DE1622302A1 - Verfahren zum photographischen UEbertragen von Strukturen auf Halbleiterkoerper - Google Patents

Verfahren zum photographischen UEbertragen von Strukturen auf Halbleiterkoerper

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DE1622302A1 DE19681622302 DE1622302A DE1622302A1 DE 1622302 A1 DE1622302 A1 DE 1622302A1 DE 19681622302 DE19681622302 DE 19681622302 DE 1622302 A DE1622302 A DE 1622302A DE 1622302 A1 DE1622302 A1 DE 1622302A1
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light
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Description

  • "Verfahren zum photographischen Übertragen von Strukturen auf Halbleiterkörper" Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum photographischen Übertragen von Strukturen auf Oberflachen lichtreflektierender Körper, insbesondere Halbleiterkörper oder mit einer Isolierschicht bedeckter Halbleiterkörper unter Verwendung einer lichtempfindlichen Schicht.
  • Verfahren dieser Art sind heute beispielsweise bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen-zur Erzeugung von Difgusions- oder Ätzmasken allgemein üblich und zusammen mit anschließenden Ätzverfahren unter dem Begriff "Photo-Ätzverfahren" bekannt.
  • So wird beispielsweise, eiie in der Figur 1 gezeigt, beim Herstellen von Diffuzionsmasken auf Halbleiterkörpern auf eine polierte Oberflächenseite 1 eines HalbleiterkOrpers zunächst einmal eine diffusionshemmende Isolierschicht 3, die allgemein aus einem lichtdurchlässigen Oxyd besteht, abgeschieden und dann auf diese Schicht eine Photolackschicht 4 aufgebracht. Durch Belichten und Entwickeln wird die Lackschicht teilweise wieder entfernt und die darunterliegende Isolierschicht durch einen Ätzprozeß bis auf die noch vom Photolack bedeckten Stellen abgetragen. Bei einem bekannten Verfahren erfolgt'beispielsweise die Übertragung der Struktur von Diffusionsfenstern auf die Photolackschicht 4 durch Kontaktkopie (Figur 1), wobei zunächst eine mit der abzubildenden Struktur 5 versehene Maske 6 unmittelbar über der Photolacksthicht 4 angeordnet wird und die Lackscricht dann durch diese Maske hindurch mit enem vollkommen parallelen Lichtbündel 7 belichtet wird. Als Lichtquelle dient dabei beispielsweise eine Quecksilberdampflampe, deren' Lichtstrahlung durch eine Kondensorlinse zu einem parallelen Bündel zusammengefußt wird.
  • Durch die Belichtung mit parallelem Licht entsteht im Photolack ein Bild der Maske mit .guter Konturenschärfe, die nur von Beugungserscheinungen an den Kanten der Maskenstruktur begrenzt wird. Diese Beugungserscheinungen treten jedoch erst bei Strukturen in Erscheinung, die kleiner alc ca. 2/u sind, wodurch sie bisher keine bebesondere Beachtung gefunden haben. Bei Strukturen in der Größenordnung von 1@u und darunter ist jedoch nicht nur die Intensität des gebeugten Lichtes $, sondern auch dessen an der Halbleiteroberfläche 1 reflektierter Teil 9 für die Konturenschärfe von Bedeutung. Dieses erklärt sich dadurch, daß das schräg auf die Halbleiterkörperoberfläche auftreffende erbgebeugte Licht 8 unter. die von den lichtundurchlässigen Bereichen der Photomaske abgedeckten Stellen der lichtempfindlichen Lackschicht reflektiert wird und dort durch unerwünschte Belichtung Unschärfen in den Konturen erzeugt und Nebenbilderlo hervorruft.
  • Die vom einfallenden belichtenden Licht direkt getroffenen Bereiche der Photolackschicht 4 sind dabei in der Figur 1 durch eine senkrechte Schraffur angedeutet, während der vom reflektierten Licht belichtete Bereich der Lackschicht durch eine waagrechte Schraffur gekennzeichnet ist. Ähnliche Konturenunschärfen treten auch dann auf, wenn, wie heute vielfach üblich, zur Belichtung des Photolackes Projektionsverfahren benutzt werden. Diese Verfahren haben den Vorteil,,daß im Gegensatz zur Kontaktkopie keine Berührung zwischen Maske und Photolackschicht stattfindet, die Ausbeute an Halbleiterbauelementen damit steigt und die erheblichen Kosten für den ständigen krsatz von
    durch Beschmutzung mit Photolack. schadhaft gewordener
    1dla,sken entfallen. g
    In der: Figur 2 ist für ein derartiges - Projektorsverfahren
    der Verlauf-des Projektionslichtes im Bereich der, Halble-
    terkörperoberfläche dargestellt'. An die Stelle des bei der
    Kontaktkopie verwendeten parallelen Lichtbündels 7 tritt
    das im -Bildpunkt 1,1 konvergierende abbildende Lichtbündel
    12. Aus verschiedenen Gründen versuch man nun bei der Pro-
    jektionsmaskierung den Winkel. zwischen der Normalen auf
    die als Projektionsebene dienernde fhotolackschicht 4 und der
    Achse des vom Projektor auf diese Ebene treffenden Licht-
    bündels möglIchst klein zu halten, d.h. einen senkrechten
    Lichteinfall zu erzielen:. indem man einen nahezu tele-
    zentrischen ä'.#ahlengeng benutzt. Die Einfallswinkel der
    einzelnen: Strahlen des konvergerennden Lichtbündels 12
    reichen Jedoch- zumindest bis zur Größe des Aperturwinkels -
    13 des abbildenden: Objektivs,- der seinerseits wegen: der
    Beugung im.4bjektiv möglichst groß sein muß. Deshalb
    treten, hervorgerufen durch das an ,der Halbleiterkörper-
    oberfläche reflektierte Licht, bei dieser -sogenannten -
    Projektior:snia.skierung @itn Gegonsatz zur Kontaktkopie bei
    wesentlich größeren Strukturen Nebenbilder und Unschärfen
    aaf, wie -öiesee in der Figur. 2 durch den; waagerecht
    schraffierten Bereich 14 in der Photolackschicht 4 ange=
    deutet ist. Die vom direkten Licht getroffenen Bereiche dieser Lackschicht und der darunterliegenden Isolierschicht 3 sind wieder durch eine senkrechte Schra.ffur gekennzeichnet, Der Vollständigkeit halber sei noch darauf hingewiesen, daß derartige Fehler bei der Abbildung selbstverständlich auch dauen auftreten, wenn die lichtempfindliche Schicht im Gegensatz zu, -den Figuren 1 und 2 nicht auf eine Isolierschicht, sondern direkt auf die Oberfläche 1 des-Körpers 2- aufgebracht wird.
  • Zur Vermeidung dieser bei den bekannten Verfahren zum photographischen Übertragen von Strukturen aal' Oberflächen reflektierender Körper auftretenden Nachteile wird nun erfindungsgemäß vorgeschlagen, daß die lichtempfindliche Schicht derart ausgebildet wird, daß sie auf Grund ihrer in Nähe der Körperoberfläche gezielt hohen Lichtabsorption. beim anschließenden Belichten 'keine wirksame Belichtung durch das vom Körper reflektierte Licht erfährt.
  • Der besondere Vorteil deo Verfahrens nach der Erfindung besteht darin, daß mit ihm sauf einfachste Weise selbst feinste Strukturen mit einer äußermt hohen Konturen. schie auf die Oberflächen lichtreflektierender Körper übertragen werden können.
  • Eine spezielle Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens sieht beispielsweise vor, daß als lichtempfindliche Schicht zwei Photolackschichten übereinander auf die mit der Struktur zu versehende Oberfläche aufgetragen werden.. Die Lichtdurchlässigkeit der ersteh,-unmittelbar auf die K®rperoberfläche aufgebrachten Lackschicht wird-dabei so gewählt, daß sie bei einer ausreichenden Durchbelichtung eine wirksame Belichtung der über ihr liegenden zweiten Lackschicht durch das vom Körper reflektierte Licht durch Absorption verhindert, -Zur Verdeutlichung dieser speziellen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens- ist in der Figur 3 ein Halbleiterkörper 2 gezeigt, bei dem auf die seine Oberfläche 1 bedeckende Isolier- bzwo Passivierungsschicht die. beiden Photolackschiehten 15 und 16- übereinander aufgebracht sind.
  • Die absorbierende Wirkung läßt sich hier wie bei allen anderen denkbaren Ausführungsformen der Erfindung-beispielsweise dadurch erzielen, daß dem für die lichtempfindliche Schicht verwendet'en Material be_3m Herstellen des absorbierenden Bereichs dieser Schicht ein Farbstoff
    oder ein anderes absorbierendes Mittel beigemischt. wird.
    Die dadurch verursachte Triibung bzwo Absorption des-.licht-
    empfindlichen -Mat exials darf allerdings nur - s o hö c1 - sein,
    daß der mit diesem Material hergestellte Bereich der
    lichtempfindlichen-Schicht durch das einfäll ende Primär-.
    strahle noch ausr eichend dürchbelichtet -wird:
    Eine wesentliche Verbesserung -des:Verfahrens nach der Er-
    findung läßt -sich dann erzielen, wenn bei einer 'licht-
    empfndlichen Schicht- aus zwei übereinander aufgetragenen -
    Photolackschichten die erste, -unmittelbar auf die mit
    der Struktur zu versehende Oberfläche aufgebrachte -Lack-
    schicht.ene höhere Empfindlichkeit aufweist als die -.
    darüberliegende zweite Lackschicht. Der etwas verminderte -
    Ätzwaderstand, den Photolacke mit- höherer Empfindlichkeit
    gewöhnlich aufweisen-, ist -dabei -im Hinblick auf- die Bil-
    dung von sogenannten Pinhales --also innerwünschten -Löchern
    in der maskierenden Lackseh%oht, de sich .dann beispiels-
    weise in die - diffusionsheende Isolierschicht 'übertragen
    von untergeordneter Redeutungsolange die zweite Lack-
    gchi:cht einen aüsreichenden .Ätzwäderstand besitzt 6 -
    . In einer Weiterbildung der Erfindung wird ferner vorge-
    schlagen, bei Verwendung. eines ausreichend breiten Spek-
    tralbandes für die 'Belichtung des Photolackes die spek- -
    trafen Empfindlichkeiten der beiden Photolackschichten _ so zu wählen, daß innerhalb des Spektralbereiches des belichtenden Lichtes der spektrale Empfindlichkeitsbereich der ersten-Schicht größer als der der zweiten ist. Dieses kann bei@.elsweise durch die Zugabe eines Sensibilisators zum Photolack der ersten, unmittelbar auf die Halbleiterkörperoberfläche oder auf die den Halbleiterkörper betleckende Isolierschicht geschehene Unter Sensibilisator ist dabei ein in der Phototechnik gebräuchlicher Stoff zu verstehen, durch dessen Beimischung ein im Be-.
  • reich kurzwelligen Lichtes empfindlicher Lack-auch für langwelligeres Licht empfindlich wird. Durch die bei. diesei speziellen Verfahren angegebene Wahl der spektralen Empfindlichkeiten der beiden Lackschichten steht bei der Belichtung für die erste Lackschicht dem ausgenutzten größeren Empfindlichkeitsbereich entsprechend eine--höhere Lichtenergie als für die zweite darüberliegende Schicht zur Verfügung. Auf diese Weise kann der in der-ersten Schicht durch Idas absorbierende Mittel geschluckte Lichtenteil kompensiert. und eine: gleichmäßige Belichtung beider Schichten err_e.cht'werden. Bei dieser speziellen Aus= Führungsform -der Erfindung wird dann beispielsweise bei einem .Spek.tralband_für das belichtende Licht von 36¢ bis 47o nm- Für die erste Photolackschicht Lack mit einer oberen Spektrüllcante besä. goo nm und für die zweite Photo-
    lackschcht Lack mit einer oberen Spektralkante bei
    44o nm-,gewählt. Für-beide- Lacke liegen dabei die .Grenzen
    des spektralen Empfindlichkeitsbereichs zu kurzweiligen
    Licht hin weit außerhalb des- Spektralbandes d4z- belichten-
    den Lichtes. _
    Eine weitere sehr günstige Ausführungsform. des Verfahrens
    nach der Erfindung besteht .darin,, die Lacke für beide
    Photolackschichten in ihrer spektralen Empfindlichkeit. so
    zu wählen,- daß die erste Lackschicht in einem Spektralbe-
    reich des belichtenden Lichtes: empfindlich ist, in dem
    die darüberliegende zweite Phrtolackschieht keine Empfind-
    lichkeit aufweist. Gleichzeitig wird dann. dem hach für
    die-erste Photolackschicbt.ein Absorptionsmittel beige-
    geben, daß nur oder-doch zumindest bevorzugt Licht des
    spektralen Empfindlichkeitsbereiche der zweiten- Photolack-
    schicht- absorbiert.: -
    Vielfach Ist die maximal. mÖgliche Belichtung der Photo-
    lackschicht durch die Restintensität des reflektierten
    Nebenbildee oder andere Kriterien derart begrenzt. daß.
    man unzureichend durchbelichtete Schichten: erhält. Die-
    ses ist besonders kritisch bei Verejendung von sogenannten
    Nagativlack®nfl -die bekanntlich durch die vom, auffallenden
    Licht hmrvorgerutone Pelymorisation resistent- gegen Ent-
    wickler werden, da hier bei einer unzureichend durchbelichteten Schicht beim anschließenden Ätzprozeß Unterätzungen eintreten. Um dieses zu verhindern, können die Bedingungen beim Entwickeln durch@einen: kurzen Entwicklungspro,zeß-, ferner durch die Verwendung eines schwach angreifenden Entwicklers oder durch die Verwendung verschiedener Entwickler für die obere und untere Photolackschicht so gewählt werden, daß die"untere Schicht vom Entwickler noch nichtausgewaschen wird. Anschließend wer-* den dann beide Schichten einer reichlichen, ganzflächigen Nachbelichtung unterworfen utod auf diese Weise der erforderliche Ätzwiderstand erzielt® Die Nachbelichtung kann ohne Rücksicht auf reflektierte Lichtstrahlung erfolgen und wird zweckmäßigerweise malt Licht eines breiteren Spektrums durchgeführt, als- es, für-die Belichtung der Photolackschichten mit der Maskenstruktur verwendet wird. Besonders bei der Projektionsmaskierung, bei- der die Belichtung_ mit Wellenlängen oberhalb 4oo nm vorgenommen wird, .'ist es vorteilhaft, für die Nachbelichtung Licht eines möglichst breiten Spektrums zu verwenden. Es hat sich in diesem Zusammenhang beispielsweise ein Spektrum von ca. 3oo bis 45o -nm- sehr bewährt.
  • Eine weitere Verbesserung der Konturenschärfe der mit
    dem- erfindungsgemäßen Verfahren-. hergestellten Strukturen
    wird dann noch erzielt, wenn Photolack und Entwickler für
    beide Schichten, derart gewählt werden; daß ein Entwickler
    nur jeweils eine Photolac%schicht angreift-. Die--Belichtungs=
    und Entwcklungsbedingungen können,-in-diesem Fall. ohne-
    Rücksicht auf den darauf resultierenden Atzwiderstand der
    unmittelbar auf die mit der .Struktur zu versehende Ober-
    fläche aufgebrachten Schicht so gewählt werden, daß- opti-
    male Konturen an der unteren Schicht entstehen,--wobei-die
    zuerst - entwickelte Schicht heim Entwickeln der darunter-
    liegenden ersten Schicht als Maske wirkt. Der erforder=
    liche Atzwiderstagd der unteren Schicht - entsteht. dann be,i
    der Nachbelichtung.
    In der Praxis "hat sich beispielswese bei dem -verfahren-
    nach der Erfindung für -die erste, unmittelbar auf die
    mit der Struktur zu versehende .Oberfläche aufgebrachte
    Photo-lackschicht eine Dicke von o, o_5 ,bis o, 9:,u- :und für -
    die darüberliegende zweite-Schicht eine Dicke von 9,1
    . bis 0 , 3/u b e-rährt -

Claims (1)

  1. P a t e n t a n s p r ü c h e 1) Verfahren zum photographischen Übertragen von.Struk- turen auf Oberflächen lichtreflektierender Körper, ins- besondere Halbleterk®rper oder mit einer Isolierschicht bedeckter-Hlalbleiterkö.rper unter Verwendung einer licht- empfindlichen Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß diese Schi.6ht--derart ausgebildet wird, däß sie auf Grund ihrer in Nähe der Körperoberfläche gezielt hohen Lichtabsorption beim anschließenden Belichten keine: wirksame Belichtung durch das vom Körper reflektierte Licht erfährt. 2) Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß auf die finit Bier Struktur zu versehende Oberfläche .als- lichtempfindliche : Schicht zwei Photolackschichten über- einander aufgetragen werden,, wobei die- Lichtdurchlässig- keit der ersten unmittelbar auf die Körperoberfläche auf- gebrachten Lackschicht so gewählt wird:, daß sie bei- einer ausreichenden Durehbe-lichtung eine wirksame Belichtung der -über ihr liegenden zweiten Lackschicht durch das- vom Körper reflektierte Licht durchs Absorption verhindert; 3 ) Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch-gekennzeich- net, daß zum Rerstellen dess absorbierenden Bereiche der lichtempfindlichen Schicht ein Material verwendet wird,
    dem ein Farbstoff oder ein anderes absorbierendes- Mittel , - -beigefügt- wurde, 4) Verfahren nach Anspruch 3dadurch gekennzeichnet,- daß zum Herstellen der ersten unmittelbar auf der -Körperober- fläche aufliegenden Photolacksch.cht ein Lack mit einer höheren :Lichtempfindlichkeit als zum Herstellen d:e-r- zwei- ten Schicht verwendet wird. 5 ) Verfahren nach Anspruch 3 =oder dadurch -gekennze.ch- net, daß die Lacke für die erste und zweite .Photolack- sch,icht in - ihrer spektralen Empfindlichkeit derart gewählt werden:, daß innerhalb des Spektralbandes des belichtenden Lichtes der spektrale- Enepfindli:ehkeitsbereich der erstem Schicht größer ist als., der der zweiten Schichte 6) Verfahren nach Anspruch 5, dacarch gekennzeichnet. daß zum Aufbringen der ersten. Photolacksc-hicht ein -Lack ver- wendet wird,' dem ein Sensibilisatör beigemischt ist.- 7) - Verfahren nach Anspruch 5-oder- .. 6, dadurch Sekennzeich- net, daß bei einem Spektralband- für- d816 belichtende Licht von 36o bis 47c a_ für d:L_e erste Photola*schicht ein Lack mit einer oberen Spektralkante bei 500"-nm-Und für. die
    zweite Schicht ein Lack mit einer oberen Spcktralkante bei 44o nm gewählt wird, wobei für beide Lacke die Grenzen ihrer spektralen Empfindlichkeit zu kurzwelligem Licht hin außerhalb,des Spektralbandes des belichtenden Lichtes liegen. 8) Verfahren :nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Lacke fÜr beide Schichten in ihrer spektralen Empfindlichkeit derart gewählt werden; -daß die erste Lackschicht in einem Spektralbereich des belichtenden Lichtes empfindlich ist, in dem die zweite darüberliegende Lackschicht keine oder nur noch eine sehr geringe Empfindlichkeit aufweist, und daß' außerdem der ersten Photolackschcht ein Absorptionsmittel beigegeben wird, das nur -oder doch zumindest bevorzugt Licht des spektralen, Empfindlichkeitsbereichs der zweiten Photolackschicht absorbiert. 9) il-erfahre-n nach einem der Ansprüche 3 bis $9 dadurch gekennzeichnet.:, daß: bei.Anwendung von kurzen Belichtun$szeiten -zur Erzielung einer guten Duxchbelichtung der' ersten Photolackschicht die Bedingungen belass Entwickeln so gewählt -werden, daß--die erste Schicht vom Entwickler nicht, ausgewaschen wird, und daß -.dann beide Schichten einer nochmaligen garvflächigen:Nachbelichtung unterworfen werden. o) Verfahren nach Ans`priach 9, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung von Negativlacken der Entwi,cklungsprozeß so kurz gehalten wird,@daß-en Auswaschen der ersten Schicht nicht- eintritt. 11) Verfahren nach Anspruch 9 oder iodadurch gekennzeichnet, daß bei der Nachbelichtung. Licht eines breiteren Spektrums als bei der vorangegangenen Belichtung der Photolackschichten mit Maskenstruktur verwendet wird. 12)_ Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Photolack. und Entwickler für beide Schichten derart gewählt werden, daß ein Entwickler jeweils nur eine Phot®lackgchicht angreift. 13') Verfahren nach Anspruch 129 dadurch Zekennzeichnet, daß die Bedingungen beim Belichten und Entwickeln so gewählt werden,, daßbeim Entwickeln der ersten Photolackschicht die darüberliegende9.bereits entwickelte zweite Schicht als Maske wirkt. 14) Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 139 dadurch gekennzeichnet, daß auf die mit der Struktur zu versehende Oberfläche zunächst eine erste Photolackschicht mit einer Dicke von o,o.5 bis o,1/ u und darüber dann eine zweite Photolackschicht mit einer Dicke von o,1 bis o,3/ u aufgebracht wird.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2452118A1 (fr) * 1979-03-23 1980-10-17 Siemens Ag Procede pour fabriquer des structures formees de couches de laque photosensible positive sans effets d'interferences nuisibles
EP0025805A1 (de) * 1979-09-21 1981-04-01 CENSOR Patent- und Versuchs-Anstalt Verfahren zur Übertragung eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2470402A1 (fr) * 1979-11-27 1981-05-29 Western Electric Co Structure composite de matiere de reserve et procede de mise en oeuvre
EP0264650A1 (de) * 1982-09-30 1988-04-27 Brewer Science, Inc. Antireflexionsschicht
EP0331494A2 (de) * 1988-03-02 1989-09-06 Hewlett-Packard Company Photolackverfahren
US5139918A (en) * 1988-03-02 1992-08-18 Hewlett-Packard Company Photoresist system and photoetching process employing an I-line peak light source
EP0729071A1 (de) * 1995-02-15 1996-08-28 Schablonentechnik Kufstein Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer Druckschablone

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2452118A1 (fr) * 1979-03-23 1980-10-17 Siemens Ag Procede pour fabriquer des structures formees de couches de laque photosensible positive sans effets d'interferences nuisibles
EP0025805A1 (de) * 1979-09-21 1981-04-01 CENSOR Patent- und Versuchs-Anstalt Verfahren zur Übertragung eines Musters auf eine Halbleiterscheibe
FR2470402A1 (fr) * 1979-11-27 1981-05-29 Western Electric Co Structure composite de matiere de reserve et procede de mise en oeuvre
EP0264650A1 (de) * 1982-09-30 1988-04-27 Brewer Science, Inc. Antireflexionsschicht
EP0331494A2 (de) * 1988-03-02 1989-09-06 Hewlett-Packard Company Photolackverfahren
EP0331494A3 (de) * 1988-03-02 1990-11-07 Hewlett-Packard Company Photolackverfahren
US5139918A (en) * 1988-03-02 1992-08-18 Hewlett-Packard Company Photoresist system and photoetching process employing an I-line peak light source
EP0729071A1 (de) * 1995-02-15 1996-08-28 Schablonentechnik Kufstein Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer Druckschablone

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