DE1614877C3 - - Google Patents

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DE1614877C3
DE1614877C3 DE1614877A DET0035057A DE1614877C3 DE 1614877 C3 DE1614877 C3 DE 1614877C3 DE 1614877 A DE1614877 A DE 1614877A DE T0035057 A DET0035057 A DE T0035057A DE 1614877 C3 DE1614877 C3 DE 1614877C3
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DE1614877A
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Inventor
Peter Conze
Heinz-Wilhelm 7103 Schaigern Ehlbeck
Heinz-Achim Dipl.-Ing. Hefner
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D10/00—Bipolar junction transistors [BJT]
    • H10P32/00—
    • H10P95/00—

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  • Bipolar Transistors (AREA)
DE1967T0035057 1967-10-19 1967-10-19 Verfahren zum herstellen eines planartransistors Granted DE1614877B2 (de)

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DE1614877A1 DE1614877A1 (de) 1970-12-23
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FR2417854A1 (fr) * 1978-02-21 1979-09-14 Radiotechnique Compelec Transistor comportant une zone resistive integree dans sa region d'emetteur

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DE1614877A1 (de) 1970-12-23

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