DE1614763C3 - Elektronisch abstimmbare Kapazität und Verfahren zu ihrer Herstellung - Google Patents
Elektronisch abstimmbare Kapazität und Verfahren zu ihrer HerstellungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine elektronisch abstimmbare Kapazität nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine derartige Vorrichtung ist beispielsweise bekannt aus der Zeitschrift »Electronics World« Band 75, 1966,
Heft 6, Seiten 43 bis 46.
Es ist allgemein üblich, bei elektronischer Abstimmung von Schwingkreisen elektronisch abstimmbare
Kapazitätsdioden zu verwenden. Diese ändern in Abhängigkeit von aef anliegenden Steuerspannung
S ihren Kapazitätswert. Aufgrund der Änderung der Steuerspannung ist somit eine Änderung der Resonanzfrequenz
eines Schwingkreises möglich. Da große Kapazitätsänderungen von Kapazitätsdioden bei kleineren
Abstimmungsspannungen auftreten, wählt man
ίο die Steuerspannung bei Kapazitätsdioden bis zu Werten
von ca. 2 Volt. Nun darf der zulässige Spitzenwert der Hochfrequenzspannung nicht so groß werden, daß die
Dioden in den Durchlaßbereich gesteuert werden. Der Spitzenwert der Hochfrequenzspannung muß daher
kleiner sein als die Steuerspannung plus der Diffusionsspannung der Diode. Bei Leistungskreisen treten jedoch
häufig Hochfrequenzspannungen auf, deren Spitzenwert größer als die Steuerspannung der Kapazitätsdioden
ist.
Um auch bei Leistungskreisen variable Kapazitäten ir. Form von Kapazitätsdioden einsetzen zu können,
wurde bereits früher vorgeschlagen, mehrere Kapazitätsdioden hochfrequenzmäßig in Reihe und paarweise
gegeneinander zu schalten und zu dieser Reihenschaitung, die für eine Aufteilung der Hochfrequenzspannung
auf eine Vielzahl von Dioden sorgt, sovieie gleichartige Reihenschaltungen parallel zu schalten, wie Kapazitätsdioden in einer Reihenschaltung vorhanden sind. Bei
dieser Anordnung sind alle Kapazitätsdioden gleichstrommäßig parallel geschaltet. Durch eine derartige
Zusammenschaltung von mehreren Kapazitätsdioden erreichte man einmal, daß die durch die Zusammenschaltung
gewonnene variable Kapazität einen höheren Spitzenwert der Hochfrequenzspannung verkraften
kann, daß aber zum anderen sich die Gesamtanordnung bezüglich des Kapazitätswertes und der Kapazitätsänderung
wie eine einzelne Kapazitätsdiode verhält.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine elektronisch abstimmbare Kapazität anzugeben, die
eine einfache und rationelle Integration einer Vielzahl von Dioden und Widerständen ermöglicht. Diese
Aufgabe wird durch die elektronisch abstimmbare Kapazität gemäß dem Anspruch 1 gelöst.
Die Erfindung soll im weiteren noch anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert werden.
Fig. 1 zeigt die Schaltung der elektronisch abstimmbaren
Kapazität.
Fig. 2 zeigt in perspektivischer Ansicht den Aufbau der elektronisch abstimmbaren Kapazität.
F i g. 3 zeigt die fertige, in Kunststoff eingegossene Anordnung mit den vier Anschlüssen für die Steuerspannung
und für die Hochfrequenzspannung.
Fig. 1 zeigt eine Anzahl hintereinandergeschalteter
Dioden 1, die über die Anschlüsse 2 und 3 an die Hochfrequenzspannung anzuschließen sind. Die Dioden
bestehen beispielsweise aus Silizium und weisen zwei Zonen unterschiedlichen Leitfähigkeitstyps auf, die
durch einen pn-Übergang voneinander getrennt sind. Die Dioden sind so paarweise gegeneinander geschaltet,
daß jeweils die Zonen des gleichen Leistungstyps zweier benachbarter Dioden aneinander grenzen. Die Verbindungsstellen
4 zwischen den Dioden sind wechselweise über Widerstände 5 so mit den Steuerleitungen 6 und 7
verbunden, daß beim Anlegen einer Gleichspannung an die Endkontakte 8 und 9 der Steuerleitungen alle
Dioden in Sperrichtung vorgespannt sind. Die Widerstände 5 sind relativ hochohmig; ihr Widerstandswert
beträgt in der Schaltung nach Fig. 1 beispielsweise 10
KOhm. Durch die Stabilisierungswiderstände 5 wird erzielt, daß die Steuerspannung auch beim Ausfall der
einen oder der anderen Diode nicht zusammenbricht, sondern die Anordnung weiterhin funktionsfähig bleibt.
F i g. 2 zeigt, wie die Schaltung nach F i g. 1 auf rationeile und einfache Weise in Form eines einzigen
Bauelements hergestellt wird. Eine Trägerplatte 10 besteht aus einem elektrisch isolierenden Material,
beispielsweise aus Aluminiumoxid (AI2O3). Auf dieser
Keramikplatte befinden sich die Widerstände 5 (F i g. 1), die Steuerleitung 6 und die Kontaktflächen 4 zum
Anschluß der Dioden, die entweder aufgedampft oder nach dem Siebdruckverfahren auf die isolierende
Trägerplatte aufgebracht werden. Der Res: der Widerstände 5 sowie die Steuerleitung 7 befinden sich
auf der Rückseite der Keramikplatte 10 und sind in der F i g. 2 nicht sichtbar.
Vorteilhafterweise geht man dabei so vor, daß auf aie
eine Seite der flachen Trägerplatte 10 die Widerstände 5, aufgebracht werden, die mit dem positiven Pol der
Gleichspannungsquelle zu verbinden sind. Dann wird auch die Steuerleitung 6 auf diese Seite der Isolierplatte
in Form einer aufgedampften oder aufgedruckten Leitbahn aufgebracht und mit dem einen Ende der
Widerstände 5 verbunden. Das andere Ende der Widerstände endet jeweils in einem großflächigen
Anschlußkontakt 4, die gleichfalls auf die Isolierplatte entweder aufgedampft oder aufgedruckt werden. Diese
Anschlußkontakte 4, die den Verbindungsstellen 4 der Fig. 1 entsprechen, sind für den elektrischen Anschluß
der Widerstände 5 an die Dioden 1 vorgesehen. Auf die andere Seite der isolierenden Trägerplatte 10 werden
die Widerstände aufgebracht, die an den negativen Pol der Steuer-Gleichspannung anzuschließen sind. Folglich
befindet sich auf dieser den Widerständen 5 gegenüberliegenden Seite der Trägerplatte 10 auch die Steuerleitung
7 (Fig. 1). Die Anschlußkontakte 4 an die Widerstände sind ferner mit plattenförmigen Kontaktelementen
11 verbunden. Um eine günstige Kontaktierung der Dioden zu ermöglichen, sind die Anschlußkontakte
der Widerstände auf der Vorder- und der Rückseite der Trägerplatte 10 gegeneinander versetzt,
so daß jeweils ein an der Unterseite der Trägerplatte 10 befestigtes Kontaktelement 12 zwischen zwei an der
Oberseite der Trägerplatte 10 befestigten Kontaktelementen 13 und 14 angeordnet ist. Durch jedes
Kontaktelement (12, 13, 14) werden jeweils die Zonen (15 und 16) vom gleichen Leitungstyp zweier im
Leitungszug der Schaltung nach F i g. 1 benachbarter Dioden kontaktiert. Dadurch erhält man die in F i g. 2
dargestellte Anordnung, bei der jeweils die aneinander angrenzenden Zonen der im Leitungszug benachbarten
Dioden ein gemeinsames Kontaktelement aufweisen, das über einen Widerstand mit der zugehörigen
Steuerleitung verbunden ist. Die Steuerleitungen enden auf der Trägerplatte in aufgedampften oder aufgedruckten
Kontaktflächen (8, 9), an die Anschlüsse für das Gesamtbauelement anzubringen sind. Das jeweils letzte
plattenförmige Kontaktelement (2, 3) im Leitungszug der in Reihe geschalteten Dioden dient als Anschlußelektrode
für die Hochfrequenzspannung.
Die plattenförmigen Kontaktelemente (12, 13, 14), durch die die Dioden einerseits miteinander verschaltet
und andererseits über Widerstände mit den Steuerleitungen verbunden sind, bestehen vorteilhafterweise aus
vergoldeten Nickelbiechen, die beispielsweise 0,1 bis 0,2 mm dick sind. Zur Verbindung der Dioden mit den
Nickelblechen wird jeweils eine Lötfolie 17 verwendet, die beispielsweise bei Siliziumdioden aus Gold oder aus
einer Gold-Germanium-Verbindung besteht. Die auf die isolierende Trägerplatte 10 aufgedampften oder aufgedruckten
Widerstände sind zur vorteilhaften Flächenausnutzung mäanderförmig ausgebildet.
Fig.3 zeigt das fertiggestellte Bauelement mit einer
Reihe hochfrequenzmäßig hintereinandergeschalteter Dioden. Die Zahl der Dioden kann entsprechend der
maximal auftretenden Hochfrequenzspannung beliebig variiert werden. Gemäß F i g. 3 wird die Diodenanordnung
nach F i g. 2 in einen isolierenden Stoff 18 eingegossen, der aushärtbar ist und der Halbleiteranordnung
mechanische Stabilität und einen die Anordnung sichernden Abschluß nach außen verleiht. Als
Isolierstoffmaterial eignet sich beispielsweise Epoxidharz. Aus dem Kunststoffgehäuse 18 ragen die
Anschlüsse 2 und 3 an die Diodenkette heraus, an die die Hochfrequenzspannu.ig anzuschließen ist, während die
Anschlüsse 8 und 9, die an die Steuerleitungen auf der Unter- und der Oberseite der isolierenden Platte 10
(F i g. 2) angelötet sind, für den Anschluß der Gleichoder Steuerspannung vorgesehen sind.
Da durch die Reihenschaltung der Dioden die Kapazität der Gesamtanordnung kleiner als die einer
einzigen Kapazitätsdiode ist, kann man durch hochfrequenzmäßige Parallelschaltung mehrerer Anordnungen
nach Fig.3 die Gesamtkapazität wieder erhöhen. Werden soviele Anordnungen parallelgeschaltet wie in
einer einzigen Anordnung Dioden hintereinandergeschaltet sind, so erhält man als Gesamtkapazität die
Kapazität einer einzelnen Diode.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Elektronisch abstimmbare Kapazität aus gieichstrommäßig parallel geschalteten Dioden, die
hochfrequenzrnäßig in Reihe und paarweise gegeneinander geschaltet sind, bei der die Verbindungsstelle
zwischen zwei Dioden über einen Widerstand mit einer, allen Dioden gemeinsamen Steuerleitung
zur Zuführung einer Gleichspannung verbunden ist. dadurch gekennzeichnet, daß alle Verbindungsstellen
(4) zwischen jeweils zwei Dioden (!) über je einen gesonderten Widerstand (5) — von
Verbindungsstelle zu Verbindungsstelle abwechselnd — mit einer der beiden, allen Diode::
gemeinsamen Steuerleitungen (6 bzw. 7) verbunder sind und daß die Widerstände (5) und die
Steuerleitungen (6 bzw. 7) auf einer isolierenden Platte (10) untergebracht und die jeweils aneinandei
grenzenden Zonen zweier benachbarter Dioden vom gleichen Leitungstyp über ein gemeinsame-Kontaktelement
(12) mit dem Kontakt des zugehörigen Widerstandes (5) auf der isolierenden Platte (10.
verbunden sind.
2. Elektronisch abstimmbare Kapazität nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Steuerleitung (6) zum positiven Pol der Steuerspannung und die mit ihr verbundenen Widerstände (5)
auf der einen Seite und die Steuerleitung (7) zum negativen Pol der Steuerspannung und die mit ihr
verbundenen Widerstände (5) auf der anderen Seite der isolierenden Platte (10) untergebracht sind.
3. Elektronisch abstimmbare Kapazität nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kontaktelemente (11), die die Dioden (1) mit den Widerständen (5) auf der isolierenden Platte (10)
verbinden, aus vergoldeten Nickelblechen bestehen.
4. Elektronisch abstimmbare Kapazität nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Widerstände (5) zwischen den Dioden (1) und den Steüerleitungen (6, 7)
mehrere Kiloohm groß sind.
5. Verfahren zur Herstellung der elektronisch abstimmbaren Kapazität nach einem der Ansprüche
1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerleitungen (6, 7), Widerstände (5) und Kontaktelemente
(11) mit Hilfe der Siebdrucktechnik auf die isolierende Platte (10) aus Aluminiumoxid (Al2O3)
aufgebracht werden.
6. Verfahren zur Herstellung der elektronisch abstimmbaren Kapazität nach Anspruch 5, dadurch
gekennzeichnet, daß die Anordnung aus Dioden (1) der isolierenden Platte (10) und den Kontaktelementen
(11 -14) zwischen den Widerständen (5) auf der
isolierenden Platte (10) und den Dioden (1) in einen isolierenden Stoff aus einem aushärtbaren Material
eingegossen wird, aus dem Anschlüsse (8, 9) an die Steuerieitungen (6, 7) und Anschlüsse (2, 3) der
Dioden (1) herausragen.
Applications Claiming Priority (1)
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DET0033168 | 1967-02-08 |
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