie aus figur 1A erslobtliob, entsteht bei der Aufdampfung kristallines und amorpbes Germanium, je nach der Substrattemperatur« Der später unter normalen lemperaturbedingungen gemessene Widerstand des kristallinen Germaniums ist um den faktor 10' niedriger als der des amorphen Germaniums, figur 1B seigt, dass der später bei formaltemperatur gemessene Widerstand wesentlich niedriger ist, wenn die Aufbelsung mindesten 425 Grad 0 überechritten bat· so dass sich das ursprünglich amorphe Germanium in kristallines umwandeln kann. Will man diese Umwandlung durob einen Elektronen- oder Laserstrahl ersielen, dann muss durob diesen Strahl das amorphe Germanium auf mindestens 425 Grad lokal, erhitst werden. Sie entsprechenden Temperaturen eur Umwandlung amorphen Silisiums in kristallines Silitium liegen etwas höber als die aus figur 1 ersichtlichen für Germanium.
Will man einen film aus amorphem Material herstellen, der nach der Erfindung behandelt werden soll, dann muss man von einem geeigneten Halbleiter ausgeben und beim Aufbau unterhalb der kritischen temperatur bleiben, so dass der film aus amorphem Material aufgebaut wird und niobt etwa von vornherein aus kristallinem. Das Ausgangsmaterial kann dabei erforderlichenfalls dotiert sein. Wenn man den film gemäss figur 1A durob Anlagerung aus einer Daopf atmosphäre aufbaut, dann erfolgt diese Anlagerung in der Regel auf einem Irägersubstrat und wenn man dieses Srägersubstrat unterhalb von 250 Grad 0 hält,
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dann iat aan aufgrund dtr aus figur 1A ersiobtliohen Teaperaturverblltniese siober, daa* aieh bei eeraaniua dar file in aaorpber 8truktur aufbaut« besiebungsweise anlagert, weil bat •intr Trlgaraubatratteaparatur τοη 250 Grad dar aiob aufbauenda Qeraaniuafila dia kritisch· Temperatur τοη etwa 300 ©rad 0 nioht erreicht.
Man kann «inen asorpben Halbleiter, dar in Tarbindung Mit der Erfindung benutet werden toll» auf vereobiedene Veieen dotieren. Eina Möglichkeit beeteht darin» bei dar YakuuvTerdaapfung gleichseitig daa Halbleitermaterial und dia Dotierung su verdampfen, beziehungsweise aufsudampfen· In einem eolohen fall Buss BMn ?orricbtungen Toreehen, ua daa Miechungaverbaltnie der beiden Komponenten in der Saapfphaae auf dan gewünschten Wert einsuetellen. Nan kann auob bai der Verdampfung τοη eine« Orundaaterial auegehen, daa baralte dotiert iat· In eines aoloben fall bat dar niedergeaoblagene flla aber nioht die gleiche Zueeaaeneetsung wie daa Auagangasaterial« aber ■an kann die ZuaaMienaetsung de· Autgangssaterlala ao wählen, daaa dar dann aufgadaapfte file dia jeweils gewünschte Zueae-■ensetsung hat·
In figur 2 iat alt 10 ein Srägersubstrat, sua Beispiel aus Quare, beseiobnett auf dessen Oberfläche 11 dureb Yakuu»- ▼erdaspfung tine asorphe Sohicbt 12 aus öereaniu« aufgebracht ist. Sie Sobiobt 12 ist etwa 1 Mikron stark. Dia öereaniuasoblobt 12 kann dureb lokale Brbitsung aus ihre» snorphen Ausgangssustand in einen kristallinen Zustand uagesetat werden. In der Praxis wird su diese» Zweck die in figur 2 dargestellte Anordnung» bestehend aus de* Irttgersubatrat 10 und der Sobiobt 12 in ein Yakut» τοη der öröasenordnung 10*' forr gebracht (1 forr ist der Bruok τοη 1 ms Queokailbersäule). Ia Yakuua wird dann »us einer elektronenkanone 14 ein Blektronenstrahl
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liter 41· Oberfläche 17 der 8obiobt 12 geführt. Der llektronefi-•trmhl 1st dabei tnf 41« Oberfläobe 17 fokussiert la dar dargestellten Stellung, alao auf das Punkt 18· Dar Elektronenstrahl 16 wird entlang dar Spuren 21 bie 23 über dia Oberfläche 17 geführt und erbitst dia aaorpbe Schicht 12 entlang dieser Spuren ao stark, dass das OexaaniUB kristallisiert· Wenn nan bei diese· Torgaag dae Irägersubstrat 10 kühlt, dann kann dia aur Auskrietalllelerung des Oeramnliae sugeführte Hitse durob Difuaalun βohne11 abgeführt werden, ao dass da« OeroaniuB aiofa in dar lacbbarsobaft dar Spuren 21 bia 29 niobt soweit erhitsen kann, wla dies sur Auskristallisierung erfor- * derliob iat. Die Uakriatallisierung findet dann nur auf dan Spuren 21 bia 25 atatt und 1st sobarf auf diese begrenst. Via in Figur 2A seicbnerisoh angedeutet, erstreckt siob die üakristallieierung entlang der Spuren 21 bia 2? durob die ganse Stärke dar Schiebt 12 binduroh. Man kann dia Bedingungen auob leicht so wählen, dass die üekristalltsation niobt dia gansa Stärke dar Sobiobt 12 erfasst, sondern auf einen oberfläoblioben Bereich beschränkt ist· Ba Iat Bweekaäealg, aber niobt unbedingt nötig, bei dar ^^kristallisation dae frägeraubatrat au kühlen. Durch eine solche Kühlung kann aan die Srbltaung und dfualt dia ttakrietalliaation scharf auf dia Spur daa Blak« tronenatrabla begrensen. losat es dagegen darauf an« »it «ögliobat wenig Bnargiasufubr eine Umkrietallisation durohsuführen, { dann Terwendat aan swaokaäaalg ale Srägeraubstrat einen Wänaeisolator, so dass die durob den Elektronenstrahl in dar Sobiobt 12 hervorgerufene Wäme niobt ohne weiteres ungenutat abfllessen kann. Der Uakriatalliaationaproaeaa erfasst dann unter TJsatändan auob den Spuren 21 bis 23 benachbarte Besirke der Soblcbt 12, die niobt unaittelbar von dea Elektronenstrahl betroffen eind.
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Die Schicht 12 sollt· »ο stark gewählt «tin, dass die kristallinen Bertiota·, dl· durota lokale Erhiteung wie beschrieben •rseugt werden, für die Leitung des Stroses eur Elektroplattierung und für die Elektroplattieren^ selbst ausreichen. In der Praxis bat es eiob bei besonderen üaetänden als schwierig erwiesen, einen aaorpben Ii1« nur in eines oberflächlichen Bereich der Spuren ausBukristallisleren, es sei denn, dieser file beziehungsweise dieee Sobiobt bat eine entsprechend grosse Stärke. Aus dieses Grunde wird nach der Erfindung voreugsweiee die amorphe 8chicht 12 über die ganse Sohichtetärke bis ssur Oberfläche 11 des darunterliegenden fragersubetrate durobkristalllsiert. Ist das Srägersubstrat ein guter Wäroeieolator, dann lokalisiert sieb die Erhitsungseone auf den Bereich der Spuren de· Elektronenstrahls auob in des Bereich zwischen der Sobiobt 12 und des trägersubstrat 10. Venn van das Trägersubstrat slt genügender Stärke auebildet und aus wenig wärmeleitende» Material ausbildet, dann wird die eingebrachte Hitse eng in des Bereich der erbitsten Verbindung ewisoben der HaIblelterscblobt 12 und des Trägersubstrat 10 gebalten und in ibrer Wirkung auf die Spuren 21 bi· 2? eng begrenst.
figur 3 Migt schesatisoh ein Bad sur Elektroplattierung der Spuren 21 bis 23t die, wie is Text su Figur 2 beschrieben, auskristallislert sind. Bas frägereubstrat 10 sit der wie is fext SBU Figur 2 bebandelten Sobiobt 12 wird zu dieses Zweok in den Behälter 24 gelegt, der sit einer wässrigen Zyanidlösung als Elektroplattierungsbad 26 gefüllt ist. Duroh das Slektroplattierungebad 26 wird entlang der kristallisierten Spuren 21 ein Netall, zum Beispiel Kupfer oder Silber, elektrolytisch aufplattlert.
Mit 28 let eine in das Bad 26 eingetauchte Anode beeeiobnet, die an eine Batterie 32 angeschlossen ist. Der negative Anschluss der Batterie 32 liegt über die Leitung 34 und einen
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verstellbarenWiderstand 36 sowie einen Sobalter 38 an einer elektrisch leitenden Sonde 40. Sie Sonde 1st bis auf ein su einer schärfen Spitze 42 ausgesogenes freies Ende durob einen Isolator 41 isoliert. Die Spitee 42 berührt die Oberfläobe 17 der Schicht 12. öemäes der Sarstellung nach figur 3 i·* bereits entlang der Spuren 22 und 23 jeweils ein Metallstreifen 32A, 23A aufplattiert. Um auch entlang der Spur 21 einen solchen Metallstreifen aufsuplattleren, wird die Spltse 42 der Sonde entlang dieser Spur 21 geführt, wahrend gleichseitig mittels des Widerstandes 36 bei geschlossenes Schalter 38 ein für die Auf plattierung erforderlicher Stromfluas eingestellt wird. Da ' j der kristalline Bereich entlang der Spur 21 wesentlich besser elektrischen Strom leitet als die benachbarten amorphen Bereiche der Schicht 22, bildet sich auf der Spur 21 eine streifenförmige metallische Schicht, die über ihre Breite weitgehend gleiche Stärke bat.
Obwohl der kristalline Bereich entlang der Spur 21 wesentlich grössere leitfähigkeit als die benachbarten amorphen Bereiobe hat, bat der wie eben beschrieben aufplattierte metallische Streifen eine noch viel höhere elektrische leitfähigkeit, so dass dieser Metallstreifen praktisch ein elektrischer Kurzschluss für die darunterliegenden kristallisierten Bereiche der Schicht 12 ist. Bas kristalline Material ist in dieser Weise elektrisch kurzgeschlossen, weil der Widerstand des aufplat- * tierten Metallstreifens in der Grössenordnung von 10 bis 10 0hm pro cm liegt, während der Widerstand des kristallisierten Halbleitermaterial der Schicht 12 auf 10~2 bis 10"5 Ohm pro cm leicht eingestellt werden kann.
Nachdem die so plattierte Schicht 12 aus dem Bad 26 herausgenommen worden 1st, können die aufplattierten, hochgradig elektrisch leitfähigen Metallstreifen 21A bis 23A in üblicher Weise als Stromleiter oder Kontaktverbindungen verwendet werden.
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Anband dar figur 4 wird nun erläutert, wie/besondere Anwendungefälle die krietallieierten Spuren 21 bla 23 an äuesere Leiter angesobloeaen werden können. Geaäea figur 4 iat «it 44 ein elektrieob leitender Babaen beseiobnet, der in bekannter Veiee durob Aufdaapfen ia Vakuum unter Zwischenschaltung einer Maske auf die S oh lobt 12 aufgebracht ist. Von dea Babaen 44 geben Abzweigungen 46 bie 48 aus» die in elektriaobea Kontakt alt den kristallinen Spuren 21 bia 23 ateben. Die in figur 4 dargeatellte Anordnung, bestehend aua den Irägeraubetrat 10, der Schicht 12 und dea aufgebrachten aatallieoben Babaen 44, wird nun In das Bad 26 geataβ figur 3 gebracht, wobei bei eingeschaltete» Stroa die Spitse 42 an irgend einer Stella dea Rabaene 44 alt dieaea in elektrischen Kontakt gebracht wird, eo daaa wieder Metallstreifen 21A bia 23A aufplattiert werden. Wenn aan die Abzweigungen 46 bis 48 für die spätere Anwendung nicht benötigt» kann aan sie Abtragen, aua Beispiel durob Xtaung.
Bei dea Srägeraubetrat 10 bandelt ea sich entweder na einen guten tberalaoben Isolator, aua Beiaplel aus eingeaebaolsenea Quara, oder daa frttgereubattat iat, wenn ea wärmeleitend 1st, während der lokalen Brbitaung geaäse figur 2 von auaaen gekühlt, eo daaa in Jede» fall die alt dea Elektronenstrahl 16 angestrebte lokale Brbitaung und daalt aucbpie lokale Kriatalllaatlon auf dia τοη dea llektronenatrabl tataächlicb betroffenen felle beschränkt ist.
Als Halbleitermaterialien far die Balblelteraoblebt 12 koaaen unter andere» Geraaniu» oder Sillsiu» Infrage· Sowohl bei Sllialua als auch bei Qeraanlua wird die Leitfähigkeit durob die Koneentration einer Dotierung bestiaat. Sie kann entweder I-typiscb oder P-typisoh sein, 8owobl bei Slliaiua ale auch bei eeraanlua let die Leitfähigkeit bei -vorgegebener Dotierungakonaentratlon In der kristallinen Phase stärker als/üer
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aaorpben Fbme· von dieeer Dotlerungskonsentretion abhängig, Di··· Oastande aeoben ·■ augllob, durch Dotierung d·· aaorpben Ausgangeaaterlale dlt Leitfäbigkeiteunterecbiede «wisoben dea aaorpben und dta kristallinen Material Toreintu«teilen.
Bei der praktiecben Anwendung nmob der Erfindung plattierter Halbleitereobicbten, gua Beispiel in Terbindung ait integrierten Schaltungen ist es auch «öf lieh, die aeorpben felle der Halbleiteraobicbt «le aktive oder paeeive Scbaltungeelemente gans oder teilweise alt in die integrierte Sobaltung einmubesieben«
Die Verwendung einee llektronenatrable oder eine· laaeretrable al· Mittel sur lokalen Srbltsung gestattet ee, auf bekannte Mittel sur fokussierung und Ablenkung dieser Strahlen surüek» sugrelfen, wenn die lokale Srbltsung nach einea bestlaaten Muster vorgenoaaen werden soll, daa dann τοη dea Bnergieetrabl, dessen Ablenkung Torprograaalert sein kann, auf die su plattierende Oberflftobensobiobt des Halbleiters quasi geseiobnet wird.
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Claims (1)

  1. 6. Februar 1968
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    ANSPEÜCHE
    1. Verfahren zur elektrolytisches! Plattierung einer HaIbleiterschioht, dadurch gekennzeichnet, dass eine Halbleiterschicht aus amorphen Halbleitermaterial hergestellt wird, die dann, durch lokale Erhitzung auf der zu plattierenden Oberflächenseite lokal in kristallinen Zustand umgewandelt und dadurch lokal elektrisch leitfähig gemacht wird und dass dann die elektrolytische Plattierung nur auf diesen, leitfähig gemachten Bezirken erfolgt.
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die lokale Erhitzung durch Bestrahlung der zu plattierenden Oberflächenseite mit einem auf diese Oberflächenseite fokussierten Energiestrahl erfolgt, der nach Hassgabe eines angestrebten Plattierungsmusters über die Halbleiterschicht geführt wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die lokale Erhitzung mit einem Elektronenstrahl erfolgt.
    4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die lokale Erhitzung mit einem Laserstrahl erfolgt.
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    5. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die amorphe Halbleiterschicht mit der zu plattierenden Oberflttobenselte freiliegend flach auf ein Trägersuhstrat aus gut wärmeieolierendenj ,Material gelegt, bebandelt wird.
    6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5»
    * dadurch gekennzeichnet, dass die amorphe Halbleiterscbiöbt mit der zu plattierenden Oberflächenseite freiliegend flaob auf ein Trägeraubetrat aus wärmeleitendem Material gelegt behandelt wird und daee bei der lokalen Erhitzung der _ Halbleiterschicht das Xrägersubstrat gekühlt wird. "
    7. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnete dass die Halbleiterschicht in einer Stärke im Bereich von einigen Mikron hergestellt wird und dass die lokale Kristallisation durch die ganze Scbichtstärke vorgenommen wird.
    8. Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das für die elektrolytische Plattierung erwünschte Leitfäbigkeitsverbältnis zwischen amorphen und kristallinen Halbleiterbezirken durch Dotierung des amorphen Halbleiterauegangsmaterials voreingestellt wird.
    9· Verfahren nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrolytisohe Plattierung erfolgt, indem mit einer kathotlsch vorgespannten Elektrodenspitze die kristallinen Bezirke einer in ein anodisch vorgespanntes Elektrolytbad gelegten vorbereiteten Halbleiterschicht nachgefahren werden.
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    BAD ORiGtNAU
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    10. Verfahren naoh eine* oder aebreren der Ansprüche 1 bie 8, dadurob gekennseiobnet» daae die elektrolytisch Plattierung erfolgt, indes aunäobet die krietallinen Bezirke einer vorbereiteten Halbleitereobiobt an ein au die β em Zweck auf die Halbleiteraobiobt aufgebrachtes aetallieohes Leitereyete« angeaobloaaen werden und daee dann dieses Leiterayet·» katbodieob yorgeapannt wird» während eich die Halblei te re ob icbt in eines anodiacb vorgespannten Elektrolytbad befindet.
    bad
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