DE1667195A1 - Verfahren zur Herstellung von Halogenwasserstoffsaeuren und von Metalloxiden - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Halogenwasserstoffsaeuren und von Metalloxiden

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DE1667195A1 DE1968M0077101 DEM0077101A DE1667195A1 DE 1667195 A1 DE1667195 A1 DE 1667195A1 DE 1968M0077101 DE1968M0077101 DE 1968M0077101 DE M0077101 A DEM0077101 A DE M0077101A DE 1667195 A1 DE1667195 A1 DE 1667195A1
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Description

MESALIiGESELLSaHAI'I 6 Frankfurt/Main, den 12.2.1970 Aktiengesellschaft DrOz/LPfä
Frankfurt (Main)
Verfahren zur Herstellung von Halogenwasserstoffsäuren und von Metalloxiden.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur !Rückgewinnung öder Gewinnung von Haiοgenwasserstoffsäuren und Metalloxiden durch Spaltung von Halogeniden, die in gelöster 3?orm zur Verfugung stehen, soweit sich diese thermisch mit Hilfe von Sauerstoff oder luft und/oder Wasser zersetzen lassen.
Es ist eine Seihe von Prosessen bekannt, bei denen eine Halogenwasserstofflösung, vorzugsweise Salzsäure, als Aufschlußmittel verwendet wird, beispielsweise zum Aufschluß von Ilmenit, Tonerde usw. Dabei fallen als Reaktionsprodukte Halogenide in gelöster ]?orm an, die in verdünnten Säuren gelöst sind, da es normalerweise nicht möglich ist, die eingesetzte Säure restlos umzusetzen. Diese Lösungen enthalten außerdem Verunreinigungen, die aus dem aufgeschlossenen Material stammen. Voraussetzung für die Rentabilität solcher Aufschlußverfahren ist eine wirtschaftliche Rückgewinnung der eingesetzten Säure.
Im Zusammenhang mit der Regenerierung salasäurehaltiger Beizbäder wurden mehrere Verfahren zur Aufarbeiten eisenchloridhaltiger Beizlösungen entwickelt (vgl. "Stahl und Eisen" 84, 1841 bis 1843 (1964)). Bei Sprühröstverfahren wird bei der Spaltung infolge der kurzen Verweilzeit im Reaktor ein staubförmiges Eisenoxid erhalten. Um zu einem gut transportier-
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>-..'erlagen (Art. / ,·■, Ai)S. 2,.,., Sat2 3 degÄnciBrunfl8flaa v 4 9 m/]
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baren, grobkörnigen und auch wesentlich chlorärmeren Eisenoxid zu kommen, ist es bekannt, die Spaltung in einem Wirbelschichtreaktor bei etwa 800 0 durchzuführen. Diese zur Regenerierung salzsäurehaltiger Beizbäder bekannten Verfahren lassen sich nicht allgemein zur Aufarbeitung von Halogenidlösungen verwenden, da wegen der nur einstufigen Wasserverdampfung die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens nicht ausreichend ist. Die Ausnutzung der Abwärme in einer weiteren Stufe zur Konzentration der lösung ist nur sinnvoll, wenn die zu verarbeitende lösung, beispielsweise Beiabad, sehr verdünnt anfällt. Man kann die Lösung nur bis zu einem Wert von einigen Prodzenten unterhalb der Sättigungskonzentration einengen, da sonst die Gefahr besteht, daß Salzkristalle ausfallen, was bei einem ausgemauerten Apparat unter gleichzeitiger Einwirkung einer hohen Temperatur am Eintritt sehr rasch zu Verkrustungen führen würde. Selbst wenn die Abwärme auf diese Weise voll ausgenutzt werden kann, gelangt noch eine große Wassermenge in den Reaktor, die verdampft werden muß und den Spaltreaktor zusammen mit dem gewonnenen Halogenwasserstoff verläßt. Wegen des hohen Wasserdainpfgehaltes der Spaltgase lassen sich dann in einem einstufigen, adiabatisch arbeitenden Absorber nur Säuren mit verhältnismäßig niederem Halogenwasserstoffgehalt erzielen. Maßnahmen zur Erreichung höherer Konzentrationen sind mit erheblichen Kosten verbunden.
Zur Regenerierung salzsäurehaltiger Beizbäder ist früher ein Verfahren benutzt worden, bei dem das Beizbad zur Aufschärfung mit den Zersetzungsgasen eines Etageofens in Berührung gebracht wurde. Die im Absorber beginnende Kristallisation des Eisenchlorids wurde in einem Kühlkristaller beendet. Die gebildeten Kristalle wurden abgetrennt und in dem Etagenröstofen zersetzt, während die Mutterlauge die regenerierte Beizsäure darstellte. Nach diesem Verfahren ist die Herstellung einer reinen, metallfreien Säure nicht möglich. Es ist deshalb auf die Beizsäureregenerierung beschränkt. Nachteilig ist auch, daß nur ein feinpulveriges Eisenoxid anfällt. Die Zersetzung der abgetrennten Kristalle in
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einem Wirbelschiehtreaktor wäre "bei diesem Verfahren nicht möglich, weil der Wirbelschiehtreaktor wesentlich heißere Zersetaungsgase liefert, so daß stärkere Yerkrustungen im Absorber auftreten würden.
Die Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, ein wirtschaftliches Verfahren zur Herstellung von reinen, d.h.. metallfreien Halogenwasserstoffsäuren und von Metalloxiden aus Lösungen von thermisch zersetzbaren Metallhalogeiiiden anzugeben, wobei die thermische . Spaltung vorzugsweise in einem Wirbelsehichtreaktor durchgeführt werden soll, um ein grobkörniges Metalloxid erhalten zu können,
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Halogenwasserstoffsäuren und von Metalloxiden, bei dem aus einer Halogenidlösung Halogenide auskristallisiert, von der Lösung abgetrennt und thermisch unter Zusatz von Sauerstoff oder Luft r.nd/oä-.-r Wasserdampf zersetzt v/erden. Das erfindungsgeaäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung der zu zersetzenden I-Ialoge-nids in der Zeiteinheit einem 4-bis 20-fachen Mengenstrc-s visier Kreislauf lösung zugesetzt wird, die durch direkten W&lsisaustausch iiit dea. heißen Zersetzungsgasen aufgewärmt und anschließend durch Vakuumverdampfung abgekühlt wird und aus der die bei der Vakuumverdampfung entstehenden Kristalle abgetrennt und thermisch zersetzt werden und die anschließend von neuem in direkten Wärmeaustausch mit den heißen Zersetzungsgasen gebracht wird, wobei sich die Zersetzungsgase abkühlen und anschließend in einen Absorber geleitet wez'den.
Hach der vorliegenden Erfindung wird die lösung der zu zersetzenden Halogenide, im allgemeinen eine halogenwasserstoff saure wäßrige Halogenidlösung, in der Zeiteinheit einem 4- bis 20-fachen Mengenstrom einer Kreislauflösung zugesetzt. Dann wird die Kreislauflösung zusammen mit der zugesetzten Frischlösung in direkten Wärmeaustausch mit den heißen, zweckinäßigerweise vorher entstaubten Zersetzunggasen gebracht. Bei diesem Wärmeaustausch werden die bei
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Verwendung eines Wirbelschichtzersetzungsreaktors etwa 800° 0 heißen Zersetzungsgase auf ca. 80° C abgekühlt. Die Kreislauflösung erwärmt sich bei diesem Wärmeaustausch um ca. 10 bis 50° G. Die Temperatur der aufgewärmten Kreislauflösung bleibt unterhalb des Siedepunktes der lösung. Dadurch wird verhindert, daß aus der Umlauflösung Wasser verdampft wird, das die abgekühlten, in den Absorber gelangenden Zersetzungsgase verdünnen würde. Da die Löslichkeit der Halogenide bei steigender Temperatur zunimmt, besteht keine Gefahr, daß bei dem direkten Kontakt der heißen Zersetzungsgase mit der Umlauflösung Kristalle ausfallen. Gegebenenfalls kann die erwärmte Lösung vor ihrem Eintritt in die Vakuumverdampfung einer weiteren Aufwärmung mit beispielsweise indirektem Dampf oder einem anderen Wärmeträger unterzogen werden. Die der Umlauflösung durch den direkten und gegebenenfalls zusätzlichen indirekten Wärmeaustausch zugeführten Wärme wird ihr in dem Vakuumverdampfer durch Verdampfen von Wasser wieder entzogen. Die Halogenide, die in die Umlauflösung in Form der zugeführten Lösung eingebracht wurden, fallen im Vakuumverdampfer als Kristalle aus. Es ist zweckmäßig, dafür zu sorgen, daß mit den Kristallen möglichst wenig Wasser in den Reaktor gelangt, daher sollte der Umlauflösung vor Eintritt in den Vakuumkristallisator im indirekten Wärmeaustausch die zur erforderlichen Wasserverdampfung noch fehlende Wärmeenergie mittels Frischdampf zugeführt werden, sofern die aus den Zersetzungsgasen stammende Wärmemenge nicht ausreicht.
Die durch Vakuumverdampfung erzeugten Kristalle werden von der Umlauflösung, beispielsweise in einer Zentrifuge, abgetrennt und in einem Zersetzungsofen unter Zusatz von Sauerstoff oder Luft und in Gegenwart des mechanisch und chemisch gebundenen Wassers zu Halogenwasserstoff und Metalloxid thermisch zersetzt. Zweckmäßigerweise wird die thermische Zersetzung in einem Wirbelschichtreaktor durchgeführt. Als Bettmaterial wird vorteilhaft ein Teil des erzeugten Metalloxids verwendet.
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Die von den Kristallen "befreite Umlauf lösung kehrt im Kreis·*· lauf von neuem in das Verfahren zurück.
Die bei der Vakuumverdampfung entstehenden Brüden werden kondensiert und in den Absorber geleitet, in den auoh die abgekühlten Zersetzungsgase eintreten. Zur Kondensation der Brüden wird normalerweise ein Oberflächenkondensator verwendet. Die Entlüftung des Oberflächenkondensator wird in den Absorber vorgenommen, um sicherzustellen, daß eventuell in der Abluft vorhandene Halogenwasserstoffspuren nicht in die Atmosphäre gelangen.
Die Zusammensetzung der Umlauflösung ergibt sioh nach einiger Laufzeit von selbst, wenn man beim Anfahren der Anlage zunächst Wasser oder Halogenidlösung als Kreislauflösung verwendet. Die Umlauflösung stellt im Betriebszustand dann eine Lösung dar, die praktisch an Halogenwasserstoff und dem zu zersetzenden Metallhalogenid oder dem zu zersetzenden Metallhalogenidgemisoh gesättigt ist.
Enthält die der Umlauflösung zuzufügende Itischlösung des zu spaltenden Halogenide noch Verunreinigungen, beispielsweise noch andere Metallhalogenide in vergleichweise geringer Konzentration, dann wird eine kleine Menge der Umlauflösung nach der Abtrennung der Kristalle abgestoßen, wobei ebenso viele Massenanteile an Verunreinigungen aus dem Kreislauf entfernt wie mit der Prisohlösung eingebracht werden. Dadurch wird verhindert, daß sioh die Umlauflösung mit einer Verunreinigung sättigt und dadurch die Verunreinigung auskristallisiert. Zur Verminderung der den abgetrennten Kristallen anhaftenden Verunreinigungen können die Verunreinigungen duroh Waschen der Kristalle verdrängt werden. Es ist zweckmäßig für das Waschen oder Vorwasohen der Kristalle die der Kreislauflösung zuzusetzende Frisohlösung zu verwenden, da hierdurch kein zusätzliches Eintragen von Wasser in den Kreislauf odtr Austragen von Halogenid aus dem Kreislauf
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erfolgt. Durch die Abstoßung eines kleinen Teils der Kreislauflösung wird ein Oxid erzeugt, das nur sehr wenig von der Verunreinigung enthält.
Die aus dem Kreislauf abgestoßene Lösung kann ebenfalls auf Halogenwasserstofflösung unter Gewinnung von Mischoxiden aufgearbeitet werden. Diese Aufarbeitung kann entweder von Zeit zu Zeit in der gleichen Anlage geschehen oder in einer parallelen Kleinanlage, die zweckmäßigerweise ebenfalls nach dem erfindungsgemäßen Verfahren arbeitet.
Erfindungsgemäß wird die lösung mit dem zu zersetzenden Halogenid einem 4- bis 20-fachen Mengenstrom an Kreislauflösung zugesetzt. Die aus dem Kreislauf abgestoßene Flüssigkeitsmenge beträgt im allgemeinen das 0- bis 0,5-fache der dem Kreislauf frisch zugefügten Lösung, je nach dem Gehalt an Verunreinigungen. Palis keine Verunreinigungen in der Frischlösung enthalten sind, braucht auch keine Flüssigkeit aus dem Kreislauf abgestoßen zu werden. In den meisten Fällen verhalten sich die Mengen der in der Zeiteinheit zugefügten Frischlösung A, der in der Zeiteinheit uagewälzten Umlauflösung B und der in der Zeiteinheit aus dem Kreislauf abgestoßenen Lösung 0 wie AiBiC=I : 10 t 0,1t
Die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens kann noch weiter dadurch verbessert werden, daß Brüden aus den heißen Stufen des Vakuumkristallisators zur Aufwärmung eines Teils des kalten Umlauflösung durch indirekten Wärmeaustausch verwendet ward*), sofern eine genügend hohe Temperaturdifferenz eine Auenutzung der Brüden gestattet.
Die Erfindung wird anhand der beiden beispielsweisen schematisohen Figuren und eines Beispiels weiter erläutert.
Die Figur 1 zeigt das Fließschema einer Anlage zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens in Verbindung mit der thermischen Zersetzung in einem Wirbelaohiohtreaktor.
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Die Anlage besteht im wesentlichen aus dem Vakuumkristallisator 1, dem Wirbelschichtreaktor 2 mit dem Zyklon 3, einem Wärmeaustauscher 4» der mechanischen Trennvorrichtung 5 und dem Absorber 6. Zwischen dem Wärmeaustauscher 4 und dem Vakuumkristallisator 1 ist der Heizkörper 7 angeordnet. Die Umlauflösung wird im Kreislauf durch die Leitungen 8, 9, den Wärmeaustauscher 4, die Leitung 10, den Heizkörper 7» die Leitung 11, den Vakuumkristallisator 1, die Leitung 12 durch die mechanische Trennvorrichtung 5 und die Leitung geführt. Zur Umwälzung der Kreislauflösung sind in den Leitungen 12 und 13 Pumpen.14 und 15 angeordnet. Die Frischlösung wird durch Leitung 16 in den Kreislauf eingespeist. Der Wärmeaustauscher 4 ist zweckmäßigerweise als Venturi-Wärmeaustauscher ausgebildet, um auch noch feinste Staubteilchen aus den Zersetzungsgasen zu entfernen. In ihm wird die durch die Leitung 9 ankommende Flüssigkeit durch direkten Wärmeaustausch mit den entstaubten Zersetzungsgasen aufgewärmt. Die erwärmte Umlauflösung wird durch die Leitung 10 in den Heizkörper 7 geführt, in dem sie durch indirekte Beheizung weiter erwärmt wird. Die indirekte Beheizung erfolgt mittels Frischdampf, der dem Heizkörper über die Rohrleitung 17 aufgegeben wird. Die Umlauflösung verläßt den Heizkörper mit einer Temperatur, die unterhalb des Siedepunktes der Lösung liegt. Falls eine zusätzliche Erwärmung im Heizkörper 7 nicht erforderlich ist, wird der Heizkörper 7 aus dem Kreislauf herausgenommen. Hierzu wird das Bypassventil 18 geöffnet und das Ventil 19 geschlossen. Die heiße Umlauflösung gelangt in den Kristallisator 1, wo sie unter Vakuum, vorzugsweise in mehreren Stufen, abgekühlt wird. Dabei kristallisieren die Halogenide gegebenenfalls mit einer der Temperatur entsprechenden Menge Kristallwasser aus und werden über Leitung 12 mit der Umlauflösung ausgetragen und in der mechanischen Trennvorrichtung 5, die vorzugsweise als Zentrifuge ausgestaltet ist, von der Umlauflösung getrennt. Während der klare Überlauf von der Pumpe 15 über die Leitungen 13, 8 und 9 zum Venturi-Wärmeaustauscher 4 gefördert wird, gelangen die feuchten Kristalle
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über die leitung 20 in den Wirbelschichtreaktor 2, wo sie "bei der erforderlichen Temperatur, vorzugsweise 800° 0, gespalten werden. Der Reaktor kann mit flüssigem, gasförmigem oder festem Brennstoff beheizt werden, der ihm über die Leitung 21 zugeführt wird. Die Verbrennung findet ebenfalls, wie die Spaltung, vorzugsweise in einer Wirbelschicht statt; die erforderliche Wirbel- und Verbrennungsluft wird dem Reaktor mittels eines Gebläses 22 durch die leitung 23 aufgegeben. Über die leitung 24 wird aus dem Reaktor kontinuierlich oder diskontinuierlich eine der erzeugten Metalloxidmenge entsprechende Menge Bettmaterial abgezogen. Die Zersetzungsgase gelangen aus dem Reaktor 2 zusammen mit dem erzeugten Halogenwasserstoff durch die Leitung 25 in den Zyklon 3> wo die mitgerissenen Staubteilchen abgeschieden und über die Staubrückführungsleitung 26 wieder in den Reaktor 2 gefördert werden, wo sie weiter wachsen können. Das weitgehend entstaubte Zersetzungsgas tritt durch die leitung 27 in den Venturi-Wärmeaustauscher 4 ein, wo es mit der Umlauflösung, der zuvor noch über leitung 16 die Frischlösung beigemischt und über leitung 28 eine kleine Abstoßmenge entzogen wurde, indirekten Wärmeaustausch tritt. Die Umlaufs öle wird unter Ausnutzung derjfühlbaren Wärme der Zersetzungsgase erwärmt und die Zersetzungsgase gleichzeitig gekühlt. Die entsprechend der Temperatur wassergesättigten abgekühlten Zersetzungsgase gehen zusammen mit dem Halogenwasserstoff durch die leitung 29 in den Absorber 6.
Die im Vakuumverdampfer 1 anfallenden sauren Brüden werden durch die leitung 30 in den Oberflächenkondensator 31 geleitet und in ihm kondensiert. Die Kühlung des Oberflächenkondensators erfolgt mittels Kühlwasser, das über die leitungen und 33 zu- und abgeführt wird. Die Entlüftung des Oberflächenkondensators wird von dem Entlüftungsgebläse 34 vorgenommen, und zwar über die leitungen 35 und 29 in den Absorber 6, um sicherzustellen, daß eventuell in der Abluft vorhandene Halogenwasserstoffspuren nicht in die Atmosphäre gelangen.
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Das im Oberflächenkondensator 31 anfallende saure Kondensat wird von der Kondensatpumpe 36 durch die Leitung 37 dem Absorber 6 an eine der Halogenwasserstoffkonzentration entsprechenden Stelle aufgegeben. Das noch fehlende Absorptionswasser wird in den Absorber am Kopf über die Aufgabeleitung 36 eingebracht. Im Absorber 6 wird dadurch der Halogenwasserstoff durch adiabatische Absorption von dem Tauchgas getrennt. Das halogenwasserstofffreie Rauchgas verläßt den Absorber am Kopf und wird von dem Ventilator 39 in die Atmosphäre gefördert. Die weitgehend metallfreie Halogenwasserstoff säure verläßt den Absorber am Fuße über die Rohrleitung 40*
In Figur 2 ist eine andere ähnliche Anlage zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens dargestellt. Einander entsprechende Teile sind in den Figuren 1 und 2 mit gleichen Ziffern beziffert. Im Gegensatz zu der Anlage der Figur 1 werden bei der Anlage der Figur 2, die Brüden aus der heißen Stufe 41 des Vakuumkristallisators zur Vorwärmung eines Teilstromes der Umlauflösung benutzt. Der Teilstrom der Umlauflösung wird mit der Leitung 42 aus der Leitung 8 abgezweigt und gelangt zunächst in den indirekten Wärmeaustauscher 43» der mit den Bürden aus der heißen Stufe 41 des Vakuumkristallisators beheizt wird. Die Brüden werden aus der Stufe 41 durch Leitung 44 in den Wärmeaustauscher 43 geleitet ι in dem aie kondensiert werden. Das Kondensat wird durch die Leitung 45 dem Kondensat der kälteren Stufe in Leitung 37 zugefügt. Der im indirekten Wärmeaustauscher 43 aufgewärmte Teilstrom der Umlauflösung wird dann in den weiteren indirekten Wärmeaustauscher 46 geleitet, der mit Dampf beheizt wird, der durch Leitung 47 zuströmt. Der bis knapp unterhalb des Siedepunktes der Lösung im Wärmeaustauscher 46 erhitzte Teilstrom der Umlauflösung gelangt durch Leitung 48 in die heiße Stufe 41 des Vakuumkristallisators, in der ihm ein Teil der Wärme durch Vakuumverdampfung entzogen wird. Die etwas abgekühlte Lösung wird durch Leitung 49 in die kältere Stufe 50 des
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Vakuumkristallisators eingeleitet. In diese kältere Stufe gelangt auch durch leitung 10 der andere Teilstrom der Umlauflösung, der im Venturi-Wärmeaustauscher 4 von den heißen entstaubten . Zersetzungsgasen erwärmt worden ist. Die übrige Arbeitsweise dieser Anlage, die besonders wirtschaftlich arbeitet, erfolgt wie bei Figur 1 beschrieben.
Beispiel
In einer Anlage nach Figur 1 wurde eine wäßrige salzsaure Eisenchloridlösung, die auch noch Magnesiumchlorid als Verunreinigung enthielt, auf Eisenoxid aufgearbeitet.
Die in der Zeiteinheit durch die einzelnen Anlagenabschnitte fließenden Materialströme und ihre Zusammensetzung sind aus Figur 3 zu entnehmen.
Im Venturi-Wärmeaustauscher 4 erfolgt eine Erwärmung der Flüssigkeit um 25° 0 durch die ca. 800° 0 heißen Zersetzungsgase, die den Venturi-Wärmeaustauscher mit einer Temperatur von 80° 0 über leitung 29 verließen. Im Erhitzer wurde die Lösung um weitere 20° C erwärmt, wozu in der Zeiteinheit 36 t Frischdampf erforderlich waren. Im Vakuumverdampfer bzw. Vakuumkristallisator 1 wurde die Lösung um 45°C abgekühlt. Zur thermischen Zersetzung der abgetrennten Kristalle wurden 5 t Öl und 75 Nur5 Luft benötigt.
Die aus dem Oberflächenkondensator 31 abfließenden 70,7 t verdünnte Salzsäure hatten eine Konzentration von ca. 8 °/o. Aus dem Absorber 6 flössen 85 t weitgehend metallfreier Salzsäure mit einer Konzentration von ca. 21 $ ab.
Die durch die Leitung 8 zurückkehrende Umlauflösung stellte eine wäßrige annähernd konzentrierte Lösung von Salzsäure und Eisenchlorid dar, die als Verunreinigung noch Magnesiumchlorid enthielt. Um den Gehalt an Magnesiumchlorid nicht anwachsen zu lassen, wurden in der Zeiteinheit 13 m^ Lösung durch die Leitung 28 abgestoßen. Bei der Aufarbeitung der abgestoßenen Lösung erhält man ein Mischoxid aus Fe2O, und MgO.
- Patentansprüche -
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Claims (18)

Patentansprüche
1) Verfahren zur Herstellung von Halogenwasserstoffsäuren und von Metalloxiden, bei dem aus einer Halogenidlösung Halogenide auskristallisiert, von der Lösung abgetrennt und thermisch unter Zusatz von Sauerstoff oder Luft und/ oder Wasserdampf zersetzt werden, dadurch gekennzeichnet, daß die Lösung der zu zersetzenden Halogenide in der Zeiteinheit einem 4- bis,20-fachen Mengenstrom einer Kreislauflösung zugesetzt wird, die durch direkten Wärmeaustausch mit den heißen Zersetzungsgasen aufgewärmt und anschließend durch Vakuumverdampfung abgekühlt wird, und aus der die bei der Vakuumverdampfung entstehenden Kristalle abgetrennt und thermisch zersetzt werden und die anschließend von neuem in direktem Wärmeaustausch mit den heißen Zersetzungsgasen gebracht wird, wobei sich die Zersetzungsgase abkühlen und anschließend in einen Absorber geleitet werden.
2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die bei der Vakuumverdampfung entstehenden Brüden kondensiert und als Absorptionsflüssigkeit in Kontakt mit den abgekühlten Zersetzungsgasen gebracht werden»
3) Verfahren nach den Ansprüchen 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kondensation der Buden in einem Oberflächenkondensator erfolgt.
4) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Umlauflösung zusammen mit der Lösung der zu zersetzenden Halogenide durch direkten Wärmeaustausch mit heißen Zersetzungsgasen mm 10 bis 5O0C aufgewärmt wi:. d,
5) Verfahren nacl. hinein oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Umlauflösung mit der
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lArt. / j, ί Abs. ί ,.r. l S.HZ 3 des ÄnderungsQ.ö. v. 4.9.196/)
Lösung der zu zersetzenden Halogenide nach der Aufwärmung durch direkten Wärmeaustausch mit den heißen Zersetzungsgasen weiter durch indirekten Wärmeaustausch mit Dampf oder einem anderen Wärmeträger aufgewärmt wird.
6) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß der direkte Wärmeaustausch mit ca. 800° 0 heißen Zersetzungsgasen erfolgt.
7) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß die heißen Zersetzungsgase bei dem indiri
kühlt werden.
bei dem indirekten Wärmeaustausch auf etwa 80° G abge-
8) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7» dadurch gekennzeichnet, daß die Zersetzung der abgetrennten Kristalle in einer Wirbelschicht erfolgt.
9) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als Bettmaterial bei der Wirbelschichtzersetzung ein Teil des erzeugten Metalloxids verwendet wird.
10) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9» dadurch gekennzeichnet, daß die Zersetzungsgase vor dem direkten Wärmeaustausch mit der Umlauflösung entstaubt werden,
11) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der aus den Zersetzungsgasen abgeschiedene Staub in den Reaktor zurückgeführt wird. .
12) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Entlüftung des zur Kondensation der bei der Vakuumverdampfung entstehenden Brüden benutzten Kondensators in den Absorber erfolgt.
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13) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 Ms 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein kleiner Teil der Umlauflösung aus dem Kreislauf abgestoßen wird, um den Gehalt an Verunreinigungen in der Umlauflösung klein zu halten.
14) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 "bis 13» dadurch gekennzeichnet, daß als Umlauflösung eine wäßrige Lösung verwendet "Wird, die praktisch an Halogenwasserstoff und dem zu zersetzenden Halogenid oder Halogenidgemisch gesättigt ist.
15) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 Ms 14» dadurch gekennzeichnet, daß die Vakuumverdampfung mehrstufig erfolgt und die Brüden aus den heißen Stufen zur Aufwärmung eines Teilstromes der Umlauflösung benutzt werden,,
16) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 15t dadurch gekennzeichnet, daß die abgetrennten Kristalle vor der thermischen Zersetzung gewaschen werden.
17) Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß die abgetrennten Kristalle vor der thermischen Zersetzung mit Prischlösung gewaschen werden.
18) Verfahren naoh einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 17» dadurch gekennzeichnet, daß als Lösung der zu zersetzendenden Halogenide eine halogenwasserstoffsaure wäßrige Halogenidlösung verwendet wird.
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Leerfeite
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